DE3640434C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörperbildsensor,
und insbesondere bezieht sie sich auf Verbesserungen eines
Festkörperbildsensors mit hoher Empfindlichkeit von einem
CSD-Typ (Charge Sweep Device, ladungsabtastende Einrichtung).
Seit kurzem wird das Ausmaß der großräumigen Integration von
Festkörperbildsensoren deutlich erhöht, und die Fläche, die
von jedem Bildelement besetzt wird, ist sehr klein geworden.
Mit solchem erhöhten Ausmaß der großräumigen Integration ist
es notwendig geworden, daß Festkörperbildsensoren erhöhte
Empfindlichkeit bekommen. Damit solche Erfordernisse erfüllt
werden können, wurden Festkörperbildsensoren vom CSD-Typ ent
wickelt. Der grundlegende Betrieb eines solchen Festkörperbild
sensors vom CSD-Typ ist in dem Artikel "A 480 × 400 Element
Image Sensor with a Charge Sweep Device" von M. Kimata u.a.
in ISSCC, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, S. 100 und 101, Februar
1985 beschrieben. Weiterhin ist ein Farbbildsensor, der den
CSD-Typ benutzt, in dem Artikel "A 1/2" Form at Color Image
Sensor with 485 × 510 Pixels" von M. Yamawaki u.a. in
Technical Digest of Electronic Imaging, S. 91 bis 94, 1985
beschrieben. Kurz gefaßt, der oben beschriebene Festkörper
bildsensor vom CSD-Typ ist so aufgebaut, daß elektrische Si
gnalladungen, die von photoelektrischen Wandeleinrichtungen
gelesen werden, die einer horizontalen Linie entsprechen, in
die Nähe der horizontalen Übertragungseinrichtung (horizonta
ler CCD) durch die vertikalen Übertragungseinrichtungen (ver
tikale CCD) während einer Horizontalperiode getrieben werden,
und sie werden weiter zu dem horizontalen CCD während der
horizontalen Austastperiode übertragen, so daß sie nachein
ander während der nächsten Horizontalperiode ausgelesen wer
den. Selbst wenn die Kanalbreite der Übertragungseinrichtung
in die vertikale Richtung (vertikale CCD) sehr schmal gemacht
wird, kann in einem solchen System ein erhöhter Betrag von
Signalladungen übertragen werden, und folglich das Verhältnis
zwischen Umwandlungsfläche und Bildelementfläche, d.h. das
Verhältnis der Fläche, die von der photoelektrischen Wandel
einrichtung besetzt wird, zu der Fläche von jedem Pixel,
vergrößert werden.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Festkörperbildsensor
eines solchen konventionellen CSD-Types. Fig. 2A ist eine
Schnittansicht, die entlang der Linie A-A in Fig. 1 genommen
wurde, und Fig. 2B ist eine Schnittansicht, die entlang der
Linie B-B in Fig. 1 genommen wurde.
Zuerst soll der Aufbau eines konventionellen Festkörperbild
sensors vom CSD-Typ, wie er in Fig. 1 bis 2B gezeigt ist,
beschrieben werden.
In Fig. 1 ist gezeigt, daß ein Bildelement des Festkörper
bildsensors eine photoelektrische Wandeleinrichtung 22, die
aus einem p-n-Übergang zum Wandeln von einfallendem Licht in
elektrische Signalladungen gebildet ist, ein Übertragungsgate
26 zum wahlweisen Lesen der Signalladungen von der photoelek
trischen Wandeleinrichtung 22, und eine Übertragungselektrode
23 oder 24 zum Übertragen der gelesenen Signalladungen in
die vertikale Richtung durch das Übertragungsgate 26 auf
weist. Die Elektrode für das Übertragungsgate 26 und die Über
tragungselektrode 23 oder 24 zum Übertragen der Signalladun
gen in die vertikale Richtung sind gemeinsam implementiert.
Eine Abtastlinie 21, die einen Signalpfad zur Auswahl der
photoelektrischen Wandeleinrichtungen 22 darstellt, die eine
Zeile in der horizontalen Richtung darstellt, ist an die
Übertragungselektrode 23 oder 24 durch ein Kontaktloch 25
angeschlossen.
In Fig. 2A ist der Aufbau in dem Schnitt entlang der Linie
A-A der Fig. 1 zu sehen, worin ein Übertragungskanal 3
eines zweiten Leitungstypes in der Form eines vergrabenen Types, der als Übertragungspfad für eine elektri
sche Ladung in die vertikale Richtung dient, auf einem Halb
leitersubstrat 1 des ersten Leitungstypes gebildet ist, und der Übertragungskanal 3
weist eine diffundierte n⁻-Typ-Störstellenschicht auf. Eine
dünne Gate-Isolierschicht 27 ist auf dem Übertragungskanal 3
gebildet, und die Übertragungselektrode 23 zum Steuern der
vertikalen Übertragungstätigkeit ist weiter darauf gebildet.
Außerdem ist die photoelektrische Wandeleinrichtung 22 auf
dem p-Typ-Halbleitersubstrat 1 gebildet, und ein dicker Oxid
film 31 und eine diffundierte p⁺-Typ-Störstellenschicht 32
sind zur elektrischen Trennung zwischen benachbarten Einrich
tungen gebildet.
In Fig. 2B ist der Aufbau im Schnitt, der entlang der Linie
B-B der Fig. 1 genommen ist, zu sehen, worin das Übertragungs
gate 26 zwischen der photoelektrischen Wandeleinrichtung 22
und dem Übertragungskanal 3 gebildet ist, und folglich wird
die diffundierte p⁺-Typ-Störstellenschicht 32 zur Trennung
der Einrichtungen darin nicht, wie in Fig. 2A gezeigt ist,
gebildet. Die Abtastlinie 21 zur Auswahl der photoelektri
schen Wandeleinrichtung 22 ist mit der Übertragungselektrode
23 durch das Kontaktloch 25 verbunden.
Im folgenden soll in Umrissen eine Beschreibung der Tätigkeit
des in den Fig. 1 bis 2B gezeigten konventionellen Fest
körperbildsensors vom CSD-Typ gegeben werden. Die Tätigkeit
eines solchen Festkörperbildsensors ist vollständig in den
oben aufgeführten Publikationen beschrieben und ebenfalls in
einem Artikel von M. Kimata u.a., im technischen Report
TEBS101-6ED841 des Institute of Television Engineers of Japan,
Seite 31.
Zuerst werden photoelektrische Wandeleinrichtungen 22 in
einer Zeile durch eine einzelne Abtastlinie 21 ausgewählt.
Die Signalladungen von der ausgewählten photoelektrischen
Wandeleinrichtung 22 werden auf den Übertragungskanal 3 der
vertikalen Richtung durch das Übertragungsgate 26 ausgelesen
und dann in die vertikale Richtung übertragen. Die Übertra
gung der Signalladungen in die vertikale Richtung wird wäh
rend einer horizontalen Periode durchgeführt, und die glei
chen werden in den horizontalen CCD während einer horizonta
len Austastperiode ausgelesen. Der Festkörperbildsensor vom
CSD-Typ, der wie oben beschrieben aufgebaut ist, hat den
großen Vorteil, daß die Breite des Übertragungskanalabschnit
tes dünn gemacht werden kann. Da dieser insbesondere so auf
gebaut ist, daß nur die Signalladungen von einer einzelnen
photoelektrischen Wandeleinrichtung über die einzelne verti
kale Übertragungseinrichtung ausgelesen werden, kann insbe
sondere ein reichlicher Betrag von Übertragungsladungen er
zielt werden, auch wenn die Kanalbreite klein gewählt wird.
Da in anderen Worten die Länge des Potentialtopfes in der
vertikalen Ladungsübertragungseinrichtung (CSD) gleich der
Länge einer vertikalen Leitung wird, wird die Fläche des Po
tentialtopfes ausreichend groß, auch bei einer schmalen Kanal
breite, wodurch ein reichlicher Betrag der Übertragungsla
dungen zur Verfügung gestellt werden kann.
Fig. 3 zeigt ein Diagramm eines Verhältnisses zwischen der
Breite des Übertragungskanales vom vergrabenen Typ und dem
darin gebildeten Kanalpotential für den Fall, bei dem die
gleiche Gatespannung angelegt ist. Wie in Fig. 3 gezeigt ist,
nimmt das im Übertragungskanal gebildete Kanalpotential ent
sprechend ab, wenn die Breite des Übertragungskanales ver
ringert wird. Als Ursache dafür wird angenommen, daß aufgrund
der Diffusion in Querrichtung der Störstellen von der diffun
dierten p⁺-Typ-Störstellenschicht 32 zum Kanalschneiden die
Störstellenkonzentration des vergrabenen Übertragungskanales
kompensiert wird. Solche Erscheinungen werden besonders be
deutsam im Fall, wenn die Breite des Übertragungskanales 3
verringert wird. Wie in Fig. 2B gezeigt ist, wird der Über
tragungskanal 3 der diffundierten n⁻-Typ-Verunreinigungs
schicht, die mit dem Übertragungsgate 26 verbunden ist, durch
die diffundierte p⁺-Typ-Störstellenschicht 32 nur von einer
Seite beeinflußt, während, wie in Fig. 2A gezeigt ist, der
andere Abschnitt durch die diffundierten p⁺-Typ-Störstellen
schichten 32 von beiden Seiten beeinflußt wird.
Fig. 4A zeigt eine Schnittansicht, die entlang der Linie C-C
in Fig. 1 genommen ist, und Fig. 4B ist eine Ansicht, die das
darin gebildete Potential zeigt. Da, wie in Fig. 2B gezeigt
ist, der Abschnitt, der mit dem Übertragungsgate 26 innerhalb
der Übertragungselektroden 23 und 24 verbunden ist, d.h. ein
ungefähr zentraler Abschnitt von jeder Übertragungselektrode,
nur von der diffundierten p⁺-Typ-Störstellenschicht 32 von
einer Seite beeinflußt wird, wird ein tiefer Potentialtopf 34
in diesem Abschnitt gebildet, wie in Fig. 4B gezeigt ist. Da
her können die Ladungen, die durch den tiefen Potentialtopf
34 in solchen Zentren der Übertragungselektrode gefangen
sind, nicht zu der Übertragung beitragen, wodurch das Problem
auftritt, daß die Ladungen Q R , die, ohne gelesen zu werden,
belassen werden, die Übertragungseffektivität verschlechtern.
Weiterhin wird in dem konventionellen Festkörperbildsensor
der Fig. 1 die Übertragungselektrode 23 mit Polysilizium
einer ersten Schicht gebildet, z.B., und die Übertragungs
elektrode 24 wird mit Polysilizium einer zweiten Schicht ge
bildet, die Elektrode des Übertragungsgates 26 wird gemeinsam
zu der Übertragungselektrode 23 oder 24 implementiert, wie
zuvor beschrieben wurde. Das bedeutet, daß die Elektroden
des Übertragungsgates 26, die gemeinsam zu den Übertragungs
elektroden 23 der ersten Schicht und gemeinsam zu den Über
tragungselektroden 24 der zweiten Schicht zu sein haben, so
gebildet sind, daß sie abwechselnd angeordnet sind. Falls
und wenn es erhöhte Fehlanordnungen der Maske, Unterschiede
in der Ausführungsdimension, Unterschiede in der Dicke der
Gate-Isolierschicht 27 zwischen der Übertragungselektrode 23
der ersten Schicht und der Übertragungselektrode 24 der zwei
ten Schicht gibt, dann tritt ein Unterschied in der Transi
storeigenschaft zwischen dem Übertragungsgate 26, das gemein
sam mit der Übertragungselektrode 23 sein soll, und dem Über
tragungsgate 26, das gemeinsam mit der Übertragungselektrode
24 sein soll, auf. Aufgrund solcher Unterschiede in der Tran
sistoreigenschaft tritt ein Unterschied in den Signalladungen
der photoelektrischen Wandeleinrichtung 22 auf, was in einem
Problem resultiert, daß ein sogenanntes Festmusterrauschen
auftritt, in dem ein Unterschied im Ausgang abwechselnd für
jede Horizontalleitung gesehen wird, selbst wenn ein gleich
förmiges Bild nachzuweisen ist.
Daher ist es Aufgabe der Erfindung, einen Festkörperbildsen
sor mit einer verbesserten Ladungsübertragungseffektivität
in der senkrechten Richtung vorzusehen, insbesondere soll
der Festkörperbildsensor geeignet sein, ein Festmusterrau
schen zu reduzieren.
Diese Aufgabe wird gelöst durch den erfindungsgemäßen Fest
körperbildsensor mit einem Halbleitersubstrat eines ersten
Leitungstypes, einer Mehrzahl von photoelektrischen Wandel
einrichtungen, die auf dem Halbleitersubstrat gebildet sind,
einer Mehrzahl von Übertragungsgates, die auf dem Halbleiter
substrat gebildet sind, damit sie den zugehörigen photoelek
trischen Wandeleinrichtungen entsprechen, wobei jede eine
Elektrode zum wahlweisen Lesen von Signalladungen von der
entsprechenden photoelektrischen Wandeleinrichtung aufweist,
einer Mehrzahl von Übertragungseinrichtungen, die auf dem
Halbleitersubstrat zum Übertragen in eine vorgeschriebene
Richtung der Signalladungen gebildet sind, die von den Über
tragungsgates erhalten sind, und Trennbereichen mit Störstel
lenschichten hoher Konzentration des ersten Leitungstypes zum
Trennen der photoelektrischen Wandeleinrichtungen und der
Übertragungseinrichtungen, worin jede der Übertragungsein
richtungen einen Übertragungskanal vom zweiten Leitungstyp,
der auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist und als Übertra
gungspfad für Signalladungen dient, die von den Übertragungs
gates erhalten sind, einen Isolierfilm, der auf dem Übertra
gungskanal gebildet ist, und Übertragungselektroden der er
sten und zweiten Schichten, die so gebildet sind, daß sie ab
wechselnd auf dem Isolierfilm zum Steuern der Übertragung der
Signalladungen in dem Übertragungskanal angebracht sind, auf
weist, wobei eine der Übertragungselektroden der ersten
Schicht oder der Übertragungselektroden der zweiten Schicht
einstückig mit der entsprechenden der Mehrzahl von Übertra
gungsgates gebildet ist, so daß all die Elektroden in den
Übertragungsgates gemeinsam mit den Übertragungselektroden
der gleichen Schicht sein werden, die Übertragungselektrode,
die gemeinsam mit der Elektrode des Übertragungsgates gebil
det ist und aus der Übertragungselektrode der ersten Schicht
und der Übertragungselektrode der zweiten Schicht gewählt
ist, von der angrenzenden Übertragungselektrode auf der Seite
der Übertragungsrichtung der Signalladungen isoliert ist und
elektrisch mit der angrenzenden Elektrode auf der entgegenge
setzten Seite verbunden ist.
Nach einer Ausgestaltung der Erfindung wird eine Einrichtung
vorgesehen zum Erhöhen eines Potentiales in dem Übertragungs
kanal unterhalb der Übertragungselektrode, die gemeinsam mit
der Elektrode des Übertragungsgates ausgebildet ist, und aus
der Übertragungselektrode der ersten Schicht und der Übertra
gungselektrode der zweiten Schicht gewählt ist.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung ist es, daß ein Poten
tialtopf, der in dem Übertragungskanal unterhalb der Übertra
gungselektrode, die gemeinsam mit der Elektrode des Übertra
gungsgates sein soll, gebildet ist, dafür ausgelegt werden
kann, tiefer entlang der Übertragungsrichtung der Signalla
dungen zu sein, wodurch Verluste der Ladungsübertragung ver
ringert werden können.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß die Eigen
schaften der entsprechenden Übertragungsgates einheitlich
werden und ein Festmusterrauschen für jede horizontale Lei
tung ausgeschlossen wird, da die Elektroden all der Übertra
gungsgates mit den Übertragungselektroden der gleichen
Schicht gebildet sind.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß der Verlust
der Ladungsübertragung verringert werden kann durch Einfüh
rung einer Störstellenschicht in den Übertragungskanal und
durch eine Änderung der Schichtdicke des Gate-Isolierfilmes.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand
der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen konventionellen Fest
körperbildsensor vom CSD-Typ;
Fig. 2A eine Schnittansicht entlang der Linie A-A in Fig.
1;
Fig. 2B eine Schnittansicht entlang der Linie B-B in Fig.
1;
Fig. 3 ein das Verhältnis zwischen der Breite des Über
tragungskanales vom vergrabenen Typ und dem darin
gebildeten Kanalpotential zeigendes Diagramm, für
den Fall, daß die gleiche Gatespannung angelegt
ist;
Fig. 4A eine Schnittansicht entlang der Linie C-C in Fig.
1;
Fig. 4B eine den Zustand des Potentiales an verschiedenen
Abschnitten in Fig. 4A zeigende Ansicht;
Fig. 5 eine Draufsicht einer Ausführungsform der Erfin
dung;
Fig. 6A eine Schnittansicht entlang der Linie D-D in Fig.
5;
Fig. 6B eine den Zustand des Potentiales an verschiedenen
Abschnitten in Fig. 6A zeigende Ansicht; und
Fig. 7 eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform
der Erfindung.
Fig. 5 ist eine Draufsicht, die einen Festkörperbildsensor
nach einer Ausführungsform der Erfindung zeigt, und Fig. 6A
ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie D-D in Fig. 5
genommen ist.
Die in Fig. 5 gezeigte Ausführungsform ist im wesentlichen
die gleiche wie der in Fig. 1 gezeigte konventionelle Fest
körperbildsensor, jedoch mit den folgenden Ausnahmen. Insbe
sondere ist, in Fig. 5 gesehen, daß Übertragungselektroden 11
der ersten Schicht und Übertragungselektroden 12 der zweiten
Schicht abwechselnd angebracht sind, damit sie als Übertra
gungseinrichtung zum Übertragen in die vertikale Richtung von
Signalladungen dienen, die von den photoelektrischen Wandel
einrichtungen 22 durch die Übertragungsgates 26 und all die
Elektroden der Übertragungsgates 26 gelesen sind, die wie
derum integral mit den Übertragungselektroden 12 der zweiten
Schicht gebildet sind. Insbesondere folgt aus dieser Be
schreibung, daß alle der Elektroden der Übertragungsgates 26
gemeinsam ausgebildet werden mit den Übertragungselektroden
der gleichen Schicht (der zweiten Schicht). Beide der Über
tragungselektroden 11 der ersten Schicht und der Übertragungs
elektroden 12 der zweiten Schicht werden mit Polysilizium ge
bildet. Die Abtastleitung 21, die als Pfad für die Leitung
des Signales zur Auswahl der photoelektrischen Wandeleinrich
tungen 22, die eine Zeile in der horizontalen Richtung dar
stellt, dient, ist mit den Übertragungselektroden 11 und 12
durch das gemeinsame Kontaktloch 13 für die Übertragungselek
trode 11 der ersten Schicht und die Übertragungselektrode 12
der zweiten Schicht verbunden. Die Übertragungselektrode 11
der ersten Schicht ist elektrisch durch das gemeinsame Kon
taktloch mit der anschließenden Übertragungselektrode 12 der
zweiten Schicht auf der Seite der Übertragungsrichtung der
Signalladungen verbunden und ist isoliert von der angrenzen
den Übertragungselektrode 12 der zweiten Schicht auf der ent
gegengesetzten Seite.
Daher sind in der in den Fig. 5 und 6A gezeigten Ausfüh
rungsform die Elektroden der Übertragungsgates 26 mit den
Übertragungselektroden 12 der gleichen Schicht (der zweiten
Schicht) so gebildet, daß die Transistoreigenschaften der
Übertragungsgates 26 einheitlich werden, wodurch das Fest
musterrauschen für jede Horizontalleitung, das in konventio
nellen Festkörperbildsensoren beobachtet wird, verringert
wird.
Fig. 6B ist eine Ansicht, die die Form des Potentiales an
verschiedenen Abschnitten in der in Fig. 6A gezeigten Schnitt
ansicht darstellt. Wie es von den Fig. 6A und 6B klar ist,
ist ein Potentialtopf 340 in dem Übertragungskanal unterhalb
des Abschnittes gebildet, der mit dem Übertragungsgate 26 in
nerhalb der Übertragungselektroden verbunden ist, wie es der
Fall bei dem in Fig. 1 gezeigten konventionellen Beispiel
ist. In der gezeigten Ausführungsform ist jedoch der Poten
tialtopf unterhalb der Übertragungselektrode 12 der zweiten
Schicht gebildet und isoliert von der benachbarten Übertra
gungselektrode 11 der ersten Schicht auf der Übertragungs
richtungsseite der Signalladungen, und daher wird, wenn eine
Spannung an die nächstbenachbarte Übertragungselektrode 11
und die übernächstbenachbarte Elektrode 12, die damit verbun
den ist, angelegt wird, das Potential des Übertragungskanales
3 so, wie es durch den gepunkteten Linienabschnitt in Fig.
6B gezeigt ist, mit dem Resultat, daß die Signalladungen voll
ständig übertragen werden. Insbesondere beeinflußt der Poten
tialtopf 340 in der in den Fig. 5 und 6A gezeigten Ausfüh
rungsform die Ladungsübertragungseffektivitat nicht nachtei
lig.
Fig. 7 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungs
form der Erfindung, diese Ansicht ist entlang der Ladungs
übertragungsrichtung, wie es der Fall in Fig. 6A ist, genom
men. Wenn die Breite des Übertragungskanales 3 weiter redu
ziert wird oder die an die Übertragungselektroden 11 und 12
angelegte Spannung verringert wird, dann, so wird angenommen,
wird der Potentialtopf 340 tiefer als die Potentialdifferenz,
die in dem Übertragungskanal 3 durch Anlegen einer Spannung
an die Elektroden 11 und 12 erzeugt wird, so daß die Ladungen
in dem Potentialtopf 340 gefangen bleiben, wie es der Fall
bei dem konventionellen Beispiel ist, was in einer Situation
einer verschlechterten Übertragungseffektivität der Ladungen
resultiert. In einem solchen Fall ist es ausreichend, eine
p⁺-Typ-Störstellenschicht 16 hoher Konzentration in einem Abschnitt unterhalb der
Übertragungselektrode 12 innerhalb des n⁻-Typ vergrabenen
Übertragungskanals 3 zu bilden, wie es in Fig. 7 gezeigt ist.
Die p⁺-Typ-Störstellen können in dem Übertragungskanal 3 un
terhalb der Übertragungselektrode 12 der zweiten Schicht
durch Benutzen eines Ionenimplantationsverfahrens z.B. gebil
det werden, und durch ein selbstausrichtendes Verfahren mit
der Übertragungselektrode 11 der ersten Schicht als Maske. Da
die p⁺-Typ-Störstellen dazu dienen, das Potential des Über
tragungskanales 3 zu erhöhen, kann der Potentialtopf 340
flach gemacht werden und weiterhin ganz eliminiert werden.
Da das Potential des Übertragungskanales 3 erhöht werden kann
durch Verringern der Dicke der Gate-Isolierschicht 27 unter
halb der Übertragungselektroden 11 und 12, kann der Potential
topf 340 flach gemacht werden und weiterhin ganz eliminiert
werden, indem die Dicke der Gate-Isolierschicht 27 unterhalb
der Übertragungselektrode 12 dünner gemacht wird als die
Dicke der Gate-Isolierschicht 27 unterhalb der Übertragungs
elektrode 11.
Die Tiefe des Potentialtopfes an dem Übergang des Übertra
gungsgates 26 zu dem Übertragungskanal 3 kann gesteuert wer
den durch Einführen einer Störstellenschicht in dem Übertra
gungskanal 3 und durch Ändern der Dicke der Gate-Isolier
schicht zwischen den Übertragungselektroden der ersten und
zweiten Schicht, so daß Verluste in der Ladungsübertragung
verringert werden können, mit dem Resultat, daß die Übertra
gungseffektivitat verbessert werden kann.
Obwohl die Übertragungselektrode 12, die gemeinsam mit der
Elektrode des Übertragungsgates 26 sein soll, mit Polysili
zium der zweiten Schicht, wie in der oben beschriebenen Aus
führungsform, gebildet wurde, kann sie auch mit Polysilizium
der ersten Schicht gebildet werden. In einem solchen Fall
kann der Potentialtopf 340 flach gemacht werden oder elimi
niert werden durch Bilden der (nicht gezeigten) n-Typ-Stör
stellenschicht in dem Abschnitt unterhalb der Übertragungs
elektrode 11 innerhalb des Übertragungskanales 3.
Claims (6)
1. Festkörperbildsensor mit:
einem Halbleitersubstrat (1) von einem ersten Leitungstyp,
einer Mehrzahl von auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildeten photoelektrischen Wandeleinrichtungen (22),
einer Mehrzahl von Übertragungsgates (26), die auf dem Halb leitersubstrat (1) entsprechend den zugehörigen photoelektri schen Wandeleinrichtungen (22) gebildet sind und Elektroden zum wahlweisen Lesen von Signalladungen von den entsprechen den photoelektrischen Wandeleinrichtungen (22) aufweisen,
einer Mehrzahl von Übertragungseinrichtungen, die auf dem Halbleitersubstrat (1) zum Übertragen in eine vorgeschriebene Richtung der von den Übertragungsgates (26) empfangenen Si gnalladungen gebildet sind, wobei jede Übertragungseinrichtung einen Übertragungskanal (3) von einem zweiten Leitungstyp, der auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist und als Über tragungsweg für die von den Übertragungsgates empfangenen Si gnalladungen dient,
und eine auf dem Übertragungskanal (3) gebildete dünne Iso lierschicht (27) aufweist, und
einem Trennbereich mit einer Schicht einer hohen Störstellen konzentration (32) des ersten Leitungstypes zum Trennen der photoelektrischen Wandeleinrichtungen (22) und der Übertra gungseinrichtungen,
dadurch gekennzeichnet, daß Übertragungselektroden aus ersten und zweiten Schichten (11 und 12) auf der dünnen Isolierschicht (27) in abwechselnder Anordnung gebildet sind zum Steuern der Übertragung der Si gnalladungen in dem Übertragungskanal (3), entweder eine der Übertragungselektroden der ersten Schicht (11) oder der Übertragungselektroden der zweiten Schicht (12) integral mit der jeweils zugehörigen der Mehrzahl der Über tragungsgates (26) so ausgebildet ist, daß alle Elektroden der Übertragungsgates (26) gemeinsam mit den Übertragungselek troden der gleichen Schicht ausgebildet sein können, und die gemeinsam mit der Elektrode des Übertragungsgates (26) auszu bildende Übertragungselektrode (12) von der Übertragungselek trode der ersten Schicht (11) und der Übertragungselektrode der zweiten Schicht (12), isoliert von der angrenzenden Über tragungselektrode auf der Seite der Übertragungsrichtung der Signalladung ausgebildet ist und elektrisch leitend mit der angrenzenden Übertragungselektrode auf der gegenüberliegenden Seite verbunden ist.
einem Halbleitersubstrat (1) von einem ersten Leitungstyp,
einer Mehrzahl von auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildeten photoelektrischen Wandeleinrichtungen (22),
einer Mehrzahl von Übertragungsgates (26), die auf dem Halb leitersubstrat (1) entsprechend den zugehörigen photoelektri schen Wandeleinrichtungen (22) gebildet sind und Elektroden zum wahlweisen Lesen von Signalladungen von den entsprechen den photoelektrischen Wandeleinrichtungen (22) aufweisen,
einer Mehrzahl von Übertragungseinrichtungen, die auf dem Halbleitersubstrat (1) zum Übertragen in eine vorgeschriebene Richtung der von den Übertragungsgates (26) empfangenen Si gnalladungen gebildet sind, wobei jede Übertragungseinrichtung einen Übertragungskanal (3) von einem zweiten Leitungstyp, der auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist und als Über tragungsweg für die von den Übertragungsgates empfangenen Si gnalladungen dient,
und eine auf dem Übertragungskanal (3) gebildete dünne Iso lierschicht (27) aufweist, und
einem Trennbereich mit einer Schicht einer hohen Störstellen konzentration (32) des ersten Leitungstypes zum Trennen der photoelektrischen Wandeleinrichtungen (22) und der Übertra gungseinrichtungen,
dadurch gekennzeichnet, daß Übertragungselektroden aus ersten und zweiten Schichten (11 und 12) auf der dünnen Isolierschicht (27) in abwechselnder Anordnung gebildet sind zum Steuern der Übertragung der Si gnalladungen in dem Übertragungskanal (3), entweder eine der Übertragungselektroden der ersten Schicht (11) oder der Übertragungselektroden der zweiten Schicht (12) integral mit der jeweils zugehörigen der Mehrzahl der Über tragungsgates (26) so ausgebildet ist, daß alle Elektroden der Übertragungsgates (26) gemeinsam mit den Übertragungselek troden der gleichen Schicht ausgebildet sein können, und die gemeinsam mit der Elektrode des Übertragungsgates (26) auszu bildende Übertragungselektrode (12) von der Übertragungselek trode der ersten Schicht (11) und der Übertragungselektrode der zweiten Schicht (12), isoliert von der angrenzenden Über tragungselektrode auf der Seite der Übertragungsrichtung der Signalladung ausgebildet ist und elektrisch leitend mit der angrenzenden Übertragungselektrode auf der gegenüberliegenden Seite verbunden ist.
2. Festkörperbildsensor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
eine Einrichtung zum Verstärken des Potentiales in dem Über
tragungskanal (3) unterhalb der gemeinsam mit der Elektrode
des Übertragungsgates (26) auszubildenden Übertragungselek
trode (12) von der Übertragungselektrode der ersten Schicht
(11) und der Übertragungselektrode der zweiten Schicht (12).
3. Festkörperbildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net,
daß die Einrichtung zum Verstärken des Potentiales in dem
Übertragungskanal (3) eine Störstellenschicht hoher Konzentra
tion vom ersten Leitungstyp (16) oder eine Störstellenschicht
vom zweiten Leitungstyp aufweist, die in dem Übertragungska
nal (3) unterhalb der gemeinsam mit der Elektrode des Über
tragungsgates (26) auszubildenden Übertragungselektrode (12)
gebildet ist.
4. Festkörperbildsensor nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge
kennzeichnet,
daß die Einrichtung zum Verstärken des Potentiales in dem
Übertragungskanal (3) eine dünne Isolierschicht (27) auf
weist, die Schichtdicke der dünnen Isolierschicht (27) dünner
in dem Abschnitt unterhalb der gemeinsam mit der Elektrode
des Übertragungsgates (26) auszubildenden Übertragungselek
trode (12) gewählt ist als in dem Abschnitt unterhalb der
Übertragungselektrode (11), die nicht gemeinsam auszubilden
ist.
5. Festkörperbildsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
gekennzeichnet durch
eine Mehrzahl von Abtastlinien (21) zum elektrischen Verbin
den gegenseitig benachbarter Übertragungselektroden (11, 12)
der ersten Schicht und der zweiten Schicht und zum Versorgen
des Übertragungsgates (26) mit einem Signal zum Auswählen der
photoelektrischen Wandeleinrichtung (22), bei der die Signal
ladungen zu lesen sind.
6. Festkörperbildsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Übertragungselektroden (11, 12) der ersten Schicht
und der zweiten Schicht mit Polysilizium gebildet sind.
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