DE4210880C2 - Heizblock einer Draht-Bondvorrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauteilen - Google Patents
Heizblock einer Draht-Bondvorrichtung zur Herstellung von HalbleiterbauteilenInfo
- Publication number
- DE4210880C2 DE4210880C2 DE4210880A DE4210880A DE4210880C2 DE 4210880 C2 DE4210880 C2 DE 4210880C2 DE 4210880 A DE4210880 A DE 4210880A DE 4210880 A DE4210880 A DE 4210880A DE 4210880 C2 DE4210880 C2 DE 4210880C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- heating
- heating block
- block
- chip
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
- G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
- G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
- G05D23/1934—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces each space being provided with one sensor acting on one or more control means
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
- G05D23/22—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element being a thermocouple
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
- H01L2924/13033—TRIAC - Triode for Alternating Current - A bidirectional switching device containing two thyristor structures with common gate contact
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Heizblock einer Draht-Bondvorrichtung
zur Herstellung von Halbleiterbauteilen mit einem
Leiterrahmen zur Aufnahme eines in den Leiterrahmen eingesetzten
Chips und mit am Leiterrahmen vorgesehenen inneren und
äußeren Drähten.
Drahtverbindemaschinen werden viel für das Verbinden eines
Halbleiters mit einem Leitungsrahmen benutzt, und zwar zum
Verbinden der gegenüber liegenden Enden einer Vielzahl von
Drähten, beispielsweise Golddrähten, mit einem Halbleiterchip
mit den inneren Leitungen bzw. dem Leiterrahmen für die Herstellung
eines Halbleiterpackets. Im allgemeinen wird die
Drahtverbindemaschine mit einem Heizblock für die Verbindetemperatur
vorgesehen, und zwar für die Verbundteile zwischen
den gegenüber liegenden Drahtenden und dem Halbleiterchip und
den inneren Leitungen des Leiterrahmens.
Fig. 1 zeigt einen bekannten Heizblock einer Drahtverbindemaschine
nach dem Stand der Technik, wobei der Heizblock obere und
untere Heizblöcke 10 und 20 einschließt und der obere Heizblock
10 darauf vorgesehen ist mit einem Chip-Heizteil 11, so
daß ein Halbleiterchip (nicht gezeigt) und ein Ende jedes
Drahtes darauf gelegt werden
können, um beheizt und verbunden zu werden und ein innerer
Leitungs-Heizteil ermöglicht das Darauflegen des anderen
Drahtendes und der inneren Leitungen auf den Leiterrahmen
(nicht gezeigt), um beheizt und verbunden zu werden.
Zusätzlich ist der untere Heizblock 20 mit einem Paar
Aufnahmelöchern 20a und 20b versehen, die länglich aus
gebildet und parallel voneinander beabstandet und derart
angepaßt sind, daß sie ein Heizgerät 31 bzw. ein Thermo
paar 33 aufnehmen können.
Beim Verbindevorgang wird der Heizblock vom Heizgerät 31
auf eine vorbestimmte Temperatur beheizt, nimmt sodann
darauf den Leiterrahmen auf, der mit einem Halbleiterchip
auf den Heizteilen 11 und 12 des oberen Heizblocks 10
versehen ist, und der Leiterrahmen auf den Heizteilen 11
und 12 wird durch die Klemme 43 geklemmt. Der Chip
wird daher mit den inneren Leitungen des Leiterrahmens
durch das Verbinden beider Drahtenden mit dem Chip und den
inneren Leitungen verbunden.
Der bekannte Heizblock hat jedoch den Nachteil, daß die
Heiztemperaturen der entsprechenden Heizteile gleichzeitig
durch das einzige Thermopaar 33 kontrolliert werden, und
zwar unter der Bedingung, daß eine Kontrolle durch eine
Temperatur-Kontrollvorrichtung vorgenommen wird, so daß es
unmöglich ist, eine erste Heiztemperatur zum Verbinden
eines Endes jedes Drahtes mit dem Chip unterschiedlich von
einer zweiten Heiztemperatur zum Verbinden des anderen
Endes des Drahtes mit jeder inneren Leitung des Leiterrah
mens zu kontrollieren. Mit anderen Worten ist es wün
schenswert, die erste Heiztemperatur beim Verbindevorgang
im allgemeinen bei etwa 200 ±10°C zu kontrollieren.
Hierbei ist bekannt, daß die höhere Temperatur beibehalten
wird und die hohe Verbindewirkung durchgeführt wird und daher
ist es wünschenswert, die Heiztemperatur zum Verbinden des
Drahtes mit dem Chip und der inneren Leitung zu kontrollieren,
und zwar höher als bei der obigen Temperatur von 200 ±10°C.
Die Heiztemperatur über 200 ±10°C wird jedoch den Halbleiterchip
wegen des relativ niedrigen Wärmewiderstandes des Halbleiterchips
beschädigen, so daß der Heizblock nicht zu einer
Temperatur von über 200±10°C beheizt werden kann. Daraus ergibt
sich, daß der bekannte Heizblock den Nachteil hat, daß er
keine gute Verbindewirkung im Verbindeteil zwischen den Drähten
und den inneren Leitungen des Leiterrahmens wegen der
relativ niedrigen Heiztemperatur von etwa 200 ±10°C schaffen
kann.
