DE3937045A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Leistungshalbleitermodul

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Thomas Dipl Ing Schneider
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ABB IXYS Semiconductor GmbH
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleiter­ modul mit mindestens einer Halbbrücke nach dem Oberbe­ griff des Anspruchs 1. Leistungshalbleitermodule mit Halbbrücken werden beispielsweise zum Aufbau von Dreh­ strom-Umrichtern für elektrische Antriebe verwendet. Um­ richter enthalten einen Gleichrichterteil, einen Gleich­ stromzwischenkreis mit einem Kondensator und einem Wech­ selrichterteil. Der Leistungsteil des Wechselrichters kann mit Halbbrückenmodulen aufgebaut werden, welche Gegenstand der Erfindung sind. Solche Leistungshalblei­ termodule enthalten entweder nur eine Halbbrücke, so daß für einen Drehstromwechselrichter drei Module benötigt werden, oder sie enthalten z. B. bereits drei miteinander verschaltete Halbbrücken.
Für solche Umrichteranwendungen wird die Verwendung schnell und verlustarm schaltender Halbleiterschalter bevorzugt. Geeignet sind daher besonders Halbbrückenmo­ dule, welche schnell schaltende Insulated-Gate-Bipolar- Transistoren (IGBT) als Halbleiterschalter und ultra­ schnelle Freilaufdioden enthalten. Derartige Halb­ brückenmodule und ihre Anwendung sind in etz Bd. 110 (1989), Heft 10, Seiten 472 bis 477 (Druckschrift 1) be­ schrieben. Dort wird auch dargelegt (vgl. Bild 3 bis 5 und zugehörigen Text), daß Halbbrückenmodule und ein da­ mit aufgebauter Leistungsteil eines Umrichters nieder­ induktiv ausgelegt werden müssen, um die Entstehung von Spannungsspitzen zu vermeiden. Das bedeutet, daß Streu­ induktivitäten zwischen dem Kondensator im Gleichstrom­ zwischenkreis und den Anschlußklemmen des Halbbrückenmo­ duls sowie zwischen diesen Klemmen und den Halbleiter­ schaltern im Modul klein sein müssen. Streuinduktivitä­ ten ab etwa 100 nH führen bereits zu Spannungsspitzen, welche die Halbleiterschalter wesentlich belasten oder sogar deren Grenzdaten überschreiten.
In der Druckschrift 1 und auch in etz Bd. 108, Heft 19, Seiten 922 bis 924 (Druckschrift 2) ist aufgezeigt, daß besonders hohe Spannungsspitzen beim Abschalten eines im Lastkreis aufgetretenen Kurzschlusses entstehen und daß eine bekannte Anordnung von Stützkondensatoren nicht ausreicht, um bei schnellem Schalten unzulässige Span­ nungsspitzen zu vermeiden.
Ein weiteres Problem besteht bei Halbbrückenmodulen dar­ in, daß die Rückkopplungen vom Hauptstromkreis auf den Steueranschluß (Gate) eines Halbleiterschalters das Schaltverhalten beeinflussen. In der Druckschrift 2 ist auf Seite 924, linke Spalte dargelegt, daß auch diese Rückkopplungen mit kleinerer Streuinduktivität abnehmen. Rückkopplungen entstehen hauptsächlich durch parasitäre Induktivitäten und Transformatoren in den Halbleiter­ schalter-Anordnungen. Schon geringe Asymmetrien in den parasitären Induktivitäten und Transformatoren führen zu einer ungleichen Stromaufteilung in den Chips und zu un­ terschiedlichen Belastungen.
Die hier angesprochenen Induktivitäten und Transformato­ ren sind in einem in Fig. 1 dargestellten Ersatzschalt­ bild für eine Halbbrücke mit konventinellem Aufbau ange­ geben. Die Halbbrückenschaltung besteht aus zwei Halb­ leiterschaltern 1, welche jeweils mindestens einen Lei­ stungstransistor 2, hier einen IGBT, enthalten und eine parallelgeschaltete Freilaufdiode 3. In der Fig. 1 ist nur das Ersatzschaltbild für einen der beiden identisch aufgebauten Halbleiterschalter 1 gezeigt. Die Bauelemen­ te-Anschlüsse bilden in Verbindung mit Leitungen, die zu Hauptanschlüssen 4 und Steueranschlüssen 5 führen, eine Reihe von Kapazitäten und Induktivitäten bzw. Transfor­ matoren, welche Rückwirkungen des Laststromes auf den Steuerkreis verursachen. Solche Kapazitäten sind die dargestellte Kollektor-Gate-Kapazität Ccg, die Kollek­ tor-Emitter-Kapazität Cce und die Emitter-Gate-Kapazität Ceg. Wirksame Induktivitäten sind eine Kollektor-Induk­ tivität Lc, Emitter-Induktivität Le und Gate-Induktivi­ tät Lcg. Die Gate-Anschlußleitung bildet zusammen mit der Kollektor-Anschlußleitung einen Transformator Tcg und zusammen mit der Emitteranschlußleitung einen Transfor­ mator Teg.
In Proceedings 4th international Macroelectronic confe­ rence, 1988, München, Seiten 134 bis 144 (Druckschrift 3) ist ein Halbbrücken-Leistungshalbleitermodul be­ schrieben, dessen Halbleiterschalter aus parallelge­ schalteten IGBTs bestehen. Auf Seite 136 ist dort darge­ legt, daß die Anzahl parallel schaltbarer Leistungstran­ sistoren wegen des Einflusses der parasitären Induktivi­ täten begrenzt ist. Ein symmetrischer und niederindukti­ ver Modulaufbau wird als Vorgabe für den Modulentwurf genannt, um Rückkopplungsprobleme zu verringern. Als Lö­ sung wird ein quasi koaxialer Aufbau mit einer sternför­ migen Anordnung der Leistungstransistoren vorgeschlagen. Außerdem wird eine Trennung von Hauptemitter und Hilfs­ emitter und ein Anschluß des Hauptemitters mittels einer Vielzahl von Drahtverbindungen empfohlen. Die Fig. 3, 7 und 8 in der Druckschrift 3 zeigen entsprechend ausge­ führte Modul-Konstruktionen.
Die vorgeschlagene koaxiale Geometrie führt zwar wegen der symmetrischen Anordnung der Steueranschlüsse zu ei­ ner Reduzierung von Rückkopplungen, die Streuinduktivi­ tät ist jedoch nahezu so hoch wie bei sonstigen Stand­ ardmodulen. Die koaxiale Geometrie läßt sich nämlich nicht durchgehend von den Halbleiterschaltern bis zu den Modul-Hauptanschlüssen realisieren. Außerdem kann die koaxiale Geometrie bei einer größeren Anzahl von paral­ lel zu schaltenden Leistungstransistoren nicht einmal für die Parallelschaltung selbst exakt eingehalten wer­ den.
Der Erfindung liegt davon ausgehend die Aufgabe zugrun­ de, ein Halbbrückenmodul anzugeben, das geringe Streuin­ duktivitäten aufweist und für die Parallelschaltung ei­ ner größeren Zahl von Leistungstransistoren geeignet ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Leistungshalbleitermodul gelöst, mit mindestens einer Halbbrücke, wobei eine Halbbrücke zwei in Reihe geschaltete Halbleiterschalter enthält, welche jeweils aus mehreren parallelgeschalte­ ten Leistungstransistoren, insbesondere Insulated-Gate- Bipolar-Transistoren (IGBT) bestehen, mit drei Hauptan­ schlußleitungen zur Stromführung zwischen drei Modul- Hauptanschlüssen und den Halbleiterschaltern und mit einem keramischen Substrat als Modulboden, auf welchem Verbindungsleiterbahnen zur Verbindung der parallelen Leistungstransistoren vorhanden sind, wobei zur Verrin­ gerung modulinterner Induktivitäten die drei Hauptan­ schlußleitungen aus breiten Bändern bestehen, welche aufgrund ihrer geometrischen Anordnung eine Anschluß­ bandleitung bilden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in Unteransprüchen angegeben.
Die erfindungsgemäße Lösung hat unter anderem den Vor­ teil, daß ein standardisiertes Gehäuse verwendet werden kann und innerhalb des Gehäuses ein quasi magnetfeld­ freier Raum entsteht, in welchem Elektronikbauteile zur Ansteuerung von Leistungstransistoren untergebracht wer­ den können und störungsfrei arbeiten. Die erfindungs­ gemäße Ausführung der Hauptanschlußleitungen als Band- oder Streifenleitung erlaubt eine Parallelschaltung von mindestens zwanzig Leistungstransistoren. Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, auch Verbin­ dungsleiterbahnen in der Substratebene sowie auch Lei­ tungen im Ansteuerpfad als Bandleitung auszuführen. In einer solchen Anordnung können bei Bedarf einhundert und mehr Leistungstransistoren parallelgeschaltet werden. Die damit verbundene Möglichkeit, die Last auf viele Transistoren gleichmäßig aufzuteilen, ist sehr vorteil­ haft hinsichtlich der Verteilung und Abfuhr der Verlust­ wärme.
Auch in Halbbrücken- oder Wechselrichterschaltungen üb­ liche Freilaufdioden können in gleicher Weise wie die Transistoren an die Verbindungsleiterbahnen angeschlos­ sen werden.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann je Halbbrückenschaltung ein Stützkondensator in Form eines Chip-Kondensators in eine Verbindungsbandleitung auf dem Substrat am optimalen Ort eingesetzt werden. Der Stütz­ kondensator kann damit vollständig in die Bandleitungs­ geometrie integriert werden. Für einen Anwender eines Moduls mit integriertem Stützkondensator bedeutet es eine wesentliche Vereinfachung, daß er sich um die Di­ mensionierung und richtige Anordnung von Stützkondensa­ toren nicht zu kümmern braucht.
Die Ausführung von Last- oder Steuerleitungen in einem Leistungshalbleitermodul in der Form von Bandleitungen wurde an sich bereits in der DE 35 38 933 vorgeschlagen. Dort handelte es sich allerdings um ein völlig anderes Modul, nämlich um ein Modul mit einzelnen Schaltfunktio­ nen. Würde man gemäß dem dortigen Vorschlag jeweils die zwei Hauptanschlüsse eines Halbleiterschalters mit einer Bandleitung zu Modulanschlüssen führen und außen ver­ drahten, so ergäben sich noch nicht die Vorteile der erfindungsgemäßen Anordnung. Es wurde erkannt, daß mit der erfindungsgemäßen Anordnung der drei Hauptanschluß­ leitungen Plus-Leitung, Minus-Leitung und Mittelanzap­ fung als Bandleitung, in welcher jeweils zwischen zwei Leitungen ein Strom fließt, eine streuinduktivitätsarme Gesamtanordnung auch dann möglich ist, wenn man nur ein sogenanntes Single-Layer-Substrat verwendet. Die An­ schlußbandleitung muß lediglich breit und mit geringem Bandabstand ausgeführt werden, angepaßt an die Anordnung der parallelgeschalteten Leistungstransistoren. Die Bandleitungsgeometrie-Anforderungen lassen sich dann auch über entsprechend plazierte Bonddrähte bis hin zu den Chips einhalten.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus in der Zeichnung dargestellten und nachstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
Fig. 1 Ersatzschaltbild einer Halbbrückenschaltung mit Transistoren,
Fig. 2 eine erste Ausführungsvariante eines Halbbrüc­ kenmoduls,
Fig. 3 eine zweite Ausführung eines Halbbrückenmo­ duls,
Fig. 4 einen Bandleitungsanschluß an einem Modul und
Fig. 5 ein Modul mit integriertem Stützkondensator.
Fig. 2 zeigt eine erste Modulvariante, welche von einem Single-Layer-Substrat ausgeht. In Fig. 2 ist ein be­ stücktes Substrat ohne Kunststoffhaube dargestellt.
Auf einem Keramiksubstrat 10, welches die Bodenplatte des Moduls bildet, ist eine Metallschicht 11 mit Hilfe eines Direktverbindungsverfahrens aufgebracht und an­ schließend durch Ätzen strukturiert zu mehreren Metall­ flächen, nämlich zu einer Pluspolfläche 12, einer Mit­ telabgriffsfläche 13 und zu mehreren, z. B. drei Minus­ polflächen 15 und zu ersten und zweiten Hilfsemitter­ streifen 16, 17 sowie ersten und zweiten Gate-Streifen 18, 19. Die isolierten inselförmigen Minuspolflächen 15, von denen in der Fig. 2 nur eine der Flächen und nur teilweise zu sehen ist, sind durch Ätzen von Ausnehmun­ gen 14 in die Mittelabgriffsfläche 13 hergestellt.
Auf den Mittelabgriffsflächen 13 und Pluspolflächen 12 sind Leistungstransistor-Chips 20, z. B. IGBT-Chips oder MOS-FETs, und Diodenchips 21 aufgelötet.
Auf den Pluspol-, Minuspol- und Mittelabgriffsflächen 12, 15, 13 sind außerdem breite Hauptanschlußleitungen 22, 23, 24 aufgelötet, welche einen solchen Abstand zu­ einander haben, daß sie eine erste Anschlußbandleitung 9 bilden. Die Dimensionierung der Bandleitung kann nach bekannten Gleichungen erfolgen. Die Induktivität L einer solchen Bandleitung ist proportional zum Abstand d der dünnen Metallbänder und deren Länge l, dividiert durch die Breite a der Bänder. Für eine Bandleitung mit d=1 mm, a=30 mm und l=50 mm ergibt sich beispiels­ weise eine Induktivität L von nur 2 nH. Die Abstände zwischen den großflächigen Anschlußleitungen 22, 23, 24 können beispielsweise durch Abstandsstücke aus einem Isolierstoff, z. B. Kunststoff, gesichert werden. Die Abstandsstücke sind in Fig. 2 nicht dargestellt.
Elektrische Verbindungen zwischen den Chips 20, 21 und den metallischen Flächen 12, 13, 15 bis 19 sind durch Drähte 27 nach einem Draht-Bondverfahren hergestellt. Um kurze Drahtverbindungen zwischen den Chips 20, 21 und der Mittelabgriffsfläche 13 herstellen zu können, ent­ hält die Pluspolanschlußleitung 22 im Bereich ihrer An­ schlußstelle an die Pluspolfläche 12 Ausschnitte 28. Obwohl durch Anschlüsse im Bereich der Ausschnitte 28 oder auch durch Anschlüsse an die inselförmigen Minus­ polflächen 15 eine ideale Bandleitungsgeometrie nicht eingehalten werden kann, werden durch diese Störstellen nur geringe Streuinduktivitäten verursacht.
In Fig. 2 ist weiterhin mit gestrichelten Linien ein Ansteuerbaustein 26 angedeutet, welcher in dem quasi magnetfeldfreien Raum des Moduls angeordnet werden kann. Ein zweiter solcher Baustein 26 (in Fig. 2 nicht ge­ zeichnet) kann auf der rechten Seite der Fig. 2 über den ersten Gatestreifen 16 und Emitterstreifen 18 angeordnet werden. Den Ansteuerbausteinen 26 werden Steuersignale über Steueranschlüsse 29 zugeführt. Alle Abstände der Anschlußleitungen von den Ansteuerbausteinen 26 über die Gatestreifen 18, 19, Hilfsemitterstreifen 16, 17 und die Bonddrähte 27 zu den Transistor- oder Dioden-Chips 20, 21 sind unter dem Gesichtspunkt gewählt, eine Bandlei­ tungsgeometrie wenigstens annähernd zu erreichen. Damit werden Rückwirkungen vom Lastkreis auf den Steuerkreis minimiert.
Schließlich ist in Fig. 2 noch eine Bodenmetallisierung 25 auf der Unterseite des Keramiksubstrats 1 darge­ stellt, welche ebenso wie die Metallschicht 11 auf der Oberseite des Substrats 1 aus einer Kupferfolie besteht, welche mit einem Direktverbindungsverfahren aufgebracht ist. Die Bodenmetallisierung 25 wirkt einer möglichen Wölbung des Substrats aufgrund von Ausdehnungsunter­ schieden und der Bruchgefahr entgegen.
In Fig. 3 sind zur leichteren Orientierung alle Teile, welche mit denjenigen der Fig. 2 übereinstimmen mit gleichen Bezugszeichen versehen. Auch bei Fig. 3 ist das Modulgehäuse weggelassen, um den inneren Aufbau sichtbar zu machen. Alle Metallschichten auf dem Substrat beste­ hen aus einer Kupferfolie, welche nach einem Direktver­ bindungsverfahren mit als Isolierschicht zwischengefüg­ ten Keramikplättchen verbunden sind.
Als Bodenplatte wird ein Keramiksubstrat 10 mit einer Bodenmetallisierung 25 verwendet. Auf der Oberseite des Substrats 10 ist eine erste Metallschicht 30 aufge­ bracht, welche in eine erste Hilfsemitterfläche 31 und eine Pluspolfläche 32 unterteilt ist.
Über der ersten Hilfsemitterfläche 31 ist eine erste keramische Isolierschicht 33 und darüber eine erste Ga­ tefläche 34 angeordnet. Die erste Gatefläche 34 und die erste Isolierschicht 33 sind kleiner als die erste Hilfsemitterschicht 31 ausgeführt, so daß Anschlußflä­ chen für Bonddrähte 27 zur Verfügung stehen.
Über der Pluspolfläche 32 ist eine zweite Isolierschicht 35 und darüber eine Mittelanzapfungsfläche 36 angeord­ net. Die Mittelanzapfungsfläche 36 mit Isolierschicht 35 ist kleiner als die Pluspolfläche 32, so daß auf der freien Pluspolfläche 32 Transistorchips 20 und Dioden­ chips (nicht dargestellt) aufgelötet werden können.
Auf der Mittelanzapfungsfläche 36 ist ebenfalls eine Reihe von Transistorchips 20 aufgelötet und daneben eine dritte Isolierschicht 37 mit einer darauf angeordneten Minuspolschicht 38.
Auf der Minuspolschicht 38 ist eine vierte Isolier­ schicht 39, eine zweite Hilfsemitterfläche 40, eine fünfte Isolierschicht 41 und eine zweite Gatefläche 42 angeordnet, wobei diese Flächen in ihrer Größen abge­ stuft sind, so daß Anschlußflächen für Bonddrähte 27 zur Verfügung stehen. Mit Hilfe der Bonddrähte 27 und der metallisierten Flächen 31, 32, 34, 36, 38 und 40 sind sowohl die elektrischen Verbindungen für den Lastkreis der Halbbrückenschaltung als auch für die Ansteuerung hergestellt.
Über den Gate- und Hilfsemitterflächen 34, 31 bzw. 42, 40 sind jeweils mit einem geeigneten Abstand Ansteuer­ bausteine 26 angeordnet und elektrisch mit diesen Flä­ chen verbunden. Die Ansteuerbausteine 26 sind mit nach außen führenden Steueranschlüssen 29 versehen.
Die Pluspol-, Mittelanzapfungs- und Minuspolflächen 32, 36, 38, welche eine Verbindungsbandleitung 43 auf dem Substrat bilden, sind über eine zweite Anschlußbandlei­ tung 44 zu flächigen Hauptanschlüssen 45 geführt. Die zweite Anschlußbandleitung 44 ist aus drei breiten me­ tallischen Bändern 50 aufgebaut, welche im erforderli­ chen Abstand zueinander mit Hilfe nicht gezeigter Iso­ lierstücke angeordnet sind.
Die flächigen Hauptanschlüsse 45 ermöglichen eine Fort­ setzung der idealen Bandleitungsgeometrie auch an der Anschlußstelle und in Verbindungsschienen für eine elek­ trische Verbindung von Halbbrückenmodulen.
Als Bandleitung ausgeführte modulexterne Verbindungs­ schienen lassen sich vorteilhaft auch zur Verbindung von Modulen nach der ersten Ausführung gemäß Fig. 2 verwen­ den. Obwohl das Modul gemäß Fig. 2 etwa punktförmige Hauptanschlüsse aufweist und damit die Anschlußstelle eine Störstelle in der Bandleitungsanordnung darstellt, läßt sich damit ein wesentlicher Effekt hinsichtlich Induktivitätsreduzierung und Magnetfeldeinschluß erzie­ len.
In Fig. 4 ist ein solcher Anschluß an ein Modul gemäß der ersten oder zweiten Ausführung skizziert. Fig. 4 zeigt ein Oberteil 46 eines Moduls mit einer dritten Anschlußbandleitung 47 und Schraubanschlüsse 48 sowie einen Schnitt durch eine mehrschichtige als Bandleitung ausgeführte Verbindungsschiene 49. Die Schraubanschlüsse 48 sind in einem an die Bandleitungsgeometrie angepaßten Abstand x angeordnet.
Fig. 5 zeigt nochmals in einer anderen Darstellung ein Modul gemäß der in Fig. 3 gezeigten zweiten Ausführungs­ form. Fig. 5 zeigt im Vergleich zu Fig. 3 zusätzlich die Anordnung mindestens eines Stützkondensators 51, welcher als Keramikkondensator in Chipform ausgeführt ist und unter Einhaltung der Bandleitungsgeometrie in die Ver­ bindungsbandleitung 43 integriert ist.
Aus den Fig. 3 und 5 ist ersichtlich, daß der Wärme­ transportweg von den Transistorchips 20 zu einem unter­ halb der Bodenmetallisierung 25 anzuordnenden Kühlkörper unterschiedlich ist, je nachdem ob der Chip auf der Pluspolfläche 32 oder der Mittelanzapfungsfläche 36 an­ geordnet ist. Soweit sich daraus Probleme ergeben, kön­ nen diese durch Wahl unterschiedlicher Dicke der Kupfer­ folien für die Pluspol- und Mittelanzapfungsflächen oder durch eine Lastaufteilung auf eine unterschiedliche Zahl von Transistorchips gelöst werden.
Bezugszeichenliste
 1 Halbleiterschalter
 2 Leistungstransistor
 3 Freilaufdiode
 4 Hauptanschlüsse
 5 Steueranschlüsse
 9 erste Anschlußbandleitung
10 Keramiksubstrat
11 Metallschicht
12 Pluspolfläche
13 Mittelabgriffsfläche
14 Ausnehmung
15 Minuspolfläche
16 erster Hilfsemitterstreifen
17 zweiter Hilfsemitterstreifen
18 erster Gatestreifen
19 zweiter Gatestreifen
20 Leistungstransistorchip
21 Diodenchip
22 Pluspol-Hauptanschlußleitung
23 Mittelabgriff-Hauptanschlußleitung
24 Minuspol-Hauptanschlußleitung
25 Bodenmetallisierung
26 Ansteuerbaustein
27 Bonddrähte
28 Ausschnitt
29 Steueranschluß
30 erste Metallschicht
31 erste Hilfsemitterfläche
32 Pluspolfläche
33 erste keramische Isolierschicht
34 erste Gatefläche
35 zweite Isolierschicht
36 Mittelanzapfungsfläche
37 dritte Isolierschicht
38 Minuspolfläche
39 vierte Isolierschicht
40 zweite Hilfsemitterfläche
41 fünfte Isolierschicht
42 zweite Gatefläche
43 Verbindungsbandleitung
44 zweite Anschlußbandleitung
45 flächige Hauptanschlüsse
46 Oberteil
47 dirtte Anschlußbandleitung
48 Schraubanschlüsse
49 Verbindungsschiene
50 metallische Bänder
51 Stützkondensator

Claims (11)

1. Leistungshalbleitermodul mit
  • - mindestens einer Halbbrücke, wobei eine Halbbrücke zwei in Reihe geschaltete Halbleiterschalter ent­ hält, welche jeweils aus mehreren parallelgeschal­ teten Leistungstransistoren, insbesondere Insula­ ted-Gate-Bipolar-Transistoren (IGBT) bestehen,
  • - drei Hauptanschlußleitungen zur Stromführung zwi­ schen drei Modul-Hauptanschlüssen und den Halblei­ terschaltern und mit
  • - einem keramischen Substrat als Modulboden, auf wel­ chem Verbindungsleiterbahnen zur Verbindung der parallelen Leistungstransistoren vorhanden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Verringerung modulinter­ ner Induktivitäten die drei Hauptanschlußleitungen (22, 23, 24 bzw. 50) aus breiten Bändern mit geringem Ab­ stand zueinander bestehen, welche aufgrund ihrer geome­ trischen Anordnung eine Anschlußbandleitung (9 bzw. 44) bilden.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß die Bandleitungsgeometrie der Anschlußbandleitung (44) sich in der Substratebene fort­ setzt in einer als Verbindungsbandleitung (43) ausge­ führten Anordnung von großflächigen Verbindungsleiter­ bahnen (32, 36, 38), wobei in die Verbindungsbandleitung (43) die Leistungstransistoren (20) integriert sind.
3. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Modul Ansteuerschaltungen (26) für die Leistungstransistoren (20) angeordnet sind.
4. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Ansteuer­ leitungen (16 bis 19 bzw. 31, 34, 40, 42) zur Verbindung von Steueranschlüssen der Leistungstransistoren (20) untereinander und mit einem Ansteuerbaustein (26) als Bandleitung ausgeführt sind.
5. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprü­ che 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die Verbindungsbandleitung (43) als Schichtenfolge von Kup­ ferfolien und Keramikplättchen aufgebaut und nach einem Direktverbindungsverfahren hergestellt ist.
6. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Modul in ein hauben- oder rahmenförmiges Kunststoffgehäuse ein­ gesetzt ist.
7. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorste­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß außer Transistoren (20) auch Freilaufdioden (21) im Modul ent­ halten sind.
8. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprü­ che 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Modul- Hauptanschlüsse (45) an die Bandleitungsgeometrie der Anschlußbandleitung (44) angepaßt sind und für den An­ schluß bandleitungsförmiger externer Stromschienen zur Verbindung von Leistungshalbleitermodulen ausgeführt sind.
9. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprü­ che 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß für den Fall, daß eine Verbindungsbandleitung (43) vorhanden ist, in diese mindestens ein Stützkondensator (51) unter Einhal­ tung der Bandleitungsgeometrie integriert ist und elek­ trisch mit einer Minuspolfläche (38) und einer Pluspol­ fläche (32) der Verbindungsbandleitung (43) verbunden ist.
10. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprü­ che 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein einheitli­ cher Wärmewiderstand zwischen den Leistungstransistoren (20) der beiden Halbleiterschalter und einem Kühlkörper durch eine unterschiedliche Dicke der Metallschichten (32, 36) oder durch Aufteilung der Last auf eine unter­ schiedliche Anzahl von Transistorchips (20) hergestellt ist.
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