JPH0859210A - オゾン発生装置 - Google Patents
オゾン発生装置Info
- Publication number
- JPH0859210A JPH0859210A JP6224150A JP22415094A JPH0859210A JP H0859210 A JPH0859210 A JP H0859210A JP 6224150 A JP6224150 A JP 6224150A JP 22415094 A JP22415094 A JP 22415094A JP H0859210 A JPH0859210 A JP H0859210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- gas
- ozone gas
- aluminum
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/10—Preparation of ozone
- C01B13/11—Preparation of ozone by electric discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発生するオゾンがCr化合物で汚染されない
か、或いは高集積度の半導体製造に問題にならない程度
の微量な汚染で済むオゾン発生装置を提供すること。 【構成】 オゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾ
ンガス送出路の少なくともオゾンガスと接する部分を耐
オゾン性を有し且つ構成材料としてCrを含まない、ア
ルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロン、リ
ン(P)及び/又はタングステン(W)が微量に添加さ
れたニッケル(Ni)、高純度シリコン(SiO)、高
純度サファイア(Al2O3)のいずれか1又は2以上で
構成するか、これらの材料をコーティングして構成し
た。
か、或いは高集積度の半導体製造に問題にならない程度
の微量な汚染で済むオゾン発生装置を提供すること。 【構成】 オゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾ
ンガス送出路の少なくともオゾンガスと接する部分を耐
オゾン性を有し且つ構成材料としてCrを含まない、ア
ルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロン、リ
ン(P)及び/又はタングステン(W)が微量に添加さ
れたニッケル(Ni)、高純度シリコン(SiO)、高
純度サファイア(Al2O3)のいずれか1又は2以上で
構成するか、これらの材料をコーティングして構成し
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセス等に
使用する高純度のオゾンガスを製造するオゾン発生装置
に関するものである。
使用する高純度のオゾンガスを製造するオゾン発生装置
に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、この種の高純度のオゾンガスを製造
するオゾン発生装置においては、オゾンガスと接する部
分の材料にステンレス鋼が用いられ、パーティクルやア
ウトガス(OUT GAS)の発生を嫌う半導体製造プ
ロセスではその電解研磨処理を施したものを使用してい
た。
するオゾン発生装置においては、オゾンガスと接する部
分の材料にステンレス鋼が用いられ、パーティクルやア
ウトガス(OUT GAS)の発生を嫌う半導体製造プ
ロセスではその電解研磨処理を施したものを使用してい
た。
【0003】上記のようにオゾンガス接触部の材料にス
テンレス鋼材を用いた場合、オゾンガスに微量のクロム
(Cr)化合物が含まれる。Cr化合物の発生原因とし
ては、原料ガスとして酸素(O2)ガスに窒素(N2)ガ
スを添加したものを用いることから、該窒素によりオゾ
ン発生セル内でNOxが生成され、該NOxとステンレ
ス鋼の表面にごく微量に吸着されている水分とが反応
し、硝酸となり、該硝酸がステンレス鋼と反応してCr
化合物が発生すると推測される。また、NOx以外に、
酸素(O2)ガスにCF4,SF6,NF3を添加した場合
でもSOxやHFの生成も予測され、Cr化合物が発生
すると推測される。
テンレス鋼材を用いた場合、オゾンガスに微量のクロム
(Cr)化合物が含まれる。Cr化合物の発生原因とし
ては、原料ガスとして酸素(O2)ガスに窒素(N2)ガ
スを添加したものを用いることから、該窒素によりオゾ
ン発生セル内でNOxが生成され、該NOxとステンレ
ス鋼の表面にごく微量に吸着されている水分とが反応
し、硝酸となり、該硝酸がステンレス鋼と反応してCr
化合物が発生すると推測される。また、NOx以外に、
酸素(O2)ガスにCF4,SF6,NF3を添加した場合
でもSOxやHFの生成も予測され、Cr化合物が発生
すると推測される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体製造プロ
セスにおいては、使用するオゾンガスが微量なCr化合
物で汚染されていても特に問題とならなかった。しかし
ながらオゾンガスの用途が広まるにつれて半導体製造プ
ロセスに用いるオゾンガス中のCr化合物が問題となっ
てきているが、従来この問題に対処する有効な手段は無
かった。
セスにおいては、使用するオゾンガスが微量なCr化合
物で汚染されていても特に問題とならなかった。しかし
ながらオゾンガスの用途が広まるにつれて半導体製造プ
ロセスに用いるオゾンガス中のCr化合物が問題となっ
てきているが、従来この問題に対処する有効な手段は無
かった。
【0005】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、発生するオゾンガス中のCr化合物を大幅に低減で
きるオゾン発生装置を提供することを目的とする。
で、発生するオゾンガス中のCr化合物を大幅に低減で
きるオゾン発生装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、原料ガスを供給すると共に高電圧源から高電
圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル及び
発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を具備
するオゾン発生装置において、図1に示すように、オゾ
ン発生セル11以降のオゾンガス送出路(管22,2
3、ガスフィルタ15及び管24)の少なくともオゾン
ガスと接する部分の材料をCrを含まない材料で構成し
たことを特徴とする。
本発明は、原料ガスを供給すると共に高電圧源から高電
圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル及び
発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を具備
するオゾン発生装置において、図1に示すように、オゾ
ン発生セル11以降のオゾンガス送出路(管22,2
3、ガスフィルタ15及び管24)の少なくともオゾン
ガスと接する部分の材料をCrを含まない材料で構成し
たことを特徴とする。
【0007】また、オゾンガスと接する部分の材料とし
て、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロ
ン、フッ化処理をしたニッケル(Ni)、ニッケル合
金、酸化珪素(SiO2)を主成分とするガラス、高純
度サファイア等の高純度酸化アルミニウム(Al2O3)
のいずれか1又は2以上の材料を使用することを特徴と
する。
て、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロ
ン、フッ化処理をしたニッケル(Ni)、ニッケル合
金、酸化珪素(SiO2)を主成分とするガラス、高純
度サファイア等の高純度酸化アルミニウム(Al2O3)
のいずれか1又は2以上の材料を使用することを特徴と
する。
【0008】また、オゾンガスと接する部分がアルミニ
ウム(Al)、アルミニウム合金、テフロン、フッ化処
理を施したニッケル(Ni)、ニッケル合金、酸化珪素
(SiO2)を主成分とする成分とするガラス、高純度
サファイア等の高純度酸化アルミニウム(Al2O3)の
いずれか1又は2以上の材料でコーティングされている
ことを特徴とする。
ウム(Al)、アルミニウム合金、テフロン、フッ化処
理を施したニッケル(Ni)、ニッケル合金、酸化珪素
(SiO2)を主成分とする成分とするガラス、高純度
サファイア等の高純度酸化アルミニウム(Al2O3)の
いずれか1又は2以上の材料でコーティングされている
ことを特徴とする。
【0009】また、オゾン発生セルに供給する原料ガス
として、酸素ガスに窒素又はその化合物を含むか若しく
は添加したガス及び/又は酸素ガスにフッ素又はその化
合物が含まれるか若しくは添加したガスを使用すること
を特徴とする。
として、酸素ガスに窒素又はその化合物を含むか若しく
は添加したガス及び/又は酸素ガスにフッ素又はその化
合物が含まれるか若しくは添加したガスを使用すること
を特徴とする。
【0010】また、オゾン発生装置から該オゾン発生装
置で発生するオゾンガスを使用するプロセスまでのオゾ
ンガス流路の少なくともオゾンガスと接する部分の材料
に、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロ
ン、フッ化処理をしたニッケル、ニッケル合金、酸化珪
素を主成分とするガラス、高純度サファイア等の高純度
酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれか1つ又は2つ
以上を使用することを特徴とする。
置で発生するオゾンガスを使用するプロセスまでのオゾ
ンガス流路の少なくともオゾンガスと接する部分の材料
に、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロ
ン、フッ化処理をしたニッケル、ニッケル合金、酸化珪
素を主成分とするガラス、高純度サファイア等の高純度
酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれか1つ又は2つ
以上を使用することを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明は上記構成を採用することにより、オゾ
ン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路の
少なくともオゾンガスと接する部分をCrを含まない材
料で構成したから、オゾン発生セル以降のオゾンガス送
出路でCr化合物の発生することがなく、オゾン発生セ
ルで製造された高純度のオゾンガスがCr化合物に汚染
されることはない。
ン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路の
少なくともオゾンガスと接する部分をCrを含まない材
料で構成したから、オゾン発生セル以降のオゾンガス送
出路でCr化合物の発生することがなく、オゾン発生セ
ルで製造された高純度のオゾンガスがCr化合物に汚染
されることはない。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図
である。図示するように、オゾン発生装置10は、オゾ
ン発生セル11、原料ガス系12、ガスフィルタ15、
高周波高電圧電源16、制御部17及びチラーユニット
18を具備している。
する。図1は本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図
である。図示するように、オゾン発生装置10は、オゾ
ン発生セル11、原料ガス系12、ガスフィルタ15、
高周波高電圧電源16、制御部17及びチラーユニット
18を具備している。
【0013】オゾン発生セル11は図示は省略するが内
部に1から複数個のセルを有し、各セルと圧力調整弁1
4は管22で接続され、圧力調整弁14とガスフィルタ
15は管23で接続され、ガスフィルタ15とオゾンガ
ス出口25は管24で接続される。なお、22−1は継
手である。管22、継手22−1、圧力調整弁14、管
23、ガスフィルタ15及び管24は、オゾン発生セル
11からオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を形成
し、該オゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分の材
料を後述するように、Crを含まない材料で構成する。
部に1から複数個のセルを有し、各セルと圧力調整弁1
4は管22で接続され、圧力調整弁14とガスフィルタ
15は管23で接続され、ガスフィルタ15とオゾンガ
ス出口25は管24で接続される。なお、22−1は継
手である。管22、継手22−1、圧力調整弁14、管
23、ガスフィルタ15及び管24は、オゾン発生セル
11からオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を形成
し、該オゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分の材
料を後述するように、Crを含まない材料で構成する。
【0014】原料ガス系12は原料ガス入口から供給さ
れる原料ガスをある一定の流量でオゾン発生セル11に
供給するものである。また、高周波高電圧電源16は制
御部17の制御によりオゾン発生セル11の電極に高周
波の高電圧を印加する電源である。圧力調整弁14は制
御部17の制御によりオゾン発生セル11の内部圧力を
所定の値に調整する弁である。ガスフィルタ15はオゾ
ン発生セル11から送られてくるオゾンガスに含まれる
パーティクル等を除去するフィルタである。
れる原料ガスをある一定の流量でオゾン発生セル11に
供給するものである。また、高周波高電圧電源16は制
御部17の制御によりオゾン発生セル11の電極に高周
波の高電圧を印加する電源である。圧力調整弁14は制
御部17の制御によりオゾン発生セル11の内部圧力を
所定の値に調整する弁である。ガスフィルタ15はオゾ
ン発生セル11から送られてくるオゾンガスに含まれる
パーティクル等を除去するフィルタである。
【0015】チラーユニット18はオゾン発生セル11
へ冷却用の脱イオン水を循環させるもので、冷却水が冷
却水入口20から流入し冷却水出口から流出するように
なっており、該冷却水によりオゾン発生セル11からの
脱イオン水を冷却してオゾン発生セル11に送るように
なっている。これによりオゾン発生セル11内で発生す
る無声放電等の放電により発生する熱を冷却している。
へ冷却用の脱イオン水を循環させるもので、冷却水が冷
却水入口20から流入し冷却水出口から流出するように
なっており、該冷却水によりオゾン発生セル11からの
脱イオン水を冷却してオゾン発生セル11に送るように
なっている。これによりオゾン発生セル11内で発生す
る無声放電等の放電により発生する熱を冷却している。
【0016】上記構成のオゾン発生装置において、制御
部17の制御によりオゾン発生セル11に高周波高電圧
電源16より所定の高周波高電圧を印加し、原料ガス系
12から原料ガスを供給することにより、オゾン発生セ
ル11で発生したオゾンガスは管22を通って、圧力調
整弁14を通ってガスフィルタ15に流入する。該ガス
フィルタ15でオゾンガスに含まれるパーティクル等を
除去し、管24、オゾンガス出口25を通って、次のプ
ロセス、例えば半導体製造プロセスへと送られる。
部17の制御によりオゾン発生セル11に高周波高電圧
電源16より所定の高周波高電圧を印加し、原料ガス系
12から原料ガスを供給することにより、オゾン発生セ
ル11で発生したオゾンガスは管22を通って、圧力調
整弁14を通ってガスフィルタ15に流入する。該ガス
フィルタ15でオゾンガスに含まれるパーティクル等を
除去し、管24、オゾンガス出口25を通って、次のプ
ロセス、例えば半導体製造プロセスへと送られる。
【0017】オゾン発生セル11で発生するオゾンガス
がCr化合物を含まないオゾンガスであれば、上記のよ
うにオゾン発生セル11以降のオゾンガス送出路、即
ち、管22、継手22−1、圧力調整弁14、管23、
ガスフィルタ15及び管24からなるガス流路のオゾン
ガス接触部は構成材料にCrを含まない材料で構成され
ているので、オゾンガス出口25からはCr化合物を含
まない、即ちCr化合物による汚染の無いオゾンガスを
次のプロセスに送出できる。
がCr化合物を含まないオゾンガスであれば、上記のよ
うにオゾン発生セル11以降のオゾンガス送出路、即
ち、管22、継手22−1、圧力調整弁14、管23、
ガスフィルタ15及び管24からなるガス流路のオゾン
ガス接触部は構成材料にCrを含まない材料で構成され
ているので、オゾンガス出口25からはCr化合物を含
まない、即ちCr化合物による汚染の無いオゾンガスを
次のプロセスに送出できる。
【0018】上記構成のオゾン発生装置において、管2
2、継手22−1、圧力調整弁14、管23、ガスフィ
ルタ15及び管24を下記材料で構成した場合、オゾン
ガス出口25から送出されるオゾンガスのCr汚染量は
後述する測定方法において、1×1010atms/cm
2以下であった。
2、継手22−1、圧力調整弁14、管23、ガスフィ
ルタ15及び管24を下記材料で構成した場合、オゾン
ガス出口25から送出されるオゾンガスのCr汚染量は
後述する測定方法において、1×1010atms/cm
2以下であった。
【0019】構成材料、 継手22−1及び圧力調整弁14はステンレス鋼(SU
S316)を母材としオゾンガス接触部にNiコーティ
ングを施したもの、管22はテフロン(PFA)製のも
の、管23,24は純アルミニウム(A1050)製の
もの、ガスフィルタ15はテフロン(PTFE.PF
A)製のものとする。
S316)を母材としオゾンガス接触部にNiコーティ
ングを施したもの、管22はテフロン(PFA)製のも
の、管23,24は純アルミニウム(A1050)製の
もの、ガスフィルタ15はテフロン(PTFE.PF
A)製のものとする。
【0020】上記Cr汚染量の測定方法は、図2に示す
ようなテフロン製のチャンバー37の中にシリコンウエ
ハ38を収容し、チャンバー37内に上記オゾン発生装
置からオゾンガスを吹き付け、シリコンウエハ38の表
面を全反射螢光X線で分析したところ、Crは全反射螢
光X線での検出限界以下(1×1010atms/cm2
以下)であった。これに対して、オゾン発生セル以降の
オゾンガス送出路にステンレス鋼を用いた従来のオゾン
発生装置からのオゾンガスの場合は、1×1012〜1×
1013atms/cm2のCrが検出された。
ようなテフロン製のチャンバー37の中にシリコンウエ
ハ38を収容し、チャンバー37内に上記オゾン発生装
置からオゾンガスを吹き付け、シリコンウエハ38の表
面を全反射螢光X線で分析したところ、Crは全反射螢
光X線での検出限界以下(1×1010atms/cm2
以下)であった。これに対して、オゾン発生セル以降の
オゾンガス送出路にステンレス鋼を用いた従来のオゾン
発生装置からのオゾンガスの場合は、1×1012〜1×
1013atms/cm2のCrが検出された。
【0021】図2はオゾン発生セル以降のオゾンガス送
出路に種々の材料を用いた場合のCr汚染量を検査する
ための概略構成を示す図である。図2において、33は
オゾン発生装置、34はオゾン発生セルである。電極に
高周波高電圧が印加されているオゾン発生セル34に酸
素(O2)ガス用のマスフローコントローラ31及び窒
素(N2)ガス用のマスフローコントローラ32から一
定流量の酸素ガス及び窒素ガスをオゾン発生セル34に
供給している。該オゾン発生セル34で発生したオゾン
ガスはテフロン製の管35−1,35−2、供試管36
及びテフロン製の管35−3を通して、テフロン製のチ
ャンバー37内に吹き付け、チャンバー37からのオゾ
ンガスをテフロン製の管35−4及びオゾン分解塔39
を通して排出する。
出路に種々の材料を用いた場合のCr汚染量を検査する
ための概略構成を示す図である。図2において、33は
オゾン発生装置、34はオゾン発生セルである。電極に
高周波高電圧が印加されているオゾン発生セル34に酸
素(O2)ガス用のマスフローコントローラ31及び窒
素(N2)ガス用のマスフローコントローラ32から一
定流量の酸素ガス及び窒素ガスをオゾン発生セル34に
供給している。該オゾン発生セル34で発生したオゾン
ガスはテフロン製の管35−1,35−2、供試管36
及びテフロン製の管35−3を通して、テフロン製のチ
ャンバー37内に吹き付け、チャンバー37からのオゾ
ンガスをテフロン製の管35−4及びオゾン分解塔39
を通して排出する。
【0022】チャンバー37内にはシリコンウエハ38
が収容されており、該シリコンウエハ38の表面に付着
したCrを全反射螢光X線分析器(図示せず)で分析し
てCrの汚染量を調べる。上記供試管36に下記のもの
を用い、下記のテスト条件で実験した場合のCrの汚染
量を測定した結果を下記に示す。
が収容されており、該シリコンウエハ38の表面に付着
したCrを全反射螢光X線分析器(図示せず)で分析し
てCrの汚染量を調べる。上記供試管36に下記のもの
を用い、下記のテスト条件で実験した場合のCrの汚染
量を測定した結果を下記に示す。
【0023】テスト条件、 オゾンガス濃度:8vol%、 原料ガス流量:10Nl/min、 オゾン発生セル内圧力:大気圧、 原料ガス:0.8vol%窒素含有酸素、 原料ガス純度:酸素(O2)及び窒素(N2)共に99.
9995%、 オゾンガス吹き付け時間:10min、 シリコンウエハ38の径:6インチ。
9995%、 オゾンガス吹き付け時間:10min、 シリコンウエハ38の径:6インチ。
【0024】テスト結果、 供試管36としてステンレス鋼管(SUS316Lの
電解研磨管)を用いた場合のCr汚染量1×1012〜1
×1013atms/cm2、 供試管36としてアルミニウム(A1050)管を用
いた場合のCr汚染量1×1010atms/cm2以下
(全反射螢光X線分析器の測定限界以下)、 供試管36として母材がステンレス鋼管(SUS31
6Lの電解研磨管)のオゾンガス接触部にNi(Pを含
む)コーティングしたものを用いた場合のCr汚染量1
×1010atms/cm2以下(全反射螢光X線分析器
の測定限界以下)、 供試管36としてテフロン(PFA)製管を用いた場
合のCr汚染量1×1010atms/cm2以下(全反
射螢光X線分析器の測定限界以下)。
電解研磨管)を用いた場合のCr汚染量1×1012〜1
×1013atms/cm2、 供試管36としてアルミニウム(A1050)管を用
いた場合のCr汚染量1×1010atms/cm2以下
(全反射螢光X線分析器の測定限界以下)、 供試管36として母材がステンレス鋼管(SUS31
6Lの電解研磨管)のオゾンガス接触部にNi(Pを含
む)コーティングしたものを用いた場合のCr汚染量1
×1010atms/cm2以下(全反射螢光X線分析器
の測定限界以下)、 供試管36としてテフロン(PFA)製管を用いた場
合のCr汚染量1×1010atms/cm2以下(全反
射螢光X線分析器の測定限界以下)。
【0025】上記オゾン発生セル11以降のオゾンガス
送出路のオゾンガスと接触する部分の材料としては、上
記材料の他に、アルミニウム合金、フッ化処理をしたニ
ッケル(Ni)、高純度石英ガラス等酸化珪素(Si
O)を主成分とするガラス及び高純度サファイア等の高
純度酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれ1又は2以
上又はこれらをコーティングしたものが考えられる。
送出路のオゾンガスと接触する部分の材料としては、上
記材料の他に、アルミニウム合金、フッ化処理をしたニ
ッケル(Ni)、高純度石英ガラス等酸化珪素(Si
O)を主成分とするガラス及び高純度サファイア等の高
純度酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれ1又は2以
上又はこれらをコーティングしたものが考えられる。
【0026】また、図1のオゾン発生セル11に供給す
る原料ガスとして、酸素ガスに窒素又はその化合物が含
まれるか若しくは添加したガス又は酸素ガスにフッ素又
はその化合物が含まれるか若しくは添加したガス或いは
この両者を使用することができる。
る原料ガスとして、酸素ガスに窒素又はその化合物が含
まれるか若しくは添加したガス又は酸素ガスにフッ素又
はその化合物が含まれるか若しくは添加したガス或いは
この両者を使用することができる。
【0027】また、本発明のオゾン発生装置10のオゾ
ンガス出口25から該オゾン発生装置10で発生するオ
ゾンガスを使用するプロセスまでのオゾンガス流路の少
なくともオゾンガスと接する部分の材料に、構成材料に
Crを含まない材料、即ちアルミニウム(Al)、アル
ミニウム合金、テフロン、フッ化処理をしたニッケル
(Ni)、ニッケル合金、高純度石英ガラス等の酸化珪
素(SiO2)を主成分とするガラス、高純度サファイ
ア等の酸化アルミニウム(Al2O3)を使用することに
より、Cr化合物で汚染されないオゾンガスを上記プロ
セスに送ることができるのは当然である。
ンガス出口25から該オゾン発生装置10で発生するオ
ゾンガスを使用するプロセスまでのオゾンガス流路の少
なくともオゾンガスと接する部分の材料に、構成材料に
Crを含まない材料、即ちアルミニウム(Al)、アル
ミニウム合金、テフロン、フッ化処理をしたニッケル
(Ni)、ニッケル合金、高純度石英ガラス等の酸化珪
素(SiO2)を主成分とするガラス、高純度サファイ
ア等の酸化アルミニウム(Al2O3)を使用することに
より、Cr化合物で汚染されないオゾンガスを上記プロ
セスに送ることができるのは当然である。
【0028】なお、図1は本発明のオゾン発生装置の一
構成例であり、本発明はこれに限定されるものではな
く、純度の高いオゾンガスを発生するオゾン発生セル以
降のオゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分をCr
を含まない材料で構成したことが本発明の要点であり、
オゾンの発生機構等はどのような構成であってもよいこ
とは当然である。
構成例であり、本発明はこれに限定されるものではな
く、純度の高いオゾンガスを発生するオゾン発生セル以
降のオゾンガス送出路のオゾンガスと接する部分をCr
を含まない材料で構成したことが本発明の要点であり、
オゾンの発生機構等はどのような構成であってもよいこ
とは当然である。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、オ
ゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路
の少なくともオゾンガスと接する部分をCrを含まない
材料で構成したから、オゾン発生セル以降のオゾンガス
送出路でCr化合物の発生することがなく、Cr化合物
で汚染されないオゾンガスを製造するオゾンガス製造装
置を提供できる。
ゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路
の少なくともオゾンガスと接する部分をCrを含まない
材料で構成したから、オゾン発生セル以降のオゾンガス
送出路でCr化合物の発生することがなく、Cr化合物
で汚染されないオゾンガスを製造するオゾンガス製造装
置を提供できる。
【図1】本発明のオゾン発生装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図2】Cr汚染量を検査するための概略構成を示す図
である。
である。
10 オゾン発生装置 11 オゾン発生セル 12 原料ガス系 14 圧力調節弁 15 ガスフィルタ 16 高周波高電圧電源 17 制御部 18 チラーユニット 19 原料ガス入口 20 冷却水入口 21 冷却水出口 22 管 22−1 継手 23 管 24 管 25 オゾンガス出口 31 酸素ガス用のマスフローコントローラ 32 窒素ガス用のマスフローコントローラ 33 オゾン発生装置 34 オゾン発生セル 35−1〜4 テフロン管 36 供試管 37 チャンバー 38 シリコンウエハ 39 オゾン分解塔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 中田 錬平 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 宮崎 邦浩 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 梶 成彦 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内
Claims (7)
- 【請求項1】 原料ガスを供給すると共に高電圧源から
高電圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル
及び発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を
具備するオゾン発生装置において、 前記オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路の少なくと
もオゾンガスと接する部分の材料をクロムを含まない材
料で構成したことを特徴とするオゾン発生装置。 - 【請求項2】 前記オゾンガスと接する部分の材料とし
て、アルミニウム、アルミニウム合金、テフロン、フッ
化処理をしたニッケル、ニッケル合金、酸化珪素を主成
分とするガラス、高純度酸化アルミニウムのいずれか1
又は2以上を使用することを特徴とする請求項1に記載
のオゾン発生装置。 - 【請求項3】 前記オゾンガスと接する部分がアルミニ
ウム、アルミニウム合金、テフロン、フッ化処理をした
ニッケル、ニッケル合金、酸化珪素を主成分とするガラ
ス、高純度酸化アルミニウムのいずれか1又は2以上の
材料でコーティングされていることを特徴とする請求項
1に記載のオゾン発生装置。 - 【請求項4】 前記オゾン発生セルに供給する原料ガス
として、酸素ガスに窒素又はその化合物を含むか若しく
は添加したガスを使用することを特徴とする請求項1乃
至3のいずれか1に記載のオゾン発生装置。 - 【請求項5】 前記オゾン発生セルに供給する原料ガス
は、酸素ガスにフッ素又はその化合物を含むか若しくは
添加したガスであることを特徴とする請求項1乃至3の
いずれか1に記載のオゾン発生装置。 - 【請求項6】 前記オゾン発生セルに供給する原料ガス
として、酸素ガスに窒素又はその化合物を含むか若しく
は添加したガス及び酸素ガスにフッ素又はその化合物を
含むか若しくは添加したガスを使用することを特徴とす
る請求項1乃至3のいずれか1に記載のオゾン発生装
置。 - 【請求項7】 前記オゾン発生装置から該オゾン発生装
置で発生するオゾンガスを使用するプロセスまでのオゾ
ンガス流路の少なくともオゾンガスと接する部分の材料
に、アルミニウム、アルミニウム合金、テフロン、フッ
化処理したニッケル、ニッケル合金、酸化珪素を主成分
とするガラス、高純度酸化アルミニウムのいずれか1つ
又は2つ以上を使用することを特徴とする請求項1乃至
6のいずれか1に記載のオゾン発生装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6224150A JPH0859210A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | オゾン発生装置 |
US08/517,879 US5794114A (en) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | Ozonizer |
TW084108786A TW386066B (en) | 1994-08-24 | 1995-08-23 | Ozonizer |
EP95113336A EP0698576B1 (en) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | Ozonizer and its use |
KR1019950026262A KR100371910B1 (ko) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | 오존발생기 |
DE69530446T DE69530446T2 (de) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | Ozonisator und seine Verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6224150A JPH0859210A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | オゾン発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0859210A true JPH0859210A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16809330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6224150A Pending JPH0859210A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | オゾン発生装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5794114A (ja) |
EP (1) | EP0698576B1 (ja) |
JP (1) | JPH0859210A (ja) |
KR (1) | KR100371910B1 (ja) |
DE (1) | DE69530446T2 (ja) |
TW (1) | TW386066B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7471173B2 (en) | 2003-11-06 | 2008-12-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Resonator, filter, nonreciprocal circuit device, and communication apparatus |
JP2009001490A (ja) * | 2008-09-22 | 2009-01-08 | Meidensha Corp | 液体オゾン生成装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100411615B1 (ko) * | 1995-04-17 | 2004-04-21 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 오존발생장치 |
US6372096B1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-04-16 | Novazone | Pressure regulation process for ozone generating cell |
WO2003033402A2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Pure O3 Tech, Inc. | Dissolved ozone generation and delivery system |
ES2283175B1 (es) * | 2005-02-18 | 2008-08-16 | Oxigranja, S.L. | Aparato para la produccion de ozono. |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4282172A (en) * | 1980-09-11 | 1981-08-04 | Howe-Baker Engineers, Inc. | Gas to liquid diffuser |
US4801427A (en) * | 1987-02-25 | 1989-01-31 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
JP2773144B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1998-07-09 | ミノルタ株式会社 | ズームレンズを備えるカメラ |
US4970056A (en) * | 1989-01-18 | 1990-11-13 | Fusion Systems Corporation | Ozone generator with improved dielectric and method of manufacture |
JPH0487245A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Agency Of Ind Science & Technol | オゾンビーム発生装置 |
JP3048612B2 (ja) * | 1990-09-06 | 2000-06-05 | ペルメレック電極株式会社 | 電解オゾン発生装置 |
US5268151A (en) * | 1990-10-12 | 1993-12-07 | Ozone Equipment, Inc. | Apparatus and method for generating ozone |
JPH03174301A (ja) * | 1990-11-07 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 二重管形オゾン発生管 |
US5260036A (en) * | 1992-02-27 | 1993-11-09 | Process Technologies, Inc. | Method and apparatus for use in photochemically oxidizing gaseous halogenated organic compounds |
US5549874A (en) * | 1992-04-23 | 1996-08-27 | Ebara Corporation | Discharge reactor |
JP2556805B2 (ja) * | 1993-02-04 | 1996-11-27 | 日本オゾン株式会社 | プレ−ト型オゾン発生装置 |
US5417936A (en) * | 1992-06-08 | 1995-05-23 | Nippon Ozone Co., Ltd. | Plate-type ozone generator |
US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
JPH0621010A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US5387775A (en) * | 1993-03-31 | 1995-02-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus for the plasma destruction of hazardous gases |
US5529760A (en) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Burris; William A. | Ozone generator |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP6224150A patent/JPH0859210A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-23 TW TW084108786A patent/TW386066B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-08-23 US US08/517,879 patent/US5794114A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-24 KR KR1019950026262A patent/KR100371910B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-08-24 EP EP95113336A patent/EP0698576B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-24 DE DE69530446T patent/DE69530446T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7471173B2 (en) | 2003-11-06 | 2008-12-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Resonator, filter, nonreciprocal circuit device, and communication apparatus |
JP2009001490A (ja) * | 2008-09-22 | 2009-01-08 | Meidensha Corp | 液体オゾン生成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100371910B1 (ko) | 2003-03-19 |
US5794114A (en) | 1998-08-11 |
DE69530446T2 (de) | 2004-03-25 |
EP0698576A2 (en) | 1996-02-28 |
EP0698576A3 (en) | 1996-05-01 |
DE69530446D1 (de) | 2003-05-28 |
EP0698576B1 (en) | 2003-04-23 |
KR960007448A (ko) | 1996-03-22 |
TW386066B (en) | 2000-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5792326A (en) | Method and apparatus for generating ozone and methods of its use | |
JP3959906B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US5679215A (en) | Method of in situ cleaning a vacuum plasma processing chamber | |
US20020066535A1 (en) | Exhaust system for treating process gas effluent | |
US6328801B1 (en) | Method and system for recovering and recirculating a deuterium-containing gas | |
JP6242333B2 (ja) | 検査前後の汚染回避のためのマスク、ウェーハおよび光学面の事前清浄および後清浄 | |
JP5498640B2 (ja) | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 | |
JP2000169977A (ja) | 大気圧高周波プラズマによるエッチング方法 | |
JPH0859210A (ja) | オゾン発生装置 | |
US5702673A (en) | Ozone generating apparatus | |
JPH0663097B2 (ja) | 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法 | |
JP2004160312A (ja) | Pfcガス分解システム及びガス分解方法 | |
JP3566453B2 (ja) | オゾン発生装置 | |
US7767006B2 (en) | Ozone processing apparatus and ozone processing method | |
JPH0859214A (ja) | オゾン発生装置 | |
JP2587860B2 (ja) | オゾン発生方法 | |
Ohmi et al. | New technique for the measurement of adsorbed moisture concentration on a solid surface | |
Yamashita et al. | Humidify effect on non-thermal plasma processing for VOCs decomposition | |
JP3194108B2 (ja) | ガス中の水分測定方法及び装置 | |
CN117074138B (zh) | 一种气体中颗粒杂质的检测装置及检测方法 | |
JPH03215656A (ja) | フッ化不働態膜が形成されたステンレス鋼、その製造方法並びにそのステンレスを用いた装置 | |
JPH01136970A (ja) | プラズマcvd装置のクリーニング方法 | |
US7096752B1 (en) | Environmental damage reduction | |
JP2001144080A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
JPS6188527A (ja) | 半導体プロセス装置 |