Die DE 37 22 765 C2 beschreibt einen elektrisch geheizten
Stempel, der zum Erwärmen von Teilen, z. B. beim Schweißen
(Bonden) dient. Durch eine entsprechende Formgebung erhält der
stromdurchflossene Heizblock dieses Stempels an verschiedenen
Stellen unterschiedliche Temperaturen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Heizblock mit
den Merkmalen des Oberbegriffs von Patentanspruch 1 vorzuschlagen,
mit dem es möglich ist, ohne Beschädigung des temperaturempfindlichen
Chips die elektrischen Verbindungen des
Halbleiterbauteils zu verbessern.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist die Erfindung dadurch gekennzeichnet,
daß zwei getrennte Heizteile vorgesehen sind, mit
denen die inneren bzw. die äußeren Drähte des Leiterrahmens
unterschiedlich erwärmt werden können.
Hierzu wird es bevorzugt, wenn der erfindungsgemäße Heizblock
durch die Merkmale von Patentanspruch 2 gekennzeichnet ist.
In einer Ausführungsform schließen die unterschiedlichen
Heizmittel ein Paar zweiter Heizgeräte und ein zweites
Thermopaar ein, die quer in jeder Seite eines oberen Heiz
blocks unter dem inneren Leitungs-Heizteil vorgesehen sind
sowie ein erstes Heizgerät und ein erstes Thermopaar, die
in einem unteren Heizblock angebracht sind, weiterhin
thermische Isolierelemente, die im oberen Heizblock lie
gen, um jeweils eines der zweiten Heizgeräte und eines der
zweiten Thermopaare zu umgeben.
In einer anderen Ausführungsform schließen die unter
schiedlichen Heizmittel eine Einsatzöffnung ein, die senk
recht an den Mittelteil des inneren Leitungs-Heizteils des
oberen Heizblocks angeformt ist, ferner einen gesonderten
Chip-Heizblock, der aus einem Material mit relativ gerin
gerer thermischer Leitfähigkeit als demjenigen des oberen
Heizblocks hergestellt wurde und derart angepaßt ist, daß
er von einer Einsatzöffnung aufgenommen wird und eine
obere Oberfläche besitzt, die als Chip-Heizteil arbeitet,
sowie einen Chip-Heizteil und ein Heizgerät und ein Ther
mopaar, die in einem Heizblock des oberen Heizblocks an
gebracht sind, sowie einen unteren Heizblock, und zwar
ohne Unterscheidung der oberen und unteren Heizblöcke.
In einer weiteren Ausführungsform schließen die unter
schiedlichen Heizmittel eine strahlende Öffnung ein, die
in einem oberen Heizblock unter dem Chip-Heizteil aus
gebildet ist, so daß ein Luftstrom hindurch zirkulieren
kann, ferner ein Heizgerät und ein Thermopaar, die in
einem Heizblock eines oberen Heizblocks und eines unteren
Heizblocks angebracht sind, wobei der untere Heizblock
derart angepaßt ist, daß er den oberen Heizblock darauf
trägt, und zwar ohne Unterscheidung der oberen und unteren
Heizblöcke.
In einer weiteren Ausführungsform schließen die unter
schiedlichen Heizmittel ein erstes Heizgerät und ein er
stes Thermopaar ein, die diagonal in einem oberen Heiz
block unter dem Chip-Heizteil angebracht sind, weiterhin
ein Paar zweiter Heizgeräte und ein zweites Thermopaar,
die jeweils quer in jeder Seite des oberen Heizblocks
unter dem inneren Leitungs-Heizteil ausgebildet sind,
sowie thermische Isolierelemente, die in dem oberen Heiz
block liegen, um jeweils ein zweites Heizgerät und ein
zweites Thermopaar zu umgeben.
In einer weiteren Ausführungsform schließen die unter
schiedlichen Heizmittel eine thermische Isolierplatte ein,
die sich zwischen den oberen und unteren Heizblöcken für
die Zwischenisolierung befindet, eine Einsatzöffnung, die
senkrecht im Inneren des inneren Leitungs-Heizteil des
oberen Heizblocks ausgebildet ist und ein Einsatzteil, das
sich nach oben von der oberen Fläche des unteren Heiz
blocks erstreckt, um in die Einsatzöffnung des oberen
Heizblocks eingesetzt zu werden und das an dessen Seiten
flächen mit einem thermischen Isolierteil bedeckt ist,
wobei der Einsatzteil mit einer oberen Oberfläche versehen
ist, die als Chip-Heizteil arbeitet, sowie ein erstes
Heizgerät und ein erstes Thermopaar, die länglich in einem
Mittelteil des unteren Heizblocks angebracht sind, ferner
ein Paar zweiter Heizgeräte und ein zweites Thermopaar,
die jeweils länglich in jeder Seite des oberen Heizblocks
unter dem inneren Leitungs-Heizteil vorgesehen sind.
Andere Aufgaben und Merkmale der Erfindung gehen aus der
folgenden Beschreibung hervor, wobei Bezug auf die an
liegenden Zeichnungen genommen wird. Es zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer
Konstruktion eines Heizblocks einer
Drahtverbindemaschine nach dem Stand
der Technik;
Fig. 2-5 eine Ausführungsform eines Heizblocks
einer Drahtverbindemaschine nach der
Erfindung, wobei
Fig. 2 eine auseinander gezogene, perspektivische
Ansicht ist;
Fig. 3 eine Schnittansicht entlang der Linie A-A
der Fig. 2 ist;
Fig. 4 eine Schnittansicht entlang der Linie B-B
der Fig. 2 ist;
Fig. 5 ein Schaltdiagramm mit einem Beispiel einer
Steuerschaltung eines Heizgeräts;
Fig. 6 eine teilweise auseinander gezogene, per
spektivische Ansicht einer anderen Aus
führungsform eines Heizblocks einer
Drahtverbindemaschine nach der Erfindung;
Fig. 7-9 eine andere Ausführungsform eines Heiz
blocks einer Drahtverbindemaschine nach der
Erfindung, wobei
Fig. 7 eine teilweise perspektivische Ansicht ist;
Fig. 8 eine Schnittansicht entlang der Linie C-C
der Fig. 7 ist;
Fig. 9 eine Schnittansicht entlang der Linie D-D
der Fig. 7 ist;
Fig. 10-11 eine andere Ausführungsform des
Heizblocks einer Drahtverbindemaschine
nach der Erfindung, wobei
Fig. 10 eine teilweise auseinander gezogene
Ansicht zeigt;
Fig. 11 eine Schnittansicht entlang der Linie
E-E der Fig. 10 zeigt;
Fig. 12-15 eine andere Ausführungsform des
Heizblocks einer Drahtverbindemaschine
nach der Erfindung, wobei
Fig. 12 eine perspektivische Ansicht zeigt;
Fig. 13 eine auseinandergezogene perspektivische
Ansicht zeigt und
Fig. 14 und 15 Schnittansichten entlang der Linien
F-F bzw. G-G der Fig. 13 zeigen.
Die Fig. 2 bis 4 zeigen eine ersten Ausführungsform
eines Heizblocks einer Drahtverbindemaschine nach der
Erfindung, wobei der Heizblock eine Differential-Heizvor
richtung 30 zum unterschiedlichen Beheizen eines Heizteils
einer Innenleitung des Heizblocks einschließt, und zwar auf
eine relativ höhere Temperatur als diejenige eines Chip-
Heizteils des Heizblocks. Wie schon in der Beschreibung
des Standes der Technik erläutert, sind der Heizteil der
Innenleitung und der Chip-Heizteil zum Verbinden einer
Vielzahl von Innenleitungen eines Leiterrahmens mit einem
Halbleiter-Chip durch die Verwendung einer Vielzahl von
Drähten ausgebildet.
Obwohl nicht in den Zeichnungen dargestellt, besitzt die
Differential-Heizvorrichtung 30, wie beim Stand der Tech
nik in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben, ein Heizgerät
31, d. h. ein erstes Heizgerät und ein Thermopaar 33, d. h.
ein erstes Thermopaar, die in einem Paar Aufnahmelöchern
20a und 20b aufgenommen sind, die in Längsrichtung im
unteren Heizblock 20 ausgebildet und voneinander beabstan
det und parallel zueinander angeordnet sind. Zusätzlich
schließt die Heizvorrichtung 30 ein Paar zweiter Heizgeräte
32 und ein Paar zweiter Thermopaare 34 ein, die jeweils am
oberen Heizblock 10 vorgesehen sind, wie in Fig. 2 ge
zeigt. Die zweiten Heizvorrichtungen 32 werden jeweils in
einem Paar Aufnahmelöchern 10a aufgenommen, wobei jedes
Loch 10a in Querrichtung in jeder Seite des oberen Heiz
blocks 10 vorgesehen und parallel zueinander angelegt ist.
Während die zweiten Thermopaare 34 jeweils in einem Paar
Aufnahmelöchern 10b aufgenommen werden, ist jedes Loch 10b
in Querrichtung in jeder Seite des oberen Heizblocks 10
nahe dem Loch 10a ausgebildet, das die zweite Heizvorrich
tung 32 aufnimmt. Die Aufnahmelöcher 10a und 10b sind
parallel zueinander, so daß die Heizvorrichtungen 32 und
die Thermopaare parallel zueinander sind.
Andererseits sind ein Paar im Querschnitt U-förmige ther
mische Isolierelemente 40 vorgesehen, und zwar im oberen
Heizblock 10, um jeweils eine zweite Heizvorrichtung 32
und ein zweites Thermopaar 34 zu umgeben, wie in den Fig.
3 und 4 dargestellt.
Erfindungsgemäß werden die ersten und die zweiten Heizvor
richtungen 31 und 32 unabhängig durch entsprechende Tempe
ratur-Kontrollgeräte gesteuert bzw. geregelt, so daß der
Chip-Heizteil 11 des Heizblocks mit gleicher Temperatur
beheizt wird, wie beim Stand der Technik beschrieben, d. h.
etwa 200 +10°C, während der Heizteil 12 der Innenleitung
auf eine relativ höhere Temperatur als der des Chip-Heiz
teils 11 beheizt wird.
Fig. 5 ist ein Schaltdiagramm, das ein Beispiel die Rege
lung einer Heizvorrichtung zum Kontrollieren der Heizvor
richtungen 31 und 32 zeigt, wobei die Schaltung die ersten
und zweiten Heizvorrichtungen 31 und 32, die ersten und
zweiten Thermopaare 33 und 34 zur Messung der Heiztempe
raturen der Heizvorrichtungen 31 und 32 einschließt sowie
ein TRIAC 36 zum Kontrollieren der Stromzufuhr für die
Heizvorrichtungen 31 und 32 durch die Kontrolle eines Meß-
Signals entsprechend der Temperaturmessung für die Heiz
vorrichtungen 31 und 32 durch die Thermopaare 33 und 34.
Beim Verbindevorgang unter Verwendung des Heizblocks nach
der ersten Ausführungsform heizt die erste Heizvorrichtung
den oberen und den unteren Heizblock 10 und 20, um den
Chip-Heizteil 11 zu beheizen, während die zweiten Heizvor
richtungen 32 das Innere der thermischen Isolierelemente
40 beheizen, um den inneren Leitungs-Heizteil 12 zu be
heizen. Jetzt werden der Chip-Heizteil 11 und der innere
Leitungs-Heizteil 12 voneinander durch die vorstehend
beschriebenen thermischen Isolierelemente 40 isoliert und
werden daher unter der Bedingung der thermischen Isolie
rung zwischen ihnen beheizt, wodurch die Teile 11 und 12
unterschiedlich beheizt werden.
Während des Vorgangs der unterschiedlichen Heizung messen
zusätzlich die ersten und zweiten Thermopaare 33 und 34
stets die Temperaturen der Heizvorrichtungen 31 und 32, um
die Stromzufuhr für die Heizvorrichtungen 31 bzw. 32 zu
kontrollieren, so daß die Temperaturen der Heizvorrichtun
gen 31 und 32 gleichmäßig kontrolliert werden.
Wie vorstehend beschrieben, beheizt die erste Heizvorrich
tung 31 den Chip-Heizteil bei einer richtigen Temperatur,
beispielsweise bei 200 +10°C, während die zweiten Heiz
vorrichtungen 32 den inneren Leitungs-Heizteil bei einer
relativ höheren Temperatur als der für den Chip-Heizteil
beheizen. In diesem Stadium wird der Verbindevorgang für
die ersten und die zweiten Verbindeteile durchgeführt,
d. h. ein erster Teil zwischen einem Ende des Drahtes und
dem Halbleiterchip auf dem Chip-Heizteil 11 und ein zwei
ter Teil zwischen dem anderen Ende des Drahtes und der
inneren Leitung des Leiterrahmens auf dem inneren Heizteil
12. Daraus ergibt sich, daß es möglich ist, ein besseres
Verbindeergebnis bei einem zweiten Verbindeteil zwischen
dem anderen Ende des Drahtes und der inneren Leitung des
Leiterrahmens zu erhalten als beim Stand der Technik, und
zwar wegen der höheren Heiztemperatur des inneren Heiz
teils 12, wodurch die Verbindewirkung beträchtlich verbes
sert wird.
Fig. 6 zeigt in einer teilweise auseinander gezogenen
Ansicht eine andere Ausführungsform eines Heizblocks einer
Drahtverbindemaschine nach der Erfindung, wobei der Heiz
block eine andere Art einer Differential-Heizvorrichtung
30 besitzt, die mit einer im allgemeinen rechteckig ge
formten Öffnung 16 versehen ist, die an einem mittleren
Teil eines inneren Leitungs-Heizteils 12 eines oberen
Heizblocks 10 gebildet ist. Die Öffnung 16 ist zur Auf
nahme eines gesonderten Chip-Heizblocks 13 angepaßt, der
aus einem Material hergestellt ist, das eine relativ nie
drigere thermische Leitfähigkeit hat als das des oberen
Heizblocks 10. Der obere Heizblock 10 hat ein Aufnahmeloch
10c, das länglich im oberen Block 10 ausgebildet ist und
darin mit einem rohrförmigen thermischen Isolierelement 42
versehen ist und zur Aufnahme eines dritten Thermopaars 42
angepaßt ist, wobei das Thermopaar von einem thermischen
Isolierelement 42 umgeben ist. Andererseits hat der Chip-
Heizblock 13 eine obere Oberfläche, die als Chip-Heizteil
11 arbeitet sowie ein längliches Loch 13a, das ein vor
deres Ende des Thermopaars 35 aufnimmt, das auch in dem
Aufnahmeloch 10c aufgenommen wird, wodurch das Thermopaar
35 die Heiztemperatur des Chip-Heizteils 11 mißt.
Zusätzlich wird dieser Heizblock mit dem gleichen unteren
Heizblock 20 gemäß Fig. 1 versehen, der die erste Heizvor
richtung 31 und das erste Thermopaar 33 besitzt.
Bei Verwendung des Heizblocks gemäß der zweiten Ausfüh
rungsform im Verbindevorgang beheizt gemeinsam die erste
Heizvorrichtung 31, den Chip-Heizteil 11 des Heizblocks 13
und den inneren Leitungs-Heizteil 12 des oberen Heizblocks
10, um eine richtige Heiztemperatur des Chip-Heizteils 11
des Heizblocks 13 von etwa 200 +10°C zu erhalten. Der
innere Leitungs-Heizteil 12 des oberen Heizblocks 10 wird
daher mit einer relativ höheren Temperatur als die Tempe
ratur von 200 +10°C beheizt, und zwar wegen dessen rela
tiv höheren thermischen Leitfähigkeit als derjenigen des
Chip-Heizblocks 13, wodurch ein gutes Verbindeergebnis bei
einem zweiten Verbindeteil zwischen dem anderen Ende des
Drahtes und der inneren Leitung des Leiterrahmens erreicht
wird als beim Stand der Technik.
Die Fig. 7 bis 9 zeigen eine dritte Ausführungsform eines
Heizblocks einer Drahtverbindemaschine gemäß der Erfin
dung, wobei der Heizblock eine andere Art der Differen
tial-Heizvorrichtung 30 einschließt, die eine strahlende
Öffnung 14 einschließt, die quer im oberen Heizblock 10
unter einem Chip-Heizteil 11 ausgebildet ist, so daß die
Kühlluft hindurch zirkulieren kann, wodurch es möglich
ist, den Chip-Heizteil und einen inneren Leitungs-Heizteil
12 des oberen Heizblocks 10 unterschiedlich zu beheizen.
In diesem Fall wird der Heizblock ebenfalls in der glei
chen Form des unteren Heizblocks 20 gemäß Fig. 1 vor
gesehen und der Heizblock 20 nimmt die erste Heizvorrich
tung 31 und das erste Thermopaar 33 in sich auf.
Es ist daher zu würdigen, daß die Heizblöcke gemäß der
zweiten und dritten Ausführungsform gemäß Fig. 6 bis 9
nur eine Heizvorrichtung besitzen, d. h. die erste Heizvor
richtung 31 wird im unteren Heizblock 20 aufgenommen zum
gemeinsamen Beheizen der Chip-Heizteile 11 und 11 sowie
der inneren Leitungs-Heizteile 12 und 12. Jedoch erfüllt
jeder Heizblock die gewünschte unterschiedliche Beheizung
zum Beheizen der Teile 11, 11 und 12, 12 durch einen Un
terschied in der thermischen Leitfähigkeit des Materials
der Blöcke 10 und 13 im Falle der zweiten Ausführungsform
bzw. durch die Verwendung der strahlenden Öffnung, die im
Falle der dritten Ausführungsform im oberen Heizblock 10
ausgebildet ist. Die Heizvorrichtungen, die die Heizteile
11, 11 und zusammen 12, 12 beheizen, können auf einem
gewünschten Heizblock ohne Unterscheidung der oberen und
unteren Heizblöcke wie benötigt angebracht sein und auch
in einer gewünschten Richtung ohne Unterscheidung der
Längs- und Querrichtung.
Die Fig. 10 und 11 zeigen eine vierte Ausführungsform
eines Heizblocks einer Drahtverbindemaschine nach der
Erfindung, wobei der Heizblock eine andere Art einer Dif
ferential-Heizvorrichtung 30 einschließt, die die erste
Heizvorrichtung 31 und das erste Thermopaar 33 besitzt,
die in Aufnahmelöchern 10 bzw. 10c aufgenommen werden,
wobei die Löcher 10a und 10c quer in einem oberen Heiz
block 10 unter einem Chip-Heizteil 11 ausgebildet sind.
Die Differential-Heizvorrichtung 30 schließt auch die
zweiten Heizvorrichtungen 32 und die zweiten Thermopaare
34 ein, die in den Aufnahmelöchern 10b und 10d aufgenom
men werden, wobei die Löcher 10b und 10d quer in beiden
Seiten des oberen Heizblocks 10 unter einem inneren Lei
tungs-Heizteil 12 ausgebildet sind. In diesem Fall sind
die Heizvorrichtungen und die thermoelektrischen Elemente
31, 32, 33 und 34 parallel zueinander.
Bei dieser Ausführungsform beheizen die ersten und zweiten
Heizvorrichtungen 31 und 32 den Chip-Heizteil 11 bzw. den
inneren Leitungs-Heizteil 12 unterschiedlich. Zusätzlich
sind im Querschnitt U-förmige thermische Isolierelemente
40 vorgesehen, die im oberen Heizblock 10 liegen, um je
weils eine zweite Heizvorrichtung 32 und ein zweites Ther
mopaar 34 zu umgeben, wie in Fig. 11 gezeigt.
Bei dieser Ausführungsform ist zu würdigen, daß die Kon
struktion der Differential-Heizvorrichtung 30 ähnlich der
Konstruktion der Differential-Heizvorrichtung 30 der ers
ten Ausführungsform ist, abgesehen von der Anbrin
gungsposition der ersten Heizvorrichtung 31 und des ersten
Thermopaars 33, so daß die Funktionswirkung der vierten
Ausführungsform auf die Beschreibung der ersten Ausfüh
rungsform bezogen wird.
Als Resultat wird die Verbindewirkung, die durch die vier
te Ausführungsform vorgesehen wird, beträchtlich durch die
höhere Heiztemperatur des inneren Leitungs-Heizteils 12
verbessert, verglichen mit demjenigen des Chip-Heizteils
11.
Bezüglich der Fig. 12 bis 15 zeigt die Fig. 12 eine per
spektivische Ansicht einer fünften Ausführungsform eines
Heizblocks einer Drahtverbindemaschine nach der Erfindung.
Fig. 13 ist eine auseinandergezogene perspektivische
Ansicht des Heizblocks der Fig. 12 und die Fig. 14 und 15
sind Schnittansichten entlang der Linien F-F bzw. G-G der
Fig. 13.
Wie in den Figuren gezeigt, schließt der Heizblock gemäß
der fünften Ausführungsform eine andere Art der Differen
tial-Heizvorrichtung 30 ein mit einer thermischen Isolier
platte 41, die zwischen den oberen und unteren Heizblöcken
10 und 20 angeordnet ist, wodurch es möglich ist, die
oberen Blöcke 10 und 20 unterschiedlich zu beheizen, und
zwar unter der Bedingung der thermischen Isolierung zwi
schen dem oberen Block 10 und dem unteren Block 20. Zu
sätzlich ist eine im allgemeinen rechteckige Einsatz
öffnung 15 senkrecht innerhalb eines inneren Leitungs-
Heizteils 12 des oberen Blocks 10 ausgebildet. Der untere
Heizblock 20 ist mit einem im allgemeinen rechteckigen
Einsatzteil 21 ausgebildet, der sich aufwärts von seiner
oberen Oberfläche erstreckt, um in die Einsatzöffnung 15
des oberen Blocks 10 eingesetzt zu werden. Der Einsatzteil
21 ist an seiner Seitenfläche mit einem thermischen Iso
lierteil 41a bedeckt, das einstückig mit der thermischen
Isolierplatte 41 geformt ist. In diesem Fall arbeitet die
obere Oberfläche des Einsatzteils 21 als ein Chip-Heizteil
11 zum Beheizen des ersten Verbindeteils zwischen einem
Ende des Drahts und dem Halbleiterchip.
Der obere Heizblock 10 ist mit den zweiten Heizvorrichtun
gen 32 und mit dem zweiten Thermopaar 34 versehen, die
jeweils in einem Aufnahmeloch aufgenommen werden, die
länglich ausgebildet sind und die sich an beiden Seiten
des oberen Heizblocks 10 befinden, während der untere
Heizblock mit der ersten Heizvorrichtung 31 und dem ersten
Thermopaar 33 versehen ist, die jeweils in einem Aufnah
meloch aufgenommen werden und die in Längsrichtung ver
laufen und sich am Mittelteil des unteren Heizblocks 20
befinden. Die erste Heizvorrichtung 31 beheizt daher den
Chip-Heizteil 11 des Einsatzteils 21, während die zweiten
Heizvorrichtungen 32 den inneren Leitungs-Heizteil 12 des
oberen Heizblocks 12 beheizt. Weiterhin sind eine ther
mische Isolierplatte 41 und der thermische Isolierteil 41a
zwischen den oberen und unteren Heizblöcken 10 und 20
vorgesehen, so daß der Chip-Heizblock 11 vom inneren Lei
tungs-Heizteil 12 isoliert ist. Nach dem unterschiedlichen
Beheizen des Chip-Heizteils 11 und des inneren Leitungs-
Heizteils 12 durch die ersten und die zweiten Heizvorrich
tungen 31 und 32 wird der innere Leitungs-Heizteil auf
eine relativ höhere Temperatur als diejenige des Chip-
Heizteils 11 beheizt, wie in den anderen Ausführungsformen
beschrieben, wodurch eine beträchtliche Verbesserung der
Verbindewirkung beim zweiten Verbindeteil zwischen dem
anderen Ende des Drahts und der inneren Leitung des Lei
terrahmens erreicht wird, und zwar wegen der relativ höhe
ren Temperatur des inneren Leitungs-Heizteils 12.
Wie vorstehend beschrieben, sieht die vorliegende Erfin
dung einen Heizblock einer Drahtverbindemaschine vor, in
der ein Chip-Heizteil zum Verbinden des einen Endes eines
Drahts, beispielsweise Golddraht, mit einem Halbleiterchip
vorgesehen ist, der auf eine richtige Temperatur beheizt
wird, bei welcher Temperatur der Halbleiterchip nicht
beschädigt wird, während ein innerer Leitungs-Heizteil zum
Verbinden des anderen Endes des Drahts mit einer inneren
Leitung eines Leiterrahmens auf eine relativ höhere Tem
peratur beheizt wird als die des Chip-Heizteils, wodurch
die Verbindewirkung an einem Verbindeteil zwischen dem
anderen Ende des Drahtes und der inneren Leitung des Lei
terrahmens beträchtlich verbessert wird, und zwar wegen
der relativ höheren Heiztemperatur des inneren Leitungs-
Heizteils als der des Chip-Heizteils.
Obwohl die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung zum Zweck der Erläuterung offenbart wurden, wird
der Fachmann die verschiedenen Abänderungen, Zusätze und
Substitionen würdigen, die möglich sind, ohne von dem
Bereich und dem Sinn der Erfindung abzuweichen, wie sie in
den beiliegenden Ansprüchen offenbart ist.
In Fig. 5 beträgt der Durchmesser der Heizgeräte 3,0 mm
und "A", "K" und "G" bedeuten die Anode, Kathode bzw. das
Tor des Triac 36.
Claims (6)
1. Heizblock einer Draht-Bondvorrichtung zur Herstellung von
Halbleiterbauteilen mit einem Leiterrahmen zur Aufnahme
eines in den Leiterrahmen eingesetzten Chips und mit am
Leiterrahmen vorgesehenen inneren und äußeren Drähten,
dadurch gekennzeichnet,
daß zwei Heizteile (11, 12) vorgesehen sind, mit denen die
inneren bzw. die äußeren Drähte des Leiterrahmens (10)
unterschiedlich erwärmt werden können.
2. Heizblock einer Drahtverbindemaschine nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die unterschiedlichen Heizmittel ein Paar zweiter
Heizvorrichtungen und ein zweites Thermopaar vorgesehen
sind, die quer an jeder Seite eines oberen Heizblocks
unter dem inneren Leitungs-Heizteil ausgebildet sind,
wobei der obere Heizblock mit einem Chip-Heizteil und
darauf dem inneren Leitungs-Heizteil versehen ist, daß
weiterhin eine erste Heizvorrichtung und ein erstes Ther
mopaar vorgesehen sind, die in einem unteren Heizblock
ausgebildet sind, wobei auf dem unteren Heizblock der
obere Heizblock gehalten ist, und daß thermische Isolier
elemente vorgesehen sind, die in dem oberen Heizblock
liegen, um jeweils eine der zweiten Heizvorrichtungen und
eines der zweiten Thermopaare zu umgeben, wodurch der
innere Leitungs-Heizteil und der Chip-Heizteil durch die
Verwendung der thermischen Isolierung zwischen dem inneren
Leitungs-Heizteil und dem Chip-Heizteil unterschiedlich
beheizt werden.
3. Heizblock einer Drahtverbindemaschine nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die unterschiedlichen Heizmittel eine Ein
satzöffnung senkrecht an einem Mittelteil des inneren Lei
tungs-Heizteils des oberen Heizblocks geformt ist und
dieser den inneren Leitungs-Heizteil trägt, daß weiterhin
ein gesonderter Chip-Heizblock vorgesehen ist, der aus
Material mit relativ geringerer thermischer Leitfähigkeit
als demjenigen des oberen Heizblocks hergestellt wurde und
derart angepaßt ist, daß er von der Einsatzöffnung auf
genommen wird, wobei der Chip-Heizblock eine obere Ober
fläche hat, die als Chip-Heizteil arbeitet, und daß ferner
ein Heizgerät und ein Thermopaar vorgesehen sind, die in
einem Heizblock des oberen Heizblocks und des unteren
Heizblöcke angebracht sind, wobei der untere Heizblock
derart angepaßt ist, daß er den oberen Heizblock darauf
aufnimmt, und zwar ohne Unterscheidung der oberen und
unteren Heizblöcke, wodurch der Chip-Heizteil und der
innere Leitungs-Heizteil unterschiedlich beheizt werden,
und zwar durch die Verwendung der unterschiedlichen ther
mischen Leitfähigkeit zwischen den Materialien des Chip-
Heizblocks und dem oberen Heizblock.
4. Heizblock einer Drahtverbindemaschine nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die unterschiedlichen Heizmittel eine strahlende
Öffnung im oberen Heizblock unter dem Chip-Heizteil gebil
det ist, so daß der Luftstrom hindurch zirkulieren kann,
wobei der obere Heizblock mit einem Chip-Heizteil und den
inneren Leitungs-Heizteil darauf versehen ist, und daß
weiterhin ein Heizgerät und ein Thermopaar vorgesehen
sind, die in einem Heizblock des oberen Heizblocks an
gebracht sind, wobei der untere Heizblock den oberen
Heizblock darauf aufnimmt, und zwar ohne Unterscheidung
der oberen und unteren Heizblöcke, wodurch der Chip-Heiz
teil und der innere Leitungs-Heizteil unterschiedlich
beheizt werden, und zwar durch die Anwendung einer Zirku
lation des Luftstroms durch die strahlende Öffnung.
5. Heizblock einer Drahtverbindemaschine nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die unterschiedlichen Heizmittel ein erstes Heiz
gerät und ein erstes Thermopaar vorgesehen sind, die quer
in einem oberen Heizblock unter dem Chip-Heizteil an
gebracht sind, daß der obere Heizblock den Chip-Heizteil
und den inneren Leitungs-Heizteil darauf aufnimmt, daß
ferner ein Paar zweiter Heizgeräte und ein zweites Ther
mopaar jeweils quer in jeder Seite des oberen Heizblocks
unter dem inneren Leitungs-Heizteil vorgesehen sind, und
daß thermische Isolierelemente vorgesehen sind, die in dem
oberen Heizblock liegen, um jeweils ein zweites Heizgerät
und ein zweites Thermopaar zu umgeben, wodurch der innere
Leitungs-Heizteil und der Chip-Heizteil unterschiedlich
beheizt werden, und zwar durch die Anwendung der thermi
schen Isolierung zwischen dem inneren Leitungs-Heizteil
und dem Chip-Heizteil.
6. Heizblock einer Drahtverbindemaschine nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die unterschiedlichen Heizmittel eine thermische
Isolierplatte vorgesehen ist, die zwischen oberen und
unteren Heizblöcken für eine Zwischenisolierung ausgebil
det ist, wobei der obere Heizblock den inneren Leitungs-
Heizteil trägt und der untere Heizblock derart angepaßt
ist, daß er den oberen Heizblock trägt, daß weiterhin eine
Einsatzöffnung vorgesehen ist, die senkrecht im Inneren
des inneren Leitungs-Heizteils des oberen Heizblocks
geformt ist, und daß ein Einsatzteil, das sich nach oben
von einer oberen Oberfläche des unteren Heizblocks er
streckend ausgebildet ist, um in die Einsatzöffnung des
oberen Heizblocks eingesetzt zu werden, der an seinen
Seitenflächen mit einem thermischen Isolierteil bedeckt
ist und der einstückig mit der thermischen Isolierplatte
ausgebildet ist, wobei der Einsatzteil eine obere Oberflä
che besitzt, die als Chip-Heizteil arbeitet, daß ein er
stes Heizgerät und ein erstes Thermopaar vorgesehen sind,
die länglich in einem Mittelteil des unteren Heizblocks
ausgebildet sind, und daß ein Paar zweiter Heizgeräte und
ein zweites Thermopaar jeweils länglich in jeder Seite des
oberen Heizblocks unter dem inneren Leitungs-Heizteil be
finden, wodurch ein unterschiedliches Beheizen des in
neren Leitungs-Heizteils und des Chip-Heizteils durch die
Verwendung der thermischen Isolierung zwischen dem inneren
Leitungs-Heizteils und dem Chip-Heizteil vorgesehen ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019910010945U KR940001270Y1 (ko) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 와이어 본드의 히터블록 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4210880A1 DE4210880A1 (de) | 1993-01-21 |
DE4210880C2 true DE4210880C2 (de) | 1994-07-07 |
Family
ID=19316503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4210880A Expired - Fee Related DE4210880C2 (de) | 1991-07-15 | 1992-04-02 | Heizblock einer Draht-Bondvorrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauteilen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5201450A (de) |
JP (1) | JP2502947Y2 (de) |
KR (1) | KR940001270Y1 (de) |
DE (1) | DE4210880C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19633729A1 (de) * | 1996-08-21 | 1997-10-09 | Siemens Components Pte Ltd Sem | Verfahren zum elektrischen Verbinden von internen Anschlußklemmen eines Halbleiterkörpers und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4338246A1 (de) * | 1993-11-09 | 1995-05-11 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Herstellung von Drahtkontaktierungen zwischen Anschlüssen eines Halbleiterchips und eines Systemträgers |
