DE3685506T2

DE3685506T2 - Aktive filterschaltungen.

Info

Publication number: DE3685506T2
Application number: DE8686302276T
Authority: DE
Inventors: Tokuya C O Sony Corpora Fukuda; Shigeki C O Sony Corp Ishizuka; Noriyuki C O Sony Co Yamashita
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1985-03-29
Filing date: 1986-03-26
Publication date: 1993-01-28
Anticipated expiration: 2006-03-27
Also published as: DE3685506D1; ATE77021T1; CA1248186A; JPH0738557B2; EP0196883A3; KR940009398B1; EP0196883B1; KR860007780A; EP0196883A2; JPS61224715A; US4689580A

Description

Diese Erfindung betrifft aktive Filterstufen.
Früher vorgeschlagene aktive Filterstufen, die für eine Verwendung mit einem integrierten Halbleiterschaltkreis entwickelt wurden, der zur Verarbeitung eines Fernsehsignals und eines Videosignals diente, sind in Fig. 1 und 2 der beiliegenden Zeichnungen dargestellt.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel eines früher vorgeschlagenen Tiefpaßfilters. In Fig. 1 ist eine Seite einer Eingangssignalquelle 1 mit der Basis eines NPN-Transistors 2 verbunden, während die andere Seite der Eingangssignalquelle 1 an Masse liegt. Der Kollektor des Transistors 2 ist mit einem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden, an den eine positive Gleichspannung angelegt wird. Der Emitter des Transistors 2 liegt am Emitter eines NPN- Transistors 4, wobei der Verbindungspunkt zwischen den Emittern der Transistoren 2 und 4 über eine Konstantstromquelle 5, über die ein vorgegebener Strom I fließt, an Masse gelegt wird. Der Kollektor des Transistors 4 liegt über eine Konstantstromquelle 6 am Spannungsquellenanschluß 3. Weiters liegt der Kollektor des Transistors 4 über einen Kondensator 7, der eine Kapazität C besitzt, die eine Last darstellt, an Masse. Der Kollektor des Transistors 4 ist weiters mit der Basis eines NPN-Transistors 8 verbunden, der die Emitterfolgerstufe eines Rückkopplungskreises bildet. Der Kollektor des Transistors 8 liegt am Spannungsquellenanschluß 3, während der Emitter des Transistors 8 über eine Konstantstromquelle 9 an Masse liegt. Der Emitter des Transistors 8 ist weiters mit der Basis des Transistors 4 verbunden, wobei ein Ausgang 10 vom Emitter des Transistors 8 herausgeführt wird.
Prinzipiell bildet die aktive Filterstufe von Fig. 1 eine Primärfilterstufe mit einer Steilheit-(Gm)-Rückkopplung, wie sie Fig. 3 zeigt, wobei die Filterkennlinie H(ω) gekennzeichnet ist durch:
wobei re der Emitterwiderstand (re = kT/qI) der Transistoren 2 und 4 und ω die Winkelfrequenz ist.
Die Primärfilterstufe mit Gm-Rückkopplung von Fig. 3 soll nunmehr kurz beschrieben werden. Wenn der Pegel eines Eingangssignals, das an einem Eingang 1a liegt, mit L, der Verstärkungsfaktor eines Differentialverstärkers 2a mit (1/r), die an einen Spannungsquellenanschluß 3a gelegte Gleichspannung mit H, die Kapazität eines Kondensators 7 mit C und ein Ausgangspegel, der an einem Ausgang 10 erzeugt wird, mit X angenommen wird, ergeben sich folgende Beziehungen:
Fig. 2 zeigt ein anderes Beispiel eines früher vorgeschlagenen primären Tiefpaßfilters. Das primäre Tiefpaßfilter von Fig. 2 verwendet eine sogenannte Gilbert-Schaltung.
Nunmehr wird auf Fig. 2 Bezug genommen. Eine Seite einer Eingangssignalquelle 1 ist mit der Basis eines NPN-Transistors 11 verbunden, während das andere Ende der Quelle 1 an Masse liegt. Der Emitter des Transistors 11 liegt über eine Serienschaltung, die von einem Widerstand 12 mit dem Widerstandswert R und einer Konstantstromquelle 13 mit dem Strom I gebildet wird, an Masse. Der Kollektor des Transistors 11 ist mit dem Emitter eines NPN-Transistors 14 verbunden, dessen Kollektor an einem Spannungsquellenanschluß 3 liegt. Die Basis des Transistors 14 liegt über eine Batterie 15 an Masse. Der Kollektor des Transistors 11 ist mit der Basis eines NPN- Transistors 16 verbunden, dessen Kollektor über eine Konstantstromquelle 17 am Spannungsquellenanschluß 3 liegt. Der