DE3887130T2

DE3887130T2 - Ferro-elektrisches Festhalteverfahren.

Info

Publication number: DE3887130T2
Application number: DE3887130T
Authority: DE
Inventors: Douglas Butler; Sheffield S Eaton; Michael Parris
Original assignee: Ramtron International Corp
Current assignee: Ramtron International Corp
Priority date: 1988-04-22
Filing date: 1988-09-21
Publication date: 1994-05-19
Anticipated expiration: 2008-09-22
Also published as: JP2771551B2; EP0338158B1; EP0338158A3; DE3887130D1; US4893272A; AU2295488A; AU594587B2; JPH01277395A; EP0338158A2

Description

Die Erfindung betrifft ferroelektrische Materialien und insbesondere ein Verfahren zum Verbesseren der Datenverweileigenschaften derartiger Materialien.
Ferroelektrische Materialien sind Dielektrika, die in Speicherschaltungen verwendet werden können. Eine diesbezüglich nützliche physikalische Eigenschaft führt zu einer Hysteresis-Kurve, die das angelegte Feld und die Polarisierung des ferroelektrischen Materials betrifft. Wie zum Beispiel im US-Patent 3728694 beschrieben wird, kann ein Kondensator mit einem ferroelektrischen Material zwischen den Elektroden ausgebildet sein, das als Dielektrikum dient. Aufgrund der Hysteresiskurve ist, wenn eine angelegte Spannung entfernt wird, die Polarisierung des ferroelektrischen Materials in einem von zwei unterschiedlichen Zuständen. Diese Zustände können auf verschiedene Arten festgelegt werden, typischerweise durch Anlegen eines Impulses und Festlegen der Strommenge, die durch den Kondensator fließt.
Das Verweilen von Daten führt zum Beibehalten des physikalischen Phänomens oder der physikalischen Eigenschaft, durch die die Binärdaten gespeichert werden, wie beispielsweise ferroelektrische Polarisation ohne angelegte Spannung. Während ferroelektrische Materialien im Dauerspeicher verwendbar sind, ist es wünschenswert und wichtig, daß Dauerspeicher fähig sind, die darin gespeicherten Daten für eine lange Zeitdauer z.B. Jahre zu halten. D.h. das Ziel bei ferroelektrischen Dauerspeichern besteht darin, die Dipole in der richtigen Orientierung zu halten, ohne die Richtung zu ändern. Dies war ein Problem bei der Verwendung ferroelektrischer Materialien. Folglich ist es ein wichtiges Ziel der Erfindung, einen Weg zur Konservierung der Polarisierung der ferroelektrischen Materialien, nachdem sich die Polarisierung eingestellt hat, vorzusehen, ohne weitere Energie dem Material zuzuführen, d.h. durch eine angelegte Spannung.
Ein weiteres Problem bei ferrolektrischen Materialien betrifft die Dipolrelaxation. Wenn das Material einen von seinen zwei unterschiedlichen Polarisationszuständen für eine relativ lange Zeit eingenommen hatte, müßte es trotzdem möglich sein, die Polarisation mit einem relativ kurzen Spannungsimpuls zu ändern. Wenn z.B. ein Kondensator, der ferroelektrisches Material als Dielektrikum verwendet, in einem Zustand für eine relativ lange Zeit, beispielsweise 1 Jahr, war und anschließend ein 100 Nanosekundenimpuls angelegt wird an die Kondensatorplatten, in einer derartigen Richtung, daß die Orientierung der Dipole geändert wird, werden anschließend, nachdem der Impuls beendet ist, die Dipole zurückkippen in ihre ursprüngliche Ausrichtung. Derartige Probleme nehmen zu, wenn das ferroelektrische Material sich in einem relativ dünnen Film von kleiner gleich einem Mikron befindet. Deshalb besteht ein weiteres Ziel der Erindung darin, dieses Relaxationsproblem der ferroelektrischen Materialien zu bewältigen.
