DE3725615A1 - Tauchpyrometer zum messen hoher temperaturen - Google Patents

Tauchpyrometer zum messen hoher temperaturen

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Description

Die Erfindung betrifft ein Tauchpyrometer nach dem Oberbe­ griff des Anspruchs 1.
Derartige Tauchpyrometer werden insbesondere für das Messen der Temperaturen flüssiger Metalle verwendet.
Bei vielen industriellen und wissenschaftlichen Verfahren ist eine Messung und Kontrolle extrem hoher Temperaturen nötig. So ist beispielsweise die Messung der Temperatur ge­ schmolzener Metalle für eine geeignete Verfahrensführung bei der Metallherstellung wesentlich. Zwei der am meisten verwendeten Geräte für die Bestimmung der Temperaturen flüssiger Metalle sind das optische Pyrometer und die ent­ fernbare Thermoelement-Lanze. Das optische Pyrometer ar­ beitet nicht so genau, wie dies wünschenswert ist und kann lediglich die Oberflächentemperatur des flüssigen Metalls messen. Die bewegliche Thermoelement-Lanze ist ungenau. Sie erlaubt nicht die kontinuierliche Messung der Temperatur des flüssigen Materials und ihr Gebrauch wirft verschiedene Sicherheitsprobleme für die Bedienungsperson, welche sie benutzt, auf.
Als Folge der Nachteile sowohl des optischen Pyrometers als auch der jeweils einsetzbaren Thermoelement-Lanze sind er­ hebliche Anstrengungen zur Entwicklung eines Tauchpyrome­ ters gemacht worden, das langzeitig ständig Meßwerte lie­ fern soll. Bei einem Tauchpyrometer ist ein Thermoelement in einem Rohr aus Metall mit hohem Schmelzpunkt einge­ schlossen, welches mit einem keramischen Material, bei­ spielsweise Aluminiumoxid Al2O3 oder einer Mischung aus Aluminiumoxid und Chromoxid (Cr2O3) beschichtet ist. Die Schichten schützen das Metallrohr gegenüber der flüssigen Metallumgebung. Die Verwendung einer oder mehrerer kera­ mischer Schichten ist jedoch nicht befriedigend, da eine einfach oder mehrfach vorgesehene Keramikschicht zum Ab­ splittern neigt mit der Folge, daß das flüssige Metall die Metallhülse erreichen und angreifen kann. Die innere Me­ tallhülse kann dem Angriff durch die Schlacke und/oder das flüssige Metall nicht standhalten und wird zusammen mit dem eingeschlossenen Thermoelement schnell zerstört. Das Meß­ element, üblicherweise ein Edelmetall-Thermoelement, ist teuer und es ist wünschenswert, dieses vielfach benutzen zu können. Umhüllungen, welche für einen Schutz der Thermoele­ mente entwickelt sind, haben zu einem langsamen thermischen Meßverhalten geführt und dies macht die Entwicklungen für zahlreiche Anwendungszwecke ungeeignet.
In einer älteren amerikanischen Anmeldung (US Serial No. 7 75 183 vom 12. September 1985) wird eine Schutzhülle für ein Thermoelement beschrieben, welche schweren thermischen Schocks widerstehen kann und welche eine gute Widerstands­ fähigkeit gegenüber Korrosion und Erosion durch geschmol­ zene Metalle aufweist. Obwohl die Standzeit dieser Schutz­ hülle bereits relativ lang ist, ist es wünschenswert, die Standzeit noch weiter zu verbessern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Tauch­ pyrometer mit einer Umhüllung für ein Thermoelement zu schaffen, welches für eine möglichst lange Zeitdauer in einer Umgebung aus flüssigem Metall eingesetzt werden kann. Außerdem soll das Tauchpyrometer so ausgebildet sein, daß voneinander zu trennende innere und äußere Gehäuse für das Temperaturmeßelement vorgesehen sind. Das Tauchpyrometer soll eine Mehrzahl von Schutzschichten aufweisen und eine gute Ansprechempfindlichkeit besitzen. Das Tauchpyrometer soll schnell und genau möglichen Änderungen in der Temperatur der flüssigen Metallbäder folgen können.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt mit den Merkmalen des Kennzeichnungsteils von Anspruch 1.
Das erfindungsgemäße Tauchpyrometer kombiniert angemessene mechanische Dauerhaftigkeit mit einer guten Widerstands­ fähigkeit gegen Korrosion und Erosion in Anwesenheit von Schlacke und/oder flüssigen Metallen bei einer schnellen thermischen Ansprechempfindlichkeit. So kann beispielsweise eine Lebensdauer in flüssigem Metall von über 100 Stunden erzielt werden bei der Fähigkeit, innerhalb von 8 Minuten von Raumtemperatur auf 1565°C zu gehen. Diese Eigenschaften werden zudem noch mit vergleichsweise niedrigen Kosten erzielt. Dies hat seine Ursache darin, daß zwar das Temperaturmeßelement selbst sehr teuer ist, insbesondere wenn ein Thermoelement aus Edelmetall verwendet wird, daß aber das äußere Gehäuse die Metallröhre gegen eine Korrosion der Umgebung mit hoher Temperatur schützt. Als zusätzlicher Vorteil ist es anzusehen, daß für den Fall, daß das äußere Gehäuse ausfällt, die innere Hülle für eine lange Zeit einen Schutz für das darin befindliche Temperaturmeßelement gibt.
Das äußere Gehäuse kann in einen Bottich oder anderen Behälter für flüssiges Material eingebaut werden. Die innere Umhüllung, welche das Temperaturmeßelement enthält, kann bei Bedarf durch einen Bedienungsmann in das Gehäuse eingesetzt oder daraus entfernt werden. Wenn es nötig ist, das Thermoelement zu entfernen, während sich flüssiges Metall im Behälter befindet, können das Thermoelement und die innere Umhüllung sicher entfernt werden, da diese Teile nicht mit der Schmelze in Berührung stehen. Am Ende des Schmelzvorgangs kann beispielsweise die innere Umhüllung entfernt und in einen anderen Behälter eingesetzt werden.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der Er­ findung an der Zeichnung im einzelnen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Längsschnitt durch die innere Umhüllung und das äußere Gehäuse mit einer Zwischenschicht aus keramischem Material,
Fig. 2 einen Längsschnitt durch eine innere Umhüllung mit einem darin angeordneten Thermoelement,
Fig. 3 das teilweise geschlossene Ende, welches Details der Schutzschichten der inneren Umhüllung zeigt.
