DE3811313C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3811313C2
DE3811313C2 DE3811313A DE3811313A DE3811313C2 DE 3811313 C2 DE3811313 C2 DE 3811313C2 DE 3811313 A DE3811313 A DE 3811313A DE 3811313 A DE3811313 A DE 3811313A DE 3811313 C2 DE3811313 C2 DE 3811313C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
housing
thick
metal layer
film pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3811313A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3811313A1 (de
Inventor
Horst Dipl.-Ing. 8206 Bruckmuehl De Riedelbauch
Siegfried 8016 Feldkirchen De Guber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conti Temic Microelectronic GmbH
Original Assignee
Messerschmitt Bolkow Blohm AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Messerschmitt Bolkow Blohm AG filed Critical Messerschmitt Bolkow Blohm AG
Priority to DE3811313A priority Critical patent/DE3811313A1/de
Priority to FR8900216A priority patent/FR2629664B1/fr
Publication of DE3811313A1 publication Critical patent/DE3811313A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3811313C2 publication Critical patent/DE3811313C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0091—Housing specially adapted for small components
    • H05K5/0095—Housing specially adapted for small components hermetically-sealed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Gehäuse für das hermetische Kapseln von Hybrid-Schaltungen, insbesondere für elektronische oder optronische Dickschichtschaltungen auf einem isolierten Substrat, das zugleich den Gehäuseboden bildet, und an seinem äußeren Randbereich eine oder mehrere Schichten trägt, von denen wenigstens eine aus einem im thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten dem Substrat angepaßten Material zum Verbinden mit einem metallischen Bauteil besteht und daß auf dem Substrat auf der dem Innenraum abgekehrten Seite eine Metallschicht aufgebracht ist.
Derartige hermetisch und elektromagnetisch dichte Gehäuse für Hybridbausteine finden Anwendung vor allem in der Flugzeug- und Raumfahrtelektronik sowie in der Wehrtechnik. Es ist bekannt, Hybrid-Schaltungen aus passiven und aktiven elektronischen Bauteilen in einem metallischen Ge­ häuse unterzubringen und dieses unter Füllung mit Schutzgas dicht zu verschließen. Die Bauelemente sind dabei gemeinsam auf einem isolieren­ den, gesonderten Substrat aufgebracht. Das Substrat wird auf einen me­ tallischen Gehäuseboden aufgeklebt, der mit eingeglasten elektrischen Durchführungsstiften (Pins oder andere elektrische Verbindungspfosten) versehen ist. Die elektrischen Verbindungen bei Halbleiter-Bauelementen und Anschlußstiften des Gehäuses werden üblicherweise in Wire-Bond-Tech­ nik ausgeführt, wobei Probleme auftreten, sowohl hinsichtlich der Haft­ festigkeit der Verbindungen als auch wegen der erforderlichen Bewegungs­ freiheit, die die Montagewerkzeuge haben müssen.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift DE 35 27 818 A1 ist ein Gehäuse für einen Hybridschaltkreis bekannt mit reihenweise angeordneten Kontaktstiften mit Isolierdurchführungen durch einen Randbereich. Auch hierbei handelt es sich um Glasdurchführungen, deren Herstellung Probleme aufwirft. Ferner dient zur Fixierung der Schaltkreisträger am Gehäuseboden ein Kleber. Klebeverbindungen neigen zum Ausgasen und begrenzen daher temperaturmäßig den Einsatzbereich solcher Schaltungen.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift DE 36 04 882 A1 - von der im Ober­ begriff des Patentanspruchs 1 ausgegangen wird - ist eine Ausführung (Fig. 18) bekannt, bei der ein metallisches Bauteil (310) als Rahmen ausgeführt ist. Die elektrischen Anschlüsse (7) werden nach oben aus dem Deckel herausgeführt und deshalb ist das Vergießen des Moduls mit einer Hartvergußmasse (23) zwecks Isolation nötig. Das Vergießen des Gehäuse­ innenraumes mit Vergußmasse ist aufwendig, muß den Raum oberhalb des Rahmens vollständig ausfüllen und begrenzt ebenfalls den Einsatzbereich des Moduls temperaturmäßig. Ferner ist eine solche Abdichtung nicht als dampfdruckdicht anzusehen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Gehäuse zu schaffen mit vereinfachtem Aufbau und leichterer Herstellbarkeit, jedoch in hohem Qualitätsstandard insbesondere hinsichtlich der hergestellten Verbindungen und der Dicht­ heit des Gehäuses.
Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch die in Anspruch 1 aufgeführten Merkmale. Aus- und Weiterbildungen der Erfindung sind den weiteren Ansprüchen zu entnehmen.
Im Ausführungsbeispiel zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch das Gehäuse mit Hybrid-Schaltung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Hybrid-Schaltung;
Fig. 3 eine Unteransicht einer Durchkontaktierung;
Fig. 4 einen Querschnitt gemäß Fig. 3;
Fig. 5 eine Draufsicht gemäß Fig. 3.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, besteht das Gehäuse aus einem Gehäuseboden- Substrat 1 aus Isoliermaterial mit durchmetallisierten Bohrungen 4 und eingelöteten Anschlußstiften 3 und wird abgeschlossen von einem Metall­ deckel 2.
Um eine hermetische Dichtheit des Gehäuses zu erreichen, sind die Durch­ führungsbohrungen im Siebdruck beidseitig durchmetallisiert, wie Fig. 4 zeigt, und die Anschlußstifte werden mit einem hochschmelzenden Lot in die Metallisierungen eingelötet. Um eine elektromagnetisch dichte Ab­ schirmung zu erhalten, ist das Substrat 1 beschichtet: Es ist auf seiner Außenseite mit einer Metallschicht versehen, wobei die Durchführungen in der Schicht 5 ringförmig elektrisch isolierend ausgespart (bei 6 um die Lötaugen herum gemäß Fig. 3 beabstandet) sind, jedoch in mindestens einem Fall elektrischer Kontakt durch Nichtbeabstandung gegeben ist. Um den Metalldeckel 2 auf das Gehäuse aufbringen zu können, besitzt das Substrat 1 eine, die gesamte Hybrid-Anordnung einschließende, bis an den Rand reichende Metallisierung (7) aus einer oder mehreren Schichten, von denen wenigstens eine aus einem Material zur Verbindung mit dem Deckel 2 besteht.
Das Substrat 1, welches den Gehäuseboden bildet, ist aus einem Isolier­ material, wie Keramik oder Glas bestehend, wobei übliche elektrisch-iso­ lierende Werkstoffe, wie Aluminiumoxid, Aluminiumnitrit, Berilliumoxid, Magnesiumoxid oder ähnlich geeignete Substrate verwendet werden.
Wesentlich ist eine ausreichende Dichtheit und Temperaturbeständigkeit für die Zwecke der Erfindung, dies gilt auch für das zu verwendende Glas. Selbstverständlich kann auch Quarzglas, SiO2, oder eine Glas­ keramik oder eine Siliziumkeramik verwendet werden, wie Si3N4 oder SiC. Mischsubstrate sind anwendbar, ebenso bereits vorgefertigte, ein­ seitig metallisierte Keramik- oder Glassubstrate. Als Metall für den Deckel 2 werden mit der Keramik gut verbindbare Metalle bevorzugt, ins­ besondere eine Legierung, wie sie unter dem Handelsnamen "Kovar" erhält­ lich ist. Diese oder ähnliche Legierungen werden bevorzugt, weil sie einen der Keramik angeglichenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. Zur Verbindung des Deckels mit dem Substrat dient eine Lot­ schicht, insbesondere aus einem Zinnbasislot mit vorzugsweise Schmelz­ punkt von unter 200°C. Das Lot kann entweder direkt oder über eine oder mehrere Zwischenschichten mit dem Substrat 1 im Randbereich 7 verbunden werden. Diese eine oder mehrere Verbindungsschichten 7 sind vorzugsweise zusammen in einem Arbeitsgang mit der Dickschichtschaltung im Siebdruck auf der Oberseite des Substrats aufgebracht, vgl. Fig. 1 und Fig. 2. Selbstverständlich sind auch andere Materialien, wie sie zur Verbindung zwischen Metall und Metall-Keramik-Schichten und zur Verbindung zwischen Metall und Metall-Glas-Schichten bekannt sind, anwendbar. Dieses nämlich wird um etwa 150°C höher schmelzend gewählt, insbesonders ein Lot auf einer Bleibasis. Es gibt auch andere Lote mit Schmelzpunkten über 250°C, insbesonders 300°C bis 400°C, die geeignet sind. Bei der Wahl des Verbindungsmaterials sollte man beachten, daß beim hermetisch dich­ ten Verschließen des Gehäuses mit Hilfe des Deckels 2 frühere Kontaktie­ rungen, Lotverbindungen und andere Verbindungen (Bonddrähte) nicht mehr als notwendig erhitzt werden dürfen.
Bei der Herstellung wird zunächst auf dem Substrat 1, das als Gehäuse­ boden dient, die Dickschichtschaltung im Siebdruckverfahren mittels be­ kannter Dickschichtmaterialien aufgebracht, insbesondere unter Verwen­ dung edelmetallhaltiger Siebdruckpasten. Diese werden dann in einem ge­ eigneten Ofen eingebrannt, eine Einzelheit, wie die Durchtrittsmateria­ lien oder das Lot in die Bohrungen 4 eingebracht werden, um im Quer­ schnitt runde, quadratische oder rechteckige Pins 3 einzulöten, ist in Fig. 4 ersichtlich, dabei wird deutlich, daß die Durchmetallisierung von beiden Seiten des Substrats erfolgt. Auch diese Lotverbindung ist absolut dicht. Dann erfolgt mittels des SMD-Montageroboters (Surface Mounter Device) die Bestückung mit den Halbleiterbauelementen auf dem Dickschichtmuster 11. Deren Verbindungen können mittels Bonddrähten 10 vom Bauteil 8 zum Dickschichtmuster 11 erfolgen. In Verlängerung des Dickschichtmusters sind nach Fig. 5 Lötaugen auf der Innenraumseite des Substrats 1 entstanden.
Vorteile der Erfindung:
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß
  • - der Aufbau der Gehäuse vereinfacht ist,
  • - hohe Herstellungskosten für die Gehäuse gesenkt werden
  • - und hohe Werkzeugkosten für Sonderabmaße entfallen.
  • - Das kostspielige Einglasen der Durchführungsstifte entfällt,
  • - thermische Übergangswiderstände, wie sie beim Einkleben durch die Kleberschicht entstehen, fallen weg.
    Die Zuverlässigkeit wird erhöht durch Wegfall der Kleberausgasung.
  • - Die Wire-Bond-Verbindungen 10 vom Substrat 1 zu den Durchführungs­ stiften 3 entfallen, bzw. werden durch die viel zuverlässigeren siebgedruckten Leiterbahnverbindungen 11 ersetzt.
  • - Die Anschlußstifte können gegebenenfalls unmittelbar dort angebracht werden, wo sie gebraucht werden, d.h. optimal kurze elektrische Wege können von dem Bauteil heraus auf eine nicht dargestellte Träger­ platine für das Gehäuse erreicht werden,
  • - bei gleicher Grundfläche des Substrats steht mehr Platz für Leiter­ bahnen und Bauteile zur Verfügung,
  • - und insgesamt wird eine beträchtliche Gewichtseinsparung erreicht, da der Metallgehäuseboden entfällt.

Claims (5)

1. Gehäuse für das hermetische Kapseln von Hybrid-Schaltungen, ins­ besondere für elektronische oder optronische Dickschichtschaltungen, auf isolierten Substrat, das zugleich den Gehäuseboden bildet, und an seinem äußeren Randbereich eine oder mehrere Schichten trägt, von denen wenigstens eine aus einem in thermischen Ausdehnungskoeffizienten dem Substrat angepaßten Material zum Verbinden mit einem metallischen Bauteil besteht und daß auf dem Substrat auf der dem Innenraum abgekehrten Seite eine Metallschicht aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauteil ein Gehäusedeckel (2) ist und das Substrat (1) mit beidseitig durchmetallisierten, elektrischen Durchführungen (4) versehen ist, in die Anschlußstifte (3) einlötbar sind, wobei die Metallschicht (5) an den Durchführungen der Außenseite des Substrats (1) ringförmig (6) elektrisch isolierend ausgespart ist.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das den Boden bildende Substrat (1) aus Keramik besteht, die auf der dem Innen­ raum zugekehrten Seite das Dickschichtmuster (11) für monolithisch inte­ grierte Schaltkreise für passive und aktive elektronische Bauelemente (8, 9) trägt.
3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Dickschichtmuster (11) von der einen und die Metallschicht (5) von der anderen Seite des Substrats und die elektrischen Durchführungen (4) von beiden Seiten des Substrats im Siebdruckverfahren aufgebracht wird.
4. Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Lötaugen (nach Fig. 5) auf der der Metallschicht (5) abgekehrten Seite des Substrats (1) in Verlängerung des Dickschichtmusters (11) gebildet sind.
5. Gehäuse nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß alle Durchführungen (4) für die Anschlußstifte (3) innerhalb der Fläche des Substrats (1) und des Deckels (2) mit Abstand zum Außenrand derselben angeordnet sind.
DE3811313A 1988-04-02 1988-04-02 Gehaeuse fuer hybrid-schaltungen Granted DE3811313A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3811313A DE3811313A1 (de) 1988-04-02 1988-04-02 Gehaeuse fuer hybrid-schaltungen
FR8900216A FR2629664B1 (fr) 1988-04-02 1989-01-10 Boitier pour circuits hybrides

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3811313A DE3811313A1 (de) 1988-04-02 1988-04-02 Gehaeuse fuer hybrid-schaltungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3811313A1 DE3811313A1 (de) 1989-10-19
DE3811313C2 true DE3811313C2 (de) 1992-12-10

Family

ID=6351355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3811313A Granted DE3811313A1 (de) 1988-04-02 1988-04-02 Gehaeuse fuer hybrid-schaltungen

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE3811313A1 (de)
FR (1) FR2629664B1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19516548A1 (de) * 1995-05-05 1996-11-14 Blaupunkt Werke Gmbh Abdeckkappe für elektronisches Bauelement

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2654891A1 (fr) * 1989-11-20 1991-05-24 Alcatel Radiotelephone Blindage pour circuit radiofrequence.
DE3941680A1 (de) * 1989-12-18 1991-06-20 Telefunken Electronic Gmbh Kunststoffgehaeuse fuer elektronische bauteile
US5177595A (en) * 1990-10-29 1993-01-05 Hewlett-Packard Company Microchip with electrical element in sealed cavity
FI109960B (fi) * 1991-09-19 2002-10-31 Nokia Corp Elektroninen laite
DE4345594B4 (de) * 1993-06-14 2011-08-11 EMI-tec Elektronische Materialien GmbH, 12277 Verfahren zur Herstellung eines eine Abschirmung gegen elektromagnetische Abstrahlung aufweisenden Gehäuses
DE4436903C2 (de) * 1994-10-15 2003-10-30 Daimler Chrysler Ag Anordnung zur elektromagnetischen Abschirmung von elektronischen Schaltungen und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1361176A (en) * 1971-07-05 1974-07-24 Smiths Industries Ltd Electrical devices
CH660258A5 (de) * 1983-01-20 1987-03-31 Landis & Gyr Ag Keramikgehaeuse fuer einen hybridschaltkreis.
DE3527818A1 (de) * 1985-08-02 1987-02-26 Rose Elektrotech Gmbh Gehaeuse fuer einen hybridschaltkreis
DE3604882A1 (de) * 1986-02-15 1987-08-20 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19516548A1 (de) * 1995-05-05 1996-11-14 Blaupunkt Werke Gmbh Abdeckkappe für elektronisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
DE3811313A1 (de) 1989-10-19
FR2629664B1 (fr) 1993-12-03
FR2629664A1 (fr) 1989-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4608592A (en) Semiconductor device provided with a package for a semiconductor element having a plurality of electrodes to be applied with substantially same voltage
JP2021061412A (ja) 高周波モジュール
DE69027781T2 (de) Packung mit metallstiftmuster und dielektrischer polymerdichtung
US6262477B1 (en) Ball grid array electronic package
DE68910512T2 (de) Bei niedriger temperatur zusammengebrannte keramische packungen für integrierte mikrowellen- und millimeterwellen-galliumarsenid-schaltungen.
DE10013255B4 (de) Harzgekapselte elektronische Vorrichtung zur Verwendung in Brennkraftmaschinen
EP0302165B1 (de) Verfahren zum Einkapseln von mikroelektronischen Halbleiter- und Schichtschaltungen
JP4677991B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
EP1652232B1 (de) Multichip-Schaltungsmodul und Verfahren zur Herstellung hierzu
DE69028311T2 (de) Mehrlagenleiterrahmen für integrierte schaltungspackungen
EP0642166B1 (de) Auf Leiterplatten oberflächenmontierbares Multichip-Modul
DE102007017831B4 (de) Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
DE102008028757B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterchipanordnung
DE69015969T2 (de) Packung eines Hochfrequenz-Transistors mit Nickeloxidschutzschicht.
DE19601372A1 (de) Halbleitermodul
DE10033977A1 (de) Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern
CA2024784C (en) Stackable multilayer substrate for mounting integrated circuits
DE69923374T2 (de) Halbleitervorrichtung
DE2248303C2 (de) Halbleiterbauelement
CN107993985A (zh) 电子部件搭载用基板、电子装置以及电子模块
DE102004039229A1 (de) Bauelement-Anordnung mit einem Trägersubstrat
DE3811313C2 (de)
EP0592938A1 (de) Verfahren zur Montage und Kontaktierung von elektronischen Bauelementen auf einem isolierenden Träger
DE102010027313A1 (de) Trägervorrichtung für einen Halbleiterchip, elektronisches Bauelement mit einer Trägervorrichtung und optoelektronisches Bauelement mit einer Trägervorrichtung
US4818821A (en) Brazed leaded package

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DEUTSCHE AEROSPACE AG, 8000 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 74072 HEILB

8339 Ceased/non-payment of the annual fee