DE3936773C2 - - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierbare Temperatur­ sensorschaltung mit einer ersten Stromspiegelschaltung und mit einer zweiten, zu der ersten Stromspiegelschaltung komplementären Schaltung, welche mit der ersten Strom­ spiegelschaltung an einem ersten und zweiten Knoten verbunden ist, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Aus der Fachveröffentlichung B.J. Hosticka, J. Fichtel, G. Zimmer, "Integrated monolithic temperature sensors for acquisition and regulation", Sensors and Actuators, Heft 6 (1984), S. 191-200, ist eine integrierbare Temperatursensor­ schaltung der eingangs genannten Art bekannt, die in CMOS- Technik implementiert ist. Bei der bekannten Temperatursensor­ schaltung liegt die zweite Schaltung mit ihrem dritten Knoten an der negativen Versorgungsspannung und ist an ihrem vierten Knoten über einen Widerstand gegen die negative Ver­ sorgungsspannung geschaltet. Die der zweiten Schaltung abge­ wandten Anschlüsse der ersten Stromspiegelschaltung sind mit einer positiven Versorgungsspannung verbunden. Das Meßsignal dieser bekannten Temperatursensorschaltung ist ein Span­ nungssignal, das über den genannten Widerstand abfällt. Die Ausgangsspannung der bekannten Temperatursensorschaltung entspricht der Differenz der Gate-Source-Spannungen der beiden Feldeffekttransistoren, die die zweite, komplementäre Stromspiegelschaltung bilden. Die Temperaturempfindlichkeit der bekannten Temperatursensorschaltung ist, wie in dieser Entgegenhaltung angegeben ist, auf einen Wert begrenzt, der dem Produkt aus der Temperaturspannung und dem natürlichen Logarithmus der Kanalbreiten-Kanallängen-Quotienten der ver­ wendeten Feldeffekttransistoren entspricht. Somit ergeben sich bei dieser bekannten Temperatursensorschaltung Empfind­ lichkeiten in der Größenordnung von nur etwa 0,2 mV/°C.

Die genannte Fachveröffentlichung offenbart eine zweite integrierbare Temperatursensorschaltung, die aus einer Stromspiegelschaltung und zwei in den Stromwegen dieser Stromspiegelschaltung geschalteten Dioden bestehen. Die Differenz der über die Dioden abfallenden Spannungen bildet die Ausgangsspannung, deren Wert die Temperaturspannung multipliziert mit dem natürlichen Logarithmus des Stromspiegel­ verhältnisses und des Diodenflächenquotienten ist. Somit liegt auch hier die Empfindlichkeit der Temperatursensor­ schaltung in den oben erwähnten Größenordnungen.

Aus der Fachveröffentlichung E. Habekotte, "Silicon tempe­ rature sensors", Bulletin ASE/UCS 76, Nr. 5, 1985, Seiten 272-276 sind bipolare Temperatursensoren bekannt, die aufgrund ihrer geringen Ausgangsspannung und ihrer Nicht­ linearitäten Spannungsanpasssungsschaltungen und Kompensations­ schaltungen erforderlich machen.

Aus der Fachveröffentlichung M.P. Timko, "A two-terminal IC temperature transducer", IEEE Journal of Solid-State Circuits SC-11, Nr. 6, Dez. 1976, Seiten 784-788 ist ein weiterer Temperatursensor bekannt, dessen Ausgangsgröße ein Strom bei einer niedrigen Temperaturempfindlichkeit von etwa 1 µA/°C ist. Üblicherweise muß zur Verarbeitung dieses Signales ein Spannungssignal erzeugt werden, wozu äußerst temperaturstabile Widerstände erforderlich sind, die an eine derartige integrierte Struktur extern angschlossen werden müssen.

Eine der zuletzt erwähnten Temperatursensorschaltung ähnliche Schaltung ist bekannt aus dem Fachbuch "Analog Devices Linear Products Databook", AD 590, 1988, Seiten 10-7 bis 10-24.

Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine integrierbare Temperatur­ sensorschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, die eine höhere Empfindlichkeit hat.

Diese Aufgabe wird bei einer Temperatursensorschaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch die im kenn­ zeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Bei der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung arbeitet die erste Stromspiegelschaltung als Stromquellenpaar, das eingeprägte Ströme mit einem bestimmten Stromverhältnis liefert, welche über die zweite, zu der ersten Stromspiegel­ schaltung komplementäre Schaltung, die in erster Nährung als zweite Stromspiegelschaltung arbeitet, soweit die Potentiale am dritten und vierten Knoten übereinstimmen, und den ersten bzw. zweiten Widerstand an die erste bzw. zweite Diode geleitet werden. An diesen Dioden entsteht ein temperatur­ abhängiger Spannungsabfall, der neben der Temperatur auch von der Größe des eingeprägten Stromes und der Diodenfläche abhängt. Wenn beispielsweise Dioden gleicher Fläche mit geringfügig unterschiedlichen eingeprägten Strömen innerhalb der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung betrieben werden, so ergeben sich über die beiden Dioden voneinander abweichende temperaturabhängige Spannungsabfälle, wobei die Differenzspannung proportional zur Temperatur ist. Durch diese Differenzspannung wird die komplementäre, zweite Schaltung aus dem Gleichgewicht gebracht. Dies führt dazu, daß sich die Spannungsdifferenz des temperaturabhängigen Spannungsabfalles über die Widerstände, die zusammen mit den Dioden die Reihenschaltung bilden, verstärkt, wobei das Ver­ stärkungsverhältnis vom Quotienten des ersten und zweiten Widerstandes abhängt. Wie in der Beschreibung noch im ein­ zelnen erläutert wird, sind sämtliche der in die Ausgangs­ spannung der erfindungsgemäßen Schaltung eingehenden Größen Verhältnisse, wie beispielsweise Stromverhältnisse, Wider­ standsverhältnisse und Flächenverhältnisse, die technolo­ gisch sehr gut reproduzierbar sind, so daß der erfindungs­ gemäße Temperatursensor hochgenau arbeitet. Die erfindungs­ gemäße Temperatursensorschaltung kann mit gepaarten Bau­ elementen implementiert werden, so daß jeweils beide gepaarten Elemente in gleicher Weise betreffende Herstellungs­ abweichungen nicht zu Fehlern in der Meßspannung führen. Die erfindungsgemäße integrierbare Temperatursensorschaltung arbeitet mit einer Empfindlichkeit, die um ein Vielfaches oberhalb der Empfindlichkeit der bekannten Temperatursensor­ schaltungen liegt.

Wie in den Ansprüchen 2 und 3 dargelegt wird, kann die erfindungsgemäße Temperatursensorschaltung eine Spannungsver­ stärkerschaltung aus einem dritten Widerstand und einem fünften Transistor umfassen. Vorzugsweise ist dieser mit einem Transistor der ersten Stromspiegelschaltung als dritte Stromspiegelschaltung geschaltet, so daß die Empfindlichkeit der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung durch geeig­ nete Wahl des Quotienten des ersten und dritten Widerstandes oder des Quotienten der Kanalbreiten-Kanallängen-Verhältnisse des fünften und des zweiten FET festgelegt werden kann.

Vorzugsweise sind gemäß den Ansprüchen 4 und 5 die Transi­ storen der ersten Stromspiegelschaltung sowie der fünfte Transistor Feldeffekttransistoren eines ersten Leitfähig­ keitstypes, wobei die Gates dieser Transistoren mit einem ersten Knoten verbunden sind, und die Transistoren der zweiten Stromspiegelschaltung Feldeffekttransistoren eines zweiten Leitfähigkeitstypes, deren Gates mit dem zweiten Knoten verbunden sind. Durch diese Ausgestaltung der Stromspiegel­ schaltungen ist es möglich, die jeweils zusammengehörigen Transistoren der ersten, zweiten und dritten Schaltung mit übereinstimmenden Paarungseigenschaften herzustellen. Ferner kann die angegebene Struktur bei niedrigem Flächenbedarf und geringer Leistungsaufnahme implementiert werden.

Vorzugsweise umfaßt die erfindungsgemäße Temperatursensor­ schaltung die in Anspruch 6 definierte Arbeitspunkteinstell­ schaltung. Da es sich bei der ersten Stromspiegelschaltung und zweiten Schaltung um mitgekoppelte Schaltungen handelt, kann es zu einem Herauslaufen des Arbeitspunktes dieser Schaltungen kommen, soweit man den Arbeitspunkt nicht in einem Bereich festlegt, in dem sich dieser eigenständig stabilisiert. Hierzu dient die Arbeitspunkteinstellschaltung, die die Temperatursensorschaltung dazu zwingt, den gewünschten Arbeitspunkt einzunehmen.

Durch die in Anspruch 7 festgelegte Schaltungsdimensionierung wird die Temperaturabhängigkeit des ausgangsseitigen Spannungssignales der erfindungsgemäßen Schaltung gewähr­ leistet.

Die in Anspruch 8 angegebene Dimensionierung gewährleistet eine gute Temperaturempfindlichkeit in dem in der Praxis bevorzugten Fall, bei dem von Dioden gleicher Flächen Gebrauch gemacht wird.

Durch die in Anspruch 9 festgelegte Dimensionierung der Kanallängen und Kanalbreiten des ersten bis vierten FETs wird erreicht, daß die Ausgangsspannung des erfindungsgemäßen Temperatursensors proportional zur gemessenen Temperatur ist, so daß die Ausgangsspannung keine temperaturunabhängigen additiven Terme aufweist.

Wie in Anspruch 10 ausgeführt ist, umfaßt die zweite Schaltung vorzugsweise einen dritten und vierten Transistor, deren Steuerelektroden entweder beide mit dem ersten oder beide mit dem zweiten Knoten in Wirkverbindung stehen. Die Transistoren sind derart angeordnet, daß die Eingangs­ spannung dieser Transistoren zwischen dem ersten bzw. zweiten Knoten und dem dritten Knoten einerseits sowie dem vierten Knoten andererseits anliegen.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung näher erläutert. Es zeigt:

Die einzige Figur eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung.

Wie in der einzigen Figur gezeigt ist, umfaßt die erfindungs­ gemäße integrierbare Temperatursensorschaltung, die in ihrer Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnet ist, einen ersten und einen zweiten PMOS-FET M1, M2, die jeweils Source-seitig mit einem positiven Versorgungspotentional V_DD verbunden sind. Gateseitig stehen diese FETs, M1, M2 mit einem ersten Knoten 1 in Verbindung, an den der zweite FET gleichfalls Drain-seitig angeschlossen ist. Der erste FET steht Drain-seitig mit einem zweiten Knoten 2 in Verbindung. Der erste und zweite FET M1, M2 bilden zusammen einen PMOS- Stromspiegel mit einem Stromteilerverhältnis, das durch das Verhältnis der Kanalweiten-Kanallängen-Quotienten W₁L₂/W₂L₁ des ersten und zweiten Transistors M1, M2 definiert ist. Dieses Stromverhältnis n, das das Verhältnis des ersten Stromes I₁ zum zweiten Strom I₂ angibt, beträgt bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel 1,05.

Ein dritter und vierter NMOS-FET M3, M4 sind als komplementäre NMOS-Schaltung geschaltet, wobei die Gates dieser FETs mit dem zweiten Knoten verbunden sind, während diese FETs M3, M4 Source-seitig mit dem dritten bzw. vierten Knoten in Verbindung stehen, so daß die Eingangssteuerspannung für diese FETs durch die Gate-Source-Spannung zwischen dem zweiten und dritten bzw. zweiten und vierten Knoten der Schaltung gebildet werden. In erster Näherung entspricht das Potential am dritten Knoten 3 demjenigen am vierten Knoten 4, so daß die zweite Schaltung ebenfalls als Stromspiegelschaltung betrachtet werden kann. Die Gates dieser Transistoren M3, M4 sind ebenso wie das Drain des dritten FET M3 mit dem zweiten Knoten verbunden, während das Drain des vierten FET M4 mit dem ersten Knoten verbunden ist. Source-seitig liegen der dritte und vierte FET M3, M4 an einem dritten bzw. vierten Knoten 3, 4. Zwischen dem dritten Knoten 3 und einer Masseklemme 0, an der ein negatives Versorgungspotentional V_SS anliegt, liegt eine Reihenschaltung aus einem ersten Widerstand R1 und einer in Durchlaßrichtung angeordneten ersten Diode D1, deren Verbindungspunkt als fünfter Knoten 5 bezeichnet ist.

Zwischen dem vierten Knoten 4 und der Masseklemme 0 liegt die Reihenschaltung eines zweiten Widerstandes R2 und einer zweiten, in Durchlaßrichtung geschalteten Diode D2, deren Verbindungspunkt als sechster Knoten 6 bezeichnet ist. Zwischen einer Versorgungspotentionalklemme 10 und der Masse­ potentialklemme 0 liegt die Reihenschaltung aus einem fünften PMOS-FET M5 und einem dritten Widerstand R3, wobei der Verbindungspunkt dieser Bauelemente eine Ausgangsklemme 7 bildet, an der eine Ausgangsspannung V_OUT erzeugt wird.

Der fünfte FET M5 bildet mit dem zweiten FET M2 einen Strom­ spiegel, dessen Stromverhältnis a dem Quotienten aus dem fünften Strom I₅ zu dem zweiten Strom I₂ entspricht. Auch dieses Stromverhältnis ist definiert durch das Verhältnis der Kanalbreite zur Kanallänge des fünften FET bezogen auf die Kanalbreite zu der Kanallänge des zweiten FET.

Ferner umfaßt die Temperatursensorschaltung 1 eine Arbeits­ punkteinstellschaltung, die aus dem sechsten bis neunten Transistor M6-M9 gebildet ist. Die Arbeitspunkteinstell­ schaltung umfaßt einen Spannungsteiler M6-M8, der durch den sechsten und siebten PMOS-FET M6, M7 und den achten NMOS-FET gebildet wird, welche in Reihe und jeweils als Widerstände geschaltet sind. Der achte Knoten 8 zwischen dem siebten FET M7 und dem achten FET M8 ist mit dem Drain- Anschluß eines als Diode verschalteten neunten NMOS-FET ver­ bunden, dessen Source mit dem zweiten Knoten verbunden ist. Wie für den Fachmann offensichtlich ist, arbeitet der neunte FET M9 als Diode, die leitet, wenn das Potential am achten Knoten 8 höher als dasjenige am zweiten Knoten 2 ist.

Die Arbeitspunkteinstellschaltung M6-M9 ist nur dann aktiv, wenn das Potential am zweiten Knoten unterhalb eines zulässigen Arbeitspunktbereiches liegt, wobei in diesem Fall durch Leitenschalten der durch den neunten FET M9 gebildeten Diode der Arbeitspunkt in einen Bereich gezwungen wird, in dem die eigentliche Temperatursensorschaltung M1-M4 sich auf ihren Arbeitspunkt selbsttätig stabilisiert.

Bei der bevorzugten Ausführungsform betragen die Wider­ standswerte der Widerstände R1-R3 jeweils in Kiloohm:

R1 =  1,0;
R2 =  3,0;
R3 = 50,0.

Die Diodenflächen A1, A2 der beiden Dioden D1, D2 sind gleich groß gewählt und betragen jeweils 128 µm².

Die Kanalbreiten/Kanallängen-Verhältnisse Wi/Li der Transi­ storen M1-M9 betragen jeweils in fm:

M1: 21/20; M2: 20/20; M3: 20/20; M4: 20/20; M5: 100/20; M6: 5/20; M7: 5/40; M8: 5/40; und M9: 5/40.

Nachfolgend wird die Ausgangsspannung V_OUT bzw. V₇ der erfindungsgemäßen Schaltung abgeleitet. Bei dieser Ableitung wird von gleichen FET-Kanallängen ausgegangen.

Die Gleichung für den im Sättigungsbereich arbeitenden ersten FET M1 lautet:

Die Gleichung für den im Sättigungsbereich arbeitenden dritten Transistor lautet:

Für den ersten Widerstand R1 gilt:

Für die erste Diode D1 gilt folgende Diodengleichung:

Entsprechende Gleichungen gelten für den rechten Zweig der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung:

Für den fünften Transistor M5 und den dritten Widerstand R3 gelten entsprechend folgende Gleichungen:

Für die Stromverhältnisse n, a, das Diodenflächenverhältnis m, die Widerstandsverhältnisse p, q und die Konstante k/q gilt:

Aus den Gleichungen (1) und (2) folgt:

Aus den Gleichungen (5) und (6) folgt:

Aus den Gleichungen (3) und (7) folgt:

-R₁I₁+R₂I₂=V₄-V₃+V₅-V₆ (15)

Aus den Gleichungen (4) und (8) folgt:

V₅-V₆=U_T · ln (n · m) (17)

Aus der Gleichung (10) folgt:

Hieraus folgt für das Potential V₇ am siebten Knoten 7, das dem Ausgangspotential V_OUT entspricht:

Aus Gleichung 21 erkennt man, daß das Produkt des Stromver­ hältnisses n der ersten Stromspiegelschaltung M1, M2 und des Quotienten m der zweiten Diodenfläche A₂ zu der ersten Diodenfläche A₁ ungleich 1 sein muß. Bei der bevorzugten Aus­ führungsform der Erfindung wurde dieses auf 1,05 festgelegt. Wie aus der Gleichung 21 für den Fachmann offensichtlich ist, ist die Temperaturempfindlichkeit der erfindungsgemäßen Schaltung sowohl hinsichtlich Größe als auch hinsichtlich Vorzeichen frei wählbar.

In der Gleichung 21, die von gleichen Kanallängen L1-L4 des ersten bis vierten Transistors M1-M4 ausgeht, erkennt man, daß der additive Störungsterm auf der rechten Seite der Gleichung herausfällt, wenn der Quotient der Kanalbreiten des zweiten und vierten Transistors demjenigen der Kanal­ breiten des ersten und dritten Transistors gleicht. Dieses Erfordernis ist bei der oben angegebenen Dimensionierung weitgehend erfüllt.

Bei einer in Übereinstimmung mit der oben beschriebenen Schaltung ausgeführten realisierten Schaltung wurde in einem Temperaturbereich von -25°C bis 100°C eine Empfindlichkeit von 9,5 mV/°C gemessen. Diese Schaltungsempfindlichkeit ent­ spricht einer Empfindlichkeitsverbesserung gegenüber dem eingangs gewürdigten Stand der Technik um den Faktor 23. Es ist offensichtlich, daß die Empfindlichkeit weiter erhöht werden kann, wenn dies erwünscht ist, indem ein höherer Wert des dritten Widerstandes R3 gewählt wird, falls dies für den Fall erforderlich sein sollte, daß mit der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung nur innerhalb kleiner Temperatur­ bereiche gemessen werden soll.

Bei der bevorzugten Ausführungsform ist die Schaltung auf einer Fläche von 0,7 mm² implementiert und zeigt eine Leistungsaufnahme von maximal 8 mW.

Falls dies erwünscht ist, kann bei der erfindungsgemäßen Schaltung die Temperaturempfindlichkeit durch Parallel­ schaltung von Widerständen an den Klemmen 0,7 eingestellt werden, ohne daß es hierzu eines Eingriffes in die integrierte Schaltung bedarf.

In Abweichung von dem soeben beschriebenen Ausführungs­ beispiel kann die Arbeitspunkteinstellschaltung anstelle des sechsten bis achten Feldeffekttransistors zwei in Reihe zwischen dem positiven Versorgungsspannungspotentional V_DD und dem negativen Versorgungsspannungspotentional V_SS geschaltete Widerstände haben, an deren gemeinsamen achten Knoten die Anode einer Diode angeschlossen sein kann, die den neunten Feldeffekttransistor M9 ersetzt.

Gleichfalls können die Stromspiegelschaltungen, die durch den ersten und zweiten, den dritten und vierten bzw. den ersten und fünften Transistor gebildet werden, in Bipolar­ technik realisiert sein.

Ferner ist es möglich, die Schaltung mit einem Stromverhält­ nis n von 1 zu betreiben, sofern sich in diesem Fall die Flächen der beiden Dioden voneinander unterscheiden.

Claims (11)

1. Integrierbare Temperatursensorschaltung

• - mit einer ersten Stromspiegelschaltung (M1, M2) und
• - mit einer zweiten, zu der ersten Stromspiegelschaltung (M1, M2) komplementären Schaltung (M3, M4), welche mit der ersten Stromspiegelschaltung an einem ersten und zweiten Knoten (1, 2) verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet,

• - daß die zweite Schaltung (M3, M4) an einem dritten Knoten (3) mit einer ersten Reihenschaltung, die einen ersten Widerstand (R1) und eine erste Diode (D1) aufweist, und an einem vierten Knoten (4) mit einer zweiten Reihenschaltung, die einen zweiten Widerstand (R2) und eine zweite Diode (D2) aufweist, verbunden ist.

2. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine an ihrem Eingang mit dem ersten Knoten (1) verbundene Spannungsverstärkerschaltung (M5, R3).

3. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,

• - daß die Spannungsverstärkerschaltung aus einer dritten Reihenschaltung besteht, die einen dritten Wider­ stand (R3) und einen fünften Transistor (M5) umfaßt, und
• - daß der fünfte Transistor (M5) mit einem der Transi­ storen der ersten Stromspiegelschaltung (M1, M2) als dritte Stromspiegelschaltung (M2, M5) geschaltet ist.

4. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,

• - daß die erste Stromspiegelschaltung aus einem ersten und einem zweiten FET (M1, M2) eines ersten Leit­ fähigkeitstypes besteht, deren Gates mit dem ersten Knoten (1) verbunden sind, und
• - daß die zweite Schaltung aus einem dritten und einem vierten FET (M3, M4) eines zweiten Leitfähigkeits­ types besteht, deren Gates mit dem zweiten Knoten (2) verbunden sind.

5. Integrierte Temperatursensorschaltung nach Anspruch 4 in Rückbeziehung auf Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,

• - daß der fünfte FET (M5) den gleichen Leitfähigkeits­ typ hat wie der erste und zweite FET (M1, M2), und
• - daß das Gate des fünften FET (M5) mit dem ersten Knoten (1) verbunden ist.

6. Integrierte Temperatursensorschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine mit dem zweiten Knoten (2) verbundene Arbeits­ punkteinstellschaltung (M6-M9), die einen Spannungs­ teiler (M6, M7, M8) und eine zwischen dem Teilerknoten (8) desselben und dem zweiten Knoten (2) geschaltete dritte Diode oder einen derart beschalteten Transistor (M9), daß dieser nur in einer Richtung leitet, auf­ weist.

7. Integrierte Temperatursensorschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Produkt eines durch die erste Stromspiegel­ schaltung (M1, M2) festgelegten ersten Quotienten (n) des zu dem ersten Knoten (1) fließenden Stromes (I₁) zu dem zu dem zweiten Knoten (2) fließenden Strom (I₂) und eines zweiten Quotienten (m) der Fläche (A2) der zweiten Diode (D2) zu derjenigen (A1) der ersten Diode (D1) ungleich 1 ist.

8. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach Anspruch 7 in direkter oder indirekter Rückbeziehung auf Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,

• - daß die Flächen (A1, A2) der ersten und zweiten Diode (D1, D2) gleich sind, und
• - daß der Quotient (W1, L2/L1, W2) des Verhältnisses der Kanalbreite (W1) zu der Kanallänge (L1) des ersten FET (M1) zu dem Verhältnis der Kanalbreite (W2) zu der Kanallänge (L2) des zweiten FET (M2) zwischen 1,01 und 1,2 beträgt.

9. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach einem der Ansprüche 4 bis 8 in direkter oder indirekter Rückbe­ ziehung auf Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Quotient (W2, L4/L2, W4) des Verhältnisses (W2/L2) der Kanalbreite zu der Kanallänge des zweiten FET (M2) zu demjenigen (W4/L4) des vierten FET (M4) im wesentlichen dem Quotienten (W1, L3/L1, W3) dieses Verhältnisses (W1/L1) des ersten FET zu demjenigen (W3/L3) des dritten FET (M3) gleicht.

10. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,

• - daß die zweite Schaltung einen dritten und vierten Transistor (M3, M4) aufweist, deren Steuerelektroden (Gate M3, Gate M4) beide mit dem ersten oder beide mit dem zweiten Knoten (1, 2) in Wirkverbindung stehen, und
• - daß die Eingangssteuerspannungen dieser Transistoren zwischen dem ersten bzw. zweiten Knoten (1, 2) und dem dritten Knoten (3) einerseits sowie dem vierten Knoten (4) andererseits anliegen.