Fig. 1 zeigt, daß das Tauchpyrometer 1 eine innere Umhüllung 11 aufweist, welche ein nicht dargestelltes Temperaturmeßelement enthält. Die innere Umhüllung befindet sich im Zentrum eines äußeren Gehäuses 2. Eine Zwischenlage aus keramischem Vergußmaterial 6 ist zwischen der inneren Umhüllung 11 und dem äußeren Gehäuse 2 vorgesehen. Das Tauchpyrometer 1 ist zum Einsatz in eine Öffnung in den Wänden oder an der Oberseite eines Behälters geeignet, der flüssiges Metall enthält. Es kann mittels eines Flansches 4 am Behälter befestigt werden.
Die innere Umhüllung 11 muß hohe Festigkeit bei hohen Temperaturen besitzen. Hierzu dient die Verwendung entweder eines Metallrohrs oder eines mit Keramik oder Keramik-Metall-Gemisch (Cermet) beschichteten Metallrohrs. Als geeignete Metallrohre werden unter anderem solche aus Molybdän und Nickel-Chrom-Stahl wie rostfreie Stähle vorgeschlagen. Molybdän ist das bevorzugte Metall für unbeschichtete Rohre, da es vergleichsweise gering mit dem Material des äußeren Gehäuses reagiert.
Obwohl unbeschichtete Metallrohre verwendet werden können, wird vorzugsweise für die innere Umhüllung 11 ein mit Cermet beschichtetes Rohr verwendet. Der bevorzugte Aufbau ist in der amerikanischen Patentanmeldung Ser. No. 7 75 183 mit Anmeldetag vom 12. September 1985 beschrieben. Wie dies dort beschrieben und in den anliegenden Fig. 2 und 3 dargestellt ist, ist ein Metallrohr 12, vorzugsweise aus Molybdän, mit einer Mehrzahl von porösen, einzelnen Schichten 14 aus Keramik-Metall-Gemisch beschichtet und mit einer äußeren Schicht aus einer Keramik. Die einzelnen Cermetschichten sind dünne Schichten und enthalten Aluminiumoxid-Chromoxid (Al2O3-Cr2O3) und Molybdän in einer von innen nach außen abnehmenden Konzentration.
Das einseitig geschlossene Rohr 12 bildet einen Innenraum 13, welcher die Thermoelementverbindung bzw. Lötstelle 54 enthält. Die Thermoelementdrähte 50 und 52 verbinden den Anschlußkopf 62 mit der Meßstelle 54 und sind durch eine nicht dargestellte, zwei Bohrungen aufweisende Isolierung in der Umhüllung 11 gehalten. Der Anschlußkopf 62 kann nicht dargestellte Dichtungen aufweisen.
Das Metallrohr 12 wird durch bekannte Verfahren aus einem Metall oder einer Metallegierung hergestellt, welche die erforderlichen Eigenschaften aufweist, nämlich einen hohen Schmelzpunkt und hohe Festigkeit gegenüber hohen Tempera­ turen. Molybdän ist das Metall der Wahl zur Verwendung bei sehr hohen Temperaturen, und zwar wegen seiner exzellenten mechanischen Eigenschaften bei hohen Temperaturen. Die thermische Leitfähigkeit und die spezifische Wärme des Me­ talls des Metallrohres steuern die Temperaturerhöhung im Inneren des Metallrohrs und das Ergebnis sind milde Umge­ bungsbedingungen für das Thermoelement. Es kann auch Molyb­ dän verwendet werden, welches geringe Anteile von Titan und Zirkon enthält. Die entsprechende Legierung hat den Vor­ teil, daß ein stärkeres Metallrohr entsteht als wenn es ausschließlich aus Molybdän besteht, weil die Legierung eine Rekristallisation bei den interessierenden Tempera­ turen verhindert.
Auch Metallrohre aus rostfreiem Stahl sind relativ befrie­ digend zur Verwendung als innere Schutzhülle oder als Be­ standteil der inneren Schutzhülle, wenn Temperaturen von niedrigerschmelzenden Materialien gemessen werden sollen, beispielsweise Aluminium oder Messing. Rostfreier Stahl hat einen Kostenvorteil gegenüber Molybdän und aus diesem Grund kann er in einigen Anwendungsfällen das Metall der Wahl für das Metallrohr sein. Obwohl auch andere Metalle als Molyb­ dän oder Molybdän-Legierungen für das Metallrohr verwendet werden können, wie dies vorstehend erläutert wurde, wird das Metallrohr 12 nachstehend zur Vereinfachung als Molyb­ dänrohr angesprochen. Es ist selbstverständlich möglich, auch andere geeignete Materialien anstelle von Molybdän vorzusehen.
Obwohl Molybdän einen sehr hohen Schmelzpunkt aufweist, oxidiert es bei hohen Temperaturen sehr rasch.
Molybdän wird auch durch chemisch aggressive Gase an­ gegriffen, die in der Umgebung einer Metallschmelze vor­ handen sind. Aus diesem Grund muß eine Schutzschicht ver­ wendet werden, um das Molybdän-Rohr gegenüber der Umgebung zu schützen, wenn es entweder innerhalb oder außerhalb des äußeren Gehäuses 2 liegt.
Das Molybdän-Rohr wird vorzugsweise durch eine Beschichtung geschützt, welche eine Mehrzahl von porösen Lagen aus einem Keramik-Metall-Gemisch, nämlich Aluminiumoxid-Chromoxid- Molybdän aufweist, welche auf die äußere Oberfläche des Metallrohrs mit Hilfe eines Lichtbogen-Plasma-Sprühver­ fahrens aufgebracht werden.
Es ist übliche Praxis beim Aufbringen keramischer Be­ schichtungen auf Träger, die aus Keramik oder Metall bestehen, die thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Auftragsmaterials und des Trägers zur Deckung zu bringen, um die thermischen Beanspruchungen, welche aus Temperatur­ änderungen resultieren und welche die Beschichtungen er­ weichen und schließlich zerstören werden, möglichst gering zu halten.
Damit die thermischen Expansionskoeffizienten der Be­ schichtungen mit den Trägermaterialien zusammenpassen, ergeben sich jedoch scharfe Beschränkungen in der Wahl des Materials, welches effektiv für Beschichtungen be­ nutzt werden kann. Bei einer bevorzugten Ausführungs­ form der Erfindung wird aus den Abweichungen in der thermischen Expansion zwischen dem keramischen Material und dem Molybdän ein Vorteil in der Weise gezogen, daß man gesteuerte thermisch-mechanische Belastungen erzeugt, welche feine, gut steuerbare Mikrorisse in der Be­ schichtung erzeugen. Solche Haarrisse sind in Fig. 3 mit Bezugszeichen 15 bezeichnet. Das Entstehen solcher Haarrisse oder Feinrisse führt mit einer geeignet großen Porosität in den Schutzschichten zu einem Schutzschild, welches einen sehr guten Widerstand gegen Thermoschocks ebenso wie eine exzellente chemische Dauerhaftigkeit in aggressiven Umgebungen hat.
Die porösen Schichten aus Cermet, insbesondere Aluminium­ oxid -Chromoxid-Molybdän kann direkt auf die äußere Oberfläche des Metallrohrs 12 aufgebracht werden. Dieses Metallrohr ist vorzugsweise aufgerauht, beispielsweise durch Sandstrahlen, um die Adhäsion der Schutzschicht zu verbessern. Bei einem bevorzugten Verfahren zur Her­ stellung des Tauchpyrometers wird jedoch die äußere Oberfläche des Metallrohrs 12 zunächst mit einer porösen Schicht aus Molybdän 16 gebildet, welche aus Molybdän- Pulver gebildet ist. Das Molybdän-Pulver wird mit dem Lichtbogen-Plasma-Sprühverfahren auf die Oberfläche des Metallrohrs 12 aufgesprüht.
Fig. 3 zeigt die aus Einzelschichten ausgebildete Schutzschicht 14. Sie besteht aus einer porösen Verbindungs­ schicht 16 aus Molybdän, auf die poröse Cermet-Schichten 18, 20 und 22 aufgebracht sind und eine Mischung aus Aluminiumoxid-Chromoxid-Molybdän enthalten. Das Molybdän ist in von innen nach außen abnehmenden Konzentrationen in den verschiedenen Schichten enthalten. Die äußere Schicht 24 besteht nahezu vollständig aus Aluminium­ oxid-Chromoxid.
Das Aluminiumoxid-Chromoxid kann Chrom in einer Konzentration von ca. 10 Mol% bis ca. 30 Mol% enthalten. Vorzugsweise enthält das Aluminiumoxid-Chromoxid-Pulver Chromoxid im Bereich von ca. 20 Mol%. Aluminiumoxid-Chromoxid (Al2O3- Cr2O3), das ca. 20 Mol% Chromoxid enthält, hat einen thermischen Expansionskoeffizienten von ca. 8 Teilen pro Million pro °C.
Das Molybdän hat einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von annähernd 5,4 Teilen pro Million und °C. Dies führt zu einem Unterschied in den thermischen Expansions­ koeffizienten von 45% zwischen der Keramik und dem Molybdän.
Das Aluminiumoxid und das Chromoxid können durch mechanisches Mischen von Aluminiumoxid-Pulver und Chromoxid-Pulver zubereitet werden. Das bevorzugte Material ist jedoch ein Pulver, das vollständig durch sekundäre Erhitzung reagiert hat.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der inneren Schutz­ hülle wird die erste Schicht auf dem Molybdän-Träger aus Molybdän-Pulver gebildet. Nachfolgende Schichten haben eine abnehmende Konzentration an Molybdän und eine zunehmende Konzentration an Keramik. Die Außenschicht besteht zu 100% aus Keramik. Da das Ausmaß der Verände­ rungen in den Zusammensetzungen von Schicht zu Schicht nicht kritisch ist, erfolgt bei einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung des Tauchpyrometers die Konzentrationsänderung des Molybdäns in einem geradzahligen Volumen/%-Verhältnis von der inneren Schicht zu den äußeren Schichten.
Während die Zahl der Schichten aus Keramik-Metall-Gemisch von zwei bis zehn betragen kann und vorzugsweise von drei bis neun, erweist es sich jedoch, daß es nur geringe Vor­ teile mit sich bringt, wenn man über fünf Schichten ver­ wendet. Außerdem steigen die Kosten zur Herstellung der inneren Hülle mit der Anzahl der verwendeten Lagen.
Bei einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung der Um­ hüllung besteht die Schutzschicht 14 aus fünf Schichten, beginnend mit 100 Vol% Molybdän in der ersten Schicht, gefolgt von 75 bis 25 Vol% Keramik für die zweite Schicht, 50 Vol% Molybdän-50 Vol% Keramik für die dritte Schicht, 25 Vol% Molybdän-75 Vol% Keramik für die vierte Schicht und 100 Vol% Keramik für die fünfte Schicht.
Die Gesamtdicke der aufgebrachten verschiedenen Schichten kann von ca. 0,5 mm bis ca. 1 mm variieren.
Bei einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung des Tauch­ pyrometers hat die poröse Molybdän-Schicht, die auf dem Molybdän-Rohr liegt, ebenso wie jede der folgenden porösen Keramik-Metall-Gemisch-Schichten eine Dicke von ca. 0,05 mm bis 0,1 mm. Die äußere keramische Schicht hat eine Dicke von ca. 0,4 mm bis ca. 0,6 mm. Eine genaue Kontrolle der Dicken der verschiedenen Schichten ist nicht wesent­ lich zur Erzeugung einer inneren Hülle, welche keramischen Schocks widerstehen kann. Bei einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung des Tauchpyrometers hat jedoch jede der Schichten aus Molybdän und Keramik-Metall-Gemisch annähernd die gleiche Dicke, beispielsweise ca. 0,07 mm.
Es ist wesentlich, daß die Cermet-Schichten eine Porosität von ca. 4 bis ca. 33% haben. Der bevorzugte Bereich der Porosität beträgt ca. 15 bis 30% und das Optimum liegt in der Größenordnung von 20 bis 25%. Die Wirkung der Poren ist nicht vollständig geklärt, es ist anzunehmen, daß die Poren die Ausdehnung des Materials in den Schichten begünstigen, wenn diese einer Umgebung mit hoher Temperatur ausgesetzt werden. Die Bestimmung der angegebenen Porosität erfolgt durch optische Mikroskopie mit Hilfe üblicher stereologischer Technik.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Erzeugung der gewünschten Porosität besteht darin, daß man die Molybdän-Schicht, die Keramik-Metall-Gemisch-Schichten und die Keramik- Schichten mittels eines Plasma-Lichtbogen-Sprühverfahrens aufbringt. Dieses Verfahren hat sich als besonders günstig erwiesen, weil es die Kontrolle der kritischen Parameter, nämlich der Oberflächenstruktur und der Porosität der Schichten, erlaubt. Der Porositätsgrad einer metallischen, keramischen oder Keramik-Metall-Gemisch-Schicht beim Plasmasprühen wird in erster Linie durch die Verfahrens­ parameter bestimmt. Hierzu gehören die eingesetzte Energie für den Lichtbogen, die zugeführte Pulvermenge, der Abstand und der Winkel der Trägeroberfläche von dem Sprühstutzen und die Bewegungsgeschwindigkeit des Sprüh­ stutzens über die Trägeroberfläche.
Der Energieeinsatz liegt üblicherweise im Bereich von ca. 15 bis 45 kW, das bevorzugte Energieniveau der einge­ setzten Energie beträgt ca. 30 bis 40 kW. Eine Absenkung der eingesetzten Energiemenge führt zu einer Vergrößerung der Porosität in der aufgebrachten Schutzschicht.
Die zugeführte Pulvermenge kann im Bereich von ca. 2,5 bis 4,5 Kilo Pulver pro Stunde betragen. Eine Verminderung der Pulverzuführrate verringert die Porosität der aufge­ sprühten Schicht.
Der Sprühstutzen wird vorzugsweise in einem Abstand von 5 cm bis ca. 16 cm von der Oberfläche des Trägers gehalten. Die Porosität der aufgebrachten Schicht wächst mit einem Anwachsen der Distanz zwischen Sprühstutzen und Träger.
Der Winkel der aufgesprühten Teilchen beträgt, bezogen auf eine senkrecht zu dem zu besprühenden Teil liegende Achse, bis zu 30°, der bevorzugte Winkelbereich liegt zwischen 0° bis ca. 10°. Die Porosität wächst mit dem Auftragswinkel. Die Auftragsgeschwindigkeit des Sprüh­ stutzens auf der Trägeroberfläche kann von ca. 10 cm bis ca. 30 cm pro Sekunde betragen. Die Porosität wächst mit der zunehmenden Auftragsgeschwindigkeit.
Bei einem bevorzugten Verfahren wird der Träger beim Besprühen gedreht. Eine typische Drehgeschwindigkeit beträgt ca. 600 Umdrehungen pro Minute für einen rohr­ förmigen Träger von ca. 1,25 cm.
Zum Ausführen des Beschichtungsverfahrens sollte der Träger aufgeheizt werden, vorzugsweise auf eine Temperatur im Bereich von ca. 90°C bis ca. 260°C. Obwohl eine Änderung der Trägertemperatur den Porositätsgrad verändern kann, erscheint dieser Einfluß eher gering. Auch die Art und Stärke der Plasmagase haben geringe Auswirkungen auf die Steuerung des Porositätsgrades. Übliche Gase sind ein Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff im Volumen-Verhältnis Stickstoff : Wasserstoff von ca. 4:1 bis 8:1. Typische zweckmäßige Ausströmraten betragen 70 bis 100 ltr pro Minute für Stickstoff und 8,6 bis 17 ltr pro Minute für Wasser­ stoff.
Wie dies aus Fig. 1 ersichtlich ist, dient das äußere Gehäuse 2 zum Schutz der innenliegenden Teile vor flüssigem Metall und Schlackenschicht. Das äußere Gehäuse 2 ist aus einer Mischung aus Graphit und einem Metalloxid herge­ stellt. Typische geeignete Mischungen sind Aluminiumoxid- Graphit-Siliciumoxid, Zirkonoxid-Graphit, Magnesiumoxid- Graphit oder irgendwelche Kombinationen daraus. Die Konzentration des Graphits ist so ausgewählt, daß eine gute Wärmeleitfähigkeit für das Gehäuse erzeugt wird und sie kann im Bereich zwischen ca. 10 bis 35 Gew% liegen. Die Konzentration des Graphit liegt vorzugsweise im Bereich von ca. 25 bis ca. 35 Gew%.
Das äußere Gehäuse 2 ist an einem Ende geschlossen und besitzt eine Höhlung 3 für die innere Umhüllung 11. Die Ausnehmung 3 hat ein unteres engeres Ende und ein oberes weiteres Ende 9. Sie ist so ausgebildet, daß sie dicht um die Spitze der inneren Umhüllung 11 herumpaßt und hat einen Wärmeweg von niedrigem Wärmewiderstand zur inneren Umhüllung 11 und zur Thermoelement-Meßstelle 54.
Die Dimensionen der Wände, welche die Höhlung 3 bilden, sind so ausgewählt, daß sie gutes thermisches Ansprech­ verhalten mit langer Lebensdauer kombinieren. Wenn die Wände zu dünn sind, ist die Lebensdauer kurz und wenn die Wände zu dick sind, ist das thermische Ansprechverhalten zu schlecht. Eine Wandstärke von weniger als 6 mm ist zu wenig und zu zerbrechlich, während eine Wandstärke am Ende von 25 mm oder darüber zu einem schlechten thermischen Ansprechverhalten führt. Die bevorzugte Dicke der Stirnwand beträgt 6 mm bis 12 mm und die optimale Dicke beträgt ca. 12 mm. Die seitliche Wandstärke sollte nicht geringer als 12 mm sein und ist vorzugsweise von 12 bis 25 mm dick.
Die Ausnehmung 3 muß sich weit genug vom Ende des Gehäuses erstrecken, um das Thermoelement 54 zu umgeben. Je größer die Tiefe der Ausnehmung desto besser ist das thermische Ansprechverhalten. Eine Tiefe von ca. 30 cm. vom unteren Ende 7 zum oberen Ende 9 wird die praktisch obere Grenze sein, wenn man die Herstellungskosten von langen schlanken Ausnehmungen berücksichtigt und der praktische Bereich reicht von einer Tiefe von ca. 1,25 cm bis zu ca. 30 cm. Die bevorzugte Tiefe beträgt ca. 5 cm.
Während die innere Ausnehmung 3 so ausgelegt ist, daß sie eng um die Spitze der Umhüllung paßt, hat bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung der äußere Bereich 5 der Ausnehmung im Gehäuse 2 einen Durchmesser, der größer als der der Umhüllung ist. Dieser Bereich 5 hat vorzugsweise einen Durchmesser, der ca. 12 mm bis ca. 25 mm größer ist als der Durchmesser der Umhüllung.
Die innere Umhüllung 11 wird innerhalb des Gehäuses 2 in einem Abstand durch gießbares oder schmelzbares Aluminiumoxid 6 gehalten. Eine Ausnehmung mit geeigneten Abmessungen für die innere Umhüllung wird gebildet, indem man in die Ausnehmung des äußeren Gehäuses einen Gußhilfskörper ein­ setzt, welcher die gleiche Größe und Form wie die innere Umhüllung aufweist.
Es wird dann eine schmelzfähige oder gießfähige feuerfeste Masse, beispielsweise Aluminiumoxid, in die verbleibende ringförmige Höhlung gepackt, bis diese vollständig gefüllt ist. Danach wird der Füllkörper entfernt und die Thermo­ elementeinrichtung in die nach Entfernen des Hilfskörpers verbliebene Ausnehmung eingesetzt. Für ein angemessenes thermisches Ansprechverhalten muß die Spitze der inneren Hülse in direktem thermischen Kontakt mit dem äußeren Ge­ häuse stehen. Demzufolge sollte das gießfähige oder schmelzfähige feuerfeste Material aus der Ausnehmung 6 am Boden des äußeren Gehäuses ferngehalten werden.
Das Graphit dient zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit des Gehäuses und seine Anwesenheit in der Mischung führt zu einem guten thermischen Ansprechverhalten. Die Konzentration des Graphits kann in gewisser Weise von der Umgebung ab­ hängen, der das Gehäuse ausgesetzt ist. So ist beispiels­ weise Zirkonoxid ein ausgezeichnetes Metalloxid zur Ver­ wendung in Verbindung mit Schlacke. Damit die vollen Vorteile aus den Eigenschaften von Zirkonoxid ausgenutzt werden, kann die Konzentration des Graphits relativ gering gehalten werden, beispielsweise von ca. 10% bis ca. 20%. Als typisch ist die Konzentration des Graphits in der Metalloxid-Graphit-Mischung im Bereich von ca. 20% bis ca. 35% anzusehen und vorzugsweise liegt die Konzentration im Bereich von ca. 25% bis ca. 30%.
Die Metalloxide Aluminiumoxid, Zirkonoxid oder Magnesium­ oxid oder Mischungen dieser Metalloxide können im wesent­ lichen die Reste der Mischung bilden oder auch andere Hochtemperaturmaterialien wie beispielsweise SiC und SiO2 können in Anteilen von ca. 15 bis 20% vorhanden sein.
Feuerfeste Materialien und Strukturen, welche Zusammen­ setzungen aufweisen, wie sie vorstehend genannt wurden, sind handelsüblich und einige von diesen können zur Ver­ wendung bei der vorliegenden Erfindung verändert werden. Die nachstehende Tabelle zeigt die chemische Zusammen­ setzung einiger dieser feuerfesten Materialien:
Zusammensetzung in %
Wie vorstehend ausgeführt, kann ein unbeschichtetes Molybdän­ rohr als innere Umhüllung verwendet werden. Ein unbe­ schichtetes Molybdänrohr hat den Vorteil gegenüber be­ schichteten Rohren, daß es preisgünstiger ist und daß der Angriff in der Umgebung des Graphit enthaltenden äußeren Gehäuses beispielsweise in der Nähe der Spitze, welche in die Ausnehmung 3 eingesetzt ist, beschränkt ist. Ein Kontakt des Molybdänrohrs mit dem feuerfesten Oxid- Graphit-Material des äußeren Gehäuses führt zu einer gut kontrollierbaren Aufkohlung der Oberfläche des Molybdän­ rohrs. Die Bildung einer Karbid-Oxid-Oberfläche auf dem Molybdänrohr verringert den weiteren Abbau des Rohrs und führt zu einer selbstheilenden Oberflächenschicht, welche eine lange Lebensdauer der Oberfläche erlaubt, beispiels­ weise über 100 Stunden. Die bevorzugte Methode ist die Verwendung einer keramischen Schutzschicht, da sogar dann, wenn das äußere Gehäuse versagt, das Meßelement selbst durch die keramische Beschichtung gegenüber dem flüssigen Metall geschützt ist.
Nachfolgend ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung im einzelnen beschrieben:
Beispiel
Ein Molybdänrohr mit einer Wandstärke von 2,8 mm, einem Durchmesser von ca. 13 mm und einer Länge von ca. 30 cm wird gereinigt, entfettet und seine äußere Oberfläche sandgestrahlt mit feinkörnigem Aluminiumoxid. Das so vorbehandelte Rohr, welches fertig für die Beschichtung ist, wird auf eine Temperatur von ca. 150° gebracht und, während es mit 600 U/min rotiert, im Lichtbogen-Plasma- Sprühverfahren mit Molybdän-Pulver besprüht zur Bildung einer porösen Schicht, die 0,08 mm dick ist. Das Sprühen wird ausgeführt durch Zuführen von Molybdän-Pulver mit einer Menge von 3,5 kg/Std in einem Bogen mit einer Mischung von 85% Stickstoff und 15% Wasserstoff und einer Leistung von 35 kW. Der Sprühstutzen wird ca. 10 cm von der äußeren Oberfläche des sich drehenden Metallrohrs gehalten und parallel zu der Rohrachse mit einer Ge­ schwindigkeit von ca. 20 cm/Sek. bewegt. Der Sprühstutzen wird in einem solchen Winkel gehalten, daß die ge­ schmolzenen Partikel des Molybdäns die äußere Oberfläche des Rohrs unter einem Winkel von 10° von einer Linie treffen, die senkrecht zu der Achse verläuft.
Das mit einer porösen Molybdän-Schicht beschichtete Metall­ rohr wird auf eine Temperatur von ca. 150°C erwärmt und besprüht zur Bildung einer porösen Cermetschicht oben auf die poröse Molybdänschicht. Hierzu wird ein Pulver benutzt, welches aus 75 Vol% von Molybdän und 25 Vol% von Aluminiumoxid-Chromoxid besteht. Das Mol-Verhältnis von Aluminiumoxid zu Chromoxid beträgt 4:1.
Auf eine Schicht in der Dicke von 0,08 mm, welche aus 50 Vol% Molybdän und 50 Vol% Aluminiumoxid-Chromoxid besteht, folgt eine Schicht in der Dicke von 0,08 mm aus 25 Vol% Molybdän und 75 Vol% Aluminiumoxid-Chromoxid. Danach folgt eine Schicht in einer Dicke von 0,5 mm aus im wesentlichen reinem Aluminiumoxid-Chromoxid. Alle diese Schichten sind unter den gleichen Bedingungen wie sie die vorhergehenden Schichten aufwiesen, im Plasma- Sprühverfahren auf das rotierende Rohr aufgesprüht worden.
Jede der porösen Schichten hat eine Porosität im Bereich von 20 bis 25%. Zwischen jedem Beschichtungsschritt wird das Rohr auf ca. 150°C aufgeheizt.
Das äußere Gehäuse für die entstandene innere Umhüllung wird aus einer Pulvermischung gebildet, welche aus Aluminiumoxid-Graphit-Siliciumoxid in den Anteilen von 52 Vol% Aluminiumoxid, 32 Vol% Graphit und 13 Vol% Siliciumoxid besteht. Die Mischung, welche ein Bindemittel enthält, wird isostatisch um einen Dorn gepreßt zur Bildung eines Bereichs, der die Gestalt des Elements 2 aufweist, wie dies in Fig. 1 dargestellt ist. Nach dem Pressen wird der resultierende grüne Block gebrannt, damit das Material zusammenschmilzt. Nach dem anfäng­ lichen Brennen wird das Gehäuse an seiner Außenseite mit einem Gemisch aus Glasmasse oder Porzellanmasse beschichtet und anschließend zur Bildung einer glasigen Deckschicht erneut gebrannt. Diese Deckschicht dient dazu, die Oxidation des Graphits zu verhindern. Ein Guß­ dorn, welcher geringfügig größer als die innere Hülle ist, wird in die Ausnehmung eingesetzt und ein gießbares oder schmelzbares Aluminiumoxid wird dann in den sich ergebenden Ringraum gefüllt, bis dieser vollständig ausgefüllt ist. Es wird darauf geachtet, daß kein Aluminiumoxid in die Ausnehmung am Boden des äußeren Gehäuses gerät. Danach wird der Gußdorn, welcher mit einem Entformungsmittel be­ schichtet ist, entfernt. Das Gehäuse wird 24 Stunden lang luftgetrocknet und dann bei 357°C für weitere 24 Stunden gebrannt. Anschließend wird die Thermoelementeinrichtung in die Öffnung eingesetzt, die sich durch das Entfernen des Dorns ergeben hat.

Claims (19)

1. Tauchpyrometer zum Messen hoher Temperaturen, insbesondere für flüssige Metalle, dadurch gekennzeichnet, daß es ein äußeres, zum Schutz dienendes Gehäuse (2) für eine Temperaturmeßeinrichtung (11, 54) aufweist, welches Seiten­ wände und Stirnwände besitzt, wobei die Wände äußere Ober­ flächen zum Kontakt mit flüssigen, in hohen Temperaturen vorliegenden Medien aufweisen, wobei im Inneren des Gehäuses eine Ausnehmung (3) mit Innenwänden vorgesehen ist und die Ausnehmung (3) einseitig offen zum Einsetzen und Entfernen der Temperaturmeßeinrichtung (11, 54) ausgebildet ist, wobei das Gehäuse (3) feuerfestes Metalloxid und Graphit enthält und Graphit in ausreichend hoher Konzentration vorgesehen ist, damit eine gute Wärmeleitung zwischen der äußeren Oberfläche des Gehäuses und den Innenwänden der Ausnehmung (3) gewähr­ leistet ist.
2. Tauchpyrometer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Temperaturmeßelement (11, 54) eine Umhüllung (11) auf­ weist, die ein Thermoelement (54) umschließt und diese Um­ hüllung (11) ein einseitig geschlossenes Metallrohr (12) auf­ weist, wobei das Thermoelement (54) in der Nähe des ge­ schlossenen Endes der Umhüllung (11) angeordnet ist.
3. Tauchpyrometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das geschlossene Ende der Umhüllung (11) in engem Kontakt mit einem Teil der inneren Oberfläche der Ausnehmung (3) liegt, wobei der Rest des feuerfest ausgebildeten Metallrohrs (12) mit Abstand von der inneren Oberfläche der Aus­ nehmung (3) angeordnet ist und der Raum zwischen der inneren Umhüllung (11) und der inneren Oberfläche der Ausnehmung (3) im wesentlichen mit feuerfestem Metall­ oxid (6) ausgefüllt ist.
4. Tauchpyrometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das feuerfeste Metalloxid Aluminiumoxid ist.
5. Tauchpyrometer nach Ansprch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (3) und die Umhüllung (3) runde Quer­ schnitte aufweisen und daß die Ausnehmung (3) eine kleinere Querschnittfläche an dem inneren geschlossenen Ende als am äußeren offenen Ende aufweist, wobei der Querschnitt am inneren geschlossenen Ende annähernd gleich ist dem Querschnitt in der Nähe des geschlossenen Endes der Umhüllung (11).
6. Tauchpyrometer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des Bereichs der Ausnehmung (3), welche den kleineren Querschnitt aufweist, von ca. 1,2 cm bis ca. 30 cm beträgt.
7. Tauchpyrometer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich der Ausnehmung (3), welcher den kleineren Querschnitt aufweist, ca. 1,2 cm bis ca. 5 cm beträgt.
8. Tauchpyrometer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Ausnehmung (3) an deren äußerer Öffnung ca. 3 mm bis ca. 25 mm größer ist als der Durchmesser der Umhüllung (11).
9. Tauchpyrometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das äußere Gehäuse (2) Graphit in einer Konzentration von ca. 10 bis 35 Gew.% enthält.
10. Tauchpyrometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das äußere Gehäuse (2) Graphit in einer Konzentration von ca. 25 Gew.% bis ca. 30 Gew.% enthält.
11. Tauchpyrometer nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung (11) ein einseitig geschlossenes feuer­ festes Metallrohr (12) enthält, welches mit einer Mehr­ zahl von porösen Keramik-Metall-Gemisch-Schichten (18; 20; 22) bedeckt ist, wobei die Keramik-Metall- Gemisch-Schichten im wesentlichen aus Aluminiumoxid- Chromoxid-Molybdän bestehen, die eine Porosität von ca. 5% bis ca. 33% aufweisen, wobei eine Beschichtung (24) aus im wesentlichen reinem Aluminiumoxid-Chromoxid die äußere Keramik-Metall-Gemisch-Schicht (22) abdeckt, wobei diese Keramik-Schicht (24) eine Porosität von ca. 4% bis ca. 33% aufweist.
12. Tauchpyrometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallrohr (12) Molybdän enthält.
13. Tauchpyrometer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallrohr (12) Metall enthält aus der Gruppe, die Kohlenstoffstahl und Nickel-Chrom-Legierungen um­ faßt.