US5558267A (en) * | 1995-03-31 | 1996-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Moat for die pad cavity in bond station heater block |
JP3488035B2 (ja) * | 1997-01-04 | 2004-01-19 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
US5971256A (en) * | 1997-02-05 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Quick change precisor |
JP2001015545A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-01-19 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンディング装置及び方法 |
SG91867A1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-10-15 | Casem Asia Pte Ltd | Improved apparatus and method for dispensing solder |
JP2002176073A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンド装置およびワイヤボンディング方法 |
US20120318853A1 (en) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Freescale Semiconductor, Inc | Heater block for wire bonding system |
CN105728600B (zh) * | 2014-12-09 | 2018-09-25 | 三纬国际立体列印科技股份有限公司 | 线材接合工具 |
DE102015120156B4 (de) * | 2015-11-20 | 2019-07-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5548938A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-08 | Toshiba Corp | Manufacturing of semiconductor device |
JPS57192040A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Toshiba Corp | Wire bonding method for semiconductor device |
US4485290A (en) * | 1982-11-01 | 1984-11-27 | At&T Technologies, Inc. | Bonding a workpiece to a body |
US4870251A (en) * | 1985-11-01 | 1989-09-26 | Dennison Manufacturing Company | External heating of transfer pads |
JPS62162339A (ja) * | 1986-09-19 | 1987-07-18 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング装置 |
JP2592293B2 (ja) * | 1987-06-01 | 1997-03-19 | 三菱レイヨン株式会社 | 炭素繊維の表面処理方法 |
DE3722765A1 (de) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Productech Gmbh | Geheizter stempel |
DE3722730A1 (de) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Productech Gmbh | Geheizter stempel |
DE3722729A1 (de) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Productech Gmbh | Geheizter stempel |
JPH0196940A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング装置用ヒートブロツク |
JPH01319952A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング装置用ヒートブロック |
-
1991
- 1991-07-15 KR KR2019910010945U patent/KR940001270Y1/ko not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-03-03 US US07/845,095 patent/US5201450A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-02 DE DE4210880A patent/DE4210880C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-13 JP JP1992048795U patent/JP2502947Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19633729A1 (de) * | 1996-08-21 | 1997-10-09 | Siemens Components Pte Ltd Sem | Verfahren zum elektrischen Verbinden von internen Anschlußklemmen eines Halbleiterkörpers und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE19633729C2 (de) * | 1996-08-21 | 2002-02-14 | Infineon Technolgies Malaysia | Verfahren zum Verdrahten eines Halbleiterbauelements und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR930003586U (ko) | 1993-02-26 |
KR940001270Y1 (ko) | 1994-03-09 |
JP2502947Y2 (ja) | 1996-06-26 |
DE4210880A1 (de) | 1993-01-21 |
JPH0531231U (ja) | 1993-04-23 |
US5201450A (en) | 1993-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2739021C2 (de) | ||
DE69211821T2 (de) | Innere Leiterstruktur einer Halbleiteranordnung | |
DE19720275B4 (de) | Substrat für eine Halbleiteranordnung, Herstellungsverfahren für dasselbe und eine das Substrat verwendende stapelbare Halbleiteranordnung | |
DE69223021T2 (de) | Halbleiteranordnung mit Wärmesenke und Kunststoffkörper und hochzuverlässige Mittel zur elektrischen Verbindung mit der Wärmesenke | |
DE3814469C2 (de) | ||
DE69227937T2 (de) | Leiterrahmen und in Harz versiegelte Halbleitervorrichtung dafür | |
DE69827687T2 (de) | Träger für integrierte Schaltung und seine Herstellung | |
DE3605491C2 (de) | ||
DE4210880C2 (de) | Heizblock einer Draht-Bondvorrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauteilen | |
DE3612862A1 (de) | Kuehlkoerperbefestigungsanordnung fuer einen halbleiter | |
DE4126043C2 (de) | Gekapseltes Halbleiterbauelement | |
DE69226968T2 (de) | Lottragender anschlussdraht | |
DE4000089C2 (de) | ||
DE1950516B2 (de) | Verbindung elektrischer leiter | |
DE10015831A1 (de) | Temperatursensor, Verfahren zur Herstellung desselben und Verfahren zur Befestigung desselben auf einer Schaltungsplatine | |
DE19752408A1 (de) | Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2932369A1 (de) | Montage- und verbindungseinheit mit zuleitungen fuer elektronische schaltkreise | |
DE69628964T2 (de) | Harzvergossenes Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren | |
DE4212883A1 (de) | Temperaturfuehler | |
DE60028360T2 (de) | Ptk-chipthermistor | |
DE4036109A1 (de) | Widerstandstemperaturfuehler | |
DE3033344A1 (de) | Widerstandsthermometerdetektorsonde | |
DE2315711A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens | |
DE2454605C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE19539181C2 (de) | Chipkartenmodul sowie entsprechendes Herstellungsverfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |