DE3936773C2 - - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierbare Temperatur
sensorschaltung mit einer ersten Stromspiegelschaltung
und mit einer zweiten, zu der ersten Stromspiegelschaltung
komplementären Schaltung, welche mit der ersten Strom
spiegelschaltung an einem ersten und zweiten Knoten verbunden
ist, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Aus der Fachveröffentlichung B.J. Hosticka, J. Fichtel,
G. Zimmer, "Integrated monolithic temperature sensors for
acquisition and regulation", Sensors and Actuators, Heft 6
(1984), S. 191-200, ist eine integrierbare Temperatursensor
schaltung der eingangs genannten Art bekannt, die in CMOS-
Technik implementiert ist. Bei der bekannten Temperatursensor
schaltung liegt die zweite Schaltung mit ihrem dritten
Knoten an der negativen Versorgungsspannung und ist an ihrem
vierten Knoten über einen Widerstand gegen die negative Ver
sorgungsspannung geschaltet. Die der zweiten Schaltung abge
wandten Anschlüsse der ersten Stromspiegelschaltung sind mit
einer positiven Versorgungsspannung verbunden. Das Meßsignal
dieser bekannten Temperatursensorschaltung ist ein Span
nungssignal, das über den genannten Widerstand abfällt. Die
Ausgangsspannung der bekannten Temperatursensorschaltung
entspricht der Differenz der Gate-Source-Spannungen der
beiden Feldeffekttransistoren, die die zweite, komplementäre
Stromspiegelschaltung bilden. Die Temperaturempfindlichkeit
der bekannten Temperatursensorschaltung ist, wie in dieser
Entgegenhaltung angegeben ist, auf einen Wert begrenzt, der
dem Produkt aus der Temperaturspannung und dem natürlichen
Logarithmus der Kanalbreiten-Kanallängen-Quotienten der ver
wendeten Feldeffekttransistoren entspricht. Somit ergeben
sich bei dieser bekannten Temperatursensorschaltung Empfind
lichkeiten in der Größenordnung von nur etwa 0,2 mV/°C.
Die genannte Fachveröffentlichung offenbart eine zweite
integrierbare Temperatursensorschaltung, die aus einer
Stromspiegelschaltung und zwei in den Stromwegen dieser
Stromspiegelschaltung geschalteten Dioden bestehen. Die
Differenz der über die Dioden abfallenden Spannungen bildet
die Ausgangsspannung, deren Wert die Temperaturspannung
multipliziert mit dem natürlichen Logarithmus des Stromspiegel
verhältnisses und des Diodenflächenquotienten ist. Somit
liegt auch hier die Empfindlichkeit der Temperatursensor
schaltung in den oben erwähnten Größenordnungen.
Aus der Fachveröffentlichung E. Habekotte, "Silicon tempe
rature sensors", Bulletin ASE/UCS 76, Nr. 5, 1985, Seiten
272-276 sind bipolare Temperatursensoren bekannt, die
aufgrund ihrer geringen Ausgangsspannung und ihrer Nicht
linearitäten Spannungsanpasssungsschaltungen und Kompensations
schaltungen erforderlich machen.
Aus der Fachveröffentlichung M.P. Timko, "A two-terminal IC
temperature transducer", IEEE Journal of Solid-State
Circuits SC-11, Nr. 6, Dez. 1976, Seiten 784-788 ist ein
weiterer Temperatursensor bekannt, dessen Ausgangsgröße ein
Strom bei einer niedrigen Temperaturempfindlichkeit von etwa
1 µA/°C ist. Üblicherweise muß zur Verarbeitung dieses Signales
ein Spannungssignal erzeugt werden, wozu äußerst
temperaturstabile Widerstände erforderlich sind, die an eine
derartige integrierte Struktur extern angschlossen werden
müssen.
Eine der zuletzt erwähnten Temperatursensorschaltung ähnliche
Schaltung ist bekannt aus dem Fachbuch "Analog Devices
Linear Products Databook", AD 590, 1988, Seiten 10-7 bis
10-24.
Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden
Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine integrierbare Temperatur
sensorschaltung der eingangs genannten Art zu schaffen,
die eine höhere Empfindlichkeit hat.
Diese Aufgabe wird bei einer Temperatursensorschaltung nach
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch die im kenn
zeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale
gelöst.
Bei der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung arbeitet
die erste Stromspiegelschaltung als Stromquellenpaar, das
eingeprägte Ströme mit einem bestimmten Stromverhältnis
liefert, welche über die zweite, zu der ersten Stromspiegel
schaltung komplementäre Schaltung, die in erster Nährung
als zweite Stromspiegelschaltung arbeitet, soweit die Potentiale
am dritten und vierten Knoten übereinstimmen, und den
ersten bzw. zweiten Widerstand an die erste bzw. zweite Diode
geleitet werden. An diesen Dioden entsteht ein temperatur
abhängiger Spannungsabfall, der neben der Temperatur auch
von der Größe des eingeprägten Stromes und der Diodenfläche
abhängt. Wenn beispielsweise Dioden gleicher Fläche mit
geringfügig unterschiedlichen eingeprägten Strömen innerhalb
der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung betrieben
werden, so ergeben sich über die beiden Dioden voneinander
abweichende temperaturabhängige Spannungsabfälle, wobei die
Differenzspannung proportional zur Temperatur ist. Durch
diese Differenzspannung wird die komplementäre, zweite
Schaltung aus dem Gleichgewicht gebracht. Dies führt dazu,
daß sich die Spannungsdifferenz des temperaturabhängigen
Spannungsabfalles über die Widerstände, die zusammen mit den
Dioden die Reihenschaltung bilden, verstärkt, wobei das Ver
stärkungsverhältnis vom Quotienten des ersten und zweiten
Widerstandes abhängt. Wie in der Beschreibung noch im ein
zelnen erläutert wird, sind sämtliche der in die Ausgangs
spannung der erfindungsgemäßen Schaltung eingehenden Größen
Verhältnisse, wie beispielsweise Stromverhältnisse, Wider
standsverhältnisse und Flächenverhältnisse, die technolo
gisch sehr gut reproduzierbar sind, so daß der erfindungs
gemäße Temperatursensor hochgenau arbeitet. Die erfindungs
gemäße Temperatursensorschaltung kann mit gepaarten Bau
elementen implementiert werden, so daß jeweils beide
gepaarten Elemente in gleicher Weise betreffende Herstellungs
abweichungen nicht zu Fehlern in der Meßspannung führen. Die
erfindungsgemäße integrierbare Temperatursensorschaltung
arbeitet mit einer Empfindlichkeit, die um ein Vielfaches
oberhalb der Empfindlichkeit der bekannten Temperatursensor
schaltungen liegt.
Wie in den Ansprüchen 2 und 3 dargelegt wird, kann die
erfindungsgemäße Temperatursensorschaltung eine Spannungsver
stärkerschaltung aus einem dritten Widerstand und einem
fünften Transistor umfassen. Vorzugsweise ist dieser mit
einem Transistor der ersten Stromspiegelschaltung als dritte
Stromspiegelschaltung geschaltet, so daß die Empfindlichkeit
der erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung durch geeig
nete Wahl des Quotienten des ersten und dritten Widerstandes
oder des Quotienten der Kanalbreiten-Kanallängen-Verhältnisse
des fünften und des zweiten FET festgelegt werden
kann.
Vorzugsweise sind gemäß den Ansprüchen 4 und 5 die Transi
storen der ersten Stromspiegelschaltung sowie der fünfte
Transistor Feldeffekttransistoren eines ersten Leitfähig
keitstypes, wobei die Gates dieser Transistoren mit einem
ersten Knoten verbunden sind, und die Transistoren der zweiten
Stromspiegelschaltung Feldeffekttransistoren eines zweiten
Leitfähigkeitstypes, deren Gates mit dem zweiten Knoten
verbunden sind. Durch diese Ausgestaltung der Stromspiegel
schaltungen ist es möglich, die jeweils zusammengehörigen
Transistoren der ersten, zweiten und dritten Schaltung mit
übereinstimmenden Paarungseigenschaften herzustellen. Ferner
kann die angegebene Struktur bei niedrigem Flächenbedarf und
geringer Leistungsaufnahme implementiert werden.
Vorzugsweise umfaßt die erfindungsgemäße Temperatursensor
schaltung die in Anspruch 6 definierte Arbeitspunkteinstell
schaltung. Da es sich bei der ersten Stromspiegelschaltung
und zweiten Schaltung um mitgekoppelte Schaltungen handelt,
kann es zu einem Herauslaufen des Arbeitspunktes dieser
Schaltungen kommen, soweit man den Arbeitspunkt nicht in
einem Bereich festlegt, in dem sich dieser eigenständig
stabilisiert. Hierzu dient die Arbeitspunkteinstellschaltung,
die die Temperatursensorschaltung dazu zwingt, den
gewünschten Arbeitspunkt einzunehmen.
Durch die in Anspruch 7 festgelegte Schaltungsdimensionierung
wird die Temperaturabhängigkeit des ausgangsseitigen
Spannungssignales der erfindungsgemäßen Schaltung gewähr
leistet.
Die in Anspruch 8 angegebene Dimensionierung gewährleistet
eine gute Temperaturempfindlichkeit in dem in der Praxis
bevorzugten Fall, bei dem von Dioden gleicher Flächen Gebrauch
gemacht wird.
Durch die in Anspruch 9 festgelegte Dimensionierung der
Kanallängen und Kanalbreiten des ersten bis vierten FETs wird
erreicht, daß die Ausgangsspannung des erfindungsgemäßen
Temperatursensors proportional zur gemessenen Temperatur
ist, so daß die Ausgangsspannung keine temperaturunabhängigen
additiven Terme aufweist.
Wie in Anspruch 10 ausgeführt ist, umfaßt die zweite
Schaltung vorzugsweise einen dritten und vierten Transistor,
deren Steuerelektroden entweder beide mit dem ersten oder
beide mit dem zweiten Knoten in Wirkverbindung stehen. Die
Transistoren sind derart angeordnet, daß die Eingangs
spannung dieser Transistoren zwischen dem ersten bzw. zweiten
Knoten und dem dritten Knoten einerseits sowie dem vierten
Knoten andererseits anliegen.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung
eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Temperatursensorschaltung näher erläutert. Es zeigt:
Die einzige Figur eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Temperatursensorschaltung.
Wie in der einzigen Figur gezeigt ist, umfaßt die erfindungs
gemäße integrierbare Temperatursensorschaltung, die in ihrer
Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnet ist, einen
ersten und einen zweiten PMOS-FET M1, M2, die jeweils
Source-seitig mit einem positiven Versorgungspotentional VDD
verbunden sind. Gateseitig stehen diese FETs, M1, M2 mit
einem ersten Knoten 1 in Verbindung, an den der zweite FET
gleichfalls Drain-seitig angeschlossen ist. Der erste FET
steht Drain-seitig mit einem zweiten Knoten 2 in Verbindung.
Der erste und zweite FET M1, M2 bilden zusammen einen PMOS-
Stromspiegel mit einem Stromteilerverhältnis, das durch das
Verhältnis der Kanalweiten-Kanallängen-Quotienten W₁L₂/W₂L₁
des ersten und zweiten Transistors M1, M2 definiert ist.
Dieses Stromverhältnis n, das das Verhältnis des ersten
Stromes I₁ zum zweiten Strom I₂ angibt, beträgt bei dem
gezeigten Ausführungsbeispiel 1,05.
Ein dritter und vierter NMOS-FET M3, M4 sind als komplementäre
NMOS-Schaltung geschaltet, wobei die Gates dieser FETs
mit dem zweiten Knoten verbunden sind, während diese FETs
M3, M4 Source-seitig mit dem dritten bzw. vierten Knoten in
Verbindung stehen, so daß die Eingangssteuerspannung für
diese FETs durch die Gate-Source-Spannung zwischen dem zweiten
und dritten bzw. zweiten und vierten Knoten der Schaltung
gebildet werden. In erster Näherung entspricht das
Potential am dritten Knoten 3 demjenigen am vierten Knoten 4,
so daß die zweite Schaltung ebenfalls als Stromspiegelschaltung
betrachtet werden kann. Die Gates dieser Transistoren
M3, M4 sind ebenso wie das Drain des dritten FET M3 mit dem
zweiten Knoten verbunden, während das Drain des vierten FET
M4 mit dem ersten Knoten verbunden ist. Source-seitig liegen
der dritte und vierte FET M3, M4 an einem dritten bzw. vierten
Knoten 3, 4. Zwischen dem dritten Knoten 3 und einer
Masseklemme 0, an der ein negatives Versorgungspotentional
VSS anliegt, liegt eine Reihenschaltung aus einem ersten
Widerstand R1 und einer in Durchlaßrichtung angeordneten
ersten Diode D1, deren Verbindungspunkt als fünfter Knoten 5
bezeichnet ist.
Zwischen dem vierten Knoten 4 und der Masseklemme 0 liegt
die Reihenschaltung eines zweiten Widerstandes R2 und einer
zweiten, in Durchlaßrichtung geschalteten Diode D2, deren
Verbindungspunkt als sechster Knoten 6 bezeichnet ist.
