JPS58137782A - 薄膜型固体ｘ線センサ− - Google Patents
薄膜型固体ｘ線センサ−Info
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- JPS58137782A JPS58137782A JP57019753A JP1975382A JPS58137782A JP S58137782 A JPS58137782 A JP S58137782A JP 57019753 A JP57019753 A JP 57019753A JP 1975382 A JP1975382 A JP 1975382A JP S58137782 A JPS58137782 A JP S58137782A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発＠は、薄膜型固体Ｘ線センサー、咎にＸＩｓＣＴス
キャナ用としての傅に型固体Ｘ線センサーに関する。さ
らに＃Ｌ＜は、本発明は、螢光体層、透明電極層、前記
螢光体層内の螢光体が発する螢光の波長に分光感度を有
する光導電体薄膜および上部金属電極を、その順序に形
成して得られる極鳩体で構成した薄膜Ｉｉ■体Ｘ体Ｘ−
センナ関する。
キャナ用としての傅に型固体Ｘ線センサーに関する。さ
らに＃Ｌ＜は、本発明は、螢光体層、透明電極層、前記
螢光体層内の螢光体が発する螢光の波長に分光感度を有
する光導電体薄膜および上部金属電極を、その順序に形
成して得られる極鳩体で構成した薄膜Ｉｉ■体Ｘ体Ｘ−
センナ関する。
健米のＸ−写真線、３次元鍵を１単純に２次元乎ｄＩｊ
ＪＫ投影し九−像であった。これに対し、Ｘ−〇Ｔスキ
ャナは、各方向から細いＸ−ビームを照射することによ
って得られる被写体の１次元投影響を、コンビニー−錫
層して被写体を輪切りにした断面−を再構成するもので
ある。
ＪＫ投影し九−像であった。これに対し、Ｘ−〇Ｔスキ
ャナは、各方向から細いＸ−ビームを照射することによ
って得られる被写体の１次元投影響を、コンビニー−錫
層して被写体を輪切りにした断面−を再構成するもので
ある。
これにより、被写体の軟組織におけるわずかなｘｍａ収
の葺を区別し、脳しゅよう中脳出血などの極めて鮮明な
像を提供することがで寝る。
の葺を区別し、脳しゅよう中脳出血などの極めて鮮明な
像を提供することがで寝る。
この丸め、ＸＩＩＩＣＴス中ヤナは、医学診ＷＲ装置と
しての地位ｉｔすまず向上している。
しての地位ｉｔすまず向上している。
ＸｍＣＴｘ中ヤナには、周知のように、被写体を透過し
たＸＩＩｔ高感度で、為性能に検出で職るｘｍセンサー
が不可欠である。それ故に、Ｘ＃ＩＣＴ装置の＾性能化
のため、従来より、令櫨のＸ−センサーが開発され、そ
の−優が実用化されている。
たＸＩＩｔ高感度で、為性能に検出で職るｘｍセンサー
が不可欠である。それ故に、Ｘ＃ＩＣＴ装置の＾性能化
のため、従来より、令櫨のＸ−センサーが開発され、そ
の−優が実用化されている。
ｌｌ１１図は、ＸｍＣＴス午ヤナの原理を示す概観図で
ある。
ある。
図ニ＆イテ、１０ｔ；ｉ被写体、ＩＩＦｉＸ−管、１１
人は発生されたＸ−を被写体ｌＯに指向させるためのコ
リメータ、１２は被写体１０に照射されるＸ−ビーム、
１３は被写体ｌＯを透過したＸ−ビーム、１４は透過ｘ
ｉ＊ｔｓを検出するＸ−センサーである。
人は発生されたＸ−を被写体ｌＯに指向させるためのコ
リメータ、１２は被写体１０に照射されるＸ−ビーム、
１３は被写体ｌＯを透過したＸ−ビーム、１４は透過ｘ
ｉ＊ｔｓを検出するＸ−センサーである。
壜た、１５はｓｔｌ記）［ｉセンサ−１４へのＸ線入射
方向を風足するためのコリメータ、１６はＸ−センサー
１４の検出出力を増巾する増巾器、ｌｒは増巾された検
出出力を入力され、所定の一會逃思を実行するコンビエ
ータ−１１８は被写体１０）＃Ｒｔ！ｉ像を表示するビ
デオモニターである。
方向を風足するためのコリメータ、１６はＸ−センサー
１４の検出出力を増巾する増巾器、ｌｒは増巾された検
出出力を入力され、所定の一會逃思を実行するコンビエ
ータ−１１８は被写体１０）＃Ｒｔ！ｉ像を表示するビ
デオモニターである。
同図からも明らかなように、Ｘ線管１１とｘｍ４ｔ７サ
ー１４とを、被写体１００−一に対向して配置し、ペン
シルビーム状のＸ峰ビーム１２を被写体ｌＯに照射しな
がら、ｘＩａセンサー１４ｔ。
ー１４とを、被写体１００−一に対向して配置し、ペン
シルビーム状のＸ峰ビーム１２を被写体ｌＯに照射しな
がら、ｘＩａセンサー１４ｔ。
直纏移−と一転を組み合わせて移−させる。
このようにして、被写体１０のあらゆる方向から、Ｘ１
ＩＡ吸収データをとった後、コンビエータ−１７におい
て所定の処ｊｌ１１ｔ−行なうことにより、新面像をビ
デオモニター１８上Ｋ１１ｅ示することができる。なお
、この場合、Ｘ−センサー１４としては、検出効率の鳥
いＮａＩ（Ｔｌ） シンチレータ検出器が、広く使用
されている。
ＩＡ吸収データをとった後、コンビエータ−１７におい
て所定の処ｊｌ１１ｔ−行なうことにより、新面像をビ
デオモニター１８上Ｋ１１ｅ示することができる。なお
、この場合、Ｘ−センサー１４としては、検出効率の鳥
いＮａＩ（Ｔｌ） シンチレータ検出器が、広く使用
されている。
しかし、この方式だと、１鋪の撮影時間がｂ分４ＩＡｗ
ｌｌと長くなる欠点がある。これを改豊するために、ペ
ンシルビームの代わｐに扇状ビームｔｌ１Ｍしたり、検
出器を固定し、Ｘ線管ｔ−＾遮−転し九りすることによ
って、撮影時間の蝋−化が−られている。
ｌｌと長くなる欠点がある。これを改豊するために、ペ
ンシルビームの代わｐに扇状ビームｔｌ１Ｍしたり、検
出器を固定し、Ｘ線管ｔ−＾遮−転し九りすることによ
って、撮影時間の蝋−化が−られている。
前述のように、検出４１１を画定配置とする場合にｒｉ
、Ｘｆｊａ＊ｙｆ−として、シンチレーシ■ン検出器を
用いる代わ）に、半導体センサーを利用することも試み
られている。
、Ｘｆｊａ＊ｙｆ−として、シンチレーシ■ン検出器を
用いる代わ）に、半導体センサーを利用することも試み
られている。
何故なら、この場合、Ｘ線センサーが被写体のｌｌｌ４
ｉ１１１Ｖｃ一定装置される丸め、これを＾四監夷輌す
る必要があるが、シンチレータ−と光電子増倍管に組み
合わせ九シンチレーシ冒ン検出器では、形状や占有容積
が大巻〈なり、＾＊＊夷輌には不適だからである。
ｉ１１１Ｖｃ一定装置される丸め、これを＾四監夷輌す
る必要があるが、シンチレータ−と光電子増倍管に組み
合わせ九シンチレーシ冒ン検出器では、形状や占有容積
が大巻〈なり、＾＊＊夷輌には不適だからである。
また、シンチレータ−とシリコンフォトダイオードとを
組み合わせ九検出器の利用も考えられる。
組み合わせ九検出器の利用も考えられる。
しかし、仁の場合は、愼Ｉｌ値号を検出するため、新た
に低雑膏増＋回路をつけ加える必要が生じる。。
に低雑膏増＋回路をつけ加える必要が生じる。。
したがって、実際上十分な高蜜度夷腋を行なうことはで
自ない。
自ない。
別のアプローチとして、シンチレータ−無しでＸ−を検
出すること屯考えられている。すなわち、半導体Ｘ線セ
ンサーとして、シリコン（Ｓｔ）、カドミウム・テルル
（ＣｄＴ・）などの半導体緒墨を用いたダイオードの慎
討もなされている。しかし、こノ樵のセンサーは、末だ
実用化されていない。
出すること屯考えられている。すなわち、半導体Ｘ線セ
ンサーとして、シリコン（Ｓｔ）、カドミウム・テルル
（ＣｄＴ・）などの半導体緒墨を用いたダイオードの慎
討もなされている。しかし、こノ樵のセンサーは、末だ
実用化されていない。
本発明は、上記の事情に饋みてなされ九鳴のであり、そ
の目的とするところは、為蜜直夷誠の−Ｊ能な薄ａｍ固
体Ｘ−セ／サーを提供することにある。
の目的とするところは、為蜜直夷誠の−Ｊ能な薄ａｍ固
体Ｘ−セ／サーを提供することにある。
本発明の掩の目的は、小誕化の害鳥な高感匿の薄ｊＩＩ
ｌ臘固体Ｘ−センサーを提供することにある。
ｌ臘固体Ｘ−センサーを提供することにある。
又、本発明のさらにｔｍの目的は、Ｓ状加工が自由に行
なえる４膜証一体Ｘ−センナ−を提供することにある。
なえる４膜証一体Ｘ−センナ−を提供することにある。
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。ｉａ
ｚ図は本発明の一実施例の断面図である。
ｚ図は本発明の一実施例の断面図である。
第２図において、６は遮光性の支持体、５は前記支持体
６の上に形成された螢光体層、４はさらｌζその上に積
層□された透明電極層である。２は透明電ａ層４の上に
形成された光導電体層、１は光導電体層２上に積層され
た遮光性上部電極である。
６の上に形成された螢光体層、４はさらｌζその上に積
層□された透明電極層である。２は透明電ａ層４の上に
形成された光導電体層、１は光導電体層２上に積層され
た遮光性上部電極である。
なお、第２図において、上部電極１および透明電極層４
の一方は、分割電極とされるのが望ましい。また光導電
体層２の′分光感度（のビーク位１ｆｔ）は、螢光体層
５から発せられる発光（のピーク）の波長に対応させら
れているのが望ましい。
の一方は、分割電極とされるのが望ましい。また光導電
体層２の′分光感度（のビーク位１ｆｔ）は、螢光体層
５から発せられる発光（のピーク）の波長に対応させら
れているのが望ましい。
例えば、螢光体としてＱｄＱ、３ ： Ｔｈを用いた場
合の発光スペクトルのピークは、５５０ｎｓｉ１辺にあ
る。それ故にこの場合の光導電体Ｍ２としては、波長５
５０層に分光感度のピークを有する５ｅ−ＴｅやＨなド
ープしたアモルファスシリコンＳｉ：Ｈなどを用いるの
か有利である。また、螢光体としては、ｒＺｎｃｄ）
Ｓ：Ａ’ｇ、Ｚｎ８：Ａｇなどが利用９馳である。
合の発光スペクトルのピークは、５５０ｎｓｉ１辺にあ
る。それ故にこの場合の光導電体Ｍ２としては、波長５
５０層に分光感度のピークを有する５ｅ−ＴｅやＨなド
ープしたアモルファスシリコンＳｉ：Ｈなどを用いるの
か有利である。また、螢光体としては、ｒＺｎｃｄ）
Ｓ：Ａ’ｇ、Ｚｎ８：Ａｇなどが利用９馳である。
透明電極層４としては、螢光を十分透過する導電体なら
どんな材料でも使用ａＴ能である。中でも。
どんな材料でも使用ａＴ能である。中でも。
Ｉｎｚ（）＠／ Ｓｎｕｇ （Ｉ ’ｒ Ｏ） Ｍ、Ｉ
ｎ ！ ＯＢ膜、Ｓｎ０ｇ膜などの酸化物半導体膜が
作製の谷易さから白って好ましい。
ｎ ！ ＯＢ膜、Ｓｎ０ｇ膜などの酸化物半導体膜が
作製の谷易さから白って好ましい。
上部側１は、（１）Ｘ線を良く透過し、Ｌ ｈ）も、（
２）光導電層が分光感度をもつ波長域の光を透過しない
性質をもつことが必豐である。
２）光導電層が分光感度をもつ波長域の光を透過しない
性質をもつことが必豐である。
前記（１）の性質はセンサーのＸ縁検出効率をとげるた
めに必蓋であり、前記（２）の性質は、センサーの暗電
流（Ｘ線非照射時にセンサーを流れる電波ンを低減する
ために必貴である。
めに必蓋であり、前記（２）の性質は、センサーの暗電
流（Ｘ線非照射時にセンサーを流れる電波ンを低減する
ために必貴である。
本発明に用いる上部１１ｍｍ１は、Ｃｒ ＃ Ａｌ 、
Ｎｉ 。
Ｎｉ 。
Ａｎ のいずれか一つ、又はそれらの合金から構成す
ることができる。
ることができる。
また、本発明の光導電体層２としては、水素をドープし
たｉ型黒定をシリコンの単層、もしくは透明電極層４と
の界面に同期ｌＩＩ長第三族冗糸、好ましくはＢをドー
プした無足型シリコン（Ｐ型）鳩を設けたものが適して
いる。なお、恢者の吻合、′Ｐ型層の厚みは０．０５〜
１．０μｍでよく、轡に０１μｍ−１，０μｍが協まし
い。光導電体層全体のＬＩＬみは１μｍ〜１０μｍが望
まし、い。
たｉ型黒定をシリコンの単層、もしくは透明電極層４と
の界面に同期ｌＩＩ長第三族冗糸、好ましくはＢをドー
プした無足型シリコン（Ｐ型）鳩を設けたものが適して
いる。なお、恢者の吻合、′Ｐ型層の厚みは０．０５〜
１．０μｍでよく、轡に０１μｍ−１，０μｍが協まし
い。光導電体層全体のＬＩＬみは１μｍ〜１０μｍが望
まし、い。
動作時に、上部電極ｌから入射したＸ線ビーム１３のほ
とんどは、光導電体！−２および透明電極層４を透過し
、最下層の螢光体層５まで到達する。
とんどは、光導電体！−２および透明電極層４を透過し
、最下層の螢光体層５まで到達する。
周昶のように、螢光体層５は、＃紀Ｘ縁１３と相互作用
して螢光を発生する。’ Ｉ、／’、−” ＋１
ｊｅ導電体層２に達する。光導電体層２は、前記螢光を
吸収し、その内部に電子−正孔対な発生する。
して螢光を発生する。’ Ｉ、／’、−” ＋１
ｊｅ導電体層２に達する。光導電体層２は、前記螢光を
吸収し、その内部に電子−正孔対な発生する。
それ故に、Ｅ部電惚１と透明電極層４との間に、電場（
図示せ＃″）を印加すれば、光電流を外部に取り出すこ
とができる。
図示せ＃″）を印加すれば、光電流を外部に取り出すこ
とができる。
なお、この場合、上部電極１１６よび透明電極層４のい
ずれか一方を前述のように分割することに上り、各セグ
メント毎の検出が可能となり、解像度の同上をはかるこ
とができる。
ずれか一方を前述のように分割することに上り、各セグ
メント毎の検出が可能となり、解像度の同上をはかるこ
とができる。
また、ｈｓ電他ｌを透光性にする方法としては、金−電
極を成る＠度厚く −即ち、Ｘ線は透過し、可視光は適
地させる程度の厚みに、７１ｉＴＩ１１１！することが
考えられる１、 上記の構成を有するセンサーを多数配置したセンサーア
レイから得られる電気信号は、明らかなように、被写体
ｌＯのＸ線峡収度の分布を示すものである。それ故に、
公知の手法にしたがって。
極を成る＠度厚く −即ち、Ｘ線は透過し、可視光は適
地させる程度の厚みに、７１ｉＴＩ１１１！することが
考えられる１、 上記の構成を有するセンサーを多数配置したセンサーア
レイから得られる電気信号は、明らかなように、被写体
ｌＯのＸ線峡収度の分布を示すものである。それ故に、
公知の手法にしたがって。
これをコンピューター処理すれば、被写体の＃鳩僚が得
られる。
られる。
前述のように、ｆｔ、４電体層２として、水本をドープ
したアモルファスシリコンＳｉ：Ｈを使用し、透明電ｍ
１ｍ４との界面に、Ｐ型アモルファスシリコン層を介在
させると、その部分の光感度が同上し−したがって、光
導電層全体としての光感度も向とする事が判明した。
したアモルファスシリコンＳｉ：Ｈを使用し、透明電ｍ
１ｍ４との界面に、Ｐ型アモルファスシリコン層を介在
させると、その部分の光感度が同上し−したがって、光
導電層全体としての光感度も向とする事が判明した。
また、支持体６と螢光体層５の間に光反射ｍ（図示せず
）を設け、螢光体層５の＠党を、すべて光導電体層２の
側へ指向させるようにすれば、Ｘ線検出感度をなお−１
−同上させることができる。
）を設け、螢光体層５の＠党を、すべて光導電体層２の
側へ指向させるようにすれば、Ｘ線検出感度をなお−１
−同上させることができる。
また、本発明の構成では、分割上部電極ｌまたは透明１
１億増４として、８本／ｍのパターン、すなわち［１＃
！＋１を得ることは容易である。したがって、本発明に
よれば、従来方式の場合の解像度が、１Ｉｉｋｌ木２閣
＠１であったものに比較して、着しい解４Ｍ１１の向上
が１１！現される。
１億増４として、８本／ｍのパターン、すなわち［１＃
！＋１を得ることは容易である。したがって、本発明に
よれば、従来方式の場合の解像度が、１Ｉｉｋｌ木２閣
＠１であったものに比較して、着しい解４Ｍ１１の向上
が１１！現される。
なお、以とではＸ線１３が上部電極１の匈から入射され
る例について述べたが、反対に、支持体６の−から入射
されてもよいことは明らかである。
る例について述べたが、反対に、支持体６の−から入射
されてもよいことは明らかである。
第３図は、本発明の他の実施例の断面図である。
同図において、第２図と同一の符号は同一または同等部
分なあられしている。
分なあられしている。
第２図との対比から明らかなように、この実施例は、第
２図の実施例において、螢光体層５と透明電極層４との
間に透明絶縁層４５を設け、さらに、透明電極層４に接
する光導電体（８１：Ｈ）層２の一部領域２人を、ＰＷ
ｉ化したものである。
２図の実施例において、螢光体層５と透明電極層４との
間に透明絶縁層４５を設け、さらに、透明電極層４に接
する光導電体（８１：Ｈ）層２の一部領域２人を、ＰＷ
ｉ化したものである。
前記絶縁層４５は螢光体Ｎ５の劣化防止に有用であり、
また、Ｐ型層２人は＾い光感度を有しているので、光導
電体層２全、体としての光感度の向上Ｉ【役立つ。
また、Ｐ型層２人は＾い光感度を有しているので、光導
電体層２全、体としての光感度の向上Ｉ【役立つ。
この実ＩＮ’ｆ＋Ｉは、具体的には次のような構成とす
ることができる。
ることができる。
支持体６・・・アルミ薄板
螢光体層５・・・ＧｄＯ，Ｓ：Ｔｂ
透明絶縁層４５・・・Ｓｉｎ！ｅ Ｓｔ、Ｎ４ など
（厚みは１００λ〜３μｍ） 透明電極層４・・・厚さ８００λのＩｎ１Ｏ＠をリフト
オフ法で分割したもの。
（厚みは１００λ〜３μｍ） 透明電極層４・・・厚さ８００λのＩｎ１Ｏ＠をリフト
オフ法で分割したもの。
Ｐｍ党導電体層２人・・・プラズマＣＶＤ法により、Ｐ
をドープしたアモルファ スシリコン８ｉＣＨ層を堆積 （厚みは０．２杵ｍ）したも の。
をドープしたアモルファ スシリコン８ｉＣＨ層を堆積 （厚みは０．２杵ｍ）したも の。
光導電体Ｈｋ２ ・・・プラズマＣＶＤ法により、ア
モ、ＪレファスシリコンＳ１： Ｈ層を堆積（厚みは３μｍ） したもの。
モ、ＪレファスシリコンＳ１： Ｈ層を堆積（厚みは３μｍ） したもの。
上部電ｍ １ −Ｃｒｌｌ躾（厚みは５０００λ）を
電子ビームＪｌｋ着法で付け たもの。
電子ビームＪｌｋ着法で付け たもの。
１ｓ４図は、本祐明のさらに他の実施例の−「−図であ
る。同図において、ｇａ図と同一の符号は同一または１
町等部分をあられしている。
る。同図において、ｇａ図と同一の符号は同一または１
町等部分をあられしている。
第３図との対比から明らかなように、この実施例は、第
３図の実施例において、透明電極層４とＰ型化した′ｙ
ｔ４電体鳩２Ａとの間＋Ｃ、ブロッキング４２Ｂを、さ
らに形成したものである。
３図の実施例において、透明電極層４とＰ型化した′ｙ
ｔ４電体鳩２Ａとの間＋Ｃ、ブロッキング４２Ｂを、さ
らに形成したものである。
ブロッキング層２３としてはＳｔ、Ｎ４などが好適であ
る。前記Ｓｉ、Ｎ、層は、プラズマＣＶＤ法によって構
成することができ、厚さは約３００Ｘ極度でよい。
る。前記Ｓｉ、Ｎ、層は、プラズマＣＶＤ法によって構
成することができ、厚さは約３００Ｘ極度でよい。
このブロッキングｊｉｉｉ２Ｂのそう人により、光電流
の＃、衰を増加させずに、その暗電Ａ（Ｘ線非照射時に
センサーを流れる電流）を更に減少させることが可能に
なる。それ故に、良好なＸ＠感度と共に、良好なＳ／Ｎ
比を得ることができる。
の＃、衰を増加させずに、その暗電Ａ（Ｘ線非照射時に
センサーを流れる電流）を更に減少させることが可能に
なる。それ故に、良好なＸ＠感度と共に、良好なＳ／Ｎ
比を得ることができる。
以上６ζ説明した本発明の構成では、分割された上部電
極１または透明電極層４として８本／謔のパターン、す
なわち解像度を得ることは容易である。したがって、本
発明によれば、従来方式の場合のＰｓ儂度が、１１４１
２腸程度であったものに比較して、着しいＳ像度の向上
が実現される。
極１または透明電極層４として８本／謔のパターン、す
なわち解像度を得ることは容易である。したがって、本
発明によれば、従来方式の場合のＰｓ儂度が、１１４１
２腸程度であったものに比較して、着しいＳ像度の向上
が実現される。
なお、以上ではＸ線１３が上部電極１の側から入射され
る列について述べたが、反対に、支持体らの側から入射
されてもよいことは明らかである。
る列について述べたが、反対に、支持体らの側から入射
されてもよいことは明らかである。
なお、以上の説明から容易に埴解されるように、本発明
においＣは、光導電体層２の透明電極層４に接する部分
に設けるＰドープ−域、光導電体層２とｉＩ！明電極層
４との間に押入されるブロッキング層２３、透明電極層
４と螢光体階号との間に押入される透明絶縁層４５、螢
光坏層５と透光性支持体６との間に仲人される光反射層
などは、いずれも任意選択的に仲人したり、挿入しなか
ったりすることができるものである。
においＣは、光導電体層２の透明電極層４に接する部分
に設けるＰドープ−域、光導電体層２とｉＩ！明電極層
４との間に押入されるブロッキング層２３、透明電極層
４と螢光体階号との間に押入される透明絶縁層４５、螢
光坏層５と透光性支持体６との間に仲人される光反射層
などは、いずれも任意選択的に仲人したり、挿入しなか
ったりすることができるものである。
また、ブロッキング層２３は、上部電極１と光導電体層
２との間に押入されてもよい。さらｌζ、上５１１１極
１を支持体として爺用し、その上に順次、螢光体層２．
透明１を極層４．螢光体層５などを横端すれば支持体６
を省略することができる。
２との間に押入されてもよい。さらｌζ、上５１１１極
１を支持体として爺用し、その上に順次、螢光体層２．
透明１を極層４．螢光体層５などを横端すれば支持体６
を省略することができる。
第１図はＸ線ＣＴスキャナの原塩を示す槓略図、第２図
１ｉ本発明の一実施例の断面図、第３図は本発明の他の
４１！施例の断面図、第４図は本発明のさら＋ｃ ｍの
Ｊｌ！施例の断面図である。 ｌ・・・上部電極、２，２Ａ・・・光導電体層、４・・
・透明亀他層、５・・・螢光体層、６・・・照光性支持
体、２３・・・ブロッキング層、４５・・・透明絶縁層
代坦人弁理士 平 木 道 人 外１名 ＋３図 ｆ４図
１ｉ本発明の一実施例の断面図、第３図は本発明の他の
４１！施例の断面図、第４図は本発明のさら＋ｃ ｍの
Ｊｌ！施例の断面図である。 ｌ・・・上部電極、２，２Ａ・・・光導電体層、４・・
・透明亀他層、５・・・螢光体層、６・・・照光性支持
体、２３・・・ブロッキング層、４５・・・透明絶縁層
代坦人弁理士 平 木 道 人 外１名 ＋３図 ｆ４図
Claims (5)
- （１）ｍ光性の上部電極と、光導電体層と、透明電極層
と、螢光体層とを、前記の順序Ｋ１１１層し、そのりず
れかの匈からＸＩＩを入射させるように構成されたこと
を特徴とする薄膜型固体Ｘ線センサー。 - （２） 上部電極およびａａ電極層のいずれか一方が
分割電極であることを特徴とする特許 範凹＃１項記載の薄膜製同体Ｘ線センサー。 - （３） 透明電極に＠接する個の光導電体層領域の部
分が＾不純物議に化された仁とを肴徽とするｌＩＩＩ紀
％ト餉求の範囲第１１′Ｉｔ．は諷２項記載の薄膜型固
体Ｘ線センサー。 - （４） 遮光性の上部電極と、光導電体層と、透明電
極層と、透Ｉ！ｉ４絶縁層と、螢光体層とを、ｌｉｆｌ
紀の順序κ積層し、そのいずれかの側からＸ線を入射さ
せ６ｇうに構成され九ことを％黴とする薄膜製固体Ｘ線
センサー。 - （５） 遮光性の上部電極と、光導電体層と、ブロッ
キング層と、透明電極層と、透明絶縁層と、螢光体層と
を、ｌ１！ｌ記の順序に積層し、七の―ずれかの備から
ＸＩｉを入射させるように構成されたことを４１徴とす
る薄膜製固体Ｘ線センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019753A JPS58137782A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 薄膜型固体ｘ線センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019753A JPS58137782A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 薄膜型固体ｘ線センサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137782A true JPS58137782A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH0467350B2 JPH0467350B2 (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=12008096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019753A Granted JPS58137782A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 薄膜型固体ｘ線センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271881A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| FR2623019A1 (fr) * | 1987-11-10 | 1989-05-12 | Thomson Csf | Dispositif de prise d'image radiologique |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4978493A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-07-29 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57019753A patent/JPS58137782A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4978493A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-07-29 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271881A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| FR2623019A1 (fr) * | 1987-11-10 | 1989-05-12 | Thomson Csf | Dispositif de prise d'image radiologique |
| US4940901A (en) * | 1987-11-10 | 1990-07-10 | Thomson-Csf | X-ray imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467350B2 (ja) | 1992-10-28 |
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