Bezug wird auf die Druckschrift EP-A-0293798 genommen, welche nach Artikel 54 (3) des Europäischen Patentübereinkommens einen Teil des Standes der Technik bildet, und eine Speicheranordnung aus ferroelektrischen Kondensatoren beschreibt. In EP-A-0293798 wird eine Elektrode eines ferroelektrischen Kondensators sekundär abgetrennt, nachdem ein an den Kondensator angelegter Schreibimpuls beendet ist.
Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zum Betreiben eines ferroelektrischen Kondensators vorgesehen, der eine erste und zweite Elektrode mit einem dazwischen liegenden Dielektrikum aufweist, um das Verweilen der Daten darin zu verbessern, mit den Schritten:
- Erzeugen eines Schreibimpulses;
- Koppeln des Schreibimpulses mit der ersten Elektrode des Kondensators, dabei Anlegen einer Schreibspannung an (bzw. quer über) das ferroelektrische Material und
- sekundäres Abtrennen an der ersten Elektrode vor dem Beenden des Schreibimpulses, wodurch mindestens einem Teil der Schreibspannung ein Abfallen durch das ferroelektrische Material hindurch ermöglicht wird.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Schaltung vorgesehen, die durch Anspruch 6 zum Betreiben eines ferroelektrischen Kondensators definiert ist.
Ferroelektrisches Material wird als ein Dielektrikum zwischen zwei leitfähigen Platten verwendet, und bildet somit einen ferroelektrischen Kondensator. Der Kondensator wird zum Speichern von Daten eingesetzt, durch Verwenden des Polarisierungszustandes des ferroelektrischen Materials, wie in EP-A-0293798 offenbart ist. Jedoch wird nach dem Beginn eines Schreibimpulses, der an eine Kondensatorplatte angelegt wird, ein offener Schaltungszustand bewußt geschaffen, so daß aus der Perspektive des ferroelektrischen Materials ein Impuls von langer Dauer angelegt wird.
Vorzugsweise empfängt der ferroelektrische Kondensator seinen Schreibimpuls durch den Source-Drain-Weg eines Feldeffekttransistors (FET). Vorzugsweise ist die Gate-Elektrode des FET gepulst, so daß das Gate schließt bevor die Drain-Spannung auf 0 abfällt. Andere Verfahren können verwendet werden, um eine Ladung auf einer Platte des Kondensators zu belassen, so daß sie hauptsächlich durch das ferroelektrische Material entweicht.
In der Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispieles der Erfindung wird Bezug auf die beigefügten Zeichnungen genommen. Es zeigt:
Fig. 1 ein schematisches Diagramm das zum Erklären der Erfindung nützlich ist;
Fig. 2 Kurvenformen die in Fig. 1 verwendet werden; und
Fig. 3 weitere Kurvenformen für Fig. 1.
Es hat sich herausgestellt, daß ein Verweilen der Daten in ferroleketrischen Materialien verbessert werden kann, durch Vorsehen einer gleichmäßigen Polarisierung im ganzen ferroelektrischen Material. Abweichungen, die relativ klein verglichen mit der gesamten Dicke sind, scheinen kein großes Problem zu bewirken, wenn aber der Film zunehmend dünner wird, können Grenzflächeneffekte große Probleme darstellen. Folglich, wenn das Material keine homogene Polarisierung über eine Tiefe von 20 Å an jeder Grenzfläche zu den Elektroden aufweist, dann stellt dies kein Problem dar, wenn die gesamte Dicke des ferroelektrischen Materials 20 Mikrons beträgt, aber kann eine immense Schwierigkeit darstellen, wenn die Dicke kleiner als 1000 Å ist. Somit scheint die Verweilzeit der Daten eine Funktion der Polarisierungsgleichmäßigkeit zu sein.
Gemäß der Erfindung wird dieser Zustand der verbesserten Verweilzeit von Daten erreicht, durch Bilden einer offenen Schaltung während des Schreibbetriebes. Dies bewirkt, daß sich die Ladung durch das ferroelektrische Material bewegt und dadurch zum Stabilisieren der Polarisierung neigt. Die Erfindung kann mit einer Reihe von Vorrichtungen praktiziert werden, eine für eine derartige Verwendung geeignete Schaltung wird in Fig. 1 dargestellt. Bezugnehmend auf die Fig. 1 weist ein ferroelektrischer Kondensator 20 eine Platte 20a auf, die mit einer Leitung 22 gekoppelt ist, die manchmal Plattenleitung genannt wird, welche in der Regel mit einem Referenzpotential, vorzugsweise Erde, verbunden ist, aber von 0 abweichende, daran angelegte Spannungsimpulse aufweisen kann. Die andere Kondensatorplatte 20 b ist mit einer auch Bit-Leitung nennbaren, zweiten Leitung 24 verbunden, durch den Source-Drain-Weg eines Feldeffekttransistors (FET) 26.
Veranschaulichend dargestellt ist der FET 26 eine N-Kanalvorrichtung, und folglich ist die Drain-Elektrode D des FET 26 mit der zweiten Leitung 24 gekoppelt, wohingegen die Source-Elektrode S des Transistors mit der oberen Elektrode des Kondensators 20 verbunden ist. Die Gate Elektrode G ist mit einer dritten Leitung 28 (wird ab und zu auch als Wortleitung bezeichnet) gekoppelt, die getrennt gesteuert wird. Es ist ersichtlich, daß für die Erfindung die Verwendung der N-Kanal-FETs nicht notwendig ist. Andere Schaltvorrichtungen können verwendet werden.
Signale für die Schreibvorgänge werden in der Fig. 2 und Fig. 3 dargestellt. In Fig. 2 wird erläuternd dargestellt, daß die Spannung an der Bit-Leitung 24 (und somit an dem Drain D) von 0 Volt auf 5 Volt angehoben wird für einen Schreibimpuls 30 einer bekannten Dauer.
Wenn das Verfahren der Erfindung in der in Fig. 1 dargestellten Schaltanordnung verwendet wird, wird irgendwann ein Steuer Impuls 32 durch die Leitung 28 an die Gate-Elektrode G angelegt, so daß das Gate zwischen der Drain und der Source geöffnet wird. Wie in Fig. 2 dargestellt ist, endet der Impuls 32 vor der abfallenden Kante des Impulses 30. Es ist anzumerken, daß diese Schreibspannung ein elektrisches Feld erzeugt. Wenn die Schreibspannung in einer Richtung angelegt wird, polarisiert das ferroelektrische Material in einen Zustand und wenn die entgegengesetzte Spannung angelegt oder das Feld auf andere Weise umgekehrt wird, ändert sich auch die Polarisierung. Somit stellt die Polarisierung des ferroelektrischen Materials in dem Kondensator den Mechanismus dar, durch den die Daten in einer leitungslosen Art gespeichert werden. Dieser Effekt wird einfach durch die Schreibspannung oder den Schreibimpuls bewirkt.
Aber darüber hinaus wird in der Erfindung ein offener Schaltungszustand an der oberen Elektrode 20 b des ferroelektrischen Kondensators 20 geschaffen. Die Leitung 22 wird wie in Fig. 2 veranschaulichend dargestellt, auf 0 Volt gehalten. Der Kondensator 20 "sieht" ein 5 Volt-Signal, wenn das Gate öffnet, beginnend mit der ansteigenden Kante des Impulses 32, aber nachdem das Gate schließt, verbleibt das 5 Volt-Signal an der Source-Elektrode S und folglich an der oberen Elektrode 20 b des Kondensators 20. Diese, das Signal 34 darstellende, Spannung wird wie in Fig. 2 dargestellt entweichen, wobei es Ladung durch das ferroelektrische Material bewegt. Diese Ladungsbewegung verhindert das Ausbilden von Depolarisierungsfeldern und eine Dipolrelaxation, welche zu ultimativem Datenverlust führt, wird dabei verhindert. Vorzugsweise übersteigen die Leckverluste oder der Ladungstransport durch das ferroelektrische Material die Leckverluste durch die Transistorverzweigung bzw. -verbindung. Folglich kann dieser Effekt erreicht werden, wenn die Drain-Spannung später als die Gate-Spannung abfällt, wenn in den ferroelektrischen Kondensator in dieser Richtung geschrieben wird.
Bevor beschrieben wird wie das Ferroelektrikum in die entgegengesetzte Richtung "beschrieben" wird, sollte ein besseres Verständnis für die Physik erzielt werden. Insbesondere ist es wichtig, die Existenz und die Art der Steuerung des Depolarisierungsfeldes in dem ferroelektrischen Material zu würdigen. Eine Erläuterung des Depolarisierungsfeldes und wie das offene Schaltungsverfahren ein Auftreten des Depolarisierungsfeldes minimiert oder verhindert, wird im folgenden ausgeführt.
In einem ferroelektrischen Material kann ursprünglich angenommen werden (wenn kein Feld angelegt wird), daß die Dipole in einer willkürlichen Lage orientiert sind. Wenn eine Schaltspannung über das Material angelegt wird, richten sich die Dipole in die eine oder die andere Richtung aus, abhängig von der Richtung der angelegten Spannung. Wenn die Spannung groß genug ist, werden sich faktisch alle im Ferroelektrikum befindlichen Dipole in eine Richtung ausrichten. Bei einer geringeren Spannung werden sich vielleicht weniger als alle Dipole ausrichten, aber die Mehrheit der Dipole werden sich in eine Richtung ausrichten. Um die gespeicherte Information später abzutasten, wird eine logische 1 festgelegt die ausdrückt, daß mehr Dipole in die eine als die andere Richtung orientiert sind und eine logische 0 wird festgelegt, die ausdrückt, daß mehr Dipole in die entgegengesetzte Richtung orientiert sind.
Während der Anwesenheit der Schaltspannung sind die Dipole generell in eine Richtung orientiert, die der Polarität der Spannung entspricht, aber wenn die Spannung entfernt wird, kippen einige der Dipole normalerweise in die entgegengesetzte Richtung. Dies wird von Depolarisierungsfeldern bedingt, die aufgrund mangelnder, geeigneter Kompensierungsladung bewirkt werden. Wenn alle Dipole in eine Richtung orientiert oder ausgerichtet sind, ist die Polarisation nur stabil wenn eine gleiche und eine entgegensetzte Kompensationsladung in dem ferroelektrischen Material vorhanden ist, so daß der Polarisierungswert ausgeglichen wird. Wenn die Polarisierung durch einen Schreibimpuls umgeschalten wird, bewegt sich die Kompensierungsladung sehr viel langsamer durch das ferroelektrische Material als die Geschwindigkeit, mit der die Dipole durch den Schreibimpuls wieder ausgerichtet werden können. Aufgrund dieser langsamen Bewegung der Kompensationsladung kann, wenn der Schreibimpuls an das ferroelektrische Material für eine ausreichend lange Dauer angelegt wird, während dieser Zeit die innere Kompensationsladung durch den ferroelektrischen Film wandern, um wieder einen gleichen und einen entgegengesetzten Zustand zur beabsichtigten Depolarisierung einzunehmen. Anschließend wird, wenn der Schreibimpuls endet, das ferroelektrische Material stabil, wobei alle Dipole in der richtigen Richtung ausgerichtet sind, um anzuzeigen, daß die Daten in dem Kondensator gespeichert sind.
Aber angenommen, daß der Schreibimpuls, der an den ferroelektischen Kondensator angelegt wird, von kurzer Dauer ist, verglichen mit der Zeitgröße, die die Kompensierungsladung benötigt, um sich zur Position zu bewegen, bei welcher die Stabilität erreicht ist. Die Kompensationsladung bewegt sich sehr langsam. Wenn der Schreibimpuls auf 0 Volt zurückkehrt, da sich die Kompensationsladung nicht adäquat bewegt hat, werden viele dieser inneren Dipole in ihren vorherigen Zustand zurückkippen wollen. Wenn mehr als 50 % zurückkippen gehen die Daten verloren.
Es bestehen zwei Gründe dafür, daß sich die Kompensierungsladung langsam bewegt. Zum einen bleibt die Ladung im ferroelektrischen Material und andererseits weist das ferroelektrische Material typischerweise einen hohen Widerstand auf. Folglich nimmt es viel Zeit in Anspruch, die Kompensierungsladung vollständig in den Bereich des ferroelektrischen Films zu bewegen, der sie benötigt, zu bewegen, wie vorher erwähnt wurde.
Erfindungsgemäß erscheint, selbst wenn die in den Kondensator geschriebenen Daten entgegengesetzt den vorherigen Daten sind, das Depolarisierungsfeld nicht, das durch die Kompensierungsladung an dessen vorherigen Ort bewirkt wurde. Wir ermöglichen der Schreibimpulsspannung (oder einem Teil davon) spontan abzunehmen - durch den natürlichen Eigenwiderstand des ferroelektrischen Materials selbst. Um dies zu bewirken schalten wir die Schreibspannung auf die Platten des ferroelektrischen Kondensators und öffnen anschließend den Schalter (FET), so daß die Schreibspannung auf 0 zurückkehrt, aber nur so schnell, wie es das ferroelektrische Material durch seinen Eigenwiderstand zuläßt. Es ist nicht notwendig, die vollständige Schreibspannung einer sekundären Abtrennung zu unterziehen. Die Spannunng, die unterbrochen werden muß, um diesen Effekt zu erzielen, kann manchmal die komplette Versorgungsspannung betragen, aber kann auch in der Größenordnung einiger Zehntel eines Volts sein. Der wichtige Punkt besteht nicht darin, den Schreibimpuls wieder auf 0 Volt abzusenken, wie im Stand der Technik, sondern den Schreibimpuls auf eine Spannung zu setzen, die ausreicht, um ein Fortbestehen des Depolarisierungsfeldes zu verhindern oder zu minimieren.
Der Effekt des sekundären Abtrennens besteht darin, einer Polarisierungsspannung ein Verbleiben, quer über dem ferroelektrischen Material, für eine ausreichend lange Zeitdauer zu ermöglichen, so daß das resultierende Feld im Ferroelektrikum ein Polarisationsfeld ist, welches in einer Richtung orientiert ist, so daß keiner der Dipole in seinen vorherigen Zustand zurückkippen möchte. Die Polarisierungsspannung, die sich in der gleichen Richtung wie der Schreib-Impuls befindet, legt ein Polarisierungsfeld an, daß das Depolarisierungsfeld löscht oder negiert, welches resultiert, wenn der Schreibimpuls zu schnell beendet wird.
Während die Polarisierungsladung entweicht, ist das Feld, das die Kompensierungsladung bewegt auch das gleiche Feld, das die Spannung über dem Dielektrikum entweichen läßt, folglich ist die Rate, mit der sich die Kompensierungsladung bewegt, auch die gleiche Rate, mit der die Spannung entweicht. Aus diesem Grund wird vorzugsweise eine gute offene Schaltung geschaffen, wodurch sichergestellt wird, daß die Rate, mit der sich die Kompensierungsladung bewegt, welche im wesentlichen dem Widerstand des Ferroelektrikums entspricht, die gleiche Rate ist, bei der die Schreibspannung abnimmt. Wenn diese Raten gleich sind, können sich keine Depolarisierungsfelder aufbauen und es kann keine Relaxation der Dipole stattfinden.
Folglich wird es vorgezogen, wenn der Widerstand des ferroelektrischen Materials niedriger ist, als der Widerstand an jedem anderen der um das Dielektrikum herumliegenden Knotenpunkte.
Typischerweise befindet sich in einer MOS-Schaltung eine Verknüpfung. Vorzugsweise ist der Leckverlust der Verknüpfung geringer als der Leckverlust des Ferroelektrikums. Beispielsweise sei angenommen, daß 5 Volt an das Ferroelektrikum angelegt wird und ferner, daß dies für den Betrieb der Erfindung ausreicht, dann müssen die 5 Volt hauptsächlich durch den ferroelektrischen Film selbst abnehmen oder entweichen. Wenn sich ein niedrigerer Widerstandsweg irgendwo auftut, beispielsweise in einer MOS-Verknüpfung, kann der Leckverlust von dieser Verknüpfung die Polarisierungsspannung schneller erniedrigen, als das das ferroelektrische Material könnte.
Die ideale Situation besteht darin, eine perfekte offene Schaltung aufzuweisen, so daß der Entladeweg für diese Elektronen nur derjenige durch den ferroelektrischen Film ist. Jedoch kann man voraussehen, daß mehrere parallele Leckverlustwege um das Ferroelektrikum herum bestehen. Diese parallelen Leckverlustwege sollten einen niedrigeren Wert als das Ferroelektrikum aufweisen, so daß der Großteil der Ladung durch das Ferroelektrikum und nur ein kleiner Teil der Ladung durch die Parallelwege entweicht. Wenn der Widerstand der Parallelwege klein genug ist, so daß die Spannung über dem Ferroelektrikum auf 0 sehr schnell abnimmt, dann ist die Wirkung gleich dem sehr schnellen Herabsetzen des Schreibimpulses auf 0, mit geschlossener Schaltung.
Bei den gebräuchlichen, vorliegenden PZT ferroelektrischen Filmen besteht diesbezüglich ein kleines Problem. Der Leckverlust von MOS-Verknüpfungen ist sehr klein und der Leckverlust des ferroelektrischen Materials erscheint vergleichbar mit oder größer als der Leckverlust der MOS-Verknüpfung.
Die Fig. 3 illustriert im Gegensatz zu den in Fig. 2 dargestellten Zeichnungen Wellenformen, die das Schreiben des entgegengesetzten Zustandes in das ferroelektrische Material darstellen. In der Leitung 22 steigt die Spannung auf 5 Volt, und ist mit der Elektrode 20 a des ferroelektrischen Kondensators 20 gekoppelt. Die Bit-Leitung 24 bleibt auf 0 Volt, so daß die Quelle S des FET 26 auf 0 Volt gehalten wird. Dies liefert 5 Volt in entgegengesetzter Richtung als zuvor am Ferroelektrikum anlag. Ein Weg um ein sekundäres Abtrennen des logischen Zustandes vorzustehen, besteht einfach darin, den FET 26 auszuschalten, bevor das Potential der Bit-Leitung 24 geändert wird.
Jedoch ist in einer herkömmlichen Speicherschaltung die Leitung 22 allgemein mit anderen ähnlichen Leitungen 22 gekoppelt. Dieses Koppeln schließt effektiv ein Halten einer vorgegebenen Leitung 22 auf 5 Volt aus. Daher kann eine andere Schaltungsnäherung verwendet werden, um die Plattenleitung 22 auf 0 Volt zurückzusetzen und dennoch den logischen Zustand abgetrennt zu haben. Ein Weg dies zu erreichen besteht darin, eine Substratvorspannung an den Chip anzulegen, so daß die Quelle S in Fig. 1 unterhalb Erd-Spannung betrieben werden kann. Wenn die Bit-Leitung 24 an 0 Volt anliegt und die Gate G des FET 26 auch 0 Volt aufweist, dann kann die Spannung an der Quelle S unterhalb Erdspannung sein, durch eine Schwellenwertspannung, die typischerweise 1 Volt beträgt. Wenn die Plattenleitung 22 von 5 Volt auf 0 Volt abfällt, fällt die Elektrode 20 b des ferroelektrischen Kondensators 20 von 0 Volt auf ungefähr minus eine Schwellenwertspannung oder ungefähr minus 1 Volt ab. Die Spannung ist dennoch in einer Polarisierungsrichtung und wird darin gehindert hauptsächlich durch das ferroelektrische Material zu entweichen.
Andere Annäherungen verwenden zwei ferroelektrische Kondensatoren pro Speicherzelle wie mit Bezug auf Fig. 4 im US-Patent Nr. 4873664 von Eaton, jr. mit dem Titel "Self-Restoring Ferroelectric Memory" beschrieben wird, das am 12. Februar 1987 (RAM 302) eingereicht wurde. In diesem Fall müssen wir einen logischen Zustand sekundären abgetrennter, da mit 2 komplementären ferroelektrischen Kondensatoren pro Bit, der eine oder der andere Kondensator in einem Zustand beschrieben wird, der in der zuerst oben beschriebenen Art abgetrennt wird, d.h. bei der 5 Volt an die oberen Platte des Kondensators 20 gekoppelt werden und anschließend die Leitung 22 geerdet wird. Einer von den beiden Kondensatoren würde in dieser alternativen Ausführungsform immer diesen Zustand aufweisen und einer der beiden Kondensatoren könnte immer effektiv schaltungsgeöffnet sein.
Es ist anzumerken, daß Modifikationen innerhalb des Umfanges der Erfindung, die durch die Ansprüche definiert sind, ausgeführt werden können und die Beschreibung dient nur als Illustration.

Claims

1. Verfahren zum Betreiben eines ferroelektrischen Kondensators mit einer ersten und einer zweiten Elektrode (20 a, 20 b), die ein ferroelektrisches Dielektrikum zwischen sich aufweisen, so daß das Verweilen der Daten darin verbessert wird, mit den Schritten:

- Erzeugen eines Schreibimpulses;

- Koppeln des Schreibimpulses mit der ersten Elektrode (20 b) des Kodensators, dabei Anlegen einer Schreibspannung an (bzw. quer über), das ferroelektrische Material; und

- sekundäres Abtrennen der ersten Elektrode vor dem Beenden des Schreibimpulses, wodurch mindestens einen Teil der Schreibspannung ein Abfallen durch das ferroelektrische Material hindurch erlaubt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zum sekundären Abtrennen gesteuert wird, um die erste Elektrode zu trennen, so daß mindestens ein Teil der Schreibspannung an der ersten Elektrode verbleibt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß es nach dem Anlegeschritt des Schreibimpulses an die erste Elektrode das Absenken der Spannung des Schreibimpulses enthält; und anschließend sekundäres Abtrennen der ersten Elektrode, bevor die Spannung des Schreibimpuls 0 Volt erreicht.

4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet durch die Schritte:

- Koppeln des Schreibimpulses mit der ersten Elektrode durch eine Schalteinrichtung (26) die mit der ersten Elektrode gekoppelt ist; und

- Trennen des Schreibimpulses von der ersten Elektrode durch Öffnen der Schalteinrichtung vor dem Beenden des Schreibimpulses.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtung einen Transistor umfaßt, der eine Steuerelektrode aufweist und selektiv betreibbar ist, so daß hohe und niedrige Impendanzen entlang eines Weges angelegt werden, in Abhängigkeit von Spannung, die an die Steuerelektrode angelegt wird, wobei der Weg die erste Elektrode mit der Spannungsquelle koppelt, und daß der Schritt zum sekundären Abtrennen das Betreiben des Transistors umfaßt, so daß eine hohe Impendanz zwischen die erste Elektrode und die Spannungsquelle gelegt wird.

6. Schaltung zum Betreiben eines ferroelektrischen Kondensators gemäß dem Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 - 5, so daß das Verweilen der Daten darin verbessert wird, wobei die Schaltung umfaßt:

- Mittel zum Erzeugen eines Schreibimpulses;

- Mittel zum Koppeln des Schreibimpulses mit einer ersten Elektrode (20 b) des Kondensators (20) und dabei Anlegen einer Schreibspannung an (bzw. quer über) ferroelektrisches Material des Kondensators, wobei die Kopplungsmittel eine Schalteinrichtung (26) mit einem Transistor umfassen, der eine Steuerelektrode aufweist und selektiv betreibbar ist, so daß hohe und niedrige Impendanzen entlang eines Weges angelegt werden, in Abhängigkeit von Spannung, die an die Steuerelektrode angelegt wird, wobei der Weg die erste Elektrode mit der Steuerelektrode koppelt und der Transistor zum Anlegen einer hohen Impendanz zwischen der ersten Elektrode und der Spannungsquelle betreibbar ist, dabei die erste Elektrode sekundär abgetrennt und dabei der Schreibimpuls beendet wird.