Emitter des Transistors 16 ist mit dem Emitter eines NPN-Transistors 18 verbunden, wobei der Verbindungspunkt zwischen den Emittern der Transistoren 17 und 18 über eine Konstantstromquelle 19, die einen konstanten Strom I besitzt, an Masse liegt. Der Kollektor des Transistors 18 ist mit dem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden. Die Basis des Transistors 18 liegt am Kollektor eines NPN-Transistors 20, dessen Emitter über einen Widerstand 21 mit dem Widerstandswert R am Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 12 und der Konstantstromquelle 13 liegt. Der Kollektor des Transistors 20 ist mit dem Emitter eines NPN-Transistors 22 verbunden, dessen Kollektor am Spannungsquellenanschluß 3 liegt. Die Basis des Transistors 22 ist mit der Basis des Transistors 14 verbunden. Der Kollektor des Transistors 16 liegt über einen Kondensator 7 mit der Kapazität C, die eine Last darstellt, an Masse. Weiters ist der Kollektor des Transistors 16 mit der Basis eines NPN-Transistors 23 verbunden, der die Emitterfolgerschaltung eines Rückkopplungskreises bildet. Der Kollektor des Transistors 23 ist mit dem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden, während der Emitter des Transistors 23 über eine Serienschaltung an Masse liegt, die von einem Widerstand 24 und einer Konstantstromquelle 25 gebildet wird. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 24 und der Konstantstromquelle 25 liegt an der Basis des Transistors 20, wobei ein Ausgang 10 vom Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 24 und der Konstantstromquelle 25 herausgeführt wird.
Im Prinzip bildet die aktive Filterstufe von Fig. 2 eine Primärfilterstufe mit einer Steilheit-(Gm)-Rückkopplung, wie dies Fig. 3 zeigt, wobei ihre Filterkennlinie H(ω) gekennzeichnet ist durch:
Wenn auch die Anzahl der Schaltelemente, die die aktive Filterstufe von Fig. 1 bilden, klein ist, ist der Dynamikbereich dieser aktiven Filterstufe mit Ire gegeben, wobei der Emitterwiderstand re des Transistors sehr klein ist, wodurch der Dynamikbereich dieser aktiven Filterstufe bezeichnend eng ist.
Da der Dynamikbereich der aktiven Filterstufe von Fig. 2 mit I(R + re) gegeben ist, kann andererseits dieser Dynamikbereich erweitert werden, wenn die entsprechenden Widerstandswerte R der Widerstände 12 und 21 angehoben werden. Da jedoch eine aktive Filterstufe, wie sie Fig. 2 zeigt, viele Schaltelemente erfordert, wird die Anzahl der darin verwendeten Schaltelemente weiter erhöht, wenn diese aktive Filterstufe in einer Großintegrationsschaltung verwendet wird, die eine Anzahl von aktiven Filterstufen verwendet.
Die UK-Veröffentlichung GB-A-2,033.182 (die der französischen Veröffentlichung FR-A-2,437.735 entspricht) offenbart eine aktive Filterstufe, die einen emittergekoppelten ersten und zweiten Transistor, eine Reaktanzschaltung, die mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, einen Ausgang, der mit einem Anschluß des zweiten Transistors verbunden ist, sowie einen Bezugspotentialanschluß enthält. Gemäß den verschiedenen Aufbauten, die in GB-A-2,033.182 geoffenbart sind, kann das Eingangssignal an die Basis des ersten Transistors oder an den Kollektor des zweiten Transistors über die Reaktanzschaltung gelegt werden.
Gemäß einem ersten Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird eine aktive Filterstufe geliefert, die enthält:
einen emittergekoppelten ersten und zweiten Transistor;
eine Reaktanzschaltung, die mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist;
einen Ausgang, der mit einem Anschluß des zweiten Transistors verbunden ist; und
einen Bezugspotentialanschluß;
dadurch gekennzeichnet, daß:
