DE3538065A1 - Fluessigkristall-anzeigeeinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Fluessigkristall-anzeigeeinrichtung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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Description
TER MEER · MÜLLER · S FEINMEISTER
353806b
Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu ihrer
Herstellung
Beschreibung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
und ein Verfahren zu ihrer Herstellung gemäß den Oberbegriffen der Patentansprüche 1 und 12.
Die Herstellung einer konventionellen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
der genannten Art wird nachfolgend anhand der Fig. 1A bis 11 näher erläutert. Wie in Fig. 1A dargestellt,
wird eine polykristalline Siliziumschicht 2 (polykristalliner Siliziumfilm),die eine vorgegebene Form besitzt, auf
einem Quarzsubstrat 1 gebildet, beispielsweise mit Hilfe des LPCVD-Verfahrens. Anschließend wird entsprechend der
Fig. 1B die obere Fläche thermisch oxydiert, um eine Siliziumoxydschicht
3 (SiOp-Schicht) auf der Oberfläche der polykristallinen
Siliziumschicht 2 zu erhalten, und um die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 2 auf einen gewünschten
vorbestimmten Wert zu verringern. Im Anschluß dardaran wird eine polykristalline Siliziumschicht 4 (Filmschicht)
auf der gesamten Oberfläche gebildet, wie ebenfalls anhand der Fig. 1B zu erkennen ist.
Sodann werden vorbestimmte Bereiche der polykristallinen Siliziumschicht 4 und der SiO„-Schicht 3 nacheinander mit
Hilfe eines Ätzverfahrens entfernt, um einen Gate-Isolationsfilm
6 zu bilden, der eine SiO„-Schicht von vorbestimmter
Größe und Form umfaßt, und um eine Gate-Elektrode 7 zu erhalten, die eine polykristalline Siliziumschicht von
ebenfalls vorbestimmter Größe und Form besitzt, wie die
TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEiSTER
Fig. 1C zeigt.
Auf der gesamten Oberfläche der Struktur wird entsprechend der Fig. 1D eine PSG-Schicht 8 gebildet, die wärmebehandelt
wird, und zwar bei einer Temperatur von etwa 10000C, so daß Phosphoratome (P), die innerhalb der PSG-Schicht 8
vorhanden sind, in die polykristalline Siliziumschicht 2 hineindiffundieren können. Auf diese Weise werden Source-
und Drain-Bereiche 10 und 11 vom η -Leitungstyp erhalten, die mit Phosphor (P)-Atomen in hoher Konzentration dotiert
sind.
In Fig. 1E ist zu erkennen, daß vorbestimmte Bereiche der
PSG-Schicht 8 durch einen Atzprozeß selektiv entfernt worden sind, um Öffnungen 8a und 8b zu erhalten. In diesen
Öffnungen befinden sich Aluminiumelektroden 12 und 13, die in Kontakt mit den Source- und Drain-Bereichen 10 bzw. 11
stehen.
Entsprechend der Fig. 1F wird auf der gesamten Oberfläche
der Struktur nach Fig. 1E eine Si3N.-Schicht 14 gebildet,
die eine innere Isolationsschicht darstellt. Diese Schicht 14 wird mit Hilfe eines Plasma-CBD-Verfahrens erzeugt. In
sie wird anschließend eine Öffnung 14a eingebracht.
Auf die so erhaltenen Struktur wird durch einen Sputtervorgang bei etwa 3000C eine ITO-Schicht niedergeschlagen,
die dann bereichsweise durch einen Ätzvorgang wieder entfernt wird, um eine ITO-Schicht zu erhalten, durch die
eine transparente Elektrode 16 mit vorbestimmter Größe gebildet wird. Danach wird, wie in Fig. 1H dargestellt ist,
eine Schutzschicht 1 7 aus Si~N. auf der gesamten Oberflächenstruktur
gemäß Fig. 1G aufgebracht. Zur Bildung einer Flüssigkristalleinheit wird entsprechend der Fig. 11 Flüssigkristallmaterial
20 zwischen der Si^N.-Schutzschicht 17
und einer gegenüberliegenden Elektrode 18 eingeschlossen,
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER
3b38Ub'b
ι die ihrerseits auf einer Oberfläche einer Glasplatte 19 im
;* voraus niedergeschlagen wurde. Der Aufbau der Flüssigkri-
'i stall-Anzeigeeinrichtung ist damit beendet.
j 5 Bei dieser konventionellen Flüssigkristall-Anzeigeeinrich-
- tung wird ein Dünnschicht-Transistor (Dünnfilm-Transistor
^ TFT) durch die Gate-Isolationsschicht 6, die Gate-Elektro-
? de 7 sowie durch die Source- und Drain-Bereiche 10 und 11
i gebildet. Dieser Dünnschicht-Transistor dient als Steuer-
Ί 10 bzw. Treibertransistor. Während des Schaltbetriebs des
*·! Steuertransistors wird zwischen der ITO-Bindeschicht 16,
] die eine transparente Elektrode bildet, und der gegenüber-
;\ liegenden Elektrode 18 eine Spannung erzeugt, mit deren
ν Hilfe die Lichtdurchlässigkeit des Flüssigkristallmate-
j 15 rials in allgemein bekannter Weise verändert werden kann.
;j Die konventionelle Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach
j Fig. 11 besitzt allerdings einige Nachteile. Da die trans-
I parente Elektrode an der Seite des Steuertransistors zur
ί 20 Anlegung der Spannung an das Flüssigkristallmaterial 20
, die ITO-Schicht 16 umfaßt, sind sowohl der Schritt zur
Bildung des Dünnschicht-Transistors (TFT-Transistors) und
der Schritt zur Bildung der transparenten Elektrode erforderlich, um die oben beschriebene Flüssigkristall-Anzei-25
geeinrichtung zu erhalten. Es müssen nicht nur der Schritt
• zu Bildung bzw. Niederschlagung der ITO-Schicht 16 und der
* Schritt zur Bildung eines Musters in ihr durchgeführt werden,
sondern zusätzlich der Schritt zur Bildung der Si-.N.-
f Schicht 14 (innere Isolationsschicht) und der Schritt zur
30 Bildung der Öffnung 14a in dieser Schicht 14. Nach Herstel-'
lung des Dünnschichttransistors besteht weiterhin die Ge-
' fahr, daß durch den Sputterprozeß zur Bildung der ITO-
Schicht 16 und durch den Plasma-CVD-Prozeß zur Bildung der
I Si3N.-Schicht 17 der Transistor beschädigt wird, wodurch
j 35 sich seine effektive Ladungsträgerbeweglichkeit Ueff ver-J
ringern oder seine Schwellspannung ν . erhöhen könnte.
Dies hätte eine Verschlechterung der Transistoreigenschaf-
TER MEER · MÜLLER · STEIfMMEISTER
ten zur Folge.
Ein Dünnschicht-Transistor (Dünnfilm-Transistor TFT), wie
er in der oben beschriebenen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung verwendet wird, ist bereits in "The Japanese
Society Applied Physics" 45th Symposium articles (1984), Seite 407 bis 408, Positionen 14p-A4 bis 14p-A6 beschrieben.
In diesem Artikel wird ein polykristalliner Silizium-Dünnschicht-Transistor diskutiert, dessen Transistoreigenschäften
durch eine sehr dünne polykristalline Siliziumschicht verbessert sind. Der Artikel beschreibt ferner spezielle
Wachstumseffekte und Leitfähigkeitseigenschaften
einer polykristallinen Siliziumschicht, die durch Thermooxydation mit einer sehr geringen Schichtdicke hergestellt
worden ist. Ferner werden Verbesserungen von Transistoreigenschaften
diskutiert, die durch Hydrogenisierung und Temperung bei Tempertaturen von 4000C erhalten worden sind,
nachdem durch ein Plasma-CVD-Verfahren eine Si~N,-Schicht
auf dem sehr dünnen polykristallinen Silizium-Dünnschicht-Transistor gebildet wurde.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß sie die oben beschriebenen Nachteile nicht
mehr aufweist. Darüber hinaus ist es Ziel der Erfindung, ein Verfahrung zur Herstellung einer derart verbesserten
Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung anzugeben.
Die gestellte Aufgabe wird vorrichtungsseitig durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Die verfahrensseitige Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 12 angegeben.
Die Unteransprüche stellen vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung dar.
TER MEER · MÜLLER ■ S^EINMEISTER
Eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach der Erfindung mit einer Anzeigeeinheit, die zwei einander gegenüberliegende Elektroden besitzt, zwischen denen ein Flüssigkristallmaterial
eingeschlossen ist, und die einen Dünnschicht-Transistor zur Steuerung einer zwischen den Elektroden
liegenden Spannung aufweist, zeichnet sich dadurch aus, daß ein Drain-Bereich des Dünnschicht-Transistors
und eine der einander gegenüberliegenden Elektroden, die mit dem Drain-Bereich verbunden ist, durch dieselbe polykristalline
Siliziumschicht gebildet sind.
Die Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach der Erfindung besitzt gegenüber der konventionellen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
einen vereinfachten Aufbau und ist einfacher herstellbar, da eine Anzahl von Schichten entfallen
kann.
Der genannte Dünnschicht- bzw. Dünnfilm-Transistor dient
als Steuer- bzw. Treibertransistor, über den eine geeignete Spannung an die Elektroden der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
anglegbar ist. Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung liegt die polykristalline
Siliziumschicht auf einem transparenten Substrat, beispielsweise auf einem Quarzsubstrat oder auf einem Glassubstrat.
Ein Dotierungsmaterial, das in den Drain-Bereich des Dünnschicht-Transistors eingebracht ist, ist
vom selben Leitfähigkeitstyp wie dasjenige, das in die
genannte eine der einander gegenüberliegenden Elektroden eingebracht worden ist. Vorteilhafterweise ist die polykristalline
Siliziumschicht eine n-Typ-Schicht, in die Dotierungsmaterial vom n-Leitungstyp mit hoher Konzentration
eingebracht ist.
Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält
ein Teil der polykristallinen Siliziumschicht, die die genannte eine der einander gegenüberliegenden Elektroden
bildet, wenigstens eines der Elemente aus der Sau-
TER MEER · MÖLLER · STEIN'MEISTER
_ 10 _3538L765
erstoff, Stickstoff und Kohlenstoff umfassenden Gruppe.
Die polykristalline Siliziumschicht kann in demjenigen Bereich, der die genannte eine der einander gegenüberliegenden
Elektroden bildet, mehrere Öffnungen besitzen. Die Dikke der polykristallinen Siliziumschicht liegt vorzugsweise
im Bereich zwischen 2 bis 100 nm (20 bis 1000 A).
Das Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
nach der Erfindung zeichnet sich durch folgende Verfahrensschritte aus:
- Bildung einer polykristallinen Siliziumschicht auf einem ebenen, isolierenden und lichtdurchlässigen Substrat,
- Bildung einer Siliziumdioxydschxcht auf der polykristallinen Siliziumschicht,
- Bildung einer Gate-Elektrode für einen Dünnschicht-Transistor auf dem ebenen isolierenden Substrat,
- Bildung einer Source-Elektrode für den Dünnschicht-Transistor auf dem ebenen isolierenden Substrat,
- Bildung einer leitfähigen Schicht aus polykristallinem Silizium auf dem ebenen isolierenden Substrat, die eine
Drain-Elektrode für den Dünnfilm-Transistor und eine erste ebene Elektrode bildet,
- Bildung einer zweiten ebenen Elektrode auf einer transparenten Platte, und
- Verbindung von transparenter Platte und ebenem isolierendem Substrat so, daß ein Flüssigkristallmaterial zwischen
ihnen bzw. den Elektroden eingeschlossen ist.
Die Zeichnung stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigen:
Fig. 1A bis 11 Querschnittsdarstellungen einer konventionellen
Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung in verschiedenen Herstellungsstufen,
Fig. 2A bis 2G Querschnittsdarstellungen einer Flüssig-
TER MEER · MÜLLER · STEIf^MEISTER
_ u _ JbTSTJFb
kristall-Anzeigeeinrichtung gemäß der vorliegenden Anmeldung in verschiedenen
Herstellungsstufen, und
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Flüssigkristall-
Anzeigeeinrichtung nach Fig. 2
Anhand der Fig. 2A bis 2G und Fig. 3 wird nachfolgend der Aufbau einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung gemäß der
vorliegenden Anmeldung näher beschrieben. Gleiche Teile wie in den Fig. 1A bis 11 sind dabei mit den gleichen Bezugszeichen
versehen.
Wie die Fig. 2A zeigt, liegt eine polykristalline Siliziumschicht 2 mit einer Größe, die der Größe eines Pixels bzw.
Bildelementes entspricht, und die eine Dicke von etwa 70 nm besitzt,auf einem Quarzsubstrat 1. Die polykristalline
Siliziumschicht 2 ist beispielsweise mit Hilfe des LPGVD-Verfahrens auf dem Quarzsubstrat 1 gebildet worden.
Gemäß der Fig. 3 besitzt die polykristalline Siliziumschicht 2 (polykristalliner Siliziumfilm) eine im wesentlichen
rechteckförmige Gestalt sowie eine rechteckförmige
Ausnehmung 2b in einer ihrer Ecken, wobei sich die rechteckförmige Ausnehmung 2b senkrecht zu einer Seite der polykristallinen
Siliziumschicht 2 erstreckt. In dem verbleibenden flachen rechteckförmigen Bereich 2a in der Nähe der
rechteekförmigen Ausnehmung 2b ist ein Dünnschicht-Transistor TFT gebildet, dessen Herstellung nachfolgend beschrieben
wird.
Entsprechend der Fig. 2B wird die Struktur nach Fig. 2A
thermisch oxydiert, um eine SiO^-Schicht 3 (SiO7-FiIm) zu
bilden und die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 2 auf ca. 20 nm zu verringern. Anschließend wird eine polykristalline
Siliciumschicht 4 auf der so erhaltenen Struktur erzeugt.
TER MEER · MÜLLER ■ STEiNMEIS^E=?
3538WF
Entsprechend der in den Fig. 1B und 1D beschriebenen Art
werden eine Gate-Isolationsschicht 6 und eine Gate-Elektrode
7 gebildet, wie die Fig. 2C zeigt. Anschließend werden gemäß Fig. 2D eine PSG-Schicht 8 auf der Oberfläche
der so erhaltenen Struktur sowie Source- und Drain-Bereiche 10 und 11 vom η -Typ geformt, wie insgesamt anhand der
Fig. 2A bis 2D zu erkennen ist. Es sei darauf hingewiesen, daß die entsprechend der Fig. 2C gebildete Gate-Elektrode
und die Gate-Isolationsschicht 6 so angeordnet sind, daß sie den rechteckförmigen Bereich 2a in der Ecke des polykristallinen
Siliziumfilmes 2 kreuzen.
Wie die Fig. 2E zeigt, befindet sich in der PSG-Schicht 8 eine Öffnung 8a, durch die hindurch eine Aluminiumelektrode
12 verläuft, die mit dem Source-Bereich 10 verbunden
ist.
Eine Passivierungs- bzw. Schutzschicht, die eine Si3N4-Schicht
17 umfaßt, liegt gemäß der Fig. 2F auf der Oberfläche der in Fig. 2E dargestellten Struktur. Wie der
Fig. 2G zu entnehmen ist, liegt zwischen der Si^N.-Schicht
17 und einer gegenüberliegenden Elektrode 18, die auf
einer Glasplatte 19 entsprechend der in Fig. 11 beschriebenen Weise erzeugt worden ist, ein Flüssigkristallrnaterial
20, das zwischen der Schicht 17 und der Elektrode 18
dicht eingeschlossen ist. Die Fig. 2G zeigt somit den vollständigen Aufbau der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung.
Alle genannten Schichten können auch als Filme bezeichnet werden.
Die Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf die Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
gemäß der vorliegenden Anmeldung. Demgegenüber stellt die Fig. 2G einen Querschnitt entlang der
Linie A-A in Fig. 3 dar. Es sei darauf hingewiesen, daß in der Fig. 3 die Si-^N.-Schicht 17, die Glasplatte 19 und das
Flüssigkristallmaterial 20 nicht dargestellt sind.
TER MEER · MÜLLER ■ STElN'MElSTER
_ t3 _
In der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Fig. 2G dient die polykristalline Siliziumschicht 2 vom n+-Typ,
die eine Dicke von ca. 20 nm besitzt, und die den Drain-Bereich 11 bildet, auch als transparente Elektrode. Diese
sehr dünne polykristalline Siliziumschicht 2 ist im wesentlichen im gesamten Wellenlangenbereich des Lichtes transparent,
ausgenommen für kurzwellige bzw. blaue Strahlung, die absorbiert wird.
Aufgrund der Tatsache, daß der Drain-Bereich 11 und die
transparente Elektrode durch die gemeinsame polykristalline Siliziumschicht 2 vom η -Typ gebildet sind, ergeben
sich eine Reihe von Vorteilen. Beim Anmeldungsgegenstand ist es nicht erforderlich, wie beim Stand der Technik eine
ITO-Schicht 16 gemäß Fig. 1G als transparente Elektrode
vorzusehen. Daher braucht auch keine Si-N.-Schicht gemäß
der Fig. 1F als innere Isolationsschicht vorhanden zu sein. Die Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach der vorliegenden
Anmeldung besitzt somit gegenüber der konventionellen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung einen erheblich vereinfachteren
Aufbau. Im Ergebnis bedeutet das, daß die Schritte zur Aufbringung von Photoresist zur Bildung der
ITO-Schicht 16 und zur Bildung der Öffnung 14a innerhalb der Si^N.-Schicht 14 fortgelassen werden können. Auch die
Herstellung der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung gemäß der vorliegenden Anmeldung ist somit gegenüber der Herstellung
der konventionellen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung vereinfacht. Da die genannte ITO-Schicht 16 und
die Si-jN.-Schicht 14 nicht hergestellt zu werden brauchen,
wird das Risiko verringert, das der Dünnschicht-Transistor TFT (thin film transistor) aufgrund von Sputter- oder Plasma-CVD-Vorgängen
beschädigt werden kann, so daß der Dünnschicht-Transistor in der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
gemäß der vorliegenden Anmeldung ausgezeichnete Eigenschäften aufweist.
TER MEER · MÜLLER · ST E1 in N/1 El SXER
_ J4 _
Hinzu kommt, daß aufgrund der fehlenden ITO-Schicht der
Wärmewiderstand gegenüber der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach dem Stand der Technik verbessert ist, und
daß das Verhältnis zwischen der Fläche des lichtdurchlässigen Bereichs zu derjenigen eines Pixels bzw. Bildelementes
(Öffnungsverhältnis) gegenüber der konventionellen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung vergrößert ist.
Beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung
sind viele Modifikationen und Abwandlungen denkbar, ohne daß der Bereich der Erfindung
verlassen wird. Beispielsweise können Sauerstoff-(θ),
Stickstoff-(N) oder Kohlenstoff-(C)-Ionen durch ein Ionenimplantationsverfahren
in Teile der polykristallinen SiIiziumschicht 2 eingebracht werden, die die transparente
Elektrode bildet. Darüber hinaus lassen sich mehrere Öffnungen in der polykristallinen Siliziumschicht 2 bilden,
um auf diese Weise die Lichttransmission wie gewünscht zu verbessern. Die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht
2 kann entsprechend den jeweiligen Anforderungen frei gewählt werden. Um einen Dünnschicht-Transistor (Dünnfilm-Transistor
TFT) mit hoher effektiver Beweglichkeit μ ,-,-zu
erhalten, ist es jedoch vorteilhaft, die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 2 vorzugsweise im Bereich
zwischen 2 bis 100 nm zu halten. Die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 2 kann sowohl im transparenten Elektrodenbereich
und im TFT-Bereich variiert werden, falls erforderlich. Statt des Quarzsubstrats 1 kann darüber hinaus
ein anderes isolierendes transparentes Substrat, beispielsweise ein Glassubstrat verwendet werden. Bei Verwendung
eines Glassubstrates wird, da Glas im allgemeinen einen niedrigen Schmelzpunkt besitzt, die Dicke der polykristallinen
Siliziumschicht 2 nicht durch thermische Oxydation vermindert. Vielmehr wird die polykristalline
Siliziumschicht 2 mit der gewünschten Dicke direkt und vorzugsweise mit Hilfe des LPCVD-Verfahrens als Film bei niedriger
Temperatur hergestellt. In entsprechender Weise wer-
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O /O O O U
- 15 -
den auch die Source- und Drain-Bereiche 10, 11 vorzugsweise durch Ionenimplantation hergestellt,
und nicht dadurch, daß die PSG-Schicht 8 erzeugt wird.
Claims (12)
1. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit einer Anzeigeeinheit,
die zwei einander gegenüberliegende Elektroden besitzt, zwischen denen ein Flüssigkristallmaterial eingeschlossen
ist, und die einen Dünnschicht-Transistor zur Steuerung einer zwischen den Elektroden liegenden Spannung
aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Drain-Bereich (11) des Dünnschicht-Transistors und
eine der einander gegenüberliegenden Elektroden, die mit dem Drain-Bereich (11) verbunden ist, durch dieselbe polykristalline
Siliziumschicht (2) gebildet sind.
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3b3öü65
2. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
polykristalline Siliziumschicht (2) auf einem isolierenden transparenten Substrat (1) gebildet ist.
3. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende
transparente Substrat (1) ein Ouarzsubstrat ist.
4. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende
transparente Substrat (1) ein Glassubstrat ist.
5. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Dotierungsmaterial, das in den Drain-Bereich (10) des Dünnschicht-Transistors eingebracht ist, vom
selben Leitfähigkeitstyp wie dasjenige ist, das in die genannte
eine der einander gegenüberliegenden Elektroden eingebracht worden ist.
6. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die polykristalline Siliziumschicht (2) eine n-Typ-Schicht ist, in die Dotierungsmaterial vom n-Leitungstyp
mit hoher Konzentration eingebracht ist.
7. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Teil der polykristallinen Siliziumschicht (2), die die genannte eine der einander gegenüberliegenden
Elektroden bildet, wenigstens eines der Elemente aus der Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff umfassenden Gruppe
enthält.
8. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach einem der
TER MEER · MÜLLER ■ STEINMEISTER
sprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß sich mehrere Öffnungen in dem Bereich der polykristallinen Siliziumschicht (2) befinden, der die genannte
eine der einander gegenüberliegenden Elektroden bildet. 5
9. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht (2) im Bereich zwischen 2nm bis 100nm liegt.
10. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit einer ersten und einer zweiten einander gegenüberliegenden ebenen Elektrode,
einem zwischen der ersten und der zweiten Elektrode eingeschlossenen Flüssigkristallmaterial, und mit einem
einen Source- und einen Drain-Bereich aufweisenden Dünnschicht-Transistor zur Anlegung einer Spannung an die erste
und zweite Elektrode, dadurch gekennzeichnet, daß einer der genannten Source- oder Drain-Bereiche
integral durch eine einzelne Schicht aus polykristallinem Silizium gebildet ist, die ferner die erste Elektrode bildet.
11. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die polykristalline
Schicht (2) auf einem lichtdurchlässigen isolierenden Substrat (1) liegt.
12. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung,
gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
- Bildung einer polykristallinen Siliziumschicht auf einem ebenen, isolierenden und lichtdurchlässigen Substrat (1),
- Bildung einer Siliziumdioxidschicht (6) auf der polykristallinen
Siliziumschicht,
- Bildung einer Gate-Elektrode (7) für einen Dünnschicht-Transistor
auf dem ebenen isolierenden Substrat (1),
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- Bildung einer Source-Elektrode (10) für den Dünnschicht-Transistor
auf dem ebenen isolierenden Substrat (1),
- Bildung einer leitfähigen Schicht aus polykristallinem Silizium auf dem ebenen isolierenden Substrat, die eine
Drain-Elektrode (11) für den Dünnschicht^Transistor und
eine erste ebene Elektrode bildet,
- Bildung einer zweiten ebenen Elektrode (18) auf einer transparenten Platte (19), und
- Verbindung von transparenter Platte (19) und ebenem isolierendem
Substrat (1) so, daß ein Flüssigkristallmaterial (20) zwischen ihnen bzw. den Elektroden eingeschlossen
ist.
OB1GlNAL
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|---|---|---|---|
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