Zwischen einer Versorgungspotentionalklemme 10 und der Masse
potentialklemme 0 liegt die Reihenschaltung aus einem fünften
PMOS-FET M5 und einem dritten Widerstand R3, wobei der
Verbindungspunkt dieser Bauelemente eine Ausgangsklemme 7
bildet, an der eine Ausgangsspannung VOUT erzeugt wird.
Der fünfte FET M5 bildet mit dem zweiten FET M2 einen Strom
spiegel, dessen Stromverhältnis a dem Quotienten aus dem
fünften Strom I₅ zu dem zweiten Strom I₂ entspricht. Auch
dieses Stromverhältnis ist definiert durch das Verhältnis
der Kanalbreite zur Kanallänge des fünften FET bezogen auf
die Kanalbreite zu der Kanallänge des zweiten FET.
Ferner umfaßt die Temperatursensorschaltung 1 eine Arbeits
punkteinstellschaltung, die aus dem sechsten bis neunten
Transistor M6-M9 gebildet ist. Die Arbeitspunkteinstell
schaltung umfaßt einen Spannungsteiler M6-M8, der durch
den sechsten und siebten PMOS-FET M6, M7 und den achten
NMOS-FET gebildet wird, welche in Reihe und jeweils als
Widerstände geschaltet sind. Der achte Knoten 8 zwischen dem
siebten FET M7 und dem achten FET M8 ist mit dem Drain-
Anschluß eines als Diode verschalteten neunten NMOS-FET ver
bunden, dessen Source mit dem zweiten Knoten verbunden ist.
Wie für den Fachmann offensichtlich ist, arbeitet der neunte
FET M9 als Diode, die leitet, wenn das Potential am achten
Knoten 8 höher als dasjenige am zweiten Knoten 2 ist.
Die Arbeitspunkteinstellschaltung M6-M9 ist nur dann
aktiv, wenn das Potential am zweiten Knoten unterhalb eines
zulässigen Arbeitspunktbereiches liegt, wobei in diesem Fall
durch Leitenschalten der durch den neunten FET M9 gebildeten
Diode der Arbeitspunkt in einen Bereich gezwungen wird, in
dem die eigentliche Temperatursensorschaltung M1-M4 sich
auf ihren Arbeitspunkt selbsttätig stabilisiert.
Bei der bevorzugten Ausführungsform betragen die Wider
standswerte der Widerstände R1-R3 jeweils in Kiloohm:
R1 = 1,0;
R2 = 3,0;
R3 = 50,0.
R2 = 3,0;
R3 = 50,0.
Die Diodenflächen A1, A2 der beiden Dioden D1, D2 sind
gleich groß gewählt und betragen jeweils 128 µm².
Die Kanalbreiten/Kanallängen-Verhältnisse Wi/Li der Transi
storen M1-M9 betragen jeweils in fm:
M1: 21/20; M2: 20/20; M3: 20/20; M4: 20/20;
M5: 100/20; M6: 5/20; M7: 5/40; M8: 5/40; und
M9: 5/40.
Nachfolgend wird die Ausgangsspannung VOUT bzw. V₇ der
erfindungsgemäßen Schaltung abgeleitet. Bei dieser Ableitung
wird von gleichen FET-Kanallängen ausgegangen.
Die Gleichung für den im Sättigungsbereich arbeitenden
ersten FET M1 lautet:
Die Gleichung für den im Sättigungsbereich arbeitenden
dritten Transistor lautet:
Für den ersten Widerstand R1 gilt:
Für die erste Diode D1 gilt folgende Diodengleichung:
Entsprechende Gleichungen gelten für den rechten Zweig der
erfindungsgemäßen Temperatursensorschaltung:
Für den fünften Transistor M5 und den dritten Widerstand R3
gelten entsprechend folgende Gleichungen:
Für die Stromverhältnisse n, a, das Diodenflächenverhältnis
m, die Widerstandsverhältnisse p, q und die Konstante k/q
gilt:
Aus den Gleichungen (1) und (2) folgt:
Aus den Gleichungen (5) und (6) folgt:
Aus den Gleichungen (3) und (7) folgt:
-R₁I₁+R₂I₂=V₄-V₃+V₅-V₆ (15)
Aus den Gleichungen (4) und (8) folgt:
V₅-V₆=UT · ln (n · m) (17)
Aus der Gleichung (10) folgt:
Hieraus folgt für das Potential V₇ am siebten Knoten 7, das
dem Ausgangspotential VOUT entspricht:
Aus Gleichung 21 erkennt man, daß das Produkt des Stromver
hältnisses n der ersten Stromspiegelschaltung M1, M2 und des
Quotienten m der zweiten Diodenfläche A₂ zu der ersten
Diodenfläche A₁ ungleich 1 sein muß. Bei der bevorzugten Aus
führungsform der Erfindung wurde dieses auf 1,05 festgelegt.
Wie aus der Gleichung 21 für den Fachmann offensichtlich
ist, ist die Temperaturempfindlichkeit der erfindungsgemäßen
Schaltung sowohl hinsichtlich Größe als auch hinsichtlich
Vorzeichen frei wählbar.
In der Gleichung 21, die von gleichen Kanallängen L1-L4
des ersten bis vierten Transistors M1-M4 ausgeht, erkennt
man, daß der additive Störungsterm auf der rechten Seite der
Gleichung herausfällt, wenn der Quotient der Kanalbreiten
des zweiten und vierten Transistors demjenigen der Kanal
breiten des ersten und dritten Transistors gleicht. Dieses
Erfordernis ist bei der oben angegebenen Dimensionierung
weitgehend erfüllt.
Bei einer in Übereinstimmung mit der oben beschriebenen
Schaltung ausgeführten realisierten Schaltung wurde in einem
Temperaturbereich von -25°C bis 100°C eine Empfindlichkeit
von 9,5 mV/°C gemessen. Diese Schaltungsempfindlichkeit ent
spricht einer Empfindlichkeitsverbesserung gegenüber dem
eingangs gewürdigten Stand der Technik um den Faktor 23. Es
ist offensichtlich, daß die Empfindlichkeit weiter erhöht
werden kann, wenn dies erwünscht ist, indem ein höherer Wert
des dritten Widerstandes R3 gewählt wird, falls dies für den
Fall erforderlich sein sollte, daß mit der erfindungsgemäßen
Temperatursensorschaltung nur innerhalb kleiner Temperatur
bereiche gemessen werden soll.
Bei der bevorzugten Ausführungsform ist die Schaltung auf
einer Fläche von 0,7 mm² implementiert und zeigt eine
Leistungsaufnahme von maximal 8 mW.
Falls dies erwünscht ist, kann bei der erfindungsgemäßen
Schaltung die Temperaturempfindlichkeit durch Parallel
schaltung von Widerständen an den Klemmen 0,7 eingestellt
werden, ohne daß es hierzu eines Eingriffes in die
integrierte Schaltung bedarf.
In Abweichung von dem soeben beschriebenen Ausführungs
beispiel kann die Arbeitspunkteinstellschaltung anstelle des
sechsten bis achten Feldeffekttransistors zwei in Reihe
zwischen dem positiven Versorgungsspannungspotentional VDD
und dem negativen Versorgungsspannungspotentional VSS
geschaltete Widerstände haben, an deren gemeinsamen achten
Knoten die Anode einer Diode angeschlossen sein kann, die
den neunten Feldeffekttransistor M9 ersetzt.
Gleichfalls können die Stromspiegelschaltungen, die durch
den ersten und zweiten, den dritten und vierten bzw. den
ersten und fünften Transistor gebildet werden, in Bipolar
technik realisiert sein.
Ferner ist es möglich, die Schaltung mit einem Stromverhält
nis n von 1 zu betreiben, sofern sich in diesem Fall die
Flächen der beiden Dioden voneinander unterscheiden.
Claims (11)
1. Integrierbare Temperatursensorschaltung
- - mit einer ersten Stromspiegelschaltung (M1, M2) und
- - mit einer zweiten, zu der ersten Stromspiegelschaltung (M1, M2) komplementären Schaltung (M3, M4), welche mit der ersten Stromspiegelschaltung an einem ersten und zweiten Knoten (1, 2) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet,
- - daß die zweite Schaltung (M3, M4) an einem dritten Knoten (3) mit einer ersten Reihenschaltung, die einen ersten Widerstand (R1) und eine erste Diode (D1) aufweist, und an einem vierten Knoten (4) mit einer zweiten Reihenschaltung, die einen zweiten Widerstand (R2) und eine zweite Diode (D2) aufweist, verbunden ist.
2. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach Anspruch
1, gekennzeichnet durch
eine an ihrem Eingang mit dem ersten Knoten (1)
verbundene Spannungsverstärkerschaltung (M5, R3).
3. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet,
- - daß die Spannungsverstärkerschaltung aus einer dritten Reihenschaltung besteht, die einen dritten Wider stand (R3) und einen fünften Transistor (M5) umfaßt, und
- - daß der fünfte Transistor (M5) mit einem der Transi storen der ersten Stromspiegelschaltung (M1, M2) als dritte Stromspiegelschaltung (M2, M5) geschaltet ist.
4. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
- - daß die erste Stromspiegelschaltung aus einem ersten und einem zweiten FET (M1, M2) eines ersten Leit fähigkeitstypes besteht, deren Gates mit dem ersten Knoten (1) verbunden sind, und
- - daß die zweite Schaltung aus einem dritten und einem vierten FET (M3, M4) eines zweiten Leitfähigkeits types besteht, deren Gates mit dem zweiten Knoten (2) verbunden sind.
5. Integrierte Temperatursensorschaltung nach Anspruch 4
in Rückbeziehung auf Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
- - daß der fünfte FET (M5) den gleichen Leitfähigkeits typ hat wie der erste und zweite FET (M1, M2), und
- - daß das Gate des fünften FET (M5) mit dem ersten Knoten (1) verbunden ist.
6. Integrierte Temperatursensorschaltung nach einem der
Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch
eine mit dem zweiten Knoten (2) verbundene Arbeits
punkteinstellschaltung (M6-M9), die einen Spannungs
teiler (M6, M7, M8) und eine zwischen dem Teilerknoten
(8) desselben und dem zweiten Knoten (2) geschaltete
dritte Diode oder einen derart beschalteten Transistor
(M9), daß dieser nur in einer Richtung leitet, auf
weist.
7. Integrierte Temperatursensorschaltung nach einem der
Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß das Produkt eines durch die erste Stromspiegel
schaltung (M1, M2) festgelegten ersten Quotienten (n)
des zu dem ersten Knoten (1) fließenden Stromes (I₁) zu
dem zu dem zweiten Knoten (2) fließenden Strom (I₂) und
eines zweiten Quotienten (m) der Fläche (A2) der zweiten
Diode (D2) zu derjenigen (A1) der ersten Diode (D1)
ungleich 1 ist.
8. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach Anspruch 7
in direkter oder indirekter Rückbeziehung auf Anspruch
4, dadurch gekennzeichnet,
- - daß die Flächen (A1, A2) der ersten und zweiten Diode (D1, D2) gleich sind, und
- - daß der Quotient (W1, L2/L1, W2) des Verhältnisses der Kanalbreite (W1) zu der Kanallänge (L1) des ersten FET (M1) zu dem Verhältnis der Kanalbreite (W2) zu der Kanallänge (L2) des zweiten FET (M2) zwischen 1,01 und 1,2 beträgt.
9. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach einem der
Ansprüche 4 bis 8 in direkter oder indirekter Rückbe
ziehung auf Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Quotient (W2, L4/L2, W4) des Verhältnisses (W2/L2) der Kanalbreite zu der Kanallänge des zweiten FET (M2) zu demjenigen (W4/L4) des vierten FET (M4) im wesentlichen dem Quotienten (W1, L3/L1, W3) dieses Verhältnisses (W1/L1) des ersten FET zu demjenigen (W3/L3) des dritten FET (M3) gleicht.
daß der Quotient (W2, L4/L2, W4) des Verhältnisses (W2/L2) der Kanalbreite zu der Kanallänge des zweiten FET (M2) zu demjenigen (W4/L4) des vierten FET (M4) im wesentlichen dem Quotienten (W1, L3/L1, W3) dieses Verhältnisses (W1/L1) des ersten FET zu demjenigen (W3/L3) des dritten FET (M3) gleicht.
10. Integrierbare Temperatursensorschaltung nach einem der
Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
- - daß die zweite Schaltung einen dritten und vierten Transistor (M3, M4) aufweist, deren Steuerelektroden (Gate M3, Gate M4) beide mit dem ersten oder beide mit dem zweiten Knoten (1, 2) in Wirkverbindung stehen, und
- - daß die Eingangssteuerspannungen dieser Transistoren zwischen dem ersten bzw. zweiten Knoten (1, 2) und dem dritten Knoten (3) einerseits sowie dem vierten Knoten (4) andererseits anliegen.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19893936773 DE3936773A1 (de) | 1989-11-04 | 1989-11-04 | Integrierbare temperatursensorschaltung |
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-
1989
- 1989-11-04 DE DE19893936773 patent/DE3936773A1/de active Granted
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