die Filterstufe einen emittergekoppelten dritten und vierten Transistor aufweist, wobei die Basis und der Kollektor des dritten Transistors mit der Basis des ersten Transistors verbunden sind, die Basis und der Kollektor des vierten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden sind, die Basis des ersten Transistors mit dem Emitter eines fünften Transistors über einen ersten Widerstand verbunden ist, die Basis des zweiten Transistors mit dem Emitter eines sechsten Transistors über einen zweiten Widerstand verbunden ist, und wobei der Kollektor des fünften und sechsten Transistors mit dem Bezugspotentialanschluß verbunden ist;
wobei die Filterstufe so aufgebaut ist, daß ein Eingangssignal an die Basis des fünften Transistors gelegt werden kann; und
wobei der Ausgang mit dem Kollektor des zweiten Transistors und der Basis des sechsten Transistors verbunden ist.
Gemäß einem zweiten Gesichtspunkt dieser Erfindung wird eine aktive Filterstufe geliefert, die enthält:
einen emittergekoppelten ersten und zweiten Transistor;
eine Reaktanzschaltung, die mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist;
wobei die Filterstufe so aufgebaut ist, daß ein Eingangssignal an den Kollektor des zweiten Transistors über die Reaktanzschaltung gelegt werden kann;
einen Ausgang, der mit einem Anschluß des zweiten Transistors verbunden ist; und
einen Bezugspotentialanschluß; dadurch gekennzeichnet, daß:
die Filterstufe einen emittergekoppelten dritten und vierten Transistor aufweist, wobei die Basis und der Kollektor des dritten Transistors mit der Basis des ersten Transistors verbunden sind, die Basis und der Kollektor des vierten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden sind, die Basis des ersten Transistors mit dem Emitter eines fünften Transistors über einen ersten Widerstand verbunden ist, die Basis des zweiten Transistors mit dem Emitter eines sechsten Transistors über einen zweiten Widerstand verbunden ist, und wobei der Kollektor des fünften und sechsten Transistors mit dem Bezugspotentialanschluß verbunden ist; und wobei der Ausgang mit dem Kollektor des zweiten Transistors und der Basis des sechsten Transistors verbunden ist.
Gemäß einem dritten Gesichtspunkt der Erfindung wird eine aktive Filterstufe gemäß dem oben erwähnten ersten Gesichtspunkt geliefert, die dadurch abgeändert ist, daß:
die aktive Filterstufe einen ersten und zweiten Hilfskreis enthält, wobei der erste Hilfskreis einen ersten bis sechsten Transistor, einen ersten und zweiten Widerstand sowie eine Reaktanzschaltung enthält, die miteinander und mit dem Bezugspotentialanschluß so verbunden sind, wie dies beim ersten Gesichtspunkt dargelegt wurde, und wobei der zweite Hilfskreis einen ersten bis sechsten Transistor, einen ersten und zweiten Widerstand sowie eine Reaktanzschaltung enthält, die miteinander und mit dem Bezugspotentialanschluß so verbunden sind, wie dies im ersten Gesichtspunkt dargelegt wurde;
wobei die Filterstufe so aufgebaut ist, daß ein Eingangssignal an die Basis des fünften Transistors des ersten Hilfskreises gelegt werden kann;
wobei der Kollektor des zweiten Transistors des ersten Hilfskreises mit der Basis des fünften Transistors des zweiten Hilfskreises verbunden ist; und
wobei der Ausgang mit dem Kollektor des zweiten Transistors des zweiten Hilfskreises und der Basis des sechsten Transistors des ersten und zweiten Hilfskreises verbunden ist.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung, die unten beschrieben werden, können so aufgebaut werden, daß sie eine aktive Filterstufe liefern, die folgende Vorteile besitzt:
ihr Dynamikbereich ist sehr breit;
die Anzahl von darin verwendeten Schaltelementen kann herabgesetzt werden; wenn die aktive Filterstufe in einem integrierten Halbleiterschaltkreis enthalten oder als solcher oder ähnlich ausgebildet wird, hängt die aktive Filterstufe nicht vom Innenwiderstand des integrierten Halbleiterschaltkreises ab;
die aktive Filterstufe kann einen guten Temperaturgang besitzen, wenn sie als integrierter Halbleiterschaltkreis ausgebildet wird; und
die aktive Filterstufe kann eine gleichförmige Filterkennlinie besitzen und einen ausgezeichneten Phasengang bei hohen Frequenzen sowie einen ausgezeichneten Frequenzgang aufweisen.
Die Erfindung wird nunmehr anhand eines beschreibenden und nicht einschränkenden Beispiels sowie im Zusammenhang mit den beiliegenden Zeichnungen beschrieben, in denen gleichartige Bauelemente und Bauteile mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind, und in denen zeigt:
Fig. 1 und 2 Schaltbilder, in denen Beispiele von entsprechenden früher vorgeschlagenen aktiven filterstufen dargestellt sind;
Fig. 3 das Schaltbild des Prinzips einer Primärfilterstufe mit Steilheit-(Gm)-Rückkopplung;
Fig. 4 das Schaltbild einer aktiven Filterstufe, die diese Erfindung verkörpert;
Fig. 5 das Schaltbild einer anderen aktiven Filterstufe, die diese Erfindung verkörpert und als Hochpaßfilter arbeitet; und
Fig. 6 das Schaltbild einer weiteren aktiven Filterstufe, die diese Erfindung verkörpert und als sekundäres Tiefpaßfilter arbeitet.
Eine aktive Filterstufe, die diese Erfindung verkörpert, wird nunmehr im Zusammenhang mit Fig. 4 beschrieben. In Fig. 4 sind Teile, die Teilen von Fig. 1 und 2 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen, wobei deren ausführliche Beschreibung nicht wiederholt wird.
Gemäß der Ausführungsform von Fig. 4 ist ein Ende der Eingangssignalquelle 1 mit der Basis eines NPN-Transistors 26 verbunden, während das andere Ende der Signalquelle 1 an Masse liegt. Der Kollektor des Transistors 26 ist mit dem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden, während der Emitter des Transistors 26 über einen Widerstand 27 mit dem Widerstandswert R&sub1; an einem Verbindungspunkt zwischen der Basis und dem Kollektor eines NPN- Transistors 28 (der eine Diode bildet) und weiters an der Basis eines NPN- Transistors 29 liegt. Die Transistoren 28 und 29 bilden einen Differentialverstärker. Der Emitter des Transistors 28 liegt über eine Konstantstromquelle 34 an Masse, die einen konstanten Strom I&sub1; besitzt. Der Kollektor des Transistors 29 ist mit dem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden, wobei der Emitter des Transistors 29 am Emitter eines NPN-Transistors 30 liegt, der zusammen mit dem Transistor 29 einen Differentialverstärker bildet. Der Verbindungspunkt zwischen den Emittern der Transistoren 29 und 30 wird über eine Konstantstromquelle 33, die einen konstanten Strom I&sub2; besitzt, an Masse gelegt. Der Kollektor des Transistors 30 ist über eine Konstantstromquelle 35 mit dem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden, während der Kollektor des Transistors 30 über den Kondensator 7, der eine Reaktanzschaltung bildet, die als Last dient, an Masse liegt. Der Ausgang 10 wird vom Kollektor des Transistors 30 herausgeführt, wobei der Kollektor mit der Basis eines NPN-Transistors 31 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 31 ist mit dem Spannungsquellenanschluß 3 verbunden, während der Emitter dieses Transistors 31 über einen Widerstand 32 mit dem Widerstandswert R&sub1; an einem Verbindungspunkt zwischen der Basis und dem Kollektor eines NPN-Transistors 36 (der eine Diode bildet) sowie an der Basis des Transistors 30 liegt. Der Emitter des Transistors 36 ist mit dem Emitter des Transistors 28 verbunden.
Die aktive Filterstufe von Fig. 4 bildet auch eine Primärfilterstufe mit Gm-Rückkopplung, die den Aufbau besitzt, der vereinfacht in Fig. 3 dargestellt ist. In Fig. 4 werden die Bedingungen erfüllt, daß Vin = L, Vout = X und 1/r = 1/(2R&sub1; + 4re) ist. Wenn I&sub1; = I&sub2; gilt, ergibt sich die Filterkennlinie (Hω) mit:
Damit stellt die aktive Filterstufe von Fig. 4 eine Tiefpaßfilterstufe dar, in der die Bedingung
ωc = 1/C (2R&sub1; + 4re)
erfüllt ist.
Wenn bei der aktiven Filterstufe von Fig. 4 der Strom I&sub1; als ein Strom genommen wird, der vom Innenwiderstand eines integrierten Halbleiterschaltkreises bestimmt wird, und der Strom I&sub2; als ein Strom genommen wird, der von einem extern angeschlossenen Widerstand bestimmt wird, wird folgende Beziehung erfüllt:
Damit wird ihre Filterkennlinie H(ω):
Damit ist es möglich, eine aktive Filterstufe zu verwirklichen, die nicht vom Innenwiderstand des integrierten Halbleiterschaltkreises abhängt. Wenn daher diese aktive Filterstufe in einem integrierten Halbleiterschaltkreis ausgebildet wird, ist es möglich, eine aktive Filterstufe zu erhalten, die ein ausgezeichnetes Temperaturyerhalten besitzt, und deren Filterkurve nicht gestreut ist.
Der Dynamikbereich der aktiven Filterstufe gemäß der Ausführungsform von Fig. 4 wird von I&sub2; (2R&sub1; + 4re) bestimmt, so daß dieser Dynamikbereich ähnlich wie beim früher vorgeschlagenen Beispiel von Fig. 2 erweitert werden kann. Da gemäß der Ausführungsform von Fig. 4 weiters die Emitterfolgerschaltung im Rückkopplungskreis nicht erforderlich ist, kann die Anzahl von Schaltelementen herabgesetzt werden. Beispielsweise ist es möglich, die Anzahl der Schaltelemente im Vergleich zum Beispiel von Fig. 2 um 20% zu vermindern. Diese Ausführungsform der Erfindung ist daher besonders von Vorteil, wenn sie als Großintegrationsschaltkreis verwendet wird, der eine große Anzahl von aktiven Filterstufenelementen besitzt. Da weiters im Rückkopplungskreis keine Emitterfolgerschaltung vorhanden ist, kann der Phasengang der aktiven Filterstufe niemals beeinflußt werden, so daß die aktive Filterstufe dieser Ausführungsform einen ausgezeichneten Phasengang im Hochfrequenzband besitzt, wodurch sie einen zufriedenstellenden Frequenzgang zeigt.
Fig. 5 zeigt eine andere aktive Filterstufe, die diese Erfindung verkörpert und als Hochpaßfilterstufe arbeitet. In Fig. 5 sind Teile, die gleichartigen Teilen von Fig. 4 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen, wobei sie nicht mehr beschrieben werden.
Gemäß der Ausführungsform von Fig. 5 ist ein Ende der Eingangssignalquelle 1 über den Kondensator 7, der eine Reaktanzschaltung bildet, mit dem Kollektor des Transistors 30 verbunden, während das andere Ende der Signalquelle 1 an Masse liegt. Die Basis des Transistors 26 liegt über eine Batterie 37 an Masse, die eine vorgegebene Gleichspannung erzeugt. Im übrigen ist der Schaltkreis so wie in Fig. 4 aufgebaut.
Prinzipiell bildet die aktive Filterstufe von Fig. 5 eine Primärfilterstufe mit Gm-Rückkopplung, wie dies Fig. 3 zeigt, wobei sie weiters eine Hochpaßfilterstufe bildet. Es ist leicht ersichtlich, daß die Ausführungsform von Fig. 5 die gleiche Wirkung wie jene von Fig. 4 erreichen kann.
Fig. 6 zeigt eine andere aktive Filterstufe, die diese Erfindung verkörpert und als sekundäres Tiefpaßfilter arbeitet. In Fig. 6 sind Teile, die gleichartigen Teilen von Fig. 4 entsprechen, mit den gleichen Bezugsziffern und den Index a und b bezeichnet. Aus Fig. 6 ist leicht ersichtlich, daß die aktive Filterstufe gemäß dieser Erfindung die gleiche Wirkung wie jene von Fig. 4 erreichen kann.
Gemäß den Ausführungsformen dieser Erfindung, die oben beschrieben wurden, ist es möglich, eine aktive Filterstufe zu erhalten, die einen breiten Dynamikbereich besitzt, und bei der die Anzahl von Schaltelementen herabgesetzt werden kann. Die Ausführungsformen dieser Erfindung sind besonders dann von Vorteil, wenn sie auf einen Großintegrationsschaltkreis angewendet werden, der eine große Anzahl von aktiven Filterstufen enthält.
Weiters ist es mit den Ausführungsformen dieser Erfindung möglich, eine aktive Filterstufe zu verwirklichen, die nicht vom Innenwiderstand eines integrierten Halbleiterschaltkreises abhängt. Wenn daher die aktive Filterstufe in einem integrierten Halbleiterschaltkreis ausgebildet wird, ist es möglich, eine aktive Filterstufe zu erhalten, die einen ausgezeichneten Temperaturgang besitzt, wobei verhindert werden kann, daß die Filterkennlinie Streuungen besitzt.
Da sich im Rückkopplungskreis keine Emitterfolgerschaltungen befinden, ist es weiters gemäß den Ausführungsformen dieser Erfindung, die oben beschrieben wurden, möglich, eine aktive Filterstufe zu erhalten, die einen guten Phasengang im Hochfrequenzbereich sowie einen guten Frequenzgang besitzen kann.

Claims

1. Aktive Filterstufe, die enthält:

einen emittergekoppelten ersten und zweiten Transistor (29, 30);

eine Reaktanzschaltung (7), die mit dem Kollektor des zweiten Transistors (30) verbunden ist;

einen Ausgang (10), der mit einem Anschluß des zweiten Transistors (30) verbunden ist; und

einen Bezugspotentialanschluß (3); dadurch gekennzeichnet, daß:

die Filterstufe einen emittergekoppelten dritten und vierten Transistor (28, 36) aufweist, wobei die Basis und der Kollektor des dritten Transistors (28) mit der Basis des ersten Transistors (29) verbunden sind, die Basis und der Kollektor des vierten Transistors (36) mit der Basis des zweiten Transistors (30) verbunden sind, die Basis des ersten Transistors (29) mit dem Emitter eines fünften Transistors (26) über einen ersten Widerstand (27) verbunden ist, die Basis des zweiten Transistors (30) mit dem Emitter eines sechsten Transistors (31) über einen zweiten Widerstand (32) verbunden ist, und wobei der Kollektor des fünften und sechsten Transistors (26, 31) mit dem Bezugspotentialanschluß (3) verbunden ist;

wobei die Filterstufe so aufgebaut ist, daß ein Eingangssignal an die Basis des fünften Transistors (26) gelegt werden kann; und

wobei der Ausgang (10) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (30) und der Basis des sechsten Transistors (31) verbunden ist.

2. Aktive Filterstufe, die enthält:

einen emittergekoppelten ersten und zweiten Transistor (29, 30);

wobei die Filterstufe so aufgebaut ist, daß ein Eingangssignal an den Kollektor des zweiten Transistors (30) über die Reaktanzschaltung (7) gelegt werden kann;

einen Bezugspotentialanschluß (3); dadurch gekennzeichnet, daß:

die Filterstufe einen emittergekoppelten dritten und vierten Transistor (28, 36) aufweist, wobei die Basis und der Kollektor des dritten Transistors (28) mit der Basis des ersten Transistors (29) verbunden sind, die Basis und der Kollektor des vierten Transistors (36) mit der Basis des zweiten Transistors (30) verbunden sind, die Basis des ersten Transistors (29) mit dem Emitter eines fünften Transistors (26) über einen ersten Widerstand (27) verbunden ist, die Basis des zweiten Transistors (30) mit dem Emitter eines sechsten Transistors (31) über einen zweiten Widerstand (32) verbunden ist, und wobei der Kollektor des fünften und sechsten Transistors (26, 31) mit dem Bezugspotentialanschluß (3) verbunden ist; und wobei der Ausgang (10) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (30) und der Basis des sechsten Transistors (31) verbunden ist.

3. Aktive Filterstufe gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Reaktanzschaltung (7) einen Kondensator enthält.

4. Aktive Filterstufe gemäß Anspruch 1, die dadurch abgeändert ist, daß:

die aktive Filterstufe einen ersten und zweiten Hilfskreis enthält, wobei der erste Hllfskreis einen ersten bis sechsten Transistor (29a, 30a, 28a, 36a, 26a, 31a), einen ersten und zweiten Widerstand (27a, 32a) sowie eine Reaktanzschaltung (7a) enthält, die miteinander und mit dem Bezugspotentialanschluß (3) so verbunden sind, wie dies im Anspruch 1 dargelegt wurde, und wobei der zweite Hilfskreis einen ersten bis sechsten Transistor (29b, 30b, 28b, 36b, 26b, 31b), einen ersten und zweiten Widerstand (27b, 32b) sowie eine Reaktanzschaltung (7b) enthält, die miteinander und mit dem Bezugspotentialanschluß (3) so verbunden sind, wie dies im Anspruch 1 dargelegt wurde;

wobei die Filterstufe so aufgebaut ist, daß ein Eingangssignal an die Basis des fünften Transistors (26a) des ersten Hilfskreises gelegt werden kann;

wobei der Kollektor des zweiten Transistors (30a) des ersten Hilfskreises mit der Basis des fünften Transistors (26b) des zweiten Hilfskreises verbunden ist; und

wobei der Ausgang (10) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (30b) des zweiten Hilfskreises und der Basis des sechsten Transistors (31a, 31b) des ersten und zweiten Hilfskreises verbunden ist.

5. Aktive Filterstufe gemäß Anspruch 4, wobei die Reaktanzschaltung (7a, 7b) sowohl des ersten als auch des zweiten Hilfskreises einen Kondensator enthält.