DE3784989D1 - Verfahren und vorrichtung zum pruefen der oberflaeche von halbleiterwafern mittels laserabtastung. - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum pruefen der oberflaeche von halbleiterwafern mittels laserabtastung.

Info

Publication number
DE3784989D1
DE3784989D1 DE8787112749T DE3784989T DE3784989D1 DE 3784989 D1 DE3784989 D1 DE 3784989D1 DE 8787112749 T DE8787112749 T DE 8787112749T DE 3784989 T DE3784989 T DE 3784989T DE 3784989 D1 DE3784989 D1 DE 3784989D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
testing
semiconductor wafers
scaning
laser
laser scaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE8787112749T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3784989T2 (de
Inventor
Motosuke C O Patent Di Miyoshi
Katsuya C O Patent Div Okumura
Shigeru C O Patent Divis Ogawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE3784989D1 publication Critical patent/DE3784989D1/de
Publication of DE3784989T2 publication Critical patent/DE3784989T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/10—Scanning
    • G01N2201/104—Mechano-optical scan, i.e. object and beam moving
    • G01N2201/1045—Spiral scan

Landscapes

  • Immunology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
DE8787112749T 1986-09-17 1987-09-01 Verfahren und vorrichtung zum pruefen der oberflaeche von halbleiterwafern mittels laserabtastung. Expired - Lifetime DE3784989T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61218434A JPS6373635A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 半導体ウエハ表面検査用レ−ザビ−ムの走査方法および走査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3784989D1 true DE3784989D1 (de) 1993-04-29
DE3784989T2 DE3784989T2 (de) 1993-08-05

Family

ID=16719850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8787112749T Expired - Lifetime DE3784989T2 (de) 1986-09-17 1987-09-01 Verfahren und vorrichtung zum pruefen der oberflaeche von halbleiterwafern mittels laserabtastung.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4800268A (de)
EP (1) EP0260522B1 (de)
JP (1) JPS6373635A (de)
KR (1) KR900007148B1 (de)
DE (1) DE3784989T2 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2563589B2 (ja) * 1989-06-28 1996-12-11 松下電子工業株式会社 異物検査装置
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US20040057044A1 (en) 1994-12-08 2004-03-25 Mehrdad Nikoonahad Scanning system for inspecting anamolies on surfaces
EP0979398B1 (de) 1996-06-04 2012-01-04 KLA-Tencor Corporation Optische rastervorrichtung fur oberflaechenpruefung
US7397042B2 (en) * 2005-08-24 2008-07-08 Dr. Chip Biotechnology Incorporation Optical detection apparatus and method thereof
WO2012049074A1 (en) 2010-10-13 2012-04-19 Mbda Uk Limited Workpiece positioning method and apparatus
US9965848B2 (en) * 2015-12-23 2018-05-08 Kla-Tencor Corporation Shape based grouping
JP6997566B2 (ja) * 2017-09-14 2022-01-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3790287A (en) * 1972-03-31 1974-02-05 Western Electric Co Surface inspection with scanned focused light beams
JPS4910739A (de) * 1972-05-26 1974-01-30
US4367952A (en) * 1981-03-30 1983-01-11 Polygram Gmbh Centering device for the manufacture of a center hole in disks
US4378159A (en) * 1981-03-30 1983-03-29 Tencor Instruments Scanning contaminant and defect detector
DE3147355C2 (de) * 1981-11-30 1986-05-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Justieren des Bezugssystems eines vorprogrammierbaren Strahlenablenksystems eines im Riesenimpulsbetrieb arbeitenden Lasergerätes
JPS59107513A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Toshiba Mach Co Ltd 電子ビ−ム描画装置の偏向電圧発生装置
JPH0616478B2 (ja) * 1983-12-19 1994-03-02 株式会社ニコン 投影露光装置の位置合せ装置
DE3422143A1 (de) * 1984-06-14 1985-12-19 Josef Prof. Dr. Bille Geraet zur wafer-inspektion
US4682037A (en) * 1984-07-10 1987-07-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus having an alignment light of a wavelength other than that of the exposure light
JPS61121437A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影型露光装置
DE3662731D1 (en) * 1985-02-04 1989-05-11 Olympus Optical Co Microscope apparatus for examining wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0567062B2 (de) 1993-09-24
EP0260522B1 (de) 1993-03-24
DE3784989T2 (de) 1993-08-05
KR900007148B1 (ko) 1990-09-29
EP0260522A2 (de) 1988-03-23
EP0260522A3 (en) 1990-04-25
KR880004548A (ko) 1988-06-07
JPS6373635A (ja) 1988-04-04
US4800268A (en) 1989-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3850926D1 (de) Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen.
DE69015511D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Halbleitersubstraten.
DE3764803D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum feststellen der identitaet und stellung von gegenstaenden.
DE3775417D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum nachweis von musterfehlern fuer mikroelektronische anordnungen.
DE69006353D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Spalten von Halbleiterplatten und Bekleiden der gespalteten Facetten.
DE3688725D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von feinkoernigem siliciummonoxid.
DE3588132D1 (de) Vorrichtung zum Scannen von Wafern
DE3771110D1 (de) Verfahren und geraet zum gruppieren von gegenstaenden.
DE3880781D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum foerdern eines gegenstandes mittels vibration.
DE58907710D1 (de) Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Siliciumscheiben.
DE3785978D1 (de) Geraet zum feststellen der raeumlichen anordnung eines elektronischen bauteils.
DE3773770D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von oberflaechen.
DE69711994D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Planheit von polierten Halbleiterscheiben
DE3769837D1 (de) Verfahren und apparat zum testen von halbleiterelementen.
DE3772490D1 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zum herstellen und testen derselben.
DE3280050D1 (de) Verfahren zum beschichten von halbleiterscheiben und vorrichtung dafuer.
DE3884585D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aendern der einstellung von ueberdruck-tellerventilen.
DE3851370D1 (de) Testvorrichtung zur Durchführung eines Realisierungsverfahrens von Halbleiterstrukturen.
DE3854893D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abschrägen der Kerbe eines Halbleiterplättchen
DE3784111D1 (de) Verfahren und geraet zum testen von wandlern.
DE3771416D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum mikroloeten.
DE68902126D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum verbinden von werkstuecken mittels hart- oder weichloeten.
DE3776821D1 (de) Vorrichtung und verfahren zum beschichten.
DE3684698D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum starten eines triebwerks.
DE3861296D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum betrieb von wirbelschicht-reaktoren.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)