JP3003088B2 - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

Info

Publication number
JP3003088B2
JP3003088B2 JP6129319A JP12931994A JP3003088B2 JP 3003088 B2 JP3003088 B2 JP 3003088B2 JP 6129319 A JP6129319 A JP 6129319A JP 12931994 A JP12931994 A JP 12931994A JP 3003088 B2 JP3003088 B2 JP 3003088B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
disk
wafers
wafer
ion implantation
ion beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6129319A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07335585A (ja
Inventor
卓 広川
シンクレアー フランク
Original Assignee
住友イートンノバ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友イートンノバ株式会社 filed Critical 住友イートンノバ株式会社
Priority to JP6129319A priority Critical patent/JP3003088B2/ja
Priority to US08/458,354 priority patent/US5608223A/en
Priority to KR1019950015318A priority patent/KR100326365B1/ko
Priority to DE1995625563 priority patent/DE69525563T2/de
Priority to EP95304036A priority patent/EP0686995B1/en
Priority to TW084106510A priority patent/TW359859B/zh
Publication of JPH07335585A publication Critical patent/JPH07335585A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3003088B2 publication Critical patent/JP3003088B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701—Ion implantation
    • H01J2237/31703—Dosimetry

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハー等の基
板に対し、荷電粒子、特に、イオンを注入するイオン注
入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のイオン注入装置は、半
導体製造の際に、予め定められた化学種のイオンを半導
体ウェハーに注入するのに使用されている。また、イオ
ン注入装置には、注入を効率良く行うために、回転ディ
スクの円周に沿って複数の半導体ウェハーを配置し、回
転ディスクを回転させることにより、高速で全ての半導
体ウェハーを走査（スキャン）すると共に、イオンビー
ムを回転ディスクの半径方向へ相対的に比較的低速で移
動させることによって、各半導体ウェハーを低速で走査
（スキャン）する所謂メカニカルスキャン方式のイオン
注入装置がある。
【０００３】最近、イオン注入装置に対しては、イオン
の注入時間を短縮することにより半導体装置の生産性を
向上させるために、イオンビームの電流量を増加させる
ことが要求されており、上記したメカニカルスキャン方
式のイオン注入装置は、大電流イオンビームにも充分対
処できるものとして、期待されている。
【０００４】一方、大電流のイオンビームを使用した場
合、イオンビームが半導体ウェハー以外の部分、例え
ば、回転ディスクに照射されることよって生じるスパッ
タリング現象によって、不純物粒子が発生し、この不純
物粒子が目的のイオンに混入して半導体ウェハーに付着
し、半導体ウェハーを汚染する現象（以下、コンタミネ
ーションと呼ぶ）が発生する。このように、目的のイオ
ン以外の不純物元素が混入付着すると、半導体装置の歩
留まりが著しく低下してしまう。
【０００５】また、あるイオンの注入後、注入すべきイ
オンの化学種を変化させた場合、それまで注入されてい
た元素による汚染（即ち、クロスコンタミーション）も
生じることが指摘されている。
【０００６】このようなコンタミネーション、或いは、
クロスコンタミネーションを防止するために、種々の提
案が成されている。例えば、平面状の回転ディスク盤の
スパッタリングによるコンタミネーションを防止するた
めに、特開昭６１−１１６７４６号公報には、中心体
(ハブ)の周りにウェハ取付部を有する橋絡部(パドル)を
等間隔に円形に配置し、各橋絡部先端のウェハ取付部に
ウェハーを取り付けることにより、走査アーム組立体を
構成したイオン注入装置が開示されている。このイオン
注入装置では、走査アーム組立体を高速で回転させると
共に、走査アーム組立体の底部の軸の周りに低速で歳差
運動を行うように構成されている。
【０００７】この構成によれば、ウェハー取付部を平面
状のディスク盤の代わりとして設けることにより、イオ
ンビームに晒される部分を少なくでき、このため、イオ
ンビームに晒される中心体(ハブ)・ウェハ取付部を有す
る橋絡部(パドル)部分を極めて少なくできると共に、上
記した歳差運動により各ウェハー全体をイオンビームに
よって照射できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たウェハ取付部を有する橋絡部(パドル)からなる走査ア
ーム組立体を使用したイオン注入装置では、イオンビー
ムを回転ディスクの半径方向へ相対的に比較的低速で移
動させることによって、各半導体ウェハーを低速 で走査
（スキャン）するメカニカルスキャンに対応して、その
歳差走査運動における速度を回転軸からの距離に反比例
するように、単純強制制御しているが、この歳差走査運
動中におけるイオンビーム電流の測定による制御及びイ
オンビーム電流の変動に対する補正制御については、何
等考慮されていない。したがって、ウェハ取付部を有す
る橋絡部(パドル)からなる走査アーム組立体において
は、歳差走査運動中にイオンビーム電流の測定制御がで
きないため、歳差走査運動中のイオンビーム電流の変化
があった場合、この変化にとうてい追随できず、このた
め、イオンを均一に注入できないという欠点があつた。
【０００９】本発明の目的は、平面状のディスク盤と比
較して、ウェハ取付部を有する橋絡部(パドル) がイオ
ンビームに晒されることによるスパッタリングの現象を
少な くできると共に、歳差走査運動中にイオンビーム電
流の測定制御ができるとともに、イオンビーム注入中に
おけるイオンビ―ム電流の変化にも充分追随できるイオ
ン注入装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、中央
部、橋絡部、及び取付部を有するディスクを備え、複数
のウェハーを該橋絡部の円周に沿って間隔をおいてディ
スク上の前記取付部に配置するイオン注入装置におい
て、イオンのウェハーに対する注入位置を、前記ディス
クの回転方向で相対的に回転移動させるために、ディス
クの中心位置を回転軸としてディスクを回転させる駆動
装置を備え、前記ディスクは、前記ウェハーの配置間隔
のうち、少なくとも一か所のウェハーの配置間隔が残り
のウェハーの配置間隔と異なるように、ウエハーが配置
されていると共に、該少なくとも一か所のウェハーの配
置間隔の異なる部分のウェハー間の空間部と、残りのウ
ェハーの配置間隔の部分のウェハー間の空間部とをイオ
ンビームが通過するよう構成し、該各空間部を通過した
イオンビームから、各電荷量を測定するとともに該イオ
ンビームに基いて演算することによって、イオンの注入
量を制御することを特徴とするイオン注入装置が得られ
る。また、本発明によれば、中央部、橋絡部、及び、取
付部を有するディスクを備 え、複数のウェハーを該橋絡
部の円周に沿って間隔をおいてディスク上の前記取付部
に配置するイオン注入装置において、イオンのウェハー
に対する注入位置を、前記ディスクの回転方向で相対的
に回転移動させるためのディスクの中心位置を回転軸と
してディスクを回転させる駆動装置を備え、前記ディス
クは、前記ウェハ―の配置間隔のうち、少なくとも一か
所の間隔が残りの間隔と異なるようにウェハーを配置
し、該残りの間隔をすべて等間隔として構成するととも
に、前記少なくとも一か所のウェハーの配置間隔の異な
る部分のウェハー間の空間部と、残りのウェハーの配置
間隔の部分のウェハー間の空間部とをイオンビームが通
過するよう構成し、該各空間部を通過したイオンビーム
から各電荷量を測定できるよう構成したことを特徴とす
るイオン注入装置が得られる。更に、本発明によれば、
中央部と橋絡部と取付部を有するディスクを備え、複数
のウェハーを該橋絡部の円周に沿って間隔をおいてディ
スク上の前記取付部に配置するとともに、前記ウェハー
に対するイオンの注入位置を相対的に前記ディスクの回
転方向で回転移動させるためのディスクの中心位置を回
転軸としてディスクを回転させる高速駆動装置と、前記
イオンのウェハーに対する注入位置を相対的に前記ディ
スクの半径方向へ往復移動させるためのディスクの低速
駆動装置とを備えるとともに、前記ディスクは、前記ウ
ェハーの配置の間隔のうち、少なくとも一か所の間隔が
残りの間隔と異なるようにウェハーを配置することがで
きるよう構成されているイオン注入装置において、前記
ウェハーの配置間隔の部分のウェハー間の空間部をイオ
ンビームが通過するよう構成し、前記残りの間隔の部分
のウェハー間の空間部を通過したイオンビームから測定
される各電荷量と、前記残りの間隔と異なる少なくとも
一か所の間隔の部分のウェハー間の空間部を通過したイ
オンビームから測定される電荷量との電荷量の測定値と
に基いてビーム量の制御する手段を設けたことを特徴と
するイオン注入装置が得られる。 また、本発明によれ
ば、前記ディスクの半径方向へ往復移動させるための低
速駆動装置の移動速度を前記互いに異なるウェハー間の
間隔、並びに、ディスクの中心からイオンの注入位置ま
での距離を参照して演算し、前記ウェハーにイオンが一
定の量で均一に注入されるように、制御する制御手段を
有している。 ディスクはイオンを注入される側の第１面
と、該第１面の反対側に位置づけら れた第２面とを備
え、第２面側には、前記ウェハ―の間を通過したイオン
ビームの電荷量を測定する電流測定装置が、前記ディス
クの半径方向への往復移動線の後方となる位置に設けら
れている。 制御手段は、異なるウェハー間の間隔の部分
のウェハー間の空間部を通過した電荷量の差分値をディ
スクの１回転毎に逐次検出し、該電荷量の差分値に基づ
いて、前記低速駆動装置の移動速度を制御する。 他の例
として、前記ディスクは、複数箇所における前記ウェハ
ー間の間隔が他のウェハー間の間隔と異なるように構成
されていても良い。この場合、前記残りの間隔のうち、
残りの間隔と異なる少なくとも一か所の間隔の直前もし
くは直後の間隔を通過したイオンビームから各電荷量を
測定する手段を設ければ良い。電荷量の測定及び制御は
ディスクの回転毎に行っても良い。
【００１１】
【作用】上記した構成では、互いに異なる間隔を有する
ウェハー間を通過したイオンビームの電荷量を時間的に
順次比較することにより、イオンビーム電流の変動を検
出し、この変動に応じて、回転軸に対してディスクの半
径方向への低速スキャン速度を制御することにより、イ
オンビームの注入中に、イオンビーム電流に変動があっ
ても、実質的に均一に、イオンを各半導体ウェハーに注
入することができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例に係
るイオン注入装置を説明する。図１を参照すると、本発
明の一実施例のイオン注入装置は、イオン源（図示せ
ず）からのイオンビーム１０をガイドするガイドチャン
バー１２、ガイドチャンバ―１２からのイオンビーム１
０を半導体ウェハー等に注入する処理チャンバ―１３と
を有している。
【００１３】図示された処理チャンバー１３内には、後
述する本発明のディスク１５が配置されており、このデ
ィスク１５はディスク１５中心に設けられた回転軸の周
りに高速スキャン駆動機構１６により高速で回転する。
この回転により、ディスク１５の円周に沿って配置され
た半導体ウェハーは、高速でスキャンされると共に、図
１の上下方向にも低速でスキャンされる。このように、
各半導体ウェハーを回転軸から半径方向にも低速でスキ
ャンできるように、低速スキャン駆動機構１７が備えら
れている。ここで、低速スキャン駆動機構１７として
は、低速スキャン動作を制御できるものが使用され、他
方、高速スキャンのための駆動機構は通常の駆動機構を
使用できる。
【００１４】処理チャンバー１３に設けられたディスク
１５の後方、即ち、イオンビームの照射面とは反対側の
面には、ビーム電流測定装置２０が設置されており、こ
のビーム電流測定装置２０により、ディスク１５を通過
したイオンビームの電荷量が測定される。このビーム電
流測定装置２０としては、通常使用されているものを使
用できるので、ここでは、詳述しない。
【００１５】ビーム電流測定装置２０は制御部２２に接
続されており、図示された制御部２２は検出された電荷
量に基づき、予め定められた演算を行い、低速スキャン
駆動機構１７の走査速度を制御し、イオンが均一に注入
されるようにする。
【００１６】図２をも参照すると、処理チャンバー１３
に配置される本発明の一実施例に係るディスク１５は、
円周方向外側を支持する半導体ウェハー取付部１５１〜
１５１７（以下、１５ｎで総称する）が複数個、ここで
は１７個設けられており、各取付部１５ｎには半導体ウ
ェハーが搭載されているものとする。また、ディスク１
５の中央部１５ａと半導体ウェハー取付部１５ｎとの間
は、各半導体ウェハー取付部１５ｎより狭い幅を有する
橋絡部１５ｂによって接続されており、イオンビームに
晒される領域の減少を図っている。
【００１７】更に、図示された例では、半導体ウェハー
取付部１５１と１５２との間の間隔が他の取付部（１５
２、１５３等）の間の間隔より広く取られている。この
ことは、取付部１５１、１５２に取付けられた半導体ウ
ェハー間の間隔が他の取付部に取付けられた半導体ウェ
ハー間の間隔よりも広いことを意味している。このと
き、前記間隔以外の条件、即ち、ウェハーのサイズ或い
は支持方法等は等しくなっている。
【００１８】このような構成を有するディスク１５で
は、橋絡部１５ｂの幅が非常に狭く、したがって、イオ
ンビームに晒される領域が狭くなるため、ディスク１５
がイオンビームに晒されることによる汚染を極力抑える
ことができる。
【００１９】一方、取付部１５２のセンターから隣接す
る取付部１５３のセンタ―までの間の角度をＡとし、取
付部１５１と１５２との間の角度をＢとすると、取付部
１５１のセンターと取付部１５２のセンター間の角度は
Ａ＋Ｂであらわすことができる。
【００２０】この時、イオンビームの中心がディスク１
５の中心からＲの距離にあったとすると、イオンビーム
は図２の斜線部分に照射される。今、イオンビームの中
心が取付部１５１のセンター位置（１）から取付部１５
２のセンター位置（２）まで通過する間にディスク１５
の下流側に設けたビーム電流測定装置２０によって測定
される電荷量は、半導体ウェハー取付部１５１と１５２
との間の間隙、即ち、間隔を通過したイオンビームの電
荷量として測定されることになる。ここでは、ビーム電
流測定装置２０によって測定された電荷量をＱA+Bとす
る。
【００２１】次に、ビーム電流測定装置２０によって、
イオンビームの中心が取付部１５２のセンター位置
（２）から取付部１５３のセンター位置（３）まで通過
する間の電荷量を同様に測定すると、この間の電荷量
は、取付部１５２と１５３との間の間隔を規定する間隙
を通過した電荷量として測定され、このとき測定された
電荷量をＱAとする。
【００２２】上記した条件のもとで、ＱＡ＋Ｂ−ＱＡを
計算すれば、角度Ｂの扇形部分を通過するビームの電荷
量を求め得ることがわかる。このことは、イオンビ―ム
電流のイオン注入中の変化を検出できることを意味して
おり、この変化に応じて、ディスク１５の半径方向にお
ける移動速度、即ち、走査速度を制御することによっ
て、各取付部１５ｎに取付けられた半導体ウェハー２５
に注入されるイオンの電荷量を実質的に一定に保つこと
ができる。より具体的に言えば、半径方向における移動
速度をＶとすれば、移動速度ＶはＶ＝Ｋ（ＱＡ＋Ｂ−Ｑ
Ａ）／Ｒ（但し、Ｋは比例定数）であらわすことがで
き、この式にしたがって、図１の制御部２２で移動速度
Ｖを演算し、その結果により低速スキャン駆動機構１７
を制御すれば、イオンを均一に注入できる。
【００２３】上記した電荷量の測定及び制御はディスク
の回転毎に行えば良い。この場合、タイミングのずれ
は、キャンセルされる。
【００２４】図３を参照すると、図１に示した本発明の
一実施例の変形に係るディスク１５はディスク中央部１
５ａ´と取付部１５ｎとが矩形形状の橋絡部１５ｂ´に
よって接続されている点で図２と異なっている。特定位
置の設けられた２つの取付部（図では１５１と１５２）
が角度Ｂを有する間隔をおいて配置されており、このた
め、これら特定位置の取付部１５１、１５２のセンター
位置間の角度がＡ＋Ｂであらわされ、他の取付部のセン
ター位置間の角度Ａと相違している点は、図２と同様で
ある。
【００２５】この構成によっても、図２の場合と同様
に、イオンビームに晒されるディスク１５の部分を極力
小さくすることができると共に、イオンビーム電流の変
化に応じてィスク１５の半径方向における移動速度、即
ち、走査速度を調整し、取付部１５ｎに取付けられた半
導体ウェハーにイオンを均一に注入することができる。
【００２６】図４を参照すると、本発明の他の実施例に
係るディスク１５は、隣接する取付部１５ｎ間をノッチ
（即ち、谷間）３０を設けることによって互いに分離
し、且つ、互いに隣接する２つの取付部１５ｎ間の間隔
を規定している。ここでは、取付部１５ｎ間の間隔は半
導体ウェハー間の間隔と実質上等しいものとする。この
例では、取付部１５ｎとディスク中央部１５ａ“間を接
続する橋絡部１５ｂ"はディスク中央部１５ａ“の方向
に向かって若干幅広になるテーパ形状を有している。
【００２７】図４において、取付部１５１と１５２との
間のノッチによって規定される角度間隔をＢ１、及び取
付部１５４と１５５との間のノッチによって規定される
角度間隔をＢ２とし、他の取付部間の角度間隔は角度間
隔Ｂ１及びＢ２より小さいものとする。
【００２８】また、取付部１５２のセンター位置と、こ
れに隣接する取付部１５３のセンター位置との間の角度
をＡ１とし、取付部１５５のセンター位置と、これに隣
接する取付部１５６のセンター位置との間の角度をＡ２
とした場合、取付部１５１と１５２との間の角度はＡ１
＋Ｂ１であらわされ、他方、取付部１５４と１５５との
間の角度はＡ２＋Ｂ２であらわされる。
【００２９】この場合にも、図２と同様に、角度（Ａ１
＋Ｂ１）及び角度（Ａ２＋Ｂ２）間の電荷量は、各ノッ
チを通過したイオンビームの電荷量ＱA1+B1及びＱA2+B2
によってあらわすことができる。したがって、半径Ｒの
位置にイオンビームがある場合の半径方向の各部におけ
る走査速度Ｖは、 Ｖ＝Ｋ（ＱAN+BN−ＱAN）／Ｒ （１） （但し、Nは１又は２である。）であらわされる。上式
からも明らかなとおり、角度間隔の異なるノッチは２つ
以上設けられても良い。また、走査速度Ｖの制御は電荷
量の平均値を用いても良い。
【００３０】図５を参照すると、本発明のもう一つの実
施例に係るディスク１５は、幅広のノッチを４箇所に備
え、且つ、ディスク中心部から半径方向外側に向かっ
て、広がるようなテーパ状の橋絡部１５ｂを有してい
る。更に、この橋絡部１５ｂは取付部１５ｎと一体化さ
れており、各取付部１５ｎには半導体ウェハ―２５が搭
載されている。ここで、各幅広のノッチに隣接した取付
部センター間の間隔はＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４の角度で
あらわされ、ノッチはＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の角度を
有しているものとすれば、各幅広のノッチを挟む取付部
センター間の間隔はそれぞれ（Ａ１＋Ｂ１）、（Ａ２＋
Ｂ２）、（Ａ３＋Ｂ３）、（Ａ４＋Ｂ４）の角度であら
わされる。図示された例においても、式（１）が成立
し、走査速度Ｖを制御することにより、イオンを各半導
体ウェハー２５に均一に注入できる。
【００３１】図６を参照すると、本発明の更にもう一つ
の実施例に係るディスク１５には、角度Ｂの幅広ノッチ
と、この幅広ノッチより小さい角度を有する通常ノッチ
とが設けられている。この場合、通常ノッチを挟む半導
体ウェハー間の角度をＡとし、幅広ノッチを挟む半導体
ウェハー間の角度をＡ＋Ｂとし、各ノッチを通過する電
荷量をＱA(R-ΔR)、ＱA(R+ΔR)、ＱA+B(R)とすると、次
式によって、走査速度Ｖを制御することができる。
【００３２】 Ｖ＝Ｋ（ＱA+B(R)−（ＱA(R-ΔR)＋ＱA(R+ΔR)）／２）／Ｒ （２） 式（２）からも明らかなとおり、隣接するノッチを通過
する電荷量の平均値を幅広のノッチを通過する電荷量か
ら減算することによって、通常は無視できる低速スキャ
ンによる半径位置のずれ(ΔR)をも考慮することがで
き、より正確にイオンを各半導体ウェハー２５に注入で
きる。
【００３３】図７（Ａ）及び（Ｂ）を参照すると、本発
明の各実施例に係るディスクにおいて、半導体ウェハー
を支持するために使用されるクランプ部の構成が示され
ている。図７（Ａ）からも明らかなとおり、取付部の外
周には回転による遠心力に抗して半導体ウェハー２５を
支持する第１のクランプ４１が設けられており、取付部
の内周に沿って第２及び第３のクランプ４２、４３が備
えられている。ここで、第２及び第３のクランプ４２、
４３は互いに同一の構成を有しているから、以下では第
２のクランプ４２についてのみ説明する。図７（Ｂ）に
示すように、第１のクランプ４１は取付部１５ｎに固定
された回転軸４１１と、この回転軸４１１から上方に延
びる固定用爪４１２とを備え、固定用爪４１２は半導体
ウェハー２５の外周と接触して、半導体ウェハー２５が
遠心力によって外周方向に飛び出さないように支持して
いる。また、第１のクランプ４１の下方に延びる部材は
圧縮バネ４１３によって取付部に固定されており、この
バネ４１３により図８（Ｂ）の時計方向に第１のクラン
プ４１を付勢している。更に、第１のクランプ４１の横
方向に延びる部材には、重り４１４が取り付けられてい
ると共に、その前方には、ストッパー４１５が設けられ
ている。
【００３４】他方、第２のクランプ４２は遠心力による
影響を考慮する必要がないため、第１のクランプ４１に
比較して簡略化された構成を有しており、ここでは、取
付部１５ｎに支持された回転軸４２１を中心として回転
できる可動部材４２２と、圧縮バネ４２３によって取付
部１５ｎに取付けられたアーム４２４とを備えている。
アーム４２４の内側端部には、ストッパー４２５が設置
されており、このストッパー４２５により、ウェハー２
５が取付けられていない状態で、ア―ム４２５が所望さ
れない位置まで回動するのを防止することができる。
【００３５】上記した構成を有する第１乃至第３のクラ
ンプにより、半導体ウェハ―２５の端部を側方から抑
え、半導体ウェハー２５を取付部１５ｎ上にクランプす
ることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明では、中央部と橋絡部と取付部を
有するディスクを備え、複数のウェハーを該橋絡部の円
周に沿って間隔をおいてディスク上の取付部に配置する
ことで、ウェハー間の空間部により、イオンビームに晒
されるディスク領域を少なくして、不所望なスパッタリ
ングによるコンタミネーションを防止できる。更に、デ
ィスクのウェハー間の間隔のうち、少なくとも一か所の
間隔が残りの間隔と異なるように構成することにより、
残りの間隔の規則性を生かしながら、一部の変更によ
り、一か所の特定間隔を設けることができる。前記間隔
をイオンビームが通過するよう構成し、間隔の異なるウ
ェハー間の空間部を通過するイオンビームのそれそ゛れ
の電荷量の計測により、前記残りの間隔 のウェハー間の
空間部を通過したイオンビームから測定される各電荷量
と、前記残りの間隔と異なる少なくとも一か所の間隔の
ウェハー間の空間部を通過したイオンビームから測定さ
れる電荷量との電荷量の測定値を得ることができる。し
たがって、中央部と橋絡部と取付部を有するディスクを
備え、複数のウェハーを該橋絡部の円周に沿って間隔を
おいてディスク上の取付部に配置したイオンの注入装置
においても、該各空間部を通過したイオンビームから、
各電荷量を測定できるとともに該イオンビームに基いて
演算することによって、イオンの注入量を制御すること
が可能となったものである。特に、イオンビームから測
定される電荷量との電荷量の測定値の差分値の演算か
ら、イオンビーム電流の変動を検出でき、簡単な測定で
精度の高いものが得ることができる。そして、この検出
結果に応じて、前記イオンの注入位置を相対的に前記デ
ィスクの半径方向へ往復移動させるためのディスクの低
速スキャンの速度を、互いに異なるウェハー間の間隔、
並びに、ディスクの中心からイオンの注入位置までの距
離を参照して演算し、前記ウェハーにイオンが均一に注
入されるように、制御することにより、イオンを均一に
各半導体ウェハ―に注入できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るイオン注入装置の全体構成を説明
するための概略図である。
【図２】図１に示されたイオン注入装置に使用される本
発明の一実施例に係るディスクを説明するための平面図
である。
【図３】図２に示されたディスクの変形例を示す平面図
である。
【図４】本発明の他の実施例に係るディスクを説明する
ための平面図である。
【図５】本発明のもう一つの実施例に係るディスクを説
明するための平面図である。
【図６】本発明の他の実施例に係るディスクを説明する
ための平面図である。
【図７】（Ａ）は本発明に使用される半導体ウェハー取
付部を説明するための平面図である。（Ｂ）は図７
（Ａ）の半導体ウェハー取付部をＢ−Ｂ線に沿って破断
した概略断面図である。
【符号の説明】
１０ イオンビーム １２ ガイドチャンバー １３ 処理チャンバー １５ ディスク １６ 高速スキャン駆動機構 １７ 低速スキャン駆動機構 ２０ ビーム電流測定装置 ２２ 制御部 １５ａ ディスク中央部 １５ｂ 橋絡部 １５ｎ 半導体ウェハー取付部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−148547（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−22334（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/265 H01J 37/317

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 中央部、橋絡部、及び取付部を有するデ
    ィスクを備え、複数のウェハーを該橋絡部の円周に沿っ
    て間隔をおいてディスク上の前記取付部に配置するイオ
    ン注入装置において、イオンのウェハーに対する注入位置を、前記ディスクの
    回転方向で相対的に回転移動させるために、ディスクの
    中心位置を回転軸としてディスクを回転させる駆動装置
    を備え、 前記ディスクは、前記ウェハーの配置間隔のうち、少な
    くとも一か所のウェハーの配置間隔が残りのウェハーの
    配置間隔と異なるように、ウエハーが配置されていると
    共に、 該少なくとも一か所のウェハーの配置間隔の異なる部分
    のウェハー間の空間部と、残りのウェハーの配置間隔の
    部分のウェハー間の空間部とをイオンビームが通過する
    よう構成し、 該各空間部を通過したイオンビームから、各電荷量を測
    定するとともに該イオンビームに基いて演算することに
    よって、 イオンの注入量を制御することを特徴とするイ
    オン注入装置。
  2. 【請求項２】 請求項１において、残りの間隔をすべて
    等間隔として構成したことを特徴とするイオン注入装
    置。
  3. 【請求項３】 中央部と橋絡部と取付部を有するディス
    クを備え、複数のウェハーを該橋絡部の円周に沿って間
    隔をおいてディスク上の前記取付部に配置するととも
    に、 前記ウェハーに対するイオンの注入位置を相対的に前記
    ディスクの回転方向で回転移動させるためのディスクの
    中心位置を回転軸としてディスクを回転させる高速駆動
    装置と、 前記イオンのウェハーに対する注入位置を相対的に前記
    ディスクの半径方向へ往復移動させるためのディスクの
    低速駆動装置とを備えるとともに、 前記ディスクは、前記ウェハーの配置間隔のうち、少な
    くとも一か所の間隔が残りの間隔と異なるようにウェハ
    ーを配置することができるよう構成されているイオン注
    入装置において、 前記ウェハーの配置間隔の部分のウェハー間の空間部を
    イオンビームが通過するよう構成し、 前記残りの間隔の部分のウェハー間の空間部を通過した
    イオンビームから測定される各電荷量と、前記残りの間
    隔と異なる少なくとも一か所の間隔の部分のウェハー間
    の空間部を通過したイオンビームから測定される電荷量
    との、電荷量の測定値に基いて、 該各電荷量を時間的に順次比較演算することにより、イ
    オンビーム電流の変動を検出し、この変動に応じて、回
    転軸に対してディスクの半径方向への低速移動速度を制
    御することにより、ビーム量の制御する手段を設けたこ
    とを特徴とするイオン注入装置。
  4. 【請求項４】 請求項３において、前記ディスクの半径
    方向へ往復移動させるための低速駆動装置の移動速度
    を、前記互いに異なるウェハー間の間隔、並びに、ディ
    スクの中心からイオンの注入位置までの距離を参照して
    演算し、前記ウェハーにイオンが一定の量で均一に注入
    されるように、制御する制御手段を有していることを特
    徴とするイオン注入装置。
  5. 【請求項５】 請求項３において、前記ディスクはイオ
    ンを注入される側の第１面と、該第１面の反対側に位置
    づけられた第２面とを備え、第２面側には、前記ウェハ
    ―の間を通過したイオンビームの電荷量を測定する電流
    測定装置が、前記ディスクの半径方向への往復移動線の
    後方となる位置に設けられていることを特徴とするイオ
    ン注入装置。
  6. 【請求項６】 請求項４において、前記制御手段は、異
    なるウェハー間の間隔の部分のウェハー間の空間部を通
    過した電荷量の差分値をディスクの１回転毎に逐次検出
    し、該電荷量の差分値に基づいて、前記低速駆動装置の
    移動速度を制御することを特徴とするイオン注入装置。
  7. 【請求項７】 請求項３において、前記ウェハーの配置
    の間隔のうち、少なくとも一か所の間隔が残りの間隔と
    異なるようにウェハーを配置する前記ディスクは、複数
    箇所における前記ウェハー間の残りの間隔が他のウェハ
    ー間の残りの間隔と異なるように構成されていることを
    特徴とするイオン注入装置。
  8. 【請求項８】 請求項３において、前記残りの間隔のう
    ち、前記残りの間隔と異なる少なくとも一か所の間隔の
    直前もしくは直後の間隔の部分のウェハー間の空間部を
    通過したイオンビームから各電荷量を測定する手段を設
    けたことを特徴とするイオン注入装置。
  9. 【請求項９】 請求項４において、前記電荷量の測定及
    び制御はディスクの回転毎に行う手段を設けたことを特
    徴とするイオン注入装置。
JP6129319A 1994-06-10 1994-06-10 イオン注入装置 Expired - Fee Related JP3003088B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6129319A JP3003088B2 (ja) 1994-06-10 1994-06-10 イオン注入装置
US08/458,354 US5608223A (en) 1994-06-10 1995-06-02 Ion implantation device
KR1019950015318A KR100326365B1 (ko) 1994-06-10 1995-06-10 이온주입장치및방법
DE1995625563 DE69525563T2 (de) 1994-06-10 1995-06-12 Ionenimplantierungsgerät
EP95304036A EP0686995B1 (en) 1994-06-10 1995-06-12 An ion implantation device
TW084106510A TW359859B (en) 1994-06-10 1995-06-24 Apparatus for use in an ion implantation system and method for use with an ion implantation system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6129319A JP3003088B2 (ja) 1994-06-10 1994-06-10 イオン注入装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07335585A JPH07335585A (ja) 1995-12-22
JP3003088B2 true JP3003088B2 (ja) 2000-01-24

Family

ID=15006643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6129319A Expired - Fee Related JP3003088B2 (ja) 1994-06-10 1994-06-10 イオン注入装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5608223A (ja)
JP (1) JP3003088B2 (ja)
KR (1) KR100326365B1 (ja)
TW (1) TW359859B (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001516129A (ja) * 1997-08-13 2001-09-25 バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド リニア気体軸受け及びアクティブカウンターバランスオプションを有するスキャニングシステム
US5898179A (en) * 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
JP3064269B2 (ja) * 1998-10-30 2000-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2000183139A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Hitachi Ltd イオン注入装置
EP1056114A3 (en) * 1999-05-24 2007-05-09 Applied Materials, Inc. Ion implantation apparatus
US6452196B1 (en) 1999-12-20 2002-09-17 Axcelis Technologies, Inc. Power supply hardening for ion beam systems
US7589032B2 (en) 2001-09-10 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, semiconductor manufacturing method, semiconductor device, and electronic equipment
US20030116089A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-26 Walther Steven R. Plasma implantation system and method with target movement
JP4061492B2 (ja) * 2003-02-10 2008-03-19 ソニー株式会社 情報処理装置および消費電力制御方法
US7453160B2 (en) 2004-04-23 2008-11-18 Axcelis Technologies, Inc. Simplified wafer alignment
JP4795755B2 (ja) * 2005-08-25 2011-10-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体基板の製造装置
JP5020547B2 (ja) * 2006-06-02 2012-09-05 株式会社Ｓｅｎ ビーム処理装置及びビーム処理方法
WO2009028065A1 (ja) 2007-08-30 2009-03-05 Fujitsu Microelectronics Limited イオン注入装置、基板クランプ機構、及びイオン注入方法
JP2010199569A (ja) * 2009-02-02 2010-09-09 Sumco Corp Ｓｉｍｏｘウェーハの製造方法
EP2320454A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-11 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Substrate holder and clipping device
FR2953643B1 (fr) * 2009-12-08 2012-07-27 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
FR2953641B1 (fr) * 2009-12-08 2012-02-10 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante
FR2957193B1 (fr) * 2010-03-03 2012-04-20 Soitec Silicon On Insulator Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante
FR2953636B1 (fr) * 2009-12-08 2012-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de commande d'une cellule memoire dram sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
US8508289B2 (en) * 2009-12-08 2013-08-13 Soitec Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer
FR2955200B1 (fr) * 2010-01-14 2012-07-20 Soitec Silicon On Insulator Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree
FR2955203B1 (fr) * 2010-01-14 2012-03-23 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree
FR2955195B1 (fr) * 2010-01-14 2012-03-09 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi
FR2955204B1 (fr) * 2010-01-14 2012-07-20 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical
FR2957186B1 (fr) * 2010-03-08 2012-09-28 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire de type sram
FR2957449B1 (fr) 2010-03-11 2022-07-15 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Micro-amplificateur de lecture pour memoire
FR2958441B1 (fr) 2010-04-02 2012-07-13 Soitec Silicon On Insulator Circuit pseudo-inverseur sur seoi
EP2375442A1 (en) 2010-04-06 2011-10-12 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Method for manufacturing a semiconductor substrate
EP2381470B1 (en) 2010-04-22 2012-08-22 Soitec Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure
US10553411B2 (en) 2015-09-10 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ion collector for use in plasma systems
CN112309810A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 上海先进半导体制造股份有限公司 离子注入机、晶圆片温度的实时监测方法及***

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3778626A (en) * 1972-07-28 1973-12-11 Western Electric Co Mechanical scan system for ion implantation
US4234797A (en) * 1979-05-23 1980-11-18 Nova Associates, Inc. Treating workpieces with beams
US4517465A (en) * 1983-03-29 1985-05-14 Veeco/Ai, Inc. Ion implantation control system
US4733091A (en) * 1984-09-19 1988-03-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers
DE3588132T2 (de) * 1984-09-19 1997-04-03 Applied Materials Inc Vorrichtung zum Scannen von Wafern
US4628209A (en) * 1985-06-07 1986-12-09 Eaton Corporation Particle implantation apparatus and method
US4672210A (en) * 1985-09-03 1987-06-09 Eaton Corporation Ion implanter target chamber
US4775796A (en) * 1987-01-06 1988-10-04 Purser Kenneth H Treating workpieces with beams
JPH077658B2 (ja) * 1989-05-15 1995-01-30 日新電機株式会社 イオン注入装置
US5053627A (en) * 1990-03-01 1991-10-01 Ibis Technology Corporation Apparatus for ion implantation
JP3060055B2 (ja) * 1992-10-06 2000-07-04 日本鋼管株式会社 スポット溶接性、プレス成形性および化成処理性に優れた亜鉛系めっき鋼板およびその製造方法
US5432352A (en) * 1993-09-20 1995-07-11 Eaton Corporation Ion beam scan control
US5525807A (en) * 1995-06-02 1996-06-11 Eaton Corporation Ion implantation device

Also Published As

Publication number Publication date
US5608223A (en) 1997-03-04
JPH07335585A (ja) 1995-12-22
TW359859B (en) 1999-06-01
KR960002543A (ko) 1996-01-26
KR100326365B1 (ko) 2002-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3003088B2 (ja) イオン注入装置
KR100624608B1 (ko) 웨이퍼 배향 센서
KR101095112B1 (ko) 이온 주입 시스템용 이온 빔 입사각 검출기
US6813001B2 (en) Exposure method and apparatus
US5525807A (en) Ion implantation device
US7435977B2 (en) Ion beam angle measurement systems and methods for ion implantation systems
US6297510B1 (en) Ion implant dose control
JPH09326356A (ja) 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置
JP2003529217A (ja) 移動可能なステージとファラデーカップとを用いて均一に帯電した粒子を照射する装置および方法
JPH10335215A (ja) 荷電粒子線描画装置
US6586753B2 (en) Electron beam apparatus and electron beam adjusting method
US4628209A (en) Particle implantation apparatus and method
US6031240A (en) Method and apparatus for ion implantation
US7385208B2 (en) Systems and methods for implant dosage control
US10955266B2 (en) Light detector employing trapezoidal chips
EP0686995B1 (en) An ion implantation device
US6836690B1 (en) High precision substrate prealigner
JP2007165655A (ja) ウエハ方向センサー
JPH01276722A (ja) 基板処理装置
JPH09219437A (ja) 位置決め装置
JPH0828206B2 (ja) イオン注入量制御方法
JPH0210642A (ja) イオン注入装置
JPH11329333A (ja) イオン注入装置
JPH08315762A (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JP3729811B2 (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19991020

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119

Year of fee payment: 10

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119

Year of fee payment: 11

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees