DE4000783C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE4000783C2 DE4000783C2 DE4000783A DE4000783A DE4000783C2 DE 4000783 C2 DE4000783 C2 DE 4000783C2 DE 4000783 A DE4000783 A DE 4000783A DE 4000783 A DE4000783 A DE 4000783A DE 4000783 C2 DE4000783 C2 DE 4000783C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- quartz
- electrode
- ozone
- dielectric
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/10—Preparation of ozone
- C01B13/11—Preparation of ozone by electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
- C01B2201/10—Dischargers used for production of ozone
- C01B2201/12—Plate-type dischargers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
- C01B2201/30—Dielectrics used in the electrical dischargers
- C01B2201/34—Composition of the dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
- C01B2201/70—Cooling of the discharger; Means for making cooling unnecessary
- C01B2201/74—Cooling of the discharger; Means for making cooling unnecessary by liquid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S422/00—Chemical apparatus and process disinfecting, deodorizing, preserving, or sterilizing
- Y10S422/907—Corona or glow discharge means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Koronaentladungszelle
nach den Oberbegriffen der
Patentansprüche 1 und 2. Diese Koronaentladungszelle
dient zur Ozonerzeugung.
Die Technik der Ozonerzeugung ist alt und gut entwickelt. So
wird in vielen Teilen der Welt die Klärung von Wasser durch
Behandlung mit Ozon und nicht durch die Anwendung von Chlor
durchgeführt.
Ein gängiger Typ einer Ozonerzeugerzelle enthält zwei lei
tende Elektroden, zwischen denen schichtweise eine dielek
trische Schicht und ein Luftspalt angeordnet sind. Sauerstoff
oder ein Sauerstoff enthaltendes Gas wird durch den Luft
spalt geleitet, und wenn eine entsprechend hochfrequente
Wechselspannung an die Elektroden gelegt wird, vollzieht
sich eine Glimmentladung in dem Luftspalt, welche den hin
durchströmenden Sauerstoff in Ozon umwandelt.
Typische Ozonerzeuger sind in folgenden Druckschriften be
schrieben: "Guide to corona film treatment", J. C. von der
Heide und H. L. Wilson, Modern Plastics, May 1961, S. 199-206
und 344; GB-PS 8 16 342; US-PS 36 07 709, 39 96 474 und
47 25 412.
Nur die letztgenannte Druckschrift offenbart eine Koronaent
ladungszelle mit dielektrischen Schichten aus Quarz, wovon
in den Oberbegriffen der Hauptansprüche ausgegangen wird.
Ozon wird auch zunehmend als Prozeßgas bei der Herstellung
von Halbleitern verwendet. Wenn herkömmliche Ozonerzeuger
bei der Halbleiterverarbeitung angewandt werden, ergibt sich
jedoch ein Problem. Die besondere Betriebsweise der Ozoner
zeugerzelle bewirkt, daß Atome des Elektrodenmaterials ver
dampft werden und in den Ozonstrom eintreten. Da das Ozon
während der Bearbeitung mit dem Halbleiterwafer in Berührung
kommt, wird für Halbleiteranwendungen Ozon von höchster
Reinheit benötigt, und auch schwach verunreinigtes Ozon kann
nicht nutzbar verwendet werden.
Zusätzlich ist die zur Halbleiterverarbeitung benötigte Ozon
konzentration beträchtlich höher, vielleicht doppelt so hoch,
wie die zur Wasserklärung notwendige Konzentration. In eini
gen Ozonerzeugern nach dem Stand der Technik wird zur Erzie
lung höherer Ozonkonzentrationen der Weg beschritten, die an
die Zellen angelegte Spannung zu erhöhen. Beispielsweise
verwenden einige solcher Ozonerzeuger Spannungsversorgungen
mit Scheitelspannungen bis zu 60 KV. Mit einer solch hohen
Versorgungsspannung sind die Nachteile verbunden, daß die
Spannungsversorgungen sehr kostspielig sind, daß sie nicht
so zuverlässig wie Niederspannungsversorgungen sind, und daß
sie zu unkontrollierten Glimmentladungen an Teilen der Zelle
außerhalb des Luftspalts führen können.
