DE102013104522B3 - Leistungshalbleitermodul mit Subeinheiten und Anordnung hiermit - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse und mit mindestens einer Schalteinrichtung in Halbbrückentopologie mit einem oberen und einem unteren Schalter vorgestellt. Hierbei besteht die Schalteinrichtung aus einer Mehrzahl von elektrisch gegeneinander isolierten Subeinheiten, ebenfalls in Halbbrückentopologie, wobei jede Subeinheit einen oberen und einen unteren Subschalter, jeweils ausgebildet als genau ein Halbleiterschalter, aufweist. Der obere und untere Subschalter sind schaltungsgerecht mittels eines internen Lastverbindungselement miteinander verbunden sind. Die Subeinheit weist weiterhin Lastanschlusselemente verschiedener Potentiale auf, die flächig ausgebildet und in ihrem Verlauf eng benachbart angeordnet sind und somit einen partiellen Stapel ausbildend.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von zwei Subeinheiten und eine Anordnung hiermit, wobei das Leistungshalbleitermodul wie auch die Anordnung besonders geringe parasitäre Indukivitäten aufweisen.
  • Aus dem Stand der Technik, beispielhaft offenbart in der DE 39 37 045 A1 , sind Leistungshalbleitermodule mit einer Schalteinrichtung bekannt, wobei diese Schalteinrichtung eine oder eine Mehrzahl von Halbbrückenschaltungen ausbildet. Schalteinrichtungen in Halbbrückentopologie bilden eine Grundeinheit leistungselektronischer Schaltungen. Eine Schalteinrichtung in Halbbrückentopologie weist einen oberen und einen unteren Schalter auf. Fachüblich und auch in der DE 39 37 045 A1 dargestellt, ist es den jeweiligen Schalter auszubilden als eine Mehrzahl von parallel geschalteten Halbleiterschaltern.
  • Eine derartige Ausgestaltung eines Leistungshalbleitermoduls hat den Nachteil, dass im Schaltbetrieb bei der Kommutierung die stromumflossene Fläche, und letztlich damit die Kommutierungsinduktivität bestimmt wird durch die Lage der Mehrzahl von Halbleiterschaltern sowie die Lage und Ausgestaltung der Lastanschlusselemente des Leistungshalbleitermoduls. Eine Vielzahl von Halbleiterschaltern bedingen somit eine hohe Kommutierungsinduktivität.
  • Aus der nachveröffentlichten DE 10 2012 218 868 B3 ist ein Leistungshalbleitermodul bekannt, mit einem Substrat, wobei das Leistungshalbleitermodul ein erstes und ein zweites Gleichspannungslaststromanschlusselement und ein erstes und ein zweites Leistungshalbleiterbauelement aufweist und das erste und das zweite Leistungshalbleiterbauelement entlang einer lateralen ersten Richtung des Substrats angeordnet sind, wobei das Leistungshalbleitermodul einen Folienverbund, der eine erste metallische Folienschicht und eine strukturierte zweite metallische Folienschicht und eine zwischen der ersten und der zweiten metallischen Folienschicht angeordnete elektrisch isolierende Folienschicht aufweist, aufweist, wobei das erste Leistungshalbleiterbauelement und das zweite Leistungshalbleiterbauelement mit dem Folienverbund und mit dem Substrat elektrisch leitend verbunden sind, wobei das erste und das zweite Leistungshalbleiterbauelement auf einer gemeinsamen Seite im Bezug zu dem ersten und dem zweiten Gleichspannungslaststromanschlusselement angeordnet sind.
  • Aus der DE 10 2012 202 765 B3 ist es in Bezug auf die vorliegende Erfindung bekannt bei Halbbrückenschaltungen mit jeweils einem oberen und unteren Transistor mit jeweils zugeordneter Diode diese in den Ecken eines gedachten Rechtecks anzuordnen.
  • In Kenntnis dieser Gegebenheiten liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, dessen interne parasitäre Indukivitäten, insbesondere die Kommutierungsinduktivitäten, besonders gering sind, sowie eine Anordnung mit einem derartigen Leistungshalbleitermodul und einer Kondensatoreinrichtung vorzustellen, wobei die parasitären Indukivitäten, insbesondere die Kommutierungsinduktivitäten, der gesamten Anordnung besonders gering sind.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 1, sowie durch eine Anordnung mit einem derartigen Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 8. Bevorzugte Ausführungsformen sind in abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul ist ausgebildet mit einem Gehäuse und mit mindestens einer Schalteinrichtung in Halbbrückentopologie mit einem oberen und einem unteren Schalter, wobei die Schalteinrichtung ihrerseits besteht aus einer Mehrzahl von elektrisch gegeneinander isolierten Subeinheiten, ebenfalls in Halbbrückentopologie, wobei jede Subeinheit einen oberen und einen unteren Subschalter, jeweils ausgebildet als genau ein Halbleiterschalter, aufweist, wobei der obere und untere Subschalter schaltungsgerecht mittels eines internen Lastverbindungselements miteinander verbunden sind und wobei die Subeinheit Lastanschlusselemente verschiedener Potentiale aufweist, die flächig ausgebildet und in ihrem Verlauf eng benachbart, einen partiellen Stapel ausbildend, angeordnet sind.
  • Selbstverständlich handelt es sich bei dem internen Lastverbindungselement um mindestens ein internes Lastverbindungselement.
  • Unter dem Begriff „ein Halbleiterschalter“ soll hier und im Folgenden verstanden werden, dass der jeweilige Subschalter durch genau einen schaltbaren Leistungshalbleiter ausgebildet ist und nicht durch eine Mehrzahl von parallel geschalteten schaltbaren Leistungshalbleitern. Ein Halbleiterschalter kann allerdings bei einer Schalteinrichtung in Multileveltopologie als eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten schaltbarer Leistungshalbleiter ausgebildet sein.
  • Unter dem Begriff „partieller Stapel“ soll hier und im Folgenden verstanden werden, dass Lastverbindungselemente in einem wesentlichen Teil, insbesondere in mehr als 80% ihres Verlaufs, eng benachbart zueinander angeordnet sind und bei dieser Anordnung einen gegeneinander elektrisch isolierten Stapel ausbilden. Insbesondere sind die einzelnen Verbindungselemente hierbei flächig ausgeführt.
  • Weiterhin erfindungsgemäß ist es, wenn die Lastanschlusselemente jeder Subeinheit elektrisch isoliert von den Lastanschlusselementen der übrigen Subeinheiten durch das Gehäuse nach außen reichen und dort eigene Kontakteinrichtungen jeder Subeinheit aufweisen.
  • Es entspricht weiterhin der Erfindung, wenn jeweils an einer ihrer Längsseite benachbarte Subeinheit spiegelsymmetrisch zueinander angeordnet sind. Hierdurch heben sich die bereits geringen Kommutierungsinduktivitäten der einzelnen Subeinheiten, durch den Abstand bedingt selbstverständlich nur teilweise, auf.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist jede Subeinheit ein positives und ein negatives Gleichspannungspotential sowie ein Wechselspannungspotential auf und diese Lastpotentiale sind mit den Lastanschlusselementen polaritätsgerecht verbunden. Hierbei kann nicht notwendigerweise bei dem partiellen Stapel das Lastanschlusselement mit Wechselspannungspotential zwischen denjenigen Lastanschlusselementen mit positivem und demjenigen mit negativem Gleichspannungspotential angeordnet ist und hierbei die Lastanschlusselemente jeweils durch eine elektrisch isolierende Folie voneinander getrennt sind.
  • Grundsätzlich kann jede Subeinheit ein eigenes Substrat aufweisen oder es können mindestens zwei oder mehr Subeinheit ein gemeinsames Substrat aufweisen.
  • Weiterhin kann es zumindest für bestimmte Anwendungsfälle vorteilhaft sein, wenn je Subeinheit ein Kondensator nahe benachbart zu den Subschaltern angeordnet ist und zwischen die beiden Gleichspannungspotentiale geschaltet ist. Dieser Kondensator muss nur eine geringe Kapazität aufweisen und sollte möglichst in unmittelbarer Nähe zu den Subschaltern auf dem Substrat angeordnet sein.
  • Insbesondere ist es vorteilhaft die Anzahl der Halbleiterschalter und damit die Anzahl der Subeinheiten größer zu wählen und im Gegenzug dazu die Stromtragfähigkeit des einzelnen Hableiterschalters kleiner zu wählen. Selbstverständlich muss in realen Leistungshalbleitermodulen ein Kompromiss aus Anzahl und Größe gefunden werden.
  • Die erfindungsgemäße Anordnung ist ausgebildet mit einem oben beschriebenen Leistungshalbleitermodul und einer dieses Leistungshalbleitermodul verbindenden externen Verbindungseinrichtung, wobei die externe Verbindungseinrichtung als ein flächiger Stapel von gegeneinander isolierten Leitungselementen ausgebildet ist, wobei jedes Leitungselement polaritätsgerecht mit den Kontakteinrichtungen des Leistungshalbleitermoduls und den Anschlusseinrichtungen der Kondensatoreinrichtung verbunden ist, oder wobei die externe Verbindungseinrichtung eine Mehrzahl von Leitungspaaren aufweist, die jeweils die Kontakteinrichtungen mit Gleichspannungspotential der Subeinheiten polaritätsgerecht mit den zugeordneten Kontakteinrichtungen der Kondensatoreinrichtung verbinden.
  • Selbstverständlich handelt es sich hierbei jeweils um mindestens ein Leistungshalbleitermodul und um mindestens eine Kondensatoreinrichtung.
  • Es versteht sich, dass die verschiedenen Ausgestaltungen der Erfindung einzeln oder in beliebigen Kombinationen realisiert sein können, um Verbesserungen zu erreichen. Insbesondere sind die vorstehend genannten und erläuterten Merkmale nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Der Vorteil der Erfindung liegt nun darin, dass durch die Aufteilung in Subeinheiten und deren Parallelschaltung jeweiligen Subeinheiten über ihre Summenströme gekoppelt sind. Aufgrund der Summationsregel für parallel geschaltete Indukivitäten ergibt sich die Gesamtinduktivität des Leistungshalbleitermodul kleiner als die Einzelinduktivität einer Subeinheit.
  • Weitere Erläuterung der Erfindung vorteilhafte Einzelheiten und Merkmale ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung in den 1 bis 4 dargestellten Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Anordnung oder von Teilen hiervon.
  • 1 zeigt eine erste Ausgestaltung einer Subeinheit in Draufsicht.
  • 2 zeigt einen Schnitt entlang der Linie A-A durch die Subeinheit gemäß 1.
  • 3 zeigt einen Schnitt entlang der Linie B-B durch die Subeinheit gemäß 1.
  • 4 zeigt eine zweite Ausgestaltung einer Subeinheit in Draufsicht.
  • 5 zeigt schematisch die Substratebene eines erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul in Draufsicht.
  • 6 zeigt das Leistungshalbleitermodul gemäß 5 und eine erfindungsgemäße Anordnung seitlich im Schnitt.
  • 7 zeigt das Leistungshalbleitermodul gemäß 5 in Draufsicht auf das Gehäuse.
  • 1 zeigt eine erste Ausgestaltung einer Subeinheit 30 in Draufsicht. Dargestellt ist ein fachübliches Substrat 300 mit hierauf angeordneten Leiterbahnen 302 unterschiedlichen Potentials. Auf einer ersten positives Gleichspannungspotential führenden Leiterbahn 302 ist ein erster oberer Halbleiterschalter 32 angeordnet und elektrisch leitend verbunden. Dieser und jeglicher im Weiteren genannte Schalter 32, 34 kann ein MOS-Feldeffekttransistor, ein rückwärtssperrender IGBT oder wie hier dargestellt ein IGBT 320, 340 mit antiparallel geschalteter Diode 322, 342, einer sog. Freilaufdiode, sein. Bei einer Ausgestaltung des Halbleiterschalters 32, 34 als IGBT mit antiparallel geschalteter Freilaufdiode ist es besonders bevorzugt, wenn die vier Bauelement schachbrettartig auf dem Substrat angeordnet sind. Hierbei ergeben sich besonders kurz Kommutierungspfade und damit klein stromumflossene Fläche und damit wiederum eine sehr geringe Kommutierungsinduktivität.
  • Zudem ist mit der Leiterbahn 302 ein Lastanschlusselement 50 mittels seines zugehörigen Kontaktfußes 502, elektrisch leitend verbunden, indem der Kontaktfuß 502 auf der Leiterbahn 302 angeordnet ist. Diesem Lastanschlusselement 50 ist das positive Potential der Schalteinrichtung zugeordnet. Diese und jegliche im Weiteren genannte Anordnung mit einer elektrisch leitenden Verbindung kann fachüblich als Druckkontakt-, Lot-, Schweiß-, Klebe- oder Sinterverbindung ausgebildet sein.
  • Auf einer zweiten Wechselspannungspotential führenden Leiterbahn 304 ist ein zweiter unterer Halbleiterschalter 34 angeordnet und elektrisch leitend verbunden. Diese zweite Leiterbahn 304 ist mit Kontaktflächen, angeordnet auf der dem Substrat abgewandten Seite, des ersten Halbleiterschalters 32 mittels interner Lastverbindungselemente 40 verbunden. Diese internen Lastverbindungselemente 40 können als jeweils einzelner Metallformkörper 400, als Drahtbondverbindungen 402 oder nicht dargestellt als Folienverbund ausgebildet sein. Weiterhin ist ein Kontaktfuß 522 des zugeordneten Lastanschlusselements 52 auf der Leiterbahn 304 angeordnet und elektrisch leitend verbunden. Diesem Lastanschlusselement 52 ist das Wechselspannungspotential der Schalteinrichtung zugeordnet.
  • Auf den Kontaktflächen, angeordnet auf der dem Substrat 300 abgewandten Seite, des zweiten Halbleiterschalters 34, genauer den ihn bildenden IGBT 340 und der Freilaufdiode 342, sind Kontaktfüße 542 des zugeordnetes Lastanschlusselement 54 angeordnet und elektrisch leitend verbunden. Diesem Lastanschlusselement 54 ist das negative Potential der Schalteinrichtung zugeordnet.
  • 2 zeigt einen Schnitt entlang der Linie A-A durch die Subeinheit 30 gemäß 1. Dargestellt ist wiederum das Substrat 300 aus einem Isolierstoffkörper 306 mit den darauf angeordneten Leiterbahnen 302, 304, sowie die Lastanschlusselemente 50, 52, 54 der Subeinheit 30, zumindest abschnittsweise, die hier einen partiellen Stapel 5 bilden. Hierbei weist der Stapel 5 die Reihenfolge positives Gleichspannungspotential, Wechselspannungspotentials, negatives Gleichspannungspotential auf. Wesentlich ist allerdings, dass alle Lastanschlusselemente 50, 52, 54 eng benachbart und idealerweise flächige und mit minimaler Dicke, allerdings ausreichender Dicke um die notwenige Stromtragfähigkeit aufzuweisen, ausgebildet sind.
  • Die Kontaktfüße 502, 522 der jeweils zugeordneten Lastanschlusselemente 50, 52 sind hier dicker ausgebildet, einerseits aus Gründen der Stromtragfähigkeit, um die gleiche Querschnittsfläche wie im weiteren Verlauf des jeweiligen Lastanschlusselements aufzuweisen, anderseits um die Ausbildung der mechanischen und elektrisch leitenden Verbindung zur Leiterbahn 302, 304 zu vereinfachen.
  • In demjenigen Bereich in dem aus Isolationsgründen eine zusätzliche Isolation zwischen den Lastanschlusselemente 50, 52, 54 notwendig ist, ist diese mittels isolierender Kunststofffolien 56, 58 ausgebildet.
  • 3 zeigt einen Schnitt entlang der Linie B-B durch die Subeinheit 30 gemäß 1. Dargestellt ist ebenfalls das genannte Substrat 300 mit den darauf angeordneten Leiterbahnen 302, 304, hierauf angeordneten Halbleiterschaltern 32, 34, sowie die Lastanschlusselemente 50, 52, 54 der Subeinheit 30 wie oben beschrieben. Wesentlich ist in dieser Darstellung das Lastanschlusselement 54 negativen Gleichspannungspotentials, das direkt mit der Kontaktfläche des Halbleiterschalters 34 verbunden ist.
  • 4 zeigt eine zweite Ausgestaltung einer Subeinheit 30 in Draufsicht. Diese Subeinheit unterscheidet sich von derjenigen gemäß 1 dahingehend, dass sie zwei weitere Leiterbahnen 308, beide negatives Gleichspannungspotential führend aufweist. Auf diesen Leiterbahnen 308 angeordnet und elektrisch leitend damit mittels zugeordneter Kontaktstellen verbunden sind zwei Verbindungen mit dem zugeordneten Lastanschlusselements 54.
  • Diese Leiterbahnen 308 sind weiterhin mittels Drahtbondverbindungen 404 mit denjenigen Kontaktflächen des unteren Halbleiterschalters 34 verbunden, die auf der dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterschalters angeordnet sind.
  • Die Lastanschlusselemente 50, 52, 54 weisen hier keine explizit ausgebildeten Kontaktfüße auf. Vielmehr sind die Lastanschlusselemente stumpf auf den zugeordneten Leiterbahnen angeordnet und elektrisch leitend verbunden, wobei jede dieser Verbindungen mehrere Kontaktstellen aufweisen kann.
  • Weiterhin weist die zweite Ausgestaltung der Subeinheit 30 einen Kondensator 6 auf, der elektrisch zwischen die beiden Gleichspannungspotentiale geschaltet ist. Hierzu ist der Kondensator 6 mit einer eigenen weiteren Leiterbahn 308‘ mit negativem Gleichspannungspotential und mit der Leiterbahn 302 positivem Gleichspannungspotential verbunden und unmittelbar auf dem Substrat 300 angeordnet.
  • 5 zeigt schematisch die Substratebene eines erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermoduls 1 in Draufsicht. Dargestellt sind ein Gehäuse 2 und sechs elektrisch gegeneinander isolierte Subeinheiten 30 beispielhaft gemäß 1 oder 4, die jeweils eine Halbrückenschaltung aufweisen. Das gesamte Leistungshalbleitermodul 1 weist, bei entsprechender Verbindung der Subeinheiten 30, somit eine Schalteinrichtung 3 in Halbbrückentopologie auf. Hierzu weist jede Subeinheit 30 eigene Lastverbindungselemente, die einen partiellen Stapel 5 ausbilden, auf.
  • Weiterhin rein schematisch dargestellt sind die Strompfade 36, 38 der Kommutierung vom oberen auf den unteren Subschalter bzw. vom unteren auf den oberen Subschalter. Hierbei wird der Vorteil der des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls 1 offensichtlich, nämlich die äußerst geringen stromumflossenen Flächen und somit direkt die damit verbundenen Indukivitäten, hier die Kommutierungsinduktivitäten. Weitere stromumflossen Flächen ergeben sich noch durch die Lastanschlusselemente, wobei auch hier bei oben geschriebener Ausführung diese Flächen und die daraus resultierenden Indukivitäten klein gegenüber dem Stand der Technik sind.
  • Eine darüber hinausgehende Verbesserung der Kommutierungsinduktivitäten wird erreicht indem jeweils an einer ihrer Längsseite benachbarte Subeinheiten 30 spiegelsymmetrisch zueinander angeordnet sind. Dargestellt ist diese Symmetrie mittels der jeweiligen Aussparung an jeweils einer Ecke der Subeinheit 30. Durch diese symmetrische Ausgestaltung heben sich die magnetischen Felder benachbarter Subeinheiten 30 teilweise auf. Diese Verbesserung nimmt mit der Anzahl benachbarter Subeinheiten 30 weiter zu.
  • Ein Leistungshalbleitermodul 1 mit einer Strombelastbarkeit von beispielhaft 120A könnte erfindungsgemäß sechs Subeinheiten 30 aufweisen. Aus dem erfindungsgemäßen Aufbau kann dann eine Kommutierungsinduktivität des gesamten Leistungshalbleitermoduls 1 von weniger als 1nH resultieren, obwohl die Kommutierungsinduktivität einer Subeinheit 30 zwischen 2nH und 4nH liegt.
  • 6 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul 1 gemäß 5 seitlich im Schnitt. Dargestellt ist wiederum das Gehäuse 2 mit einer Grundplatte 20, die auch als Kühlkörper ausgebildet sein kann, sowie schematisch das Substrat 300 mit Halbleiterschaltern 32, 34. Leiterbahnen und interne Verbindungselemente sind hier nicht explizit dargestellt.
  • Von den jeweiligen Substraten 300 gehen die Lastanschlusselemente 50, 52, 54 jeder Subeinheit 30 aus, weisen in ihrem Verlauf einen partiellen Stapel 5 auf und reichen aus dem Gehäuse 2 durch zugeordnete Ausnehmungen nach außen. Dort befinden sich die je Subeinheit 30 eigene Kontakteinrichtungen 504, 544 der Lastanschlusselemente 50, 52, 54, die beispielhaft als Einpresskontakte oder in sonstiger fachüblicher Weise, ausgestaltet sein können.
  • Diese Kontakteinrichtungen 504, 544 dienen der Verbindung insbesondere mit der externen Verbindungseinrichtung 8, die ihrerseits das Leistungshalbleitermodul 1 oder mehrere Leistungshalbleitermodule mit einer oder mehreren Kondensatoreinrichtungen 7 verbindet. Diese externen Verbindungseinrichtungen 8 sind beispielhaft als niederinduktive, flächige Verschienung mit gegeneinander elektrisch isolierten Leitungselementen 80, 84 ausgebildet, wobei ein Leitungselement 80 positives und ein Leitungselement 84 negatives Gleichspannungspotential aufweist.
  • 7 zeigt das Leistungshalbleitermodul 1 gemäß 5 in Draufsicht auf die Oberseite des Gehäuses 2, wobei hier die jeder Subeinheit eigenen Kontakteinrichtungen 504, 524, 544 dargestellt sind.

Claims (8)

  1. Leistungshalbleitermodul (1) mit einem Gehäuse (2) und mit mindestens einer Schalteinrichtung (3) in Halbbrückentopologie mit einem oberen und einem unteren Schalter, wobei die Schalteinrichtung (3) ihrerseits besteht aus einer Mehrzahl von elektrisch gegeneinander isolierten Subeinheiten (30), ebenfalls in Halbbrückentopologie, wobei jede Subeinheit (30) einen oberen und einen unteren Subschalter (32, 34), jeweils ausgebildet als genau ein Halbleiterschalter, aufweist, wobei der obere und untere Subschalter (32, 34) schaltungsgerecht mittels eines internen Lastverbindungselement (40) miteinander verbunden sind und wobei die Subeinheit (30) Lastanschlusselemente (50, 52, 54) verschiedener Potentiale aufweist, die flächig ausgebildet und in ihrem Verlauf eng benachbart, einen partiellen Stapel (5) ausbildend, angeordnet sind, wobei die Lastanschlusselemente (50, 52, 54) jeder Subeinheit (30) elektrisch isoliert von den Lastanschlusselementen der übrigen Subeinheiten durch das Gehäuse (3) nach außen reichen und dort eigene Kontakteinrichtungen (504, 524, 544) jeder Subeinheit (30) aufweisen und wobei jeweils an einer ihrer Längsseite benachbarte Subeinheiten (30) spiegelsymmetrisch zueinander angeordnet sind.
  2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei jede Subeinheit (30) ein positives und ein negatives Gleichspannungspotential sowie ein Wechselspannungspotential aufweist und diese Lastpotentiale mit den Lastanschlusselementen (50, 52, 54) polaritätsgerecht verbunden sind.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, wobei bei dem partiellen Stapel (5) das Lastanschlusselement (52) mit Wechselspannungspotential zwischen denjenigen Lastanschlusselementen (50, 54) mit positivem und demjenigen mit negativem Gleichspannungspotential angeordnet ist und hierbei die Lastanschlusselemente jeweils durch eine elektrisch isolierende Folie (56, 58) voneinander getrennt sind.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die internen Lastverbindungselemente (40) als jeweils einzelner Metallformkörper (400), als Drahtbondverbindungen (402, 404) oder als Folienverbund ausgebildet sind.
  5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei jede Subeinheit (30) ein eigenes Substrat (300) aufweist oder mindestens zwei Subeinheiten (30) ein gemeinsames Substrat aufweisen.
  6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Kontakteinrichtungen (504, 524, 544) als Einpresskontakte ausgebildet sind.
  7. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei je Subeinheit (30) ein Kondensator (6) nahe benachbart zu den Subschaltern (32, 34) angeordnet ist und zwischen die beiden Gleichspannungspotentiale geschaltet ist.
  8. Anordnung (100) mit einer Kondensatoreinrichtung (7), mit einem Leistungshalbleitermodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche und einer dieses Leistungshalbleitermodul (1) verbindenden externen Verbindungseinrichtung (8), wobei die externe Verbindungseinrichtung (8) als ein flächiger Stapel von gegeneinander isolierten Leitungselementen (80, 84) ausgebildet ist, wobei jedes Leitungselement (80, 84) polaritätsgerecht mit den Kontakteinrichtungen (504, 544) des Leistungshalbleitermoduls (1) und den Anschlusseinrichtungen der Kondensatoreinrichtung (7) verbunden ist, oder wobei die externe Verbindungseinrichtung eine Mehrzahl von Leitungspaaren aufweist, die jeweils Kontakteinrichtungen (504, 544) mit Gleichspannungspotential der Subeinheiten (30) polaritätsgerecht mit den zugeordneten Kontakteinrichtungen der Kondensatoreinrichtung (7) verbinden.
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