DE359404T1 - Nichtfluechtige speicherzelle und abfuehlverfahren. - Google Patents

Nichtfluechtige speicherzelle und abfuehlverfahren.

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DE359404T1 DE198989308273T DE89308273T DE359404T1 DE 359404 T1 DE359404 T1 DE 359404T1 DE 198989308273 T DE198989308273 T DE 198989308273T DE 89308273 T DE89308273 T DE 89308273T DE 359404 T1 DE359404 T1 DE 359404T1
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ferroelectric capacitor
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ferroelectric
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Kenneth Colorado Springs Colorado 80916 Mobley
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Claims (12)

  1. O &iacgr;> ff
    &ogr; &eegr; &eegr;
    35940 &eeacgr;
    Patentansprüche
    . Eine nichtflüchtige Speicherzelle mit einem ferroelektrischen Kondensator, einer ersten Bitlinie, einer ersten Schaltvorrichtung, die eine Platte des Kondensators mit der ersten Bitlinie verbindet, einer zweiten Bitlinie und einer zweiten Schaltvorrichtung, die die andere Platte des Kondensators mit der zweiten Bitlinie verbindet.
  2. 2. Zelle nach Anspruch 1 mit einer angekoppelten Wortlinie zur Kontrolle sowohl der ersten als auch der zweiten Schaltvorrichtung.
  3. 3. Zelle nach Anspruch 2, bei der die Schaltvorrichtungen Transistoren aufweisen.
  4. 4. Verfahren zum Lesen von in einer nichtflüchtigen Speicherzelle gespeicherten Daten, die einen ferroelektrischen Kondensator benutzt mit den Schritten des Anlegens eines ersten Impulses an den Kondensator und Speichern eines ersten, sich ergebenden Signals, des Anlegens eines zweiten Impulses an den Kondensator, um ein zweites entstehendes Signal zu erzeugen , und des Kombinierens des ersten und zweiten erhaltenen Signals.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Speicherschritt das Speichern von Ladung in einem Kondensator umfaßt.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Speicher- und Erzeugungsschritte das Abspeichern des ersten erhaltenen Signals in einem ersten Speicherkondensator und das Abspeichern des zweiten erhaltenen Signals in einem zweiten Speicherkondensator umfassen.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der erste Impuls
    in einem ersten Polaritätssinn an den Kondensator angelegt wird und der zweite Impuls in einem zweiten Polaritätssinn.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die ersten und zweiten Impulse Spannungsauslenkungen derselben Polarität aufweisen, wobei aber einer der Impulse an die eine Platte des ferroelektrischen Kondensators und der andere der Impulse an die andere Platte des ferroelektrischen Kondensators angelegt wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der erste Impuls über eine mit einer Platte des ferroelektrischen Kondensators verbundene erste Bitlinie angelegt wird und der zweite Impuls über eine mit der anderen Platte des ferroelektrischen Kondensators verbundenen zweiten Bitlinie angelegt wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, das außerdem das Isolieren des ferroelektrischen Kondensators von der ersten Speichervorrichtung umfaßt, während eine andere Speichervorrichtung an den ferroelektrischen Kondensator gekoppelt ist, und dann die Isolierung des ferroelektrischen Kondensators von der anderen Bitlinie und der anderen Speichervorrichtung, während es an die eine Speichervorrichtung angeschlossen ist.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der erste Impuls den ferroelektrischen Kondensator längs eines ersten Abschnittes einer Hysteresisschleife betreibt und der zweite Impuls den Kondensator längs eines davon verschiedenen Abschnittes der Schleife betreibt.
  12. 12. Verfahren zum Lesen von in einer nichtflüchtigen Speicherzelle gespeicherten Daten, die einen ferroelektrischen Kondensator benutzt, mit den Schritten:
    Anlegen eines ersten Impulses an den ferroelektrischen Kondensator und Erzeugung eines Signals in einem ersten Speicherkondensator, der selektiv mit dem ferroelektrischen Kondensator verbunden ist, während der ferroelektrische Kondensator von einem zweiten Speicherkondensator isoliert ist, dann
    Anlegen eines zweiten Speicherimpulses an den ferroelektrischen Kondensator und Erzeugung eines Signals in einem zweiten Speicherkondensator, der selektiv an den ferroelektrischen Kondensator gekoppelt ist, während der ferroelektrische Kondensator von dem ersten Speicherkondensator isoliert ist; und
    Kombinieren der Signale aus dem ersten und zweiten Speicherkondensator zur Bestimmung des ursprünglichen Polarisationszustandes des ferroelektrischen Kondensators.
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