Daher liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Ozon
erzeuger zu schaffen, durch den schon bei relativ niedrigen
Betriebsspannungen relativ hochkonzentriertes und reines
Ozon erzeugt werden kann.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Koronaentla
dungszelle durch die
kennzeichnenden Merkmale der Patentansprüche 1 oder 2 gelöst.
Ein Verfahren zur Herstellung der Zelle ist im
Patentanspruch 3 beschrieben.
Es hat sich gezeigt, daß Quarz von allen bisher verwendeten
dielektrischen Materialien am wenigsten zur Verdampfung
neigt, und der kleine Betrag der Verdampfung gibt Silizium
atome in den Ozonstrom frei, welche für die behandelten
Halbleiter viel weniger schädlich sind als die Substanzen,
welche in größerer Menge durch andere dielektrische Mate
rialen freigesetzt werden.
Zusätzlich ist das Quarzdielektrikum in einer sehr dünnen
Schicht mit einer Dicke von weniger als etwa 0,89 mm
vorgesehen und vorzugsweise mit einer Dicke von etwa 0,51 mm.
Dies gestattet, niedrige Versorgungsspannungen zu verwenden,
bei denen noch Ozon von relativ hoher Konzentration erzeugt
wird. In der gattungsbildenden US-PS 47 25 412 ist ein deut
lich dickeres Quarzdielektrikum beschrieben.
Mit handelsüblicher Technik kann allerdings keine verwend
bare und ausreichend dünne Quarzschicht erzeugt werden. Bei
diesen Verfahren ist eine Oberfläche einer Quarzplatte mit
Wachs auf ein Trägermaterial geklebt, während die andere
Oberfläche bis auf die gewünschte Dicke abgeschliffen wird,
und nach dem Schleifen wird der Quarz typischerweise durch
Erhitzen des Wachses von dem Trägermaterial entfernt. Wenn
Quarzplatten mit einem Durchmesser von 15 bis 18 cm auf unter
etwa 1 mm abgeschliffen werden, zeigt sich jedoch, daß
sich die Ränder bei der Entfernung von dem Trägermaterial
krümmen, was sie als dielektrische Schicht unbrauchbar macht.
Bei dem Verfahren zur Herstellung der Zelle wird das Quarz
dielektrikum nicht mehr von der Elektrode entfernt und der Krümm
effekt stellt kein Problem dar,
und der Rest der Ozonerzeugerzelle wird unter Verwendung der
Elektroden/Dielektrikum-Kombination als Bauteil hergestellt.
Es folgt die Beschreibung mehrerer Ausführungsformen anhand
der Zeichnung, auf die Bezug genommen wird.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines Ozonerzeugers ge
mäß einer Ausführungsform.
Fig. 2 ist eine Explosionszeichnung einer Elektrode und der
zugehörigen dielektrischen Quarzschicht.
Fig. 3 zeigt das Bauteil aus Elektrode und Dielektrikum nach
dem Kitten des Dielektrikums an die Elektrode.
Fig. 4 zeigt das Abschleifen der Quarzschicht auf eine ge
eignete Dicke.
Fig. 5 ist eine bildliche Darstellung der Gesamtheit eines
erfindungsgemäßen Ozonerzeugers.
In Fig. 1 ist ein Ozonerzeuger abgebildet, welcher eine
Ozonerzeugerzelle 2 und eine Hochspannungs-Wechselstromver
sorgung 4 aufweist.
Die Ozonerzeugerzelle enthält ebene Elektroden 6 und 8, zwi
schen denen schichtweise eine dünne ebene dielektrische
Schicht 10 sowie ein Luftspalt 12 angeordnet sind. Zusätz
lich muß eine Vorkehrung zur Kühlung getroffen werden, so
z.B. in Form eines Röhrensystems durch eine oder durch beide
Elektroden, durch welches Kühlflüssigkeit geleitet wird.
Im Betrieb der Einrichtung wird Sauerstoff oder ein Sauer
stoff enthaltendes Gas in einen Kanal 14 eingespeist, wel
cher zu dem Luftspalt 12 führt. Die an die Elektroden 6 und
8 angelegte Hochspannung bewirkt eine Glimmentladung in den
Luftspalt 12, und nach einer gut bekannten Reaktion wird der
Sauerstoff in dem Luftspalt in Ozon umgewandelt, oder man
erhält ein Gemisch von Ozon und Sauerstoff.
Das Dielektrikum besteht aus Quarzmaterial
und vorzugsweise aus synthetischem Quarz. Der Grund
dafür ist, daß es sich gezeigt hat, daß die Verwendung eines
Quarzdielektrikums die Erzeugung von Ozon sehr hoher Rein
heit ergibt.
Wie oben erwähnt wurde, führen beim Stand der Technik, bei
dem vorherrschend aus Glas oder Keramik bestehende Dielek
trika verwendet werden, Verdampfungserscheinungen zu Verun
reinigungen des Ozonstroms. Dies geschieht, wenn die Glimm
entladung Atome in dem Luftspalt ionisiert. Die Ionen werden
durch die angelegte Hochspannung gegen die Elektroden be
schleunigt und können dann Atome des Elektrodenmaterials
herausschlagen, welche dann in den Gasstrom gelangen. Dies
geschieht auch bei Elektroden aus blankem Metall, welche ge
meinhin für die geerdete Elektrode verwendet werden.
Weil Glas aus Siliziumdioxid mit wesentlichen Anteilen von
Verunreinigungen besteht, und weil die Verunreinigungen im
allgemeinen chemisch schwächer gebunden sind als das Sili
ziumdioxid, sind es hauptsächlich die Verunreinigungen, z.B.
Natrium, welche in den Ozon-Prozeßstrom gelangen. Weil die
Verunreinigungen einen Halbleiterwafer unbrauchbar machen,
wenn sie sich auf ihm niederschlagen, kann ein Ozonerzeuger,
welcher ein Prozeßgas mit solchen Verunreinigungen erzeugt,
nicht erfolgreich zur Halbleiterbearbeitung verwendet werden.
Andererseits zeigt sich, daß ein Quarzdielektrikum keine
solchen Probleme schafft. Als Grund dafür wird angesehen,
daß die Zusammensetzung von Quarz fast reinem Siliziumdioxid
entspricht, und soweit Verunreinigungen existieren, sind sie
in extrem kleinen Konzentrationen von vielleicht wenigen
Teilen pro Million vorhanden. Wenn sich während des Betriebs
des Ozonerzeugers im Luftspalt Ionisation ereignet und der
Quarz von den resultierenden Teilchen beschossen wird, er
gibt sich nur eine minimale Abgabe von Atomen in den Prozeß
strom, weil die Atome des Siliziumdioxids stark gebunden
sind. Außerdem sind die Atome, welche abgegeben werden, nicht
so schädlich wie andere Verunreinigungen, weil die Atome des
Siliziums und des Sauerstoffs typischerweise nicht mit den
auf dem Halbleiterwafer hergestellten Strukturen unverträg
lich sind.
Die dielektrische Quarzschicht wird sehr dünn hergestellt,
um die Erzeugung hoher Ozonkonzentrationen mit relativ nied
rigen angelegten Spannungen zu gestatten, und sollte dünner
sein als etwa 0,89 mm. Vorzugsweise ist sie dünner
als etwa 0,63 mm, und in der bevorzugten Ausfüh
rungsform der Erfindung ist die Quarzschicht etwa 0,51 mm
dick, während der Luftspalt etwa 0,76 mm
mißt. In der Praxis gibt es eine untere Grenze der Dicke des
Dielektrikums von 0,25 bis 0,38 mm, weil
ein dünneres Dielektrikum nicht in der Lage ist, den zur
Erzeugung des gewünschten Ozons erforderlichen Spannungen
standzuhalten.
Wiederum bezogen auf Fig. 1 ist ersichtlich, daß die Größe
des Luftspalts durch die Höhe der Dichtung 18 bestimmt wird,
welche die Elektrode 8 von der dielektrischen Schicht trennt.
Die Elektrode 8 ist in der abgebildeten Ausführungsform die
geerdete Elektrode und vorzugsweise aus Aluminium. Ferner
ist diese Elektrode mit Al₂O₃ beschichtet, welches das Alu
minium während des Betriebs der Zelle vor Erosion schützt.
Eine Ozonerzeugerzelle herkömmlicher Bauart, bei der eine
geerdete Aluminiumelektrode ohne eine schützende Schicht
Al₂O₃ verwendet wird, entwickelt nach wenigen Dutzend Be
triebsstunden einen pulvrigen Niederschlag auf der Elektrode,
wohingegen sich keine erkennbare Veränderung der Ober
fläche der Elektrode 8 der in Fig. 1 gezeigten Zelle auch
nach Hunderten von Betriebsstunden ergibt. Die Elektrode 8
kann auch in derselben Weise wie die Elektrode 6 geschützt
werden, also durch Verwendung von Quarz.
Die Hochspannungselektrode 6 kann ebenso aus Aluminium be
stehen oder alternativ aus einem anderen leitenden Metall
wie Kupfer oder Stahl.
Die Stromversorgung 4 erzeugt eine hochfrequente hohe Wech
selspannung. Beispielsweise wird in einer gebauten, aktuel
len Ausführungsform eine Spannung mit einem Scheitelwert von
14 kV bei einer Frequenz von 12 kHz verwendet. Wegen der
dünnen dielektrischen Schicht von etwa 0,51 mm er
gibt diese relativ kleine Spannung die Erzeugung von Ozon in
einer Konzentration von 8%. Vergleichsweise verwenden typi
sche herkömmliche Ozonerzeuger zur Wasserklärung eine höhere
Spannung, um Ozon in einer Konzentration von nur 4% bei
gleichem Durchsatz zu erzeugen.
In der oben erwähnten aktuellen Ausführungsform sind die
Elektroden quadratisch und haben etwa 15 bis 18 cm
Seitenlänge, die Dicke des Luftspalts beträgt 0,76 mm,
die Hochspannungselektrode ist 31,8 mm
dick, und die Erdelektrode ist 25,4 mm dick, wäh
rend der verwendete synthetische Quarz aus Nippon Silicia
Glas OZ oder von einer vergleichbaren Qualität ist.
Fig. 2 zeigt auseinandergezogen eine Elektrode 6 und eine
Quarzschicht 10. Die Elektrode ist als rechtwinklig oder
quadratisch abgebildet, obwohl ihre Form willkürlich ist und
beispielsweise auch kreisförmig sein könnte. Zusätzlich ist
in die Elektrode ein Kühlkanal 22 mit einem Einlaß 24 und
einen Auslaß 26 gebohrt.
Die Quarzplatte 10 hat die gleiche Form und die gleiche oder
etwas größere Fläche wie die Oberfläche der Elektrode 6 und
ist 1,57 mm dick, welches eine handelsübliche
Dicke ist. In der bevorzugten Ausführungsform betragen die
Kantenlängen der Elektrode und des Quarzüberzugs wenigstens
10×10 cm.
Es wird nun auf Fig. 3 Bezug genommen. Die Quarzschicht wird
an die Elektrode gekittet, indem eine kleine Menge Kitt in
die Mitte der Elektrode gegeben wird und dann die Quarz
schicht gegen die Elektrode gepreßt wird, so daß der Kitt,
welcher von relativ geringer Viskosität ist, nach außen ge
drückt wird, um die gesamte Oberfläche zu bedecken. Der ver
wendete Kitt ist vorzugsweise ein unter UV-Licht aushärten
der Kitt, wobei das Bauteil unmittelbar nach Aufbringen des
Kitts und Pressen der Quarzschicht gegen die Elektrode unter
eine UV-Lampe gebracht wird, um den Kitt auszuhärten. Falls
gewünscht, kann handelsüblicher Epoxykitt verwendet werden,
aber etwas bessere Ergebnisse erhält man mit dem UV-aushär
tenden Typ.
