DE3877145T2 - Roentgen-bildaufnehmer. - Google Patents

Roentgen-bildaufnehmer.

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DE3877145T2 DE8888402781T DE3877145T DE3877145T2 DE 3877145 T2 DE3877145 T2 DE 3877145T2 DE 8888402781 T DE8888402781 T DE 8888402781T DE 3877145 T DE3877145 T DE 3877145T DE 3877145 T2 DE3877145 T2 DE 3877145T2
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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf die Erzeugung von Röntgenbildern mithilfe von lichtempfindlichen Elementen, die einem Szintillator zugeordnet sind.
  • Der Szintillator ist eine Substanz, die die Eigenschaft hat, von Röntgenstrahlen angeregt zu werden und als Reaktion eine Strahlung einer Wellenlänge zu liefern, die sichtbar ist oder in der Nähe des sichtbaren Lichts liegt.
  • Die lichtempfindlichen Elemente liefern ein elektrisches Signal, wenn sie diese sichtbare Strahlung empfangen, während sie ein elektrische Signal unmittelbar aufgrund einer Bestrahlung mit Röntgenstrahlen nicht liefern könnten. So kann man ein Röntgenbild in eine Gruppe von elektrischen Signalen verwandeln, die dieses Bild repräsentiert.
  • Die Erfindung wird nur für diese Art Szintillator beschrieben, die eine Umwandlung einer Strahlung sehr kurzer Wellenlänge (Röntgenstrahlen) in eine Strahlung größerer Wellenlänge (sichtbares Licht oder nahe dem sichtbaren Licht) bewirkt, aber die folgende Beschreibung macht klar, daß die Erfindung auch im Fall der Umwandlung von anderen Wellenlängenbereichen als dem oben erwähnten besonderen Bereich anwendbar wäre (vorausgesetzt, man besitzt eine Szintillatorsubstanz, die die gewünschte Umwandlung der Wellenlängen ermöglicht).
  • Die bisher beschriebenen Vorrichtungen zur elektrischen Reproduktion von Röntgenbildern besitzen entweder ein punktförmiges lichtempfindliches Detektorelement oder eine geradlinige Leiste von lichtempfindlichen Elementen oder auch eine rechtwinklige Matrix von lichtempfindlichen Elementen. Das oder die lichtempfindlichen Elemente sind im allgemeinen Fotodioden oder Fototransistoren, die auf einem isolierenden Substrat liegen und mit einer Folie aus Szintillatormaterial bedeckt sind, welche entweder auf die Oberseite der lichtempfindlichen Elemente geklebt wird (auf der der Röntgenstrahlung ausgesetzten Seite) oder einfach auf diese Oberseite durch Druck aufgebracht wird.
  • Die Figuren 1a und 1b zeigen zwei zueinander orthogonale seitliche Schnitte durch eine Matrix von lichtempfindlichen Elementen, die üblicherweise einer Szintillatorfolie zugeordnet ist.
  • Jedes lichtempfindliche Element besteht beispielsweise aus einer PIN-Diode (PN-Übergang mit einer intrinsischen Zentralzone), und das Matrixnetz enthält Spalten- und Zeilenleiter mit einer PIN-Diode in Reihe mit einem Kondensator zur Ladungsspeicherung an jedem Kreuzungspunkt zwischen Zeile und Spalte. Die Spaltenleiter 12 bestehen aus einem auf ein isolierendes Substrat 10, vorzugsweise Glas, aufgebrachten und fotogravierten Metall. Die PIN-Diode wird durch Aufbringen von drei Schichten aus amorphem Silizium auf die Spaltenleiter und anschließendes Gravieren gebildet, und zwar eine erste Schicht (Schicht 14) mit P-Dotierung, eine intrinsische Schicht (Schicht 16) und eine Schicht mit N-Dotierung (Schicht 18). Eine isolierende Schicht 20 wird auf alle PIN-Dioden aufgebracht, die das Dielektrikum des Kondensators bildet. Ein Leiter, vorzugsweise ein transparenter Leiter, wird auf die isolierende Schicht 20 aufgebracht und so graviert, daß er die Zeilenleiter 22 der Matrix bildet. Schließlich wird eine Szintillatorfolie 24 auf die Oberseite der Struktur aufgeklebt oder durch Druck aufgebracht.
  • Die zu konvertierende Strahlung, d.h. die Röntgenstrahlung im Fall der Radiologie, trifft von oben auf die Oberseite 26 des Szintillators auf. Käme sie von unten, dann müßte sie das Glassubstrat, die Zeilen- und Spaltenleiter und die lichtempfindlichen Dioden durchqueren. Daraus ergäben sich hauptsächlich wegen des Glases Verluste, die vermieden werden sollen, wenn man nicht einen Teil der Informationen, insbesondere die Informationen mit niedrigem Pegel, verlieren möchte.
  • Je dicker der Szintillator ist, umso zahlreicher sind die unter dem Einfluß der Röntgenstrahlung emittierten Fotonen. Im äußersten Fall, d.h. für eine unendliche Dicke, wird die ganze Röntgenstrahlung absorbiert und in Lichtfotonen umgewandelt. Wenn dagegen der Szintillator zu dick ist, dann werden die auf der den lichtempfindlichen Detektor abgewandten Seite emittierten Fotonen auf ihrem Weg durch den Szintillator absorbiert (da dieser nicht völlig transparent ist) und gelangen nicht zum lichtempfindlichen Detektor. Diese Fotonen gehen also nutzlos verloren. Ein Dickenkompromiß muß daher gefunden werden. Die Dicke des Szintillators mißt beispielsweise etwa 200 Mikrometer.
  • Andererseits ist die Auflösung für die Szintillatoren in Form einer Folie aus kompaktiertem Pulver umso geringer, je dicker die Folie ist. Die Fotonen werden nämlich in alle Richtungen emittiert, und in der Praxis erzeugen die in einem Abstand d vom lichtempfindlichen Element emittierten Fotonen einen Lichtpunkt, dessen Dichte nach einem Gauß'schen Gesetz verteilt ist, wobei der nutzbare ungefähre Durchmesser dieses Punkts im wesentlichen gleich dem Abstand d ist. Hier muß wieder eine zu große Dicke vermieden werden und ein Kompromiß zwischen Auflösung und Empfindlichkeit muß gefunden werden.
  • Röntgendetektormatrizen sind beispielsweise aus dem Dokument EP-A-0 125 691 bekannt.
  • Die Erfindung ist eine Folge der Bemerkung, daß in der Struktur der Figuren 1a und 1b die Seite des Szintillators, die zuerst von der Röntgenstrahlung getroffen wird, die Seite 26 ist und nicht die Seite in Kontakt mit den lichtempfindlichen Dioden. Daraus resultiert, daß die meisten Lichtfotonen auf der Seite emittiert werden, die als erste von der Strahlung getroffen wird.
  • Nun sind es gerade die Fotonen, die auf der dem lichtempfindlichen Detektor abgewandten Seite emittiert werden, welche sowohl die Empfindlichkeit (weil diese Fotonen nicht alle die Folie durchqueren können) als auch die Auflösung begrenzen (weil sie weit entfernt von der lichtempfindlichen Oberfläche emittiert werden. Eine Verbesserung der Empfindlichkeit eines individuellen Detektors ergibt sich, wenn man den Szintillator hinter dem Detektor im Verhältnis zu der Seite anbringt, an der die Röntgenstrahlung auftrifft (siehe JP-A- 59-200983).
  • Ein Ziel der Erfindung ist es, sowohl die Auflösung als auch die Empfindlichkeit der Vorrichtung zu erhöhen, ohne daß es notwendig wäre, Szintillatoren mit einer sehr speziellen kristallinen Struktur zu verwenden, die in Form von senkrechten Nadeln aufgebracht sind (Cäsiumiodid-Szintillatoren) und eine hohe Auflösung ergeben.
  • Ein anderes Ziel der Erfindung ist es, die Herstellung der Vorrichtung zu erleichtern unter Vermeidung der Ausfälle aufgrund der Zerbrechlichkeit der Szintillatorfolie, die sehr dünn ist (etwa 200 Mikrometer).
  • Gemäß der Erfindung wird eine Vorrichtung zur Umwandlung eines Bilds in elektrische Signale, mit einer Leiste oder Matrix von lichtempfindlichen Elementen in der Dünnschichttechnik, die auf ein isolierendes Substrat aufgebracht und fotograviert sind, und mit einer Szintillatorsubstanz vorgeschlagen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Szintillatorsubstanz auf das Substrat aufgebracht ist und zwischen das Substrat und die lichtempfindlichen Elemente eingefügt ist. Die Szintillatorsubstanz ist eine aufgeklebte Folie mit einem Szintillatorpulver oder einer Paste, die durch Aufstreichen oder Sedimentierung und Wärmebehandlung aufgebracht wird. Der Detektor ist eine Leiste aus lichtempfindlichen Elementen oder eine Matrix solcher Elemente. Diese Elemente bestehen aus aktiven Schichten, die übereinander auf das vorher mit einer Schicht aus Szintillatorsubstanz bedeckte Substrat aufgebracht werden. Vorzugsweise wird eine isolierende Schicht zum Ausgleich von Unebenheiten oberhalb der Szintillatorschicht vor dem Aufbringen der lichtempfindlichen Elemente aufgebracht, um die kleinen Unregelmäßigkeiten der Dicke der Szintillatorschicht auszugleichen und die Diffusion von Dotieratomen in die Halbleiterschichten zu verhindern, die die lichtempfindlichen Elemente bilden.
  • In einer Variante und zur Erhöhung der Empfindlichkeit der Vorrichtung bringt man weiter eine Hilfs-Szintillatorfolie auf die Oberseite des lichtempfindlichen Detektors auf, derart, daß die zu konvertierende Strahlung zuerst diese Szintillatorfolie trifft, die eine Strahlung zum Detektor von oben her emittiert, und daß die restliche umzuwandelnde Strahlung, die nicht von der Folie absorbiert wurde, die Szintillatorsubstanz trifft, die auf das Substrat aufgebracht ist, wobei diese letztere eine Strahlung dem Detektor von unten zuführt. Man kann im übrigen in Betracht ziehen, den Szintillatoren unterschiedliche Absorptionsspektren zu verleihen, um einen größeren Wellenlängenbereich der empfangenen Strahlung abzudecken.
  • Im übrigen kann man einen Spiegel (für die Wellenlänge der vom Szintillator ausgehenden Strahlung) zwischen das isolierende Substrat und die aufgebrachte Szintillatorsubstanz einfügen. Dieser Spiegel lenkt die Fotonen zum lichtempfindlichen Detektor um, die vom Szintillator in einer vom Detektor abgewandten Richtung ausgesandt werden könnten.
  • Andere Kennzeichen und Vorteile der Erfindung gehen aus der detaillierten nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen hervor.
  • Die Figuren 1a und 1b wurden bereits beschrieben und zeigen im Seitenschnitt entlang zweier orthogonaler Richtungen eine Röntgenbildaufnahmevorrichtung gemäß dem Stand der Technik.
  • Die Figuren 2a und 2b zeigen seitliche Schnitte entlang zweier orthogonaler Richtungen durch eine matrixförmige Bildaufnahmevorrichtung nach der Erfindung.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung wird nun unter Bezugnahme auf ihr Herstellungsverfahren beschrieben.
  • Man geht von einem isolierende Substrat 30 aus, das vorzugsweise eine transparente Substanz für die von dem Szintillator in der betrachteten Anwendung ausgesandten Wellenlängen ist. Diese Transparenz ist nicht unbedingt erforderlich, aber sie kann von Nutzen sein, wenn der lichtempfindliche Detektor periodisch durch einen Lichtblitz entladen werden soll. Für Röntgenanwendungen mit einem lichtempfindlichen Detektor aus amorphem Silizium verwendet man vorzugsweise ein Glassubstrat.
  • Für Vorrichtungen großer Abmessung, beispielsweise mehreren zig Zentimetern Seitenlänge, muß das Glas ziemlich dick sein wegen der erforderlichen Starrheit: Mehrere Millimeter Dicke können notwendig sein, und es ist daher verständlich, daß es günstig ist, die Vorrichtung von der Oberseite her zu bestrahlen und nicht durch das Glas hindurch, das einen Teil der Strahlung absorbieren würde.
  • Auf das isolierende Substrat 30 bringt man eine Szintillatorsubstanz 32 auf, die in der Lage ist, eine Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in eine Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Dieser erste Wellenlängenbereich ist der der Lichtquelle, mit deren Hilfe ein Bild erzeugt wird, das in elektrische Signale umgewandelt werden soll. Der zweite Wellenlängenbereich muß dem Empfindlichkeitsbereich des lichtempfindlichen Detektors entsprechen.
  • Beispielsweise ist Gadoliniumoxysulfid geeignet, Röntenstrahlen in grünes Licht umzuwandeln (etwa 550 nm). Die lichtempfindlichen Detektoren aus amorphem Silizium sind für dieses grüne Licht empfindlich.
  • Die lichtempfindliche Substanz kann auf das Substrat auf verschiedene Weise aufgebracht werden.
  • Eine Methode besteht darin, einfach eine übliche Szintillatorfolie zu nehmen und auf das Substrat mit einem Kleber aufzukleben, der mit den Bearbeitungstemperaturen kompatibel ist, die in den nachfolgenden Verfahrensschritten verwendet werden. Die Folie besteht beispielsweise aus einem wärmehärtenden Harz, in dem ein Szintillatorpulver wie z.B. Gadoliniumoxysulfid eingemischt ist. Die Folie kann auch aus einem Epoxyharz bestehen, wenn die nachfolgenden Behandlungstemperaturen hinreichend niedrig sind.
  • Eine andere Methode bestünde darin, eine zähe Paste auf dem Substrat zu verteilen (beispielsweise durch vorheriges Aufbringen und Zentrifugieren), wobei diese Paste aus einem Binder gemischt mit einem Szintillatorpulver besteht. Danach wird die Paste erhitzt, um die flüchtigen Lösungsmittel zu eliminieren. Der Binder kann ein Epoxyharz sein, wenn man keine Probleme mit der Temperatur für die nachfolgenden Phasen hat. Es kann auch ein Polyimid sein, wobei in diesem Fall der Binder und das Pulver gemischt werden, dann die Mischung aufgetragen und schließlich eine Polymerisation durchgeführt wird (Imidisation). Schließlich kann der Binder auch ein anorganisches Bindemittel (mineralisch) sein: Beispielsweise verwendet man eine Mischung aus Szintillatorpulver und Glaskugeln in Suspension in einem flüchtigen Lösungsmittel, und man führt eine Wärmebehandlung bei hoher Temperatur (etwa 500ºC) durch, bei der die Glaskugeln miteinander und mit dem Substrat verschmelzen. Dieses letztgenannte Verfahren ist besonders geeignet, wenn die nachfolgenden Behandlungsschritte bei einer Temperatur oberhalb 200ºC ablaufen.
  • Die Szintillatorschicht 32 hat eine Dicke, die so gewählt ist, daß die Wirksamkeit der Erzeugung von Fotonen optimisiert wird, ohne die Auflösung allzusehr zu beeinträchtigen. Diese Dicke kann von einigen 10 bis einigen 100 Mikrometer für Anwendung in der Radiologie mit Gadoliniumoxysulfid reichen.
  • Nach dem Aufbringen und der Behandlung der Szintillatorschicht 32 bringt man eine Isolier-Zwischenschicht 34 auf, deren Aufgabe es insbesondere ist, Unebenheiten der Oberseite der Schicht 32 vor dem Aufbringen der lichtempfindlichen Elemente auszugleichen und eine Diffusionsbarriere für Unreinheiten zwischen der Szintillatorschicht und den lichtempfindlichen Elementen zu bilden.
  • Die isolierende Zwischenschicht kann aus Polyimid bestehen, beispielsweise dem Produkt, das von der Firma DUPONT DE NEMOURS unter der Bezeichnung Pi2555 vertrieben wird. Diese Schicht wird durch Zentrifugieren aufgebracht und dann völlig polymerisiert nach einer Wärmebehandlung bei 150ºC während einer Stunde. Die Dicke dieser Schicht liegt zwischen 2 und 10 Mikrometer.
  • Dann bringt man eine dünne Schicht 36 (von etwa 100 nm) aus einem leitenden und für die Wellenlänge des vom Szintillator ausgesandten Lichts transparenten Material auf. Dieser Leiter kann aus Indiumoxid-Zinn bestehen. Er wird gemäß einem Motiv paralleler Spalten graviert.
  • Die Haftung des Leitermaterials kann durch ein vorheriges Aufbringen einer dünnen Zwischenschicht (nicht dargestellt) verbessert werden. Im Fall von Indiumoxid-Zinn kann die Haftung durch eine etwa 20 nm dicke Schicht aus Kupfer oder Chrom verbessert werden.
  • Auf die so von den Spaltenleitern bedeckte Struktur bringt man eine Schicht 38 aus hydriertem amorphem Silizium auf, durch chemische Zersetzung in der Gasphase (CVD), ggfs. unterstützt durch eine Lichtanregung im ultravioletten Bereich (Foto-CVD), so daß das Verfahren bei niedrigerer Temperatur (unter 150ºC) abläuft.
  • Die Schicht aus Silizium 38 wird mit einer Unreinheit vom Typ P dotiert, vorzugsweise Bor, sowie mit Kohlenstoff, der den Vorteil hat, die Schicht für die von dem Szintillator ausgesandten Fotonen durchlässiger zu machen.
  • In gleicher Weise wird dann eine Schicht aus hydriertem intrinsischem amorphem Silizium 40 aufgebracht.
  • Danach bringt man eine Schicht aus hydriertem amorphem Silizium 42 auf, die mit einer Verunreinigung vom N-Typ dotiert ist, vorzugsweise Phosphor.
  • So hat man oberhalb der Spaltenleiter eine Folge von drei Schichten, und zwar vom Typ P, vom Typ I (intrinsisch) und vom Typ N. Man könnte senkrechte PIN-Dioden mit Hilfe dieser drei Schichten bilden, die die eigentlichen lichtempfindlichen Elemente darstellen und elektrische Ladungen aufgrund einer Strahlung im Sichtbaren Wellenlängenbereich erzeugen.
  • Der nachfolgende Verfahrensschritt zur Herstellung besteht in einer Gravierung der drei übereinanderliegenden Schichten 38, 40, 42 gemäß einem Motiv von Inseln, die je an den Kreuzungspunkten der Zeilen und Spalten einer regelmäßigen Matrix liegen. Die Spalten dieser Matrix wurden bereits definiert und sind die Leiter der Schicht 36.
  • Die Gesamtheit der erhaltenen Struktur wird dann mit einer Isolierschicht 44, z.B. aus Siliziumoxid, und dann mit einer leitenden Oberschicht 46 bedeckt, die so graviert wird, daß die Zeilenleiter der Matrix entstehen.
  • Wenn die Vorrichtung nur einen einzigen Szintillator, d.h. die Schicht 32 besitzt, dann kann die leitende Schicht 46 transparent sein oder auch nicht. Es kann sogar von Vorteil sein, daß sie reflektierend wirkt (aber für Röntgenstrahlen durchlässig ist), um die Lichtfotonen, die diese Schicht ohne Absorption durchqueren könnten, zu den PIN-Dioden zu bringen. Wenn dagegen die Vorrichtung einen unteren Szintillator (Schicht 32) und einen oberen Szintillator 48 entsprechend dem der Figuren 1a und 1b besitzt, dann ist es notwendig, daß die obere leitende Schicht 46 transparent ist und wie die Schicht 36 beispielsweise aus Indiumoxid-Zinn besteht.
  • In dem hier beschriebenen Typ von Fotodetektormatrix besteht jede Fotodiode aus der Stapelung von senkrechten Schichten und ist einem Speicherkondensator für die Ladungen zugeordnet, der ebenfalls durch Stapelung oberhalb der Fotodiode ausgebildet ist. Diese Struktur verringern den seitlichen Platzbedarf jedes Punkts. Hier besteht der Kondensator aus der isolierenden Schicht 44 zwischen zwei leitenden Bereichen, nämlich dem Bereich N 42 der Fotodiode und dem Zeilenleiter 46. Die Erfindung wäre jedoch auch anwendbar auf andersartige Matrizen von Fotodetektoren, beispielsweise Fotodioden, die je einem Zugangstransistor vom Typ TFT (im englischen thin film transistor) zugeordnet sind.
  • In einer Ausführungsvariante wird eine reflektierende Schicht, die in den Figuren nicht dargestellt ist, zwischen die Szintillatorschicht 32 und das Substrat eingefügt. Diese Schicht ist in der Lage, die vom Szintillator 32 emittierten Wellen zu reflektieren, so daß die von der Szintillatorschicht nach rückwärts ausgesandten Fotonen (also zum Substrat 30 hin) zu den PIN-Fotodioden reflektiert werden. Man erhöht damit den globalen Wirkungsgrad der Struktur, da eine gewisse Zahl von Fotonen in elektrische Ladungen umgewandelt werden, die ansonsten verlorengingen. Die reflektierende Schicht kann eine Schicht aus Aluminium sein, die auf das Glassubstrat vor dem Aufbringen der Szintillatorschicht 32 aufgebracht wird.
  • Wenn die Struktur außerdem eine auf die Oberseite der lichtempfindlichen Elemente aufgeklebte oder aufgepreßte Szintillatorschicht 48 enthält, dann kann man auch diesen Szintillator 48 mit einer nicht dargestellten reflektierenden Schicht bedecken, die auf die Oberseite des Szintillators 48 aufgeklebt oder aufgebracht ist. Diese Schicht kann die von dem Szintillator 48 nach oben emittierten Fotonen reflektieren, die ansonsten an der Erzeugung eines elektrischen Signals in den Fotodioden nicht teilnehmen würden. Diese Schicht muß aber sehr transparent bezüglich der einfallenden Röntgenstrahlen sein. Es kann sich um Aluminium handeln.
  • In besonderen Anwendungsfällen kann man die unteren und oberen Szintillatoren (32, 48) unterschiedlich ausbilden, so daß sie aufgrund von unterschiedlichen einfallenden Wellenlängen angeregt werden. So überdeckt man ein breiteres Spektrum der einfallenden Strahlen.
  • Man kann auch vorsehen, daß diese Szintillatoren, die auf unterschiedliche Wellenlängen ansprechen, außerdem bei unterschiedlichen Wellenlängen Licht aussenden, beispielsweise im roten sichtbaren Bereich und im grünen sichtbaren Bereich. Man kann dann ein Fotodetektorelement von zweien oder eine Zeile von zweien oder eine Spalte von zweien jeweils einer der beiden Wellenlängen zuordnen. Dieses Element wird dann durch eine für die andere Wellenlänge undurchlässige, aber für Röntgenstrahlen transparente Schicht abgedeckt. Umgekehrt werden die anderen Elemente durch eine Schicht abgedeckt, die für die erste Wellenlänge undurchlässig und für Röntgenstrahlen transparent ist. Es ergibt sich also eine schachbrettartige Maske aus für eine der Wellenlängen undurchlässigen und transparenten Zonen. Diese Maske besteht aus einer Schicht, die zwischen die Schicht 34 (Polyimid zum Niveauausgleich) und die Fotodioden eingefügt ist. Weiter sieht man eine andere schachbrettartige Maske von für die andere Wellenlänge undurchlässigen und transparenten Zonen vor, die aus einer zwischen die Oberseite der lichtempfindlichen Elemente und den oberen Szintillator 48 eingefügten Schicht besteht. Diese Struktur kann in Hinblick auf die Bildverarbeitung mehr Informationen erfassen, als wenn man nur eine einzige Szintillatorsubstanz für die Schichten 32 und 48 verwendet. Insbesondere kann man bei der medizinischen Radiologie diese Struktur zur Verarbeitung der Bilder des menschlichen Körpers verwenden, um das Skelett zu eliminieren.

Claims (9)

1. Vorrichtung zur Umwandlung eines Bilds in elektrische Signale, mit einer Leiste oder Matrix von lichtempfindlichen Elementen (28, 40, 42) in der Dünnschichttechnik, die auf ein isolierendes Substrat (30) aufgebracht und fotograviert sind, und mit einer Szintillatorsubstanz (32), dadurch gekennzeichnet, daß die Szintillatorsubstanz auf das Substrat aufgebracht ist und zwischen das Substrat und die lichtempfindlichen Elemente eingefügt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolierschicht (34) zum Niveauausgleich zwischen die Szintillatorsubstanz (32) und die lichtempfindlichen Elemente eingefügt ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (34) zum Niveauausgleich aus Polyimid ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Szintillatorschicht (32) eine Folie aus mit einem Szintillatorpulver vermischtem Harz ist, die auf das Substrat aufgeklebt ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Szintillatorschicht aus einer wärmebehandelten Mischung eines Binders und eines Szintillatorpulvers besteht.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine reflektierende Schicht aufweist, die die von der Szintillatorschicht emittierte Strahlung reflektiert und zwischen das Substrat und die Szintillatorschicht eingefügt ist.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem eine zweite Szintillatorschicht (48) enthält, die auf die obere Oberfläche der lichtempfindlichen Elemente aufgeklebt oder aufgepreßt ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Szintillatorschichten für unterschiedliche Wellenlängen des einfallenden Lichts empfindlich sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Szintillatoren bei unterschiedlichen Wellenlängen emittieren und daß eine erste Maske zwischen der ersten Szintillatorschicht und den lichtempfindlichen Elementen sowie eine zweite Maske zwischen die zweite Szintillatorschicht und die lichtempfindlichen Elemente eingefügt ist, wobei die erste Maske lichtundurchlässige und lichtdurchlässige Zonen für eine der emittierten Wellenlängen und die zweite Maske lichtundurchlässige und transparente Zonen für die andere Wellenlänge besitzt und wobei die lichtundurchlässigen Zonen der Masken und die durchlässigen Zonen einander abwechseln, um ein lichtempfindliches Element von zweien der Erfassung einer der beiden Wellenlängen zuzuordnen.
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5220170A (en) * 1985-12-11 1993-06-15 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5043582A (en) * 1985-12-11 1991-08-27 General Imagining Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5381013A (en) * 1985-12-11 1995-01-10 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5464984A (en) * 1985-12-11 1995-11-07 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
DE68924481T2 (de) * 1989-01-20 1996-05-02 Kanegafuchi Chemical Ind Vorrichtung zur Untersuchung der Röntgenstrahlung.
JP3050402B2 (ja) * 1989-09-06 2000-06-12 ユニヴァースティ オブ ミシガン メガボルト光子および診断用x線のリアルタイム画像処理および線量測定用多素子アモルファスシリコン検出器アレイ
DE58903129D1 (de) * 1989-09-06 1993-02-04 Siemens Ag Roentgendetektor.
US5117114A (en) * 1989-12-11 1992-05-26 The Regents Of The University Of California High resolution amorphous silicon radiation detectors
US5171998A (en) * 1990-06-14 1992-12-15 Engdahl John C Gamma ray imaging detector
US5187369A (en) * 1990-10-01 1993-02-16 General Electric Company High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer
US5841832A (en) * 1991-02-13 1998-11-24 Lunar Corporation Dual-energy x-ray detector providing spatial and temporal interpolation
US5254480A (en) * 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
EP0562143B1 (de) * 1992-03-27 1997-06-25 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Festkörperbildwandler
DE4227096A1 (de) * 1992-08-17 1994-02-24 Philips Patentverwaltung Röntgenbilddetektor
JP3066944B2 (ja) * 1993-12-27 2000-07-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
FR2731569B1 (fr) * 1995-03-07 1997-04-25 Thomson Tubes Electroniques Dispositif de recopie de tension a grande linearite
US5588084A (en) * 1995-04-28 1996-12-24 Johnson; Kurtis F. Scintillating optical fibers containing non-uniformly distributed dopants and process for preparing same
US5798558A (en) * 1995-06-27 1998-08-25 Mission Research Corporation Monolithic x-ray image detector and method of manufacturing
FR2758888B1 (fr) * 1997-01-27 1999-04-23 Thomson Csf Procede de modelisation fine du fouillis de sol recu par un radar
JP3976915B2 (ja) * 1998-02-09 2007-09-19 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP2002528730A (ja) 1998-10-28 2002-09-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シンチレータ層による検出器を製造する方法
JP3469143B2 (ja) * 1999-11-02 2003-11-25 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた二次元画像検出器
GB0103133D0 (en) * 2001-02-08 2001-03-28 Univ Glasgow Improvements on or relating to medical imaging
US7122804B2 (en) * 2002-02-15 2006-10-17 Varian Medical Systems Technologies, Inc. X-ray imaging device
US7009663B2 (en) 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
US7053967B2 (en) 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
AU2002336341A1 (en) 2002-02-20 2003-09-09 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
DE10239506A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-18 Infineon Technologies Ag Sensoranordnung zum Erfassen einer Strahlung, Computertomograph mit dieser Sensoranordnung und zugehöriges Herstellungsverfahren
US20080084374A1 (en) 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7773139B2 (en) * 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
DE102004041631A1 (de) 2004-08-27 2006-03-02 Herbert Maslanka Sprühsonde
US20060067472A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Possin George E Method and apparatus for measuring X-ray energy
JP5589196B2 (ja) * 2005-09-07 2014-09-17 独立行政法人日本原子力研究開発機構 ZnS蛍光体を用いた中性子検出用シンチレータ及び粒子線検出用シンチレータ
US7358506B2 (en) * 2005-12-15 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Structured X-ray conversion screen fabricated with molded layers
US7777290B2 (en) * 2006-06-13 2010-08-17 Wisconsin Alumni Research Foundation PIN diodes for photodetection and high-speed, high-resolution image sensing
GB2446185A (en) * 2006-10-30 2008-08-06 Sensl Technologies Ltd Optical assembly and method of assembly
JP2010225735A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Mitsubishi Electric Corp フォトセンサー及びその製造方法
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
JP6515958B2 (ja) * 2012-06-25 2019-05-22 ソニー株式会社 放射線検出器及びその製造方法
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
JP6186748B2 (ja) 2013-02-28 2017-08-30 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
US10845901B2 (en) 2013-07-31 2020-11-24 Apple Inc. Touch controller architecture
US10061450B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
KR102202550B1 (ko) * 2018-04-09 2021-01-13 코우리츠 다이가꾸 호우진 오사카 전자 방사선 검출 장치 및 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5396791A (en) * 1977-02-04 1978-08-24 Toshiba Corp Semiconductor radiation detector
JPS5396785A (en) * 1977-02-04 1978-08-24 Toshiba Corp Semiconductor radiation detector
JPS602788B2 (ja) * 1977-02-04 1985-01-23 株式会社東芝 マルチチヤネル型半導体放射線検出器
US4297584A (en) * 1977-04-11 1981-10-27 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Rare earth phosphors and phosphor screens
JPS54179782U (de) * 1978-06-09 1979-12-19
US4288264A (en) * 1979-11-21 1981-09-08 Emi Limited Detector construction
JPS58137782A (ja) * 1982-02-12 1983-08-16 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜型固体x線センサ−
JPS59200983A (ja) * 1983-04-28 1984-11-14 Toshiba Corp 放射線検出器
JPS59211264A (ja) * 1983-05-16 1984-11-30 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像検出方法
EP0125691B1 (de) * 1983-05-16 1991-07-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Verfahren zur Entdeckung eines Strahlungsbildes
JPS6089786A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Hitachi Ltd 放射線検出器
JPH06101576B2 (ja) * 1985-02-25 1994-12-12 日立造船株式会社 アモルフアスシリコンx線センサ
JPS61259577A (ja) * 1985-05-14 1986-11-17 Toshiba Corp 放射線検出装置
FR2598250B1 (fr) * 1986-04-30 1988-07-08 Thomson Csf Panneau de prise de vue radiologique, et procede de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
EP0316222A1 (de) 1989-05-17
FR2623019B1 (fr) 1990-05-11
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FR2623019A1 (fr) 1989-05-12
EP0316222B1 (de) 1992-12-30
DE3877145D1 (de) 1993-02-11
US4940901A (en) 1990-07-10

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