14. Tauchpyrometer nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Wanddicke am geschlossenen Ende des Gehäuses (2) im Bereich von ca. 6 mm bis ca. 25 mm liegt.
15. Tauchpyrometer nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Wanddicke des Gehäuses (2) am geschlossenen Ende im Bereich von ca. 6 mm bis ca. 12 mm liegt.
16. Tauchpyrometer nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil des Bereichs der Seitenwände, welche in der Nähe der Stirnwand liegen, eine Dicke von ca. 12 mm bis ca. 25 mm aufweist.
17. Tauchpyrometer nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (3) einen kleineren Querschnitt im der Stirnwand benachbarten Bereich aufweist als an der offenen Seite.
18. Tauchpyrometer nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Bereich mit einem geringeren Querschnitt über einen Abstand von ca. 12 mm bis ca. 30 cm von der Stirnwand (7) erstreckt.
19. Tauchpyrometer nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich mit dem geringeren Querschnitt sich über eine Länge von ca. 5 cm von der Stirnwand (7) erstreckt.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4207317A1 (de) * 1992-03-06 1993-09-09 Heraeus Electro Nite Int Vorrichtung zur messung der temperatur von metallschmelzen
EP2015039A2 (de) 2007-07-13 2009-01-14 Dieter Kutzner Schutzhülle für ein Temperaturmesselement

Families Citing this family (357)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977001A (en) * 1986-08-01 1990-12-11 Vesuvius Crucible Company Protective cladding for a molybdenum substrate
JPH0648217B2 (ja) * 1987-12-24 1994-06-22 川惣電機工業株式会社 溶融金属の連続測温装置
JPH06229838A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Tokyo Yogyo Co Ltd 溶融金属温度測定用イマージョン熱電対
US5360269A (en) * 1989-05-10 1994-11-01 Tokyo Kogyo Kabushiki Kaisha Immersion-type temperature measuring apparatus using thermocouple
US5069553A (en) * 1989-12-04 1991-12-03 Vesuvius Crucible Company Protective sheath for a continuous measurement thermocouple
DE4016404A1 (de) * 1990-05-22 1991-11-28 Koertvelyessy Laszlo Fluessigstahl-thermoelement mit linearer drift
CA2088675A1 (en) * 1990-08-02 1992-02-03 Alfred R. Brenholts Thermocouple equipped with ceramic insulator and sheath and method of making same
US5071258A (en) * 1991-02-01 1991-12-10 Vesuvius Crucible Company Thermocouple assembly
US5232286A (en) * 1991-04-10 1993-08-03 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Energy, Mines And Resources Long lasting thermocouple for high temperature measurements of liquid metals, mattes and slags
DE9109308U1 (de) * 1991-07-27 1992-11-26 Hoechst Ag, 65929 Frankfurt Temperaturmeßvorrichtung
US5197805A (en) * 1991-09-30 1993-03-30 Pyromation, Inc. Temperature sensor protection tube
CA2103782A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-01 Robert Frank Tammera Aerodynamic instrumentation probe
US5302027A (en) * 1992-10-22 1994-04-12 Vesuvius Crucible Company Refractory sight tube for optical temperature measuring device
US5382093A (en) * 1993-02-22 1995-01-17 Gay Engineering & Sales Co., Inc. Removable temperature measuring device
US5456761A (en) * 1993-07-15 1995-10-10 Alcan International Limited High temperature and abrasion resistant temperature measuring device
US5520461A (en) * 1994-03-02 1996-05-28 Alliedsignal Inc. Airtight thermocouple probe
US5474618A (en) * 1994-04-19 1995-12-12 Rdc Controle Ltee Protective ceramic device for immersion pyrometer
US5596134A (en) * 1995-04-10 1997-01-21 Defense Research Technologies, Inc. Continuous oxygen content monitor
GB2303247A (en) * 1995-07-12 1997-02-12 Cookson Group Plc Improvements in thermocouples
JP2904066B2 (ja) * 1995-08-31 1999-06-14 松下電器産業株式会社 温度センサ及びその製造方法
US5827474A (en) * 1997-01-02 1998-10-27 Vesuvius Crucible Company Apparatus and method for measuring the depth of molten steel and slag
US6679627B1 (en) 1997-11-04 2004-01-20 Rdc Controle Ltee Self-floating device for measuring the temperature of liquids
KR19990066851A (ko) * 1998-01-12 1999-08-16 카와무라 히데오 금속용탕 온도측정용 열전대
US6059453A (en) * 1998-04-20 2000-05-09 Rosemount Inc. Temperature probe with sapphire thermowell
AU777791C (en) * 1999-08-16 2005-05-26 Temperature Management Systems (Proprietary) Limited Metallurgical thermocouple
US6354734B1 (en) * 1999-11-04 2002-03-12 Kvaerner Oilfield Products, Inc. Apparatus for accurate temperature and pressure measurement
EP1298423A1 (de) * 2001-10-01 2003-04-02 Vesuvius Crucible Company Pyrometer
DE102004032561B3 (de) * 2004-07-05 2006-02-09 Heraeus Electro-Nite International N.V. Behälter für Metallschmelze sowie Verwendung des Behälters
EP1677087A1 (de) * 2004-12-21 2006-07-05 Vesuvius Crucible Company Thermoelementeinheit und Verfahren zu deren Verwendung
GB2428517A (en) * 2005-07-21 2007-01-31 Weston Aerospace Ltd Ceramic thermocouple
DE102005040311B3 (de) * 2005-08-24 2006-10-26 Heraeus Electro-Nite International N.V. Vorrichtung zur Temperaturmessung in Metallschmelzen
JP2008145244A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Sukegawa Electric Co Ltd 熱電対
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
DE102007036693A1 (de) * 2007-08-03 2009-02-05 Abb Ag Thermometer mit auswechselbarem Messeinsatz und Verfahren zum Austausch desselben
US20090047439A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Withers James C Method and apparatus for manufacturing porous articles
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR200452731Y1 (ko) * 2008-11-25 2011-03-22 주식회사 우진 원자력 발전소형 측온 장치
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
DE102009008554B3 (de) * 2009-02-12 2010-08-26 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Temperaturmesseinrichtung
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8540424B2 (en) * 2009-12-18 2013-09-24 Covidien Lp Cover for shaft of electronic thermometer probe
CN102095517B (zh) * 2010-11-26 2012-07-25 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 基于表面改性钨铼热电偶的高温温度传感器
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
JP5584658B2 (ja) * 2011-07-11 2014-09-03 トヨタ自動車株式会社 金属溶湯検知センサのメンテナンス方法
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
DE102012004987B4 (de) 2012-03-14 2014-03-06 Heraeus Electro-Nite International N.V. Vorrichtung zur Temperaturmessung in Metallschmelzen
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9671291B2 (en) 2013-11-08 2017-06-06 Ccpi Inc. Non-contact temperature measurement in molten metal applications
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
GB2543319A (en) * 2015-10-14 2017-04-19 Heraeus Electro Nite Int Cored wire, method and device for the production
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102180976B1 (ko) 2018-09-14 2020-11-19 이진균 치과 임플란트 매식체 제거용 겸자
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE7419633U (de) * 1974-10-31 Schuiling Metall Chemie Bv Vorrichtung zur thermoelektrischen Temperaturmessung
DE2325607B2 (de) * 1973-05-19 1976-04-29 Gusseisenschutzrohr fuer thermoelemente
US3990860A (en) * 1975-11-20 1976-11-09 Nasa High temperature oxidation resistant cermet compositions
DE1773710B2 (de) * 1967-06-26 1977-08-25 The Carborundum Co, Niagara Falls, N.Y. (V.StA.) Schutzrohr mit hoher bestaendigkeit gegen geschmolzenes metall
US4721534A (en) * 1985-09-12 1988-01-26 System Planning Corporation Immersion pyrometer

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2655550A (en) * 1951-05-29 1953-10-13 Olin Ind Inc Melting furnace with thermocouple reception means
US3250125A (en) * 1961-04-06 1966-05-10 Bonn Leonard Hot metal temperature measuring device and temperature measuring method
US3106493A (en) * 1961-05-05 1963-10-08 Gen Electric Thermocouple
US3610045A (en) * 1965-04-01 1971-10-05 Ajax Magnethermic Corp Thermocouples
GB1164431A (en) * 1966-01-18 1969-09-17 Pilkington Brothers Ltd Improvements relating to the Protection of Instruments Intended for Use at High Temperatures
CH452224A (de) * 1967-03-14 1968-05-31 Balzers Patent Beteilig Ag Temperatur- und Messeinrichtung für Vakuumöfen
US3580744A (en) * 1969-02-04 1971-05-25 Us Air Force Immersion thermocouple for atmospheric and vacuum environments
BE757488R (fr) * 1969-10-16 1971-03-16 Voest Ag Procede de mesure continue de la temperature de bains metalliques et sonde pour sa mise en
US3898555A (en) 1973-12-19 1975-08-05 Tempo Instr Inc Linear distance measuring device using a moveable magnet interacting with a sonic waveguide
US4530884A (en) * 1976-04-05 1985-07-23 Brunswick Corporation Ceramic-metal laminate
JPS5376975U (de) * 1976-11-30 1978-06-27
US4102708A (en) * 1977-01-18 1978-07-25 Sidbec-Dosco Ltee Self-healing thermocouple
JPS5845653B2 (ja) * 1977-03-01 1983-10-12 東芝セラミツクス株式会社 溶融金属連続測温用保護管およびその製造方法
CH641211A5 (en) * 1978-09-08 1984-02-15 Alusuisse Appliance for the continuous measurement of the temperature of electrolyte melts
US4206632A (en) * 1979-01-23 1980-06-10 Hirosuke Suzuki Liquid detecting device
JPS57101730A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Sumitomo Alum Smelt Co Ltd Protecting tube for measuring temperature of fused salt bath
US4390290A (en) * 1981-03-31 1983-06-28 The Perkin-Elmer Corporation Temperature sensor for a resistance furnace
JPS5819462U (ja) * 1981-07-29 1983-02-05 日本電池株式会社 ペ−スト式鉛蓄電池群
US4430518A (en) * 1981-11-30 1984-02-07 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Protecting tube for thermocouple
JPS5884539U (ja) * 1981-12-03 1983-06-08 三菱重工業株式会社 温度検出器
JPS58101148U (ja) * 1981-12-28 1983-07-09 川崎製鉄株式会社 熱電対保護管の接続構造
US4467134A (en) * 1983-06-30 1984-08-21 General Electric Company Thermocouple with out-of-line aspiration holes
JPS6168525A (ja) * 1984-09-12 1986-04-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 溶融金属連続測温計

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE7419633U (de) * 1974-10-31 Schuiling Metall Chemie Bv Vorrichtung zur thermoelektrischen Temperaturmessung
DE1773710B2 (de) * 1967-06-26 1977-08-25 The Carborundum Co, Niagara Falls, N.Y. (V.StA.) Schutzrohr mit hoher bestaendigkeit gegen geschmolzenes metall
DE2325607B2 (de) * 1973-05-19 1976-04-29 Gusseisenschutzrohr fuer thermoelemente
US3990860A (en) * 1975-11-20 1976-11-09 Nasa High temperature oxidation resistant cermet compositions
US4721534A (en) * 1985-09-12 1988-01-26 System Planning Corporation Immersion pyrometer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4207317A1 (de) * 1992-03-06 1993-09-09 Heraeus Electro Nite Int Vorrichtung zur messung der temperatur von metallschmelzen
DE4207317C3 (de) * 1992-03-06 2000-03-16 Heraeus Electro Nite Int Vorrichtung zur Messung der Temperatur von Metallschmelzen
EP2015039A2 (de) 2007-07-13 2009-01-14 Dieter Kutzner Schutzhülle für ein Temperaturmesselement
DE102007032694A1 (de) 2007-07-13 2009-01-22 Kutzner, Dieter, Dipl.-Ing. Schutzhülle für ein Temperaturmesselement

Also Published As

Publication number Publication date
US4721533A (en) 1988-01-26
KR880003174A (ko) 1988-05-14
IT1214415B (it) 1990-01-18
GB2193375A (en) 1988-02-03
FR2602332B1 (fr) 1992-02-14
JP2524733B2 (ja) 1996-08-14
DE3725615C3 (de) 2000-11-30
BE1001249A5 (fr) 1989-09-05
GB2193375B (en) 1990-01-17
CA1293137C (en) 1991-12-17
JPS6338123A (ja) 1988-02-18
DE3725615C2 (de) 1995-08-10
FR2602332A1 (fr) 1988-02-05
GB8702736D0 (en) 1987-03-11
IT8747693A0 (it) 1987-03-05
KR950013334B1 (ko) 1995-11-02

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