Die Elektrode wird vor der Anbringung des Quarzes und wäh
rend der Aushärtung des Kitts auf 45°C±5° erwärmt. Wenn die
Vorwärmung unterlassen wird, wird sich während des Betriebs
der Zelle, wenn die Materialien warm werden, das Aluminium
stärker ausdehnen als der Quarz, und die Quarzschicht wird
springen. Wenn der Vorwärmschritt wie beschrieben durchge
führt wird, übt das beim Abkühlen zusammenziehende Aluminium
Druckkräfte auf den Quarz aus, jedoch ist dies nicht proble
matisch, weil Quarz stärker auf Druck als auf Zug belastbar
ist.
Nach dem Kitten der Quarzschicht an die Elektrode wird der
Quarz auf seine endgültige Dicke abgeschliffen; dieser
Schritt ist in Fig. 4 veranschaulicht. Das vorher gekittete
Bauelement befindet sich fest auf einem Tisch 27 einer kon
ventionellen optischen Schleifmaschine, und zwar beispiels
weise mittels einer Unterdruck-Spannvorrichtung. Der Kopf 28
der Schleifmaschine kann ein mit Diamanten beschichtetes,
tassenförmiges Rad sein, mittels welchem der Quarz abge
schliffen wird, indem es bei mehreren tausend Umdrehungen
pro Minute rotiert und in aufeinanderfolgenden Strichen vor
und zurück bewegt wird, die jeweils gegenüber dem vorherge
henden über der Oberfläche des Quarzes verschoben wird, bis
die ganze Oberfläche abgefahren ist. Der Maschinentisch 27
wird mit beispielsweise einigen hundert Umdrehungen pro Mi
nute in einer Richtung gedreht, welche der Drehrichtung des
Kopfes während des Schleifvorgangs entgegengesetzt ist, und
der Tisch wird aufwärts gegen den Quarz bewegt, bis die ge
wünschte Dicke erreicht ist. Nach dem Schleifen wird die
Oberfläche des Quarzes glattpoliert.
Es ist möglich, den Quarz auf eine
Dicke von 0,51 mm und sogar dünner abzuschleifen.
Dies war mit herkömmlichen Techniken nicht möglich, bei de
nen die Quarzschicht nur zeitweise während des Schleifens
auf einem Träger gesichert und dann entfernt wird. Bei qua
dratischen Quarzplatten mit einer Seitenlänge von 15 bis
18 cm bewirken die herkömmlichen Verfahren
beim Abschleifen auf weniger als 1 mm, daß sich
die Ränder der Platte wie die von Kartoffelchips winden und
von dem Trägermaterial abstehen, was sie als Dielektrikum
unbrauchbar macht.
Während die hier abgebildeten Ausführungsformen Ozonzeuger
zellen mit ebenen Elektroden zeigen, sind auch andere Formen
möglich, wie z. B. zylindrische. In diesem Fall würde man ein
spezielles Schleifwerkzeug zum Abschleifen von zylindrischen
Oberflächen verwenden.
Fig. 5 zeigt die Gesamtheit eines erfindungsgemäßen Ozon
erzeugers. Die Ozonerzeugerzelle enthält eine geerdete Elek
trode 30 und eine Hochspannungselektrode 32, zwischen denen
die dielektrische Schicht 34 und der Luftspalt 36 geschich
tet sind. Die Zelle ist wie oben beschrieben gestaltet und
hat zur Kühlung Röhrensysteme 38 und 40 in den jeweiligen
Elektroden, durch welche eine gekühlte Inertflüssigkeit zir
kuliert. Eine Wechselspannungsversorgung 37 ist mit dem Ver
bindungspunkt 39 der Elektrode 32 verbunden, während der
Verbindungspunkt 41 der Elektrode 30 geerdet ist.
Die geerdete Elektrode besteht aus der eloxierten Aluminium
verbindung 1100. Die Hochspannungselektrode 32 sitzt auf ei
nem Hochspannungssockel 42, und die Zelle ist in einer
Klemmvorrichtung untergebracht, welche die Platten 44, 46
und 50 aufweist, welche durch vier Stützen an den Ecken ein
schließlich der abgebildeten Stützen 52 und 54 zusammen
gehalten werden. Die Anordnung wird durch geeignete Einstel
lung der Schraube 56 abgedichtet.
Damit ist ein verbesserter Ozonerzeuger zur Erzeugung von
Ozon hoher Reinheit und hoher Konzentration beschrieben. Ob
wohl die Einrichtung besonders geeignet ist zur Erzeugung
von Prozeßgas zur Verwendung in der Halbleiterindustrie,
kann sie auch für andere Anwendungen eingesetzt werden, bei
denen Ozon benötigt wird, z. B. zur Wasserklärung.
Claims (8)
1. Koronaentladungszelle mit zwei Elektroden und mindestens
einer dielektrischen Schicht aus Quarz, die auf einer
der Elektroden befestigt ist und zu der anderen Elektrode
oder deren Schicht aus Quarz durch einen Luftspalt beabstandet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine dielektrische
Schicht (10) nicht dicker ist als 0,76 mm und eine
Fläche von mehr als 161 cm² aufweist, die etwa genauso groß
ist wie die Fläche der Elektrode (6), auf der die dielektrische
Schicht (10) befestigt ist.
2. Koronaentladungszelle mit zwei Elektroden und mindestens
einer dielektrischen Schicht aus Quarz, die auf einer
der Elektroden befestigt ist und zu der anderen Elektrode
oder deren Schicht aus Quarz durch einen Luftspalt beabstandet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine dielektrische
Schicht (10) etwa 0,51 mm dick ist und eine Fläche
von mehr als 103 cm² aufweist, die etwa genauso groß ist wie
die Fläche der Elektrode (6), auf der die dielektrische
Schicht (10) befestigt ist.
3. Verfahren zur Herstellung einer Koronaentladungszelle,
bei dem zwei Elektroden, von denen mindestens eine mit einer
dielektrischen Schicht aus Quarz versehen ist, mit einem
Luftspalt zwischen der Schicht oder einer der dielektrischen
Schichten und der anderen Elektrode oder deren dielektrischer
Schicht relativ zueinander befestigt werden, dadurch
gekennzeichnet, daß vor der Befestigung der Elektroden (6,
10) relativ zueinander mindestens eine dielektrische Quarzplatte
(10) dauerhaft an jeweils eine Elektrode (6, 10) gekittet
und nach dem Aushärten des Kitts auf eine Dicke von
weniger als 0,89 mm abgeschliffen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Quarzplatte (10) auf eine Dicke von weniger als 0,46 mm
abgeschliffen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Quarzplatte (10) auf einer Seite eine Oberfläche von
103 cm² oder mehr hat.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Quarzplatte (10) auf einer Seite eine Oberfläche von 232
cm² oder mehr hat.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Elektrode (6, 8) und das Dielektrikum (10) plan sind.
8. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Elektrode (6) vor dem Anbringen der Quarzplatte
(10) und bis zum Aushärten des Kitts erwärmt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/298,077 US4970056A (en) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ozone generator with improved dielectric and method of manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4000783A1 DE4000783A1 (de) | 1990-07-26 |
DE4000783C2 true DE4000783C2 (de) | 1992-02-06 |
Family
ID=23148921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4000783A Granted DE4000783A1 (de) | 1989-01-18 | 1990-01-12 | Koronaentladungszelle und verfahren zur herstellung einer ozonerzeugerzelle |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4970056A (de) |
JP (1) | JP3112271B2 (de) |
DE (1) | DE4000783A1 (de) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2907439B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1999-06-21 | 松下電器産業株式会社 | ファインセラミック沿面放電体 |
US5316639A (en) * | 1989-06-05 | 1994-05-31 | Sachiko Okazaki | Dielectric material used for an ozone generator and a method of forming a film to the dielectric material |
WO1992014677A1 (en) * | 1991-02-22 | 1992-09-03 | Clearwater Engineering Pty. Ltd. | Method and apparatus for producing ozone by corona discharge |
US5236672A (en) * | 1991-12-18 | 1993-08-17 | The United States Of America As Represented By The United States Environmental Protection Agency | Corona destruction of volatile organic compounds and toxics |
US5549874A (en) * | 1992-04-23 | 1996-08-27 | Ebara Corporation | Discharge reactor |
US5417936A (en) * | 1992-06-08 | 1995-05-23 | Nippon Ozone Co., Ltd. | Plate-type ozone generator |
DE710161T1 (de) * | 1993-07-16 | 1997-01-30 | Fusion Systems Corp | Nachbehandlung eines beschichteten substrates mit einem angeregtes halogen enthaltenden gas für die beseitigung von rückständen |
CA2104355C (en) * | 1993-08-18 | 1997-06-17 | Ion I. Inculet | Method and apparatus for ozone generation and treatment of water |
JP2983153B2 (ja) * | 1994-04-28 | 1999-11-29 | 三菱電機株式会社 | オゾン発生装置 |
JPH0859210A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-05 | Ebara Corp | オゾン発生装置 |
US5637279A (en) * | 1994-08-31 | 1997-06-10 | Applied Science & Technology, Inc. | Ozone and other reactive gas generator cell and system |
US5512254A (en) * | 1994-12-27 | 1996-04-30 | Landgraf; Peter C. | Floating dielectric plate |
DE19503200A1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-08-08 | Schoenenberg Rolf Prof Dipl In | Vorrichtung zur Ozonerzeugung mit durchschlagsicherem Dielektrikum und geringem Energiebedarf |
US5641461A (en) * | 1996-01-26 | 1997-06-24 | Ferone; Daniel A. | Ozone generating apparatus and cell therefor |
US5776553A (en) * | 1996-02-23 | 1998-07-07 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method for depositing diamond films by dielectric barrier discharge |
US6082294A (en) * | 1996-06-07 | 2000-07-04 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method and apparatus for depositing diamond film |
US5820828A (en) * | 1996-06-28 | 1998-10-13 | Ferone; Daniel A. | Modular ozone distributing system |
GB9912503D0 (en) * | 1999-05-28 | 1999-07-28 | Ozone Ind Ltd | An ozone generator |
US20010046459A1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-11-29 | St. Onge Benedict B. | High efficiency ozone generator |
EP2180508A3 (de) * | 2001-02-16 | 2012-04-25 | Ignis Innovation Inc. | Pixelstromtreiber für organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung |
JP2002292273A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-08 | Canon Inc | プラズマ反応装置及びプラズマ反応方法 |
WO2003022736A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Hag-Joo Lee | Water discharge in a dielectric barrier discharge system to generate an ozonated water |
US7029637B2 (en) | 2003-01-09 | 2006-04-18 | H203, Inc. | Apparatus for ozone production, employing line and grooved electrodes |
US7468135B2 (en) * | 2003-01-25 | 2008-12-23 | Engineered Solutions, Inc. | Portable tank wastewater treatment system and method |
US7718067B2 (en) * | 2005-05-19 | 2010-05-18 | Aero-Stream, Llc | Septic system remediation method and apparatus |
