DE3541962C2 - Dampfabscheidungsvorrichtung und deren Verwendung zur Herstellung epitaktischer Schichten - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ferner bezieht sich die Erfindung auf die Anwendung zur Herstellung epitaktischer Schichten gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 9 mit Hilfe einer derartigen Dampfabscheidungsvorrichtung.

Die genannten Schichten, die durch Niederschlag von Halbleitermaterial auf einem Halbleiterwafer gebildet werden und dort aufwachsen, lassen sich beispielsweise mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens (CVD-Verfahrens) oder mit Hilfe des Metal-Organic-Chemical-Vapor-Deposition- Verfahrens (MOCVD-Verfahrens) erzeugen.

Hierzu stehen konventionelle Vorrichtungen zur epitaktischen chemischen Dampfabscheidung (CVD) zur Verfügung (US-PS 36 90 290). Eine derartige bekannte Vorrichtung besitzt eine Reaktionskammer, die zum Beispiel glockenartig ausgebildet ist und aus Quarzglas besteht. Das Reaktionsgas tritt im oberen Bereich der Reaktionskammer ein und verläßt die Reaktionskammer durch einen Ausgang in ihrem unteren Bereich.

Eine Trägerplatte bzw. ein Aufnehmer zur Positionierung eines Halbleiterwafers bzw. Halbleiterplättchens ist so angeordnet, daß seine Aufnahmefläche schräg zur Strömungsrichtung des in die Reaktionskammer eintretenden Reaktionsgasstroms liegt. Der Aufnehmer wird während seiner Erwärmung und während das Reaktionsgas vertikal auf den auf dem Aufnehmer liegenden Halbleiterwafer auftrifft, in einer horizontalen Ebene gedreht.

Mit der bekannten Dampfabscheidungsvorrichtung ist es praktisch nicht möglich, ein gleichmäßiges epitaktisches Wachstum des abgeschiedenen Halbleitermaterials auf dem Halbleiterwafer zu erzeugen, da durch die konstanten Strömungsverhältnisse an unterschiedlichen Stellen auf dem Halbleiterwafer unterschiedliche Reaktionsgaskonzentrationen vorliegen und sich die Wachstumsgeschwindigkeit des niedergeschlagenen Materials in radialer Richtung des Aufnehmers ändert. Durch die Beheizung der Reaktionskammer von außen herrscht in ihrem Innern eine inhomogene Temperaturverteilung, so daß die Halbleiterwafer unterschiedlich stark erwärmt werden, was ebenfalls zu unterschiedlichen Wachstumsgeschwindigkeiten führt. Mit einer derartigen Vorrichtung lassen sich somit keine gleichmäßigen epitaktisch aufgewachsenen verbundenen Schichten bilden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Dampfabscheidungsvorrichtung zur Bildung epitaktisch aufgewachsener Schichten auf der Oberfläche eines Halbleiterwafers zu schaffen, mit deren Hilfe auch bei einer großen Anzahl von Halbleiterwafern gleichmäßig aufgewachsene epitaktische Schichten erzeugt werden können

Die vorrichtungsseitige Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben.

Dagegen ist die verwendungsseitige Lösung der gestellten Aufgabe dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 9 zu entnehmen.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den jeweils nachgeordneten Unteransprüchen gekennzeichnet.

Eine Dampfabscheidungsvorrichtung zur Bildung einer Schicht auf einem Halbleiterwafer durch Niederschlag von Schichtmaterial in einem Reaktionsgas besitzt ein Reaktionsgefäß, eine Einlaßöffnung zur Einleitung eines Reaktionsgases in das Reaktionsgefäß, eine Auslaßöffnung, durch die das Reaktionsgas aus dem Reaktionsgefäß ausströmen kann, eine innerhalb des Reaktionsgefäßes angeordnete Trägereinrichtung, sowie eine Dreheinrichtung zur Drehung der Trägereinrichtung um ihre Drehachse. Diese Dampfabscheidungsvorrichtung zeichnet sich durch eine mit der Trägereinrichtung verbundene Aufnehmereinrichtung, auf die der Halbleiterwafer auflegbar ist, und die relativ zur Trägereinrichtung um ihre Aufnehmerachse drehbar ist, die unter einem spitzen Winkel (R) relativ zur Drehachse der Trägereinrichtung verläuft, und durch eine Antriebseinrichtung zur Drehung der Aufnahmeeinrichtung um ihre Aufnahmeachse aus.

Die Aufnahmeeinrichtung umfaßt vorzugsweise mehrere konzentrisch um die Trägereinrichtung herum angeordnete Aufnehmer, während die Einlaßöffnung so angeordnet ist, daß der Reaktionsgasstrom im wesentlichen vertikal nach unten verläuft und auf die schräg zu seiner Strömungsrichtung liegenden mehreren Aufnehmer trifft.

Nach einer sehr vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind die Aufnehmer mit ihren Aufnehmerachsen gegenüber der Drehachse der Trägereinrichtung um einen Winkel geneigt, der zwischen 10° und 80° liegt.

Beispielsweise läßt sich die Dampfabscheidungsvorrichtung nach der vorliegenden Anmeldung zur Bildung von AlGaAs-Schichten auf dem Halbleiterwafer verwenden.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die Aufnehmer scheibenartig ausgebildet sind und an ihrer Rückseite einen Ansatz besitzen, jeweils ein mit der Trägereinrichtung verbundener und von dieser abstehender zylindrischer Achsansatz in eine entsprechende Ausnehmung im Ansatz hineinragt, die Aufnehmer an ihrem äußeren Umfangsrand ein Antriebskegelzahnrad tragen, und daß konzentrisch zur Drehachse der Trägereinrichtung ein Tellerzahnrad angeordnet ist, das mit dem Antriebskegelzahnrad kämmt. Der Zahnkranz dieses Tellerzahnrades liegt in einer horizontalen Ebene, die parallel zur Bodenfläche des Reaktionsgefäßes angeordnet ist. Er kann mit dieser Bodenfläche fest verbunden sein. Wird die Trägereinrichtung um ihre Längsachse gedreht, zu der konzentrisch der Tellerzahnkranz liegt, so werden die Aufnehmer durch die Achsansätze mitgenommen. Aufgrund des feststehenden Tellerzahnrades drehen sich dabei die Aufnehmer gleichzeitig um den Achsansatz.

Vorzugsweise können die Aufnehmer aus Graphit oder SiC (Siliziumcarbid) bestehen.

Nach einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung bestehen das Antriebskegelzahnrad und das Tellerzahnrad aus Quarz, Graphit, einer hitzebeständigen Keramik oder ebenfalls aus SiC.

Die Verwendung der Vorrichtung nach der Erfindung zur Herstellung einer epitaktischen Schicht auf einem Halbleiterwafer zeichnet sich durch folgende Schritte aus:

Positionieren des Halbleiterwafers auf einem Aufnehmer, der im Bereich einer Reaktionszone durch hochfrequente elektromagnetische Strahlung induktiv aufheizbar ist, Bilden eines im wesentlichen nach unten durch die Reaktionszone hindurchströmenden Reaktionsgasstromes, so daß das Reaktionsgas aufgrund der Temperatur in der Reaktionszone zur Bildung der epitaktischen Schicht auf dem Halbleiterwafer reagiert. Drehen des Aufnehmers gemeinsam mit dem Halbleiterwafer um eine Achse des Aufnehmers während der Reaktion, wobei die Achse des Aufnehmers sowohl gegenüber einer horizontalen Ebene als auch gegenüber einer vertikalen Ebene der Reaktionszone geneigt ist, und Drehen des Aufnehmers gemeinsam mit dem Halbleiterwafer während der Reaktion um eine im wesentlichen vertikale Drehachse.

Die vorliegende Erfindung betrifft somit eine Vorrichtung und deren Verwendung zur Bildung epitaktischer Schichten mit Hilfe eines geeigneten CVD-Verfahrens oder MOCVD-Verfahrens. Die mit Hilfe der Vorrichtung auf den Halbleiterwafern erzeugten epitaktisch aufgewachsenen Schichten weisen sowohl eine gleichmäßige Dicke als auch eine gleichmäßige Zusammensetzung auf. Dabei wird im gesamten Bereich des Halbleiterwafers eine praktisch gleichförmige Wachstumsgeschwindigkeit bei der Bildung der genannten Schichten erreicht. Polykristalline Bereiche und dergleichen treten während dieses epitaktischen Wachstumsvorganges nicht mehr in nennenswertem Maße in Erscheinung.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird also ein Reaktionsgas mit verschiedenen Gaskomponenten, die sich unter den Reaktionsbedingungen zersetzen und abscheiden, um eine gewünschte Halbleiterschicht zu erhalten, in ein Reaktionsgefäß geleitet, das zum Beispiel glockenförmig ausgebildet sein kann. Die Strömungsrichtung verläuft vom oberen Ende des Reaktionsgefäßes zu seinem unteren Ende, also vertikal nach unten und entlang der longitudinalen bzw. vertikalen Symmetrieachse des Reaktionsgefäßes. Mehrere Trägertische bzw. Aufnehmer zur Positionierung von Halbleiterwafern (Substrate bzw. Halbleiterplättchen), auf denen Schichten durch Niederschlag im Reaktionsgas aufwachsen sollen, sind konzentrisch um die Zentralachse des Reaktionsgefäßes herum angeordnet. Die Aufnehmer sind dabei mit ihrer ebenen Fläche, auf die der Halbleiterwafer aufgelegt wird, so geneigt, daß diese ebene Fläche weder vertikal noch horizontal liegt. Die Fläche liegt also weder senkrecht noch parallel zum Reaktionsgasstrom. Vielmehr ist sie gegenüber diesem um einen vorbestimmten spitzen Winkel geneigt. Bei der Reaktion werden die einzelnen Aufnehmer jeweils um ihre eigene Aufnehmerachse gedreht, die unter dem genannten spitzen Winkel zur Symmetrielinie des Reaktionsgefäßes liegt. Die Aufnehmer drehen sich also in ihrer Scheibenebene. Gleichzeitig werden die Aufnehmer auch um die Symmetrielinie des Reaktionsgefäßes bewegt, so daß sie ebenfalls in einer im wesentlichen horizontal verlaufenden Ebene gedreht werden. Diese Ebene liegt praktisch senkrecht zur Strömungsrichtung des Reaktionsgases innerhalb des Reaktionsgefäßes.

Da die Aufnehmer zur Positionierung der Halbleiterwafer sowohl um ihre eigene Achse als auch unter einem vorbestimmtten spitzen Winkel relativ zur Gasströmungsrichtung um die Symmetrielinie des Reaktionsgefäßes herum gedreht werden, wird jeder Halbleiterwafer dem Reaktionsgasstrom unter im wesentlichen gleichen Bedingungen ausgesetzt. Die auf den Halbleiterwafern gebildeten Schichten können daher im gesamten Bereich mit gleichförmiger Wachstumsgeschwindigkeit und gleichmäßiger Zusammensetzung hergestellt werden.

Die Zeichnung stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar.

Fig. 1 zeigt einen in Längsrichtung verlaufenden Querschnitt durch eine Dampfabscheidungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Anmeldung.

Gemäß dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt die Dampfabscheidungsvorrichtung nach der vorliegenden Anmeldung ein Reaktionsgefäß 11, das beispielsweise ein glockenartiges Gefäß aus Quarz bzw. Quarzglas sein kann. Am oberen Ende des Reaktionsgefäßes 11 bzw. der Reaktionskammer ist eine Einlaßöffnung 12 vorhanden, durch die Reaktionsgas in das Reaktionsgefäß 11 hineinströmt. Die Einlaßöffnung 12 befindet sich dabei im Bereich der Achse bzw. Symmetrieachse des Reaktionsgefäßes, das beispielsweise zylinderförmig ausgebildet sein kann. Im unteren Bereich des Reaktionsgefäßes 11 befindet sich eine Auslaßöffnung 13, durch die das Reaktionsgas aus dem Reaktionsgefäß 11 wieder austritt, beispielsweise im Bereich der Seitenwand. Die Hauptströmungsrichtung des Reaktionsgases verläuft somit entlang der genannten Achse des Reaktionsgefäßes 11, die durch die strichpunktierte Linie in Fig. 1 angedeutet ist. Entlang bzw. auf dieser Achse befindet sich eine Trägereinrichtung, die eine drehbare Welle 14 aufweist, die mit Hilfe eines Antriebsmotors 15 frei um die genannte Achse drehbar ist. Die Symmetrielängsachse der Welle 14 und die genannte Achse des Reaktionsgefäßes 11 sind dabei identisch.

Am oberen Ende der drehbaren Welle 14 sind mehrere scheibenartig ausgebildete Trägertische 17 jeweils drehbar gelagert, durch die Aufnehmer zur Unterstützung bzw. Positionierung von Halbleiterwafern 16 gebildet werden. Die Trägertische bzw. Aufnehmer 17 besitzen untereinander alle den gleichen Winkelabstand in Drehrichtung der drehbaren Welle 14. Sind beispielsweise drei Aufnehmer 17 vorhanden, so besitzen diese untereinander einen gleichen Winkelabstand von 120° in Drehrichtung der drehbaren Welle 14. Jeder Aufnehmer 17 ist so angeordnet, daß die Ebene, auf der der Halbleiterwafer 16 liegt, zur inneren Wandfläche des Reaktionsgefäßes 11 weist, wobei die Fläche so geneigt ist, daß sie eine Position zwischen der horizontalen und der vertikalen Lage entsprechend der Fig. 1 einnimmt. Dabei ist jeder Aufnehmer 17 so positioniert, daß seine Drehachse, die senkrecht zu seiner ebenen Fläche verläuft, also senkrecht zur Richtung der Ebene, auf der der Halbleiterwafer 16 liegt, und die die Hauptflußrichtung des Reaktionsgases bzw. die Vertikalrichtung schneidet, unter einem vorbestimmten Winkel R von zum Beispiel 80° bis 10° liegt bzw. relativ zur Achse des Reaktionsgefäßes 11 oder zur Vertikalrichtung der Hauptströmungsrichtung des Reaktionsgases geneigt ist. Die Drehachse des Aufnehmers 17 verläuft also immer schräg nach oben, wie in Fig. 1 zu erkennen ist. Jeder Aufnehmer 17 ist für sich gesehen relativ zur drehbaren Achse 14 frei drehbar angeordnet, und zwar mit Hilfe eines Ansatzes 19 an der Rückseite des Aufnehmers 17, wobei der Ansatz 19 eine zylindrische Ausnehmung besitzt. In diese zylindrische Ausnehmung des Ansatzes 19 ragt eine zylindrische Achse 18 hinein, die mit der drehbaren Welle 14 verbunden ist. Der Aufnehmer 17 ist also um diese Achse 18 drehbar, die mit der Welle 14 mitgedreht wird und mit dieser fest verbunden ist. Zur Drehung des Aufnehmers 17 um diese Achse 18 bzw. um seine eigene Achse ist eine Dreheinrichtung vorgesehen. Die Dreheinrichtung besitzt beispielsweise ein Antriebskegelzahnrad 20 an der äußeren Umfangsfläche eines jeden scheibenartig ausgebildeten Aufnehmers 17, das mit einem Tellerzahnrad 21 kämmt, welches konzentrisch um die drehbare Welle 14 herum angeordnet ist. Das Tellerzahnrad 21 mit einer kranzförmigen ebenen Zahnanordnung liegt in einer horizontalen Ebene bzw. in einer Ebene, die senkrecht zur drehbaren Welle 14 verläuft. Das Tellerzahnrad 21 kann dabei mit dem Boden des Reaktionsgefäßes 11 fest verbunden sein.

Um das Reaktionsgefäß 11 herum liegt an seiner Außenseite und konzentrisch zu seiner Symmetrieachse bzw. zur Symmetrielängsachse der drehbaren Welle 14 eine Hochfrequenzspule 22. Mit Hilfe der durch die Hochfrequenzspule 22 erzeugten Hochfrequenzenergie wird jeder Aufnehmer 17 durch Induktion erhitzt, so daß auf diese Weise die Halbleiterwafer 16 auf den Aufnehmern 17 ebenfalls auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt werden können.

Die Aufnehmer 17 selbst innerhalb des Reaktionsgefäßes 11 bestehen aus Graphit oder Siliziumkarbid (SiC), während die drehbare Welle 14, das Tellerzahnrad 21 und das Antriebskegelzahnrad 20 aus Quarz, Graphit, einer hitzebeständigen Keramik oder ebenfalls aus SiC bestehen können. Sämtliche Materialien sind inerte Materialien, so daß durch sie keine Verunreinigungsgase erzeugt werden. Darüber hinaus besitzen sie alle gute hitzebeständige Eigenschaften. Die Antriebskegelzahnräder 20 können mit den jeweiligen Aufnehmern 17 einstückig verbunden sein, können aber auch unabhängig von den Aufnehmern 17 hergestellt werden und aus einem Material bestehen, das sich von dem des Trägertisches im ebenen Bereich zur Aufnahme des Halbleiterwafers 16 unterscheidet. Dementsprechend können Aufnehmer 17 und Antriebskegelzahnrad 20 nach ihrer Herstellung miteinander verbunden werden. Selbstverständlich sind auch andere Fertigungsmethoden denkbar. Bestehen der Aufnehmer 17, insbesondere der Ansatz 19, und die drehbare Welle 14, insbesondere der zylindrische, achsartig ausgebildete Ansatz 18, der von der drehbaren Welle 14 seitlich hervorspringt, aus Graphit, so können Ansatz 19 und Achse 18 glatt aufeinandergeführt werden, so daß sich der Aufnehmer 17 gleichmäßig und vibrationsfrei um die Achse 18 drehen kann.

Bei der oben beschriebenen Dampfabscheidungsvorrichtung nach der vorliegenden Anmeldung kann zur Bildung einer verbundenen Halbleiterschicht aus AlGaAs ein Trägergas, beispielsweise Wasserstoffgas, gemeinsam mit einem Reaktionsgas verwendet werden, das Trimethyl-Aluminium, Trimethyl-Gallium und Arsenwasserstoff (Arsin) enthalten kann. Dieses Reaktionsgemisch wird gemeinsam mit dem Trägergas durch die obere Einlaßöffnung 12 in das Reaktionsgemäß 11 hineingeführt, und zwar mit einem vorbestimmten Molekularverhältnis. Das Gasgemisch streicht dann am Halbleiterwafer 16 vorbei und kommt mit diesem in Kontakt, wenn dieser auf dem Aufnehmer 17 bzw. Trägertisch liegt. Dabei wird mit Hilfe des Antriebsmotors 15 die drehbare Welle gedreht. In diesem Fall drehen sich bei Drehung der drehbaren Welle 14 alle Aufnehmer 17 um die drehbare Welle 14 herum, wobei der vorbestimmte Abstand zwischen den Aufnehmern 17 bei der Drehung der drehbaren Welle 14 aufrechterhalten bleibt. Zur selben Zeit dreht sich dabei jeder Aufnehmer 17 um seine eigene Achse bzw. um die Achse 18, da der Tellerzahnkranz 21 mit dem Antriebskegelzahnrad 20 in Kontakt steht, das sich am Umfang eines jeden Aufnehmers 17 befindet. Das hat zur Folge, daß die jeweiligen Halbleiterwafer 16 auf den Aufnehmern 17 ebenfalls um ihre Achse gedreht werden, während sie gleichzeitig um die Achse bzw. Symmetrieachse des Reaktionsgefäßes 11 gedreht werden. Daher können alle Bereiche der auf den jeweiligen Aufnehmern 17 angeordneten Halbleiterwafer 16 vom Reaktionsgas unter im wesentlichen gleichen Bedingungen beaufschlagt bzw. getroffen werden.

In Fig. 1 ist lediglich ein Aufnehmer 17 zur Lagerung eines einzelnen Halbleiterwafers 16 dargestellt. Selbstverständlich können auch mehrere Halbleiterwafer 16 auf jeweils einem Aufnehmer 17 angeordnet werden.

Wie oben beschrieben, können alle Halbleiterwafer 16 bzw. Halbleiterplättchen in ihrem gesamten Flächenbereich gleichförmig bzw. gleichmäßig vom Reaktionsgas beaufschlagt und getroffen werden, wenn die Halbleiterwafer 16 sowohl um ihre eigene Achse (Flächennormale) als auch um die Symmetrieachse des Reaktionsgefäßes 11 gedreht werden. Wie bereits erwähnt, liegen auf dieser Symmetrieachse die Symmetrielängsachse der drehbaren Welle 14 und die Symmetrieachse der Einlaßöffnung 12. Auf diese Weise wird erreicht, daß Ungleichmäßigkeiten bezüglich der Reaktionsgeschwindigkeit und der Zusammensetzung der niedergeschlagenen Schichten vermieden werden.

Ferner sind entsprechend der vorliegenden Anmeldung die Aufnehmer 17 so angeordnet, daß die Oberfläche der auf ihnen liegenden Halbleiterwafer 16 nicht frontal vom Reaktionsgasstrom getroffen wird. Es kann auf diese Weise verhinder werden, daß Reaktionsgas auf der Oberfläche der Halbleiterwafer 16 verbleibt bzw. sich dort staut, so daß die Oberfläche der Halbleiterwafer 16 fortlaufend von frischem Reaktionsgas überstrichen wird. Der Aufwachsvorgang kann somit erheblich schneller bzw. besser verlaufen, derart, daß zum Beispiel keine polykristallinen Substanzen bzw. Bereiche während des epitaktischen Aufwachsvorganges gebildet werden.

Im allgemeinen besitzen die Aufnehmer 17 in ihrem äußeren Randbereich in der Nähe der Heizspule 22 infolge der Aufheizung durch die Heizspule 22 eine sehr hohe Temperatur. Entsprechend der vorliegenden Anmeldung ist es jedoch möglich, daß die Wärme aus diesem Bereich der Aufnehmer 17 über die jeweiligen Antriebskegelzahnräder 20 und das Tellerzahnrad 21 abgeleitet werden kann. Dementsprechend wird die Temperaturdifferenz zwischen dem zentralen Bereich und dem äußeren Randbereich eines jeden Aufnehmers 17 erheblich vermindert. Die chemische Reaktion an der Oberfläche eines jeden Halbleiterwafers 16 kann daher in noch gleichmäßigerer Weise erfolgen, so daß besonders gleichförmige epitakisch aufgewachsene Schichten erhalten werden.

Claims (11)

1. Dampfabscheidungsvorrichtung zur Bildung einer Schicht auf einem Halbleiterwafer (16) durch Niederschlag von Schichtmaterial in einem Reaktionsgas, mit

• - einem Reaktionsgefäß (11),
• - einer Einlaßöffnung (12) zur Einleitung des Reaktionsgases in das Reaktionsgefäß (11),
• - einer Auslaßöffnung (13), durch die das Reaktionsgas aus dem Reaktionsgefäß (11) ausströmen kann,
• - einer innerhalb des Reaktionsgefäßes (11) angeordneten Trägereinrichtung (14), und mit
• - einer Dreheinrichtung (15) zur Drehung der Trägereinrichtung (14) um ihre Drehachse, gekennzeichnet durch
• - eine mit der Trägereinrichtung (14) verbundene Aufnehmereinrichtung (17), auf die der Halbleiterwafer (16) auflegbar ist, und die relativ zur Trägereinrichtung (14) um ihre Aufnehmerachse drehbar ist, die unter einem spitzen Winkel (R) relativ zur Drehachse der Trägereinrichtung (14) verläuft, und durch
• - eine Antriebseinrichtung (20, 21) zur Drehung der Aufnahmeeinrichtung (17) um ihre Aufnahmeachse.

2. Dampfabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmeeinrichtung mehrere konzentrisch um die Trägereinrichtung (14) herum angeordnete Aufnehmer (17) umfaßt, und daß die Einlaßöffnung (12) so angeordnet ist, daß der Reaktionsgasstrom im wesentlichen vertikal nach unten verläuft und auf die schräg zu seiner Strömungsrichtung liegenden mehreren Aufnehmer (17) trifft.

3. Dampfabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennnzeichnet, daß die Aufnehmer (17) mit ihren Aufnehmerachsen gegenüber der Drehachse der Trägereinrichtung (14) um einen Winkel (R) geneigt sind, der zwischen 10° und 80° liegt.

4. Dampfabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie zur Bildung von AlGaAs-Schichten auf dem Halbleiterwafer (16) eingerichtet ist.

5. Dampfabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß

• - die Aufnehmer (17) scheibenartig ausgebildet sind und an ihrer Rückseite einen Ansatz (19) besitzen,
• - jeweils ein mit der Trägereinrichtung (14) verbundener und von dieser abstehender zylindrischer Achsansatz (18) in eine entsprechende Ausnehmung im Ansatz (19) hineinragt,
• - die Aufnehmer (17) an ihrem äußeren Umfangsrand ein Antriebskegelzahnrad (20) tragen, und daß
• - konzentrisch zur Drehachse der Trägereinrichtung (14) ein Tellerzahnrad (21) angeordnet ist, das mit dem Antriebskegelzahnrad (20) kämmt.

6. Dampfabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die scheibenartig ausgebildeten Aufnehmer (17) aus Graphit bestehen.

7. Dampfabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die scheibenartig ausgebildeten Aufnehmer (17) aus SiC bestehen.

8. Dampfabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 5 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das Antriebskegelzahnrad (20) und das Tellerzahnrad (21) aus Quarz, Graphit, einer hitzebeständigen Keramik oder aus SiC bestehen.

9. Verwendung der Dampfabscheidungsvorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8 zur Herstellung einer epitaktischen Schicht auf einem Halbleiterwafer (16), gekennzeichnet durch folgende Schritte:

• - Positionieren des Halbleiterwafers (16) auf dem Aufnehmer (17), der im Bereich einer Reaktionszone durch hochfrequente elektromagnetische Strahlung induktiv aufheizbar ist,
• - Bilden eines im wesentlichen nach unten durch die Reaktionszone hindurchströmenden Reaktionsgasstromes, so daß das Reaktionsgas aufgrund der Temperatur in der Reaktionszone zur Bildung der epitaktischen Schicht auf dem Halbleiterwafer (16) reagiert,
• - Drehen des Aufnehmers (17) gemeinsam mit dem Halbleiterwafer (16) um eine Achse des Aufnehmers (17) während der Reaktion, wobei die Achse des Aufnehmers (17) sowohl gegenüber einer horizontalen Ebene als auch gegenüber einer vertikalen Ebene der Reaktionszone geneigt ist, und
• - Drehen des Aufnehmers (17) gemeinsam mit dem Halbleiterwafer (16) während der Reaktion um eine im wesentlichen vertikale Drehachse.

10. Verwendung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Reaktionsgas mit Komponenten zum Einsatz kommt, die so zersetzbar sind, daß durch sie eine AlGaAs-Schicht auf der Oberfläche des Halbleiterwafers (16) gebildet wird.

11. Verwendung nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Aufnehmer (17) durch eine außerhalb einer Reaktionskammer (11) liegenden Heizeinrichtung (22) induktiv aufgeheizt wird.