CN101881465B (zh) * | 2009-05-08 | 2012-05-16 | 清华大学 | 电子点火装置 |
CN101880030B (zh) * | 2009-05-08 | 2012-06-13 | 清华大学 | 臭氧发生装置 |
US8568664B2 (en) * | 2009-09-17 | 2013-10-29 | Ralph M. Francis, Jr. | Modular quad cell electro-mechanical ozone generation device |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2822327A (en) * | 1955-03-31 | 1958-02-04 | Gen Electric | Method of generating ozone |
US3996474A (en) * | 1967-01-04 | 1976-12-07 | Purification Sciences, Inc. | Corona generator apparatus |
US3607709A (en) * | 1969-03-13 | 1971-09-21 | Air And Water Purification Inc | Ozone generator |
JPS51103095A (ja) * | 1975-03-08 | 1976-09-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | Ozonhatsuseiki |
DE8028253U1 (de) * | 1980-10-23 | 1984-04-26 | Ahlbrandt, Andreas, Dipl.-Ing., 6420 Lauterbach | Vorrichtung zum Behandeln der Oberfläche von Gegenständen durch elektrische Sprühentladung |
JPS58115004A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電形オゾン発生装置 |
DE3247374A1 (de) * | 1982-12-22 | 1984-07-05 | Bruno Bachhofer | Ozonerzeuger mit plattenfoermigen hochspannungs-elektroden |
JPS60260402A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電形オゾン発生装置 |
JPS61275107A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | Nippon Ozon Kk | オゾン発生装置 |
US4774062A (en) * | 1987-01-13 | 1988-09-27 | Alten Corporation | Corona discharge ozonator |
-
1989
- 1989-01-18 US US07/298,077 patent/US4970056A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-12 DE DE4000783A patent/DE4000783A1/de active Granted
- 1990-01-18 JP JP02007142A patent/JP3112271B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02289402A (ja) | 1990-11-29 |
JP3112271B2 (ja) | 2000-11-27 |
US4970056A (en) | 1990-11-13 |
DE4000783A1 (de) | 1990-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4000783C2 (de) | ||
DE69211508T2 (de) | Verfahren und Geräte zur Einschränkung des Plasma-Ätzgebietes zur Erlangung präziser Formgestaltung von Substratöberflächen | |
DE69530801T2 (de) | Montageelement und methode zum klemmen eines flachen, dünnen und leitfähigen werkstückes | |
DE68911469T2 (de) | Gleichmässiger, dünner Diamantfilm sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. | |
DE69626281T2 (de) | Elektroden-klemmvorrichtung und verfahren zu deren zusammenbau und verwendung | |
DE60038175T2 (de) | Plasmaätzkammer | |
EP0334109A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von aus amorphen Silizium-Germanium-Legierungen bestehenden Halbleiterschichten nach der Glimmentladungstechnik, insbesondere für Solarzellen | |
DE69312544T2 (de) | Plasmaerzeugungsverfahren und dieses Verfahren verwendende Plasmaerzeugungsvorrichtung | |
DE2902875C2 (de) | Vorrichtung zur kontaktlosen Kontaktkopie | |
DE3140890C2 (de) | Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung | |
DE2933850C2 (de) | Plasma-Ätzvorrichtung | |
DE69416656T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer elektrostatischer Spannvorrichtung mit Oxyd-Isolator | |
DE69404745T2 (de) | Elektrode zur Verwendung in Plasma-unterstützten chemischen Ätzprozessen | |
EP0009558A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Modifizierung einer Oberfläche mittels Plasma | |
DE3118839A1 (de) | Trockenaetzverfahren | |
DE10031252A1 (de) | Verfahren zur Zertrennung eines Substratwafers in eine Anzahl von Substratchips | |
DE2026321A1 (de) | Kathodenaufstäubungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE69715289T2 (de) | Elektrode für Plasmaätzen; Vorrichtung und Verfahren mit dieser Elektrode | |
DE3441470A1 (de) | Anordnung zum aetzen von halbleiterscheiben | |
DE3217708A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung amorpher siliciumfilme | |
DE3854561T2 (de) | Verfahren zum Trockenätzen. | |
DE3925070C2 (de) | Verfahren zum Erhalt einer sauberen Siliziumoberfläche | |
DE3779480T2 (de) | Verfahren zur reinigung eines kontinuierlichen helium- und/oder neongasstromes. | |
DE60106577T2 (de) | Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren | |
DE3048441A1 (de) | Trockenaetzvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01T 19/00 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |