DE3533159A1 - METHOD FOR ENCODING COMPONENTS ASSEMBLED ON A CARRIER TAPE, ESPECIALLY SEMICONDUCTOR COMPONENTS - Google Patents

METHOD FOR ENCODING COMPONENTS ASSEMBLED ON A CARRIER TAPE, ESPECIALLY SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Info

Publication number
DE3533159A1
DE3533159A1 DE19853533159 DE3533159A DE3533159A1 DE 3533159 A1 DE3533159 A1 DE 3533159A1 DE 19853533159 DE19853533159 DE 19853533159 DE 3533159 A DE3533159 A DE 3533159A DE 3533159 A1 DE3533159 A1 DE 3533159A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
cup
carrier tape
component
polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19853533159
Other languages
German (de)
Inventor
Seppo Virkkala Pienimaa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lohja Oy AB
Original Assignee
Lohja Oy AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lohja Oy AB filed Critical Lohja Oy AB
Publication of DE3533159A1 publication Critical patent/DE3533159A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01052Tellurium [Te]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12033Gunn diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Beschreibungdescription

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verkapseln von auf einem Trägerband montierten Bauelementen, insbesondere Halbleiterbauelementen,nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
5
The invention relates to a method for encapsulating components mounted on a carrier tape, in particular semiconductor components, according to the preamble of claim 1.
5

Ungeschützte Bauelemente unterliegen Unwelteinflüssen oder der Gefahr mechanischer Beschädigung, v/ährend sie oder die mit ihnen bestückten Produkte gehandhabt werden. Infolgedessen müssen die Bauelemente auf dem Trägerband so gekap- f 10 seit sein, daß das Trägerband und die auf ihm angeordneten Bauelemente sich in automatischen Produktionsanlagen in derselben Weise verhalten wie ungekapselte Bauelemente.Unprotected components are subject to environmental influences or the risk of mechanical damage while they or the products equipped with them are being handled. As a result, the devices must f capsuled on the carrier tape so since 10 be that the carrier tape and the components arranged thereon in the same manner behave in automatic production as unencapsulated devices.

Bei bekannten Verfahren zum Schützen von auf einem Trägerband angeordneten Bauelementen werden entweder nur dieIn known methods for protecting components arranged on a carrier tape, either only the

Oberfläche der Halbleiterbauelemente (GB-A-2 009 540) oder nur die Bauelemente und die von ihnen ausgehenden Leiter geschützt. Infolgedessen ist Handhabnung der Bauelemente in automatischen Verkapselungseinrichtungen schwierig. In der Patentanmeldung FI-840981 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem das zum Verkapseln dienende Polymer auf einen gewünschten Bereich auf dem Trägerband begrenzt ist. In der V IMC-I985 Konferenz-Publikation "Chip-size Plastic Encapsulating on Tape.Carrier Package" v/erden verschiedene Verkapselungsverfahren vorgestellt, bei denen das zum Verkapseln verwendete Polymer auf die Halbleiterbauelemente oder Halbleiterbauelemente und ihre Leiter aufgebracht wird.Surface of the semiconductor components (GB-A-2 009 540) or only the components and the conductors emanating from them protected. As a result, handling of the components in automatic encapsulants is difficult. In the Patent application FI-840981 describes a method in which the polymer used for encapsulation is limited to a desired area on the carrier tape. In the V IMC-I985 Conference Publication "Chip-size Plastic Encapsulating on Tape.Carrier Package "v / ground various encapsulation methods presented, in which the polymer used for encapsulation on the semiconductor components or Semiconductor components and their conductors is applied.

In GB-A-2 072 424 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem ein als Formteil hergestellter Metal!becher zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements verwendet wird. Der Metallbecher wird mit seinen Rändern unter den Leitern mit Hilfe eines Polyimidfilms befestigt, der mit Epoxyd im ILB-Zustand oder einer anderen geeigneten Klebstoffschicht beschichtet ist. Anschließend wird das Bauelement mit einemGB-A-2 072 424 describes a method in which a metal cup produced as a molded part is encapsulated of a semiconductor device is used. The metal cup is using its edges under the ladders with the help a polyimide film attached with epoxy in the ILB state or another suitable adhesive layer is. Then the component with a

Meta 11 film abgedeckt/ der ein Loch auf v/ei st, durch das der Raum um das Bauelement mit Verkapselungsmaterial gefüllt wr'rd. Das Füllen eines unter dem Halbleiterbauelement liegenden Metallbechers mit einem Verkapselungspolymer wird als Alternative vorgestellt.Meta 11 film covered / with a hole on v / ei through which the Space around the component is filled with encapsulation material. The filling of a lying under the semiconductor component Metal cup with an encapsulating polymer is presented as an alternative.

Gemäß der Erfindung wird ein Becher, der aus einem mit einer Klebstoffschicht beschichteten Film, z.B. aus Polyimid, besteht, unter dem ringförmigen Leiterhalter angeordnet, der auf dem Trägerband die Öffnung begrenzt, in der das Bauelement angebracht werden soll. Dieses Verfahren verleiht dem gekapselten Bauelement eine genau definierte Form. Der als Bechennaterial verwendete Polyimidfilm sowie die auf ihm aufgebrachte Klebstoffschicht bilden einen v/irksamen Schutz für das Bauelement. Das Bauelement ist beim Einsatz automatischer Fertigungsmaschinen leicht zu handhaben, da es in der Ebene des ringförmigen Leiterhalters liegt.According to the invention, a cup that consists of a with a Adhesive layer coated film, e.g. made of polyimide, placed under the ring-shaped conductor holder, which delimits the opening on the carrier tape in which the component is to be attached. This procedure confers the encapsulated component a precisely defined shape. The polyimide film used as the cup material as well as the adhesive layer applied to it form effective protection for the component. The component is Easy to handle when using automatic production machines, since it is in the plane of the ring-shaped conductor holder lies.

Durch dieses Verfahren ist das Bauelement von einen dünnen Schicht des Verkapselungsmaterials nach allen Richtungen geschützt. Es treten keine Spannungen aufgrund von unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Bauelements einerseits und des Verkapselungsmatßrials andererseits auf, wie sie typisch sind für Verfahren, bei denen nur eine Seite eines Bauelements geschützt ist und durch die das Bauelement beschädigt werden kann.With this method, the component is covered by a thin layer of encapsulation material in all directions protected. There are no stresses due to the different thermal expansion coefficients of the component on the one hand and the encapsulation material on the other hand, as are typical of processes in which only one side of a component is protected and by which the component can be damaged.

Die auf dem Trägerband angeordneten und nach allen Seiten gekapselten Bauelemente lassen sich wie diskrete Bauelemente behandeln. Abweichend von bekannten Verfahren wird ein FiImmaterial, vorzugsweise Polyimid. verwendet, das mit einer Klebstoffschicht beschichtet ist, die bei Erwärmung aktiviert wird. Weiter unterscheidet sich das Verfahren gemäß der Erfindung von bekannten Verfahren durch die Verwendung eines Trägerfilms mit ringförmigen Leiterhaltern. Der aus dem formbaren FiImmaterial gebildete Becher wird mit denThe components arranged on the carrier tape and encapsulated on all sides can be used like discrete components treat. In a departure from known processes, a film material, preferably polyimide. used that with a Adhesive layer is coated, which is activated when heated. The method also differs according to of the invention of known methods through the use a carrier film with ring-shaped conductor holders. The cup formed from the mouldable film material is with the

';. unter dem ringförmigen Leiterhalter liegenden Leitern ver-';. ladders lying under the ring-shaped ladder holder

, bunden. Das Verkapselungsmaterial ist auf den von den inneren Kanten des -ringförmigen Leiterhalters begrenzten Be-': reich beschränkt, so daß der Becher, der ringförmige Lei-, bound. The encapsulation material is on top of that of the inner ones Edges of the ring-shaped ladder holder are limited: so that the cup, the ring-shaped pipe

terhalter und das zum Verkapseln dienende Polymer zusammen eine Mikrokapsel um das Halbleiterbauelement bilden.retainer and the encapsulating polymer together form a microcapsule around the semiconductor device.

Im einzelnen ist das Verfahren gemäß der Erfindung im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 beschrieben. 10In detail, the method according to the invention is characteristic Part of claim 1 described. 10

Bauelemente, die durch das Verfahren gemäß der Erfindung geschützt sind, können vorteilhaft in Bauelemente-Bonding-Components produced by the method according to the invention are protected, can advantageously be used in component bonding

! und -Bestückungsmaschinen verwendet werden. In der Bestük-! and assembly machines are used. In the assembly

ί kungsphase werden die Bauelemente mit abgebogenen LeiternThe building elements with bent conductors are the ί kungsphase

mit einem Substrat (z.B. einer gedruckten Leiterplatte) verbunden und die Leiter werden mit den Lötflecken des Substrats verlötet.to a substrate (e.g. a printed circuit board) and the conductors are connected to the solder pads of the Soldered to the substrate.

Im folgenden sei die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert:The invention is explained in more detail below with reference to the drawings:

Fig. 1 und 2 zeigen einen Schnitt bzw. eine Draufsicht ei- ·> nes TAB-(Tape Automatic Bonding)-Bauelements aufFig. 1 and 2 show a section and a plan view egg ·> nes TAB (Tape Automatic Bonding) device on

k:. einem Trägerband, k :. a carrier tape,

;■ ' 25 Fig. 3 zeigt schematisch die Herstellung des Bechers nach;. ■ '25 Figure 3 shows schematically the production of the cup

dem Verfahren gemäß der Erfindung,the method according to the invention,

Fig. 4 und 5 zeigen einen Schnitt bzw. eine Draufsicht eines Schutzbechers,4 and 5 show a section and a plan view of a protective cup, respectively.

Fig. 6 zeigt schematisch das Aufgeben des Polymers auf den Boden des Bechers,Fig. 6 shows schematically the application of the polymer to the bottom of the beaker,

Fig. 7 zeigt das Verbinden eines Bechers mit dem TrägerbandFig. 7 shows the connection of a cup to the carrier tape

in einer geschnittenen Darstellung,in a cut representation,

Fig, 8 und 9 zeigen als Schnitt bzw. als Draufsicht das Aufgeben und das Anbringen des Polymers auf dem Bauele-5 ment,8 and 9 show, as a section and a plan view, respectively, the application and application of the polymer to the component 5 ment,

; Fig. 10 zeigt schematisch die gleichzeitig erfolgenden Pha-; Fig. 10 shows schematically the simultaneously occurring phases

sen des Verbindens, Verkapseins und Vorhärtens,bonding, encapsulation and pre-hardening,

«#■*· · · Cl J ·«# ■ * · · · Cl J ·

Fig. 11 und 12 zeigen die Schnittdarstellung bzw. die Draufsicht eines Bauelements nit vervollständigter Schutzumhüllung,Figs. 11 and 12 show the sectional view and the plan view, respectively of a component with a completed protective cover,

Fig. 13 zeigt einen Schnitt durch ein Bauelement mit vervollständigter Verkapselung nach dem Ablösen von dein Trägerband.Fig. 13 shows a section through a component with a completed Encapsulation after peeling from your carrier tape.

Ein Chip-TAB-Bauelement 1 wird, wie in Fig. 1 dargestellt, von seinen Anschlußleitern 7 unter einer quadratischen Öffnung eines Polyiiüidbandes 2 derart gehalten, daß ein ringförmiger Bereich 4 zwischen der Öffnung und dem Bauelement 1 verbleibt. Den Bereich 4 umgibt ein ringförmiger Leiterhalter 5, der Teil des Trägerbandes 2 ist und der zusätzlich von vier länglichen Ausnehmungen 3 umgeben ist.A chip TAB component 1 is, as shown in Fig. 1, held by its connecting conductors 7 under a square opening of a Polyiiüidbandes 2 so that a annular area 4 between the opening and the component 1 remains. The area 4 is surrounded by an annular conductor holder 5, which is part of the carrier tape 2 and the is additionally surrounded by four elongated recesses 3.

Die Leiter 7 verbinden das Bauelement 1 (durch überbrücken des Bereichs 4 und der Ausnehmungen 3) mit außerhalb der Ausnehmungen 3 liegenden Zonen 6f in denen sich Prüfkontaktflecke befinden. Die beschriebene Konstruktion stellt die Ausgangsphase für das im folgenden beschriebene, in fünf Phasen ablaufende Verfahren zum Schützen des Bauelements 1 dar.The conductors 7 connect the component 1 (by bridging the area 4 and the recesses 3) with zones 6 f lying outside the recesses 3 in which there are test pads. The construction described represents the starting phase for the five-phase method for protecting the component 1, which is described below.

PHASE 1 t PHASE 1 t

Ein Polyimidfilra 8 (Stärke etwa 50 um), der mit einer vor- '■>. A polyimide film 8 (about 50 µm thick), which is preceded by a.

gehärteten Klebstoffschicht bedeckt ist, wird mit Hilfe von \ Formwerkzeugen 12, 13 mit Haltemitteln 22 und Trennmittelncured adhesive layer is covered with the help of \ forming tools 12, 13 with holding means 22 and separating means

23 zu einem Becher 9, 10, 11 mit leicht ansteigenden Sei- ,'■ 23 to a cup 9, 10, 11 with a slightly rising side , '■

tenwandungen 11 formgepreßt. Der Becher 9, 10, 11 wird aus j dem Film 8 so ausgeschnitten, daß er einen Rand 9 der ge- \ wünschten Breite (Fig. 4) besitzt. Die Tiefe des Bechers ] ist so bemessen, daß zwischen der Unterseite des Halbleiterchips 1 und den«. Boden 10 ä&s Bechers ein Zwischenraum |ten walls 11 compression molded. The cup 9, 10, 11, the film 8 is cut out so that he 9 of the overall \ desired width (Fig. 4) has an edge from j. The depth of the cup] is dimensioned so that between the underside of the semiconductor chip 1 and the «. Bottom 10 ä & s cup a space |

von 100...200 μπι verbleibt. Der Rand 9 des Bechers 9, 10, J1 of 100 ... 200 μπι remains. The edge 9 of the cup 9, 10, J 1

11 ist in seinen Abmessungen an die Abmessungen des ring- §'11 is in its dimensions to the dimensions of the ring- § '

förmigen Leiterhalters 5 angepaßt. Die Außenabmessungen des f.shaped ladder holder 5 adapted. The external dimensions of the f.

» ♦ · 9 »♦ · 9

Randes des Bechers 9, 10, 11 sind 100 200 pm kleiner alsEdge of the cup 9, 10, 11 are 100 μm smaller than

die Außenabmessungen des ringförmigen Leiterhalters 5. Dies und die exakte Ausrichtung des Bechers 9, 10, 11 während der Verbindungsphase stellen sicher, daß die Leiter 7 in dem ILB-Verbindungsbereich während der Biegephase nicht gegen den Rand des Bechers 9, 10, 11 schneiden.the outer dimensions of the ring-shaped conductor holder 5. This and the exact alignment of the cup 9, 10, 11 during of the connection phase ensure that the conductors 7 in the ILB connection area do not during the bending phase cut against the edge of the cup 9, 10, 11.

1010

1515th

PHASE 2PHASE 2

Der Boden 10 des ausgeformten Bechers 9, 10, 11 wird mit Polymer 15 bedeckt (Fig. 6). Dies gewährleistet die Bildung einer von Leerräumen freien Polymerschutzschicht anter dem Bauelement 1. Das Polymer 15 wird nur in einer solchen Menge ausgegeben, daß es den Raum zwischen dem Bauelement und dem Becher 9, 10, 11 ausfüllt, das Bauelement 1 jedoch nicht angehoben wird.The bottom 10 of the molded cup 9, 10, 11 is with Polymer 15 covered (Figure 6). This ensures the formation of a polymer protective layer free of voids on the other hand Component 1. The polymer 15 is only dispensed in such an amount that it takes up the space between the component and the cup 9, 10, 11 fills, but the component 1 is not lifted.

2020th

PHASE 3PHASE 3

2525th

3030th

3535

Der Becher 9, 10, 11 vzird mit der auf dem Filmmaterial 8 vorhandenen vorgehärteten Klebstoffschicht 21 unter das Bauelement 1 geheftet (Fig. 7). Der vorgehärtete Klebstoff erfordert eine Wärmebehandlung (Temperatur 100...2000C, um eine Verbindung mit dem Trägerband 2 einzugehen.The cup 9, 10, 11 is attached under the component 1 with the pre-hardened adhesive layer 21 present on the film material 8 (FIG. 7). The pre-cured adhesive requires a heat treatment (temperature 100 ... 200 0 C in order to establish a connection with the carrier tape 2).

Der Becher 9, 10, 11 wird in die Preßform 17 eingesetzt, die so ausgebildet ist, daß s;e den Becher 9, 10, 11 ausrichtet. Die Form 17 wird erwärmt und drückt den Becher 9, 10, 11 gegen das Trägerband 2. Der Leiterhalter 5 wird abgekühlt, bevor der Druck aufgehoben wird, um eine dauerhafte Verbindung des Bechers 9, 10, 11 sicher zustellen. Während der Verbindungsphase muß der Klebstoff den Raum zwischen den Leitern 7 ausfüllen und eine isolierende Polymerschicht zwischen ihnen bilden. Dies erfordert eine Dicke von 25...35 um für die Klebstoffschicht.The cup 9, 10, 11 is inserted into the mold 17, which is designed so that it aligns the cup 9, 10, 11. The mold 17 is heated and presses the cup 9, 10, 11 against the carrier tape 2. The conductor holder 5 is cooled before the pressure is released in order to ensure a permanent connection of the cup 9, 10, 11. During the connection phase, the adhesive must fill the space between the conductors 7 and form an insulating polymer layer between them. This requires a thickness of 25 ... 35 µm for the adhesive layer.

PHASE 4PHASE 4

Das Bauelement 1 wird mit dem Schutzpolymer 15' bedeckt (Fig. B). Der Spender 14 wird in einer spiraligen Bewegungsbahn über dem Bauelement 1 bewegt, so daß sein Weg den gesamten zu beschichtenden Bereich überdeckt (Fig. 9). Die Bewegung des Spenders 14 und seiner Düse sind so gewählt, daß das Polymer 15' über den ganzen Düsenweg gleichmäßig ausgebreitet wird. Die Menge des Polymers 15' ist so bemessen, daß es den Zwischenraum 4 zwischen der Kante des Bauelements 1 und dem Rand "■ des Bechers Bf 10, 11 ausfüllt und die Oberfläche des Bauelements 1 leicht über die Oberfläche des Trägerbandes 2 angehoben wird. Die Viskosität der verwendeten Schutzpolymere liegen zwischen 5000 und 40 000 cPs. Die Wahl des Schutzpolymers v.ird durch seine Schutzeigenschaften, die Aushärtzeit und -temperatur und die Benetzungseigenschaften bestimmt.The component 1 is covered with the protective polymer 15 '(FIG. B). The dispenser 14 is moved in a spiral movement path over the component 1 so that its path covers the entire area to be coated (FIG. 9). The movement of the dispenser 14 and its nozzle are selected so that the polymer 15 'is spread evenly over the entire nozzle path. The amount of polymer 15 'is such that it fills the space 4 between the edge of the component 1 and the edge "■ of the cup B f 10, 11 and the surface of the component 1 is raised slightly above the surface of the carrier tape 2. The viscosity of the protective polymers used is between 5000 and 40,000 cPs.The choice of protective polymer v. Is determined by its protective properties, the curing time and temperature and the wetting properties.

Die Benetzung: eigenschaften des Schutzpolymers 15' können durch Erwärmen des Bechers 9, 10, 11 verbessert werden, da seine Viskosität mit steigender Temperatur abnimmt. In diesem Fall finden die Phasen 3 und 4 gleichzeitig statt (Fig. 10). Das Vorhärten des Schutzpolymers kann ebenfalls in dieser Phase stattfinden, wenn das geschützte Bauelement gefaßt ist und die Temperatur der Preßform und die Anwendungszeit in der für das Polymer geeigneten Weise abgestimmt sind. Die Preßform 17 besitzt Kühlkanäle 18, die eine Temperaturerniedrigung des Preßform 17 ermöglichen, sowie einen Auslösekanal 19, durch den das gekapselte Bauelement 1 aus der Preßform 17 herausgelöst werden kann. Wenn das Aufbringen des Schutzpolymers 15' im Vakuum erfolgt, beschleunigt dies zusammen mit der Erwärmung das Entfernen von sich entwickelnden Gasen und Leerräumen inThe wetting: properties of the protective polymer 15 'can be improved by heating the cup 9, 10, 11, since its viscosity decreases with increasing temperature. In this In this case, phases 3 and 4 take place simultaneously (FIG. 10). The pre-curing of the protective polymer can also be carried out in this phase take place when the protected component is taken and the temperature of the mold and the application time matched in the manner appropriate to the polymer. The mold 17 has cooling channels 18 which allow a temperature decrease of the mold 17, as well as a release channel 19 through which the encapsulated component 1 can be removed from the mold 17. If the protective polymer 15 'is applied in a vacuum, this, together with the heating, accelerates the removal of gases and voids in the

PHASE 5PHASE 5

Das Trägerband 2 mit den gekapselten Bauelementen 1 wird The carrier tape 2 with the encapsulated components 1 is

ί durch einen (nicht dargestellten) Vorhärtofen geführt. Dasί passed through a (not shown) pre-curing oven. That

,. 5 Schutzpolymer 15 wird vorgehärtet, und der Trägerfilm 2 wird mit einem Abstandsband auf eine Rolle gewickelt. Anschließend wird q'~ Rolle zur Endaushärtung des Schutzpolymers verbracht- Das gekapselte Bauelement kann nun von,. 5 protective polymer 15 is pre-cured, and the carrier film 2 is wound onto a roll with a spacer tape. Afterward q '~ role is spent on the final curing of the protective polymer. The encapsulated component can now be removed from

j dem Trägerb-~-d 2, z.B. an den Außenrändern der Ausnehmungenj the carrier b- ~ -d 2, e.g. on the outer edges of the recesses

I 10 3, getrevnt werden. Die Leiter Ί, mit denen das Bauelement I 1 auf eine gedruckte Leiterplatte gelötet wird, vT3rden ab-I 10 3, to be taken. The conductors Ί, with which the component I 1 is soldered to a printed circuit board, v T 3rden

f /2n gewinkelt (Fig. 13). Die Bauelemente können auf dei Leiter- $ ' platte plaziert und mit ihrem Boden aufgeklebt werden. Allef / 2n angled (Fig. 13). The components can be placed on plate dei wire $ 'and stuck with its bottom. All

fr Bauelemente können entweder gleichzeitig oder individuellfr components can either be simultaneous or individually

15 verlötet werden.15 can be soldered.

j Die Verkapselungspolymere 15 und 15' können ein Epoxyd-,j The encapsulation polymers 15 and 15 'can be an epoxy,

I ein Silikon- oder ein· Phenolharz (z.B. CASTAL 341 FR oder I a silicone or a phenolic resin (e.g. CASTAL 341 FR or

SUMITOMO CR 2000) sein. Eine wichtige Forderung besteht 20 darin, daß die Kunstharzform keine Leerräume zwischen dem ;i Bauelement 1 und dem Becher 9, 10, 11 läßt.SUMITOMO CR 2000). An important requirement is 20 that the resin form no voids between the; i can component 1 and the cup 9, 10,. 11

Als Filmmaterial 8 für die Becher 9, 10, 11 kann anstelleAs a film material 8 for the cups 9, 10, 11 can instead

eines Polyimidfilms auch ein Polyesterfilm (z.B. NITTO JR * ' · 25 2250} verwendet weräen. Auch andere formbare Filmmateriälien sind verwendbar.a polyimide film also a polyester film (e.g. NITTO JR * '· 25 2250} are used. Also other malleable film materials are usable.

Die Klebstoffschicht, die die Oberfläche des Bechermaterials 8 bedeckt, kann ein herkömmlicher Klebstoff auf SiIi-30 kon-, Akryl- oder Epoxydbasis sein. Die Klebstoffschicht haftet in kaltem Zustand nicht und läßt sich leicht formen.The adhesive layer that forms the surface of the cup material 8, a conventional adhesive can be applied to SiIi-30 be con, acrylic or epoxy based. The adhesive layer does not adhere when cold and is easy to shape.

: Das Trägerband 2 kann statt aus einer Polyimidfilm auch: The carrier tape 2 can also be made of a polyimide film instead of

< z.B. aus einem Polyesterfilm bestehen. In diesem Fall ist<e.g. consist of a polyester film. In this case it is

35 das Filmmaterial der Becher vorzugsweise ebenfalls ein Polyesterfilm.The film material of the cups is preferably also a polyester film.

Claims (6)

AnsprücheExpectations (Ia Verfahren zum Verkapseln von Bauelementen (1), insbesondere von Halbleiterbauelementen, die auf einem Trägerband (2) montiert und von ihren Leitern (7) unter einer Öffnung (20) gehalten sind, die von einem ringförmigen Leiterhalter (5) auf dem Trägerband (2) begrenzt ist, wobei als Verkapselungsmaterial ein Polymer (15, 15'} oder dergleichen dient,(Ia method for encapsulating components (1), in particular of semiconductor components on a carrier tape (2) mounted and held by their conductors (7) under an opening (20) made by an annular conductor holder (5) on the carrier tape (2) is limited, with a polymer (15, 15 '} or the like as the encapsulation material serves, dadurch gekennzeichnet,characterized, daß aus einem mit einer Klebstoffschicht (21) beschichteten Filmmaterial (8) eine becherförmige Struktur (9, 10,. 3.1) mit Rändern (9) und einem Boden (10) gebildet wird, wobei die Klebstoffschicht (21) sich auf der Innenseite der Struktur (9, 10, 11) befindet,that of one coated with an adhesive layer (21) Film material (8) a cup-shaped structure (9, 10, 3.1) with edges (9) and a bottom (10) is formed, wherein the adhesive layer (21) is on the inside of the structure (9, 10, 11), daß der Boden (10) der becherförmigen Struktur (9, 10,that the bottom (10) of the cup-shaped structure (9, 10, ίοίο 1010 1515th 11} mit einer Formschicht (15), vorzugsweise einer Polymerschicht, bedeckt wird,11} with a molded layer (15), preferably a polymer layer, is covered, daß die becherförmige Struktur (9, 10, 11} in der Öffnung (4) des Trägerbandes (2) derart plaziert wird, daß ihre Ränder (9) sich unter den ringförmigen Leiterhalter (5) erstrecken und dss Bauelement (1) mit der Fornschicht (151 in Berührung gebracht ..Ird,that the cup-shaped structure (9, 10, 11} in the opening (4) of the carrier tape (2) is placed so that their Edges (9) extend under the annular ladder holder (5) and the component (1) with the molded layer (151 in Brought in touch ..Ird, daß die becherförmige Struktur (9, 10, 11) durch Pressen und Erwärmen -.η ihren Rändern (9) mit dem ringförmigen Leiterhalten (5; verbunden wird,that the cup-shaped structure (9, 10, 11) by pressing and heating -.η holding their edges (9) with the ring-shaped conductor (5; is connected, daß eine Seite des Bauelements (1) mit einer Sr!iutzschicht (15'), vorzugsweise einer Polymerschicht, bedeckt wird, die sich über äie Kanten des Bauelements (1) zu der Innenkante des ringförmigen Leite-rhalters (5) erstreckt und mit der Formschicht (15) in Berührung kommt,that one side of the device (1) r having a S! iutzschicht (15 '), preferably a polymer layer, is covered, extending over AEIE edges of the component (1) to the inner edge of the annular Leite-rhalters (5) and with the molding layer (15) comes into contact, und daß die Formschicht (15) und die Schutzschicht (15') einer Aushärtung durch Wärmebehandlung unterzogen v/erden, so daß sie das Bauelement (1) umschließen ^and that the molding layer (15) and the protective layer (15 ') are subjected to hardening by heat treatment, so that they enclose the component (1) ^ 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Formschicht (15) und die Schutzschicht (15'; 6'iselbe Material, z.B. ein Polymer, verwendet wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the same material, for example a polymer, is used for the molded layer (15) and the protective layer (15 ';6'i. 5 O5 O 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Formschicht {15) und die Schutzschicht (15'") unterschiedliche Polymere verwendet werden.3. The method according to claim 1, characterized in that for the molded layer {15) and the protective layer (15 '") different Polymers are used. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Formschicht (15), das Verbinden der becherförmigen Struktur (S, 10, 11) mit dem Trägerband (2) und das Aufbringen der Schutzschicht (15') in gpi-.remnten Phasen erfolgen (Fig. 7, 8, 9).4. The method according to claim 1, characterized in that the application of the mold layer (15), the connecting of the cup-shaped structure (S, 10, 11) with the carrier tape (2) and applying the protective layer (15 ') in gpi-.remnten Phases take place (Fig. 7, 8, 9). 5. verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Formschicht (15), das Verbinden der5. The method according to claim 2, characterized in that the application of the mold layer (15), the connecting of the becherförmigen Struktur (9, 10, 11) mit dem Trägerband (2) in einer einzigen Phase erfolgen (Fig. 1Ü).cup-shaped structure (9, 10, 11) with the carrier tape (2) take place in a single phase (Fig. 1Ü). Ιί Ιί 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dar |.6. The method according to claim 1, characterized in that | die Preß- und die ErwMrrnungsphasen unter Verwendung ein und I derselben erwärmten Preßvorrichtung (16-19) durchgeführt · |i werden. |jthe pressing and heating phases using a and I the same heated pressing device (16-19) carried out · | i will. | j
DE19853533159 1984-09-17 1985-09-17 METHOD FOR ENCODING COMPONENTS ASSEMBLED ON A CARRIER TAPE, ESPECIALLY SEMICONDUCTOR COMPONENTS Withdrawn DE3533159A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI843631A FI76220C (en) 1984-09-17 1984-09-17 FOERFARANDE FOER INKAPSLING AV PAO ETT BAERARBAND ANORDNADE HALVLEDARKOMPONENTER.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3533159A1 true DE3533159A1 (en) 1986-03-27

Family

ID=8519611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853533159 Withdrawn DE3533159A1 (en) 1984-09-17 1985-09-17 METHOD FOR ENCODING COMPONENTS ASSEMBLED ON A CARRIER TAPE, ESPECIALLY SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Country Status (8)

Country Link
BE (1) BE903242A (en)
CA (1) CA1232372A (en)
CH (1) CH669477A5 (en)
DE (1) DE3533159A1 (en)
FI (1) FI76220C (en)
FR (1) FR2570544B1 (en)
GB (1) GB2164794B (en)
SE (1) SE8504295L (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3623419A1 (en) * 1986-07-11 1988-01-21 Junghans Uhren Gmbh METHOD FOR EQUIPPING A CABINET NETWORK FOR THE CIRCUIT HOLDER OF AN ELECTROMECHANICAL CLOCKWORK AND PARTLY ASSEMBLED CABINET NETWORK OF A CLOCKWORK CIRCUIT BRACKET
DE19650318A1 (en) * 1996-09-23 1998-04-02 Tech Gmbh Antriebstechnik Und Packaging for power electronics
DE10117797A1 (en) * 2001-04-10 2002-10-24 Bosch Gmbh Robert Mounting device and method for building an electronic component
DE10151657C1 (en) * 2001-08-02 2003-02-06 Fraunhofer Ges Forschung Process for assembling a chip with contacts on a substrate comprises applying adhesion agent points and an adhesive mark, joining the chip and the substrate, and allowing the adhesives to harden
DE4133183B4 (en) * 1990-10-13 2005-07-28 Hynix Semiconductor Inc., Ichon Enclosure design for chip TAB devices, use thereof and methods of assembling same
DE10234162B4 (en) * 2001-07-26 2008-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for producing an organic component
DE102013016697A1 (en) 2013-08-19 2015-02-19 Oechsler Aktiengesellschaft chip assembly

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3338597A1 (en) * 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München DATA CARRIER WITH INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
GB2202372B (en) * 1984-07-05 1991-02-13 Nat Semiconductor Corp Pre-testable semiconductor die package and fabrication method
FR2598258B1 (en) * 1986-04-30 1988-10-07 Aix Les Bains Composants METHOD OF ENCAPSULATING INTEGRATED CIRCUITS.
JPH02155256A (en) * 1988-12-08 1990-06-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2751450B2 (en) * 1989-08-28 1998-05-18 セイコーエプソン株式会社 Mounting structure of tape carrier and mounting method
US5156983A (en) * 1989-10-26 1992-10-20 Digtial Equipment Corporation Method of manufacturing tape automated bonding semiconductor package
IT1243817B (en) * 1990-10-09 1994-06-28 Sgs Thomson Microelectronics METHOD FOR THE MANUFACTURE OF PLASTIC CONTAINERS, FOR INTEGRATED CIRCUITS, WITH BUILT-IN THERMAL DISSIPATOR
JP2531382B2 (en) * 1994-05-26 1996-09-04 日本電気株式会社 Ball grid array semiconductor device and manufacturing method thereof
AT402617B (en) * 1995-07-11 1997-07-25 Datacon Schweitzer & Zeindl Gm SYSTEM FOR AUTOMATED, HERMETIC SYSTEM FOR AUTOMATED, HERMETIC LOCKING OF HOUSINGS LOCKING OF HOUSINGS
TW582078B (en) * 2002-11-29 2004-04-01 Chipmos Technologies Bermuda Packaging process for improving effective die-bonding area
FR2919756B1 (en) * 2007-07-31 2009-11-20 Tacchini Ets METHOD FOR PROTECTING AN ELECTRONIC COMPONENT
CN113602557B (en) * 2021-08-04 2022-09-09 深圳市辉悦科技有限公司 Chip braider with location secondary correction function

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979659A (en) * 1975-01-30 1976-09-07 Texas Instruments Incorporated Automotive alternator rectifier bridges
US4300153A (en) * 1977-09-22 1981-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Flat shaped semiconductor encapsulation
US4330790A (en) * 1980-03-24 1982-05-18 National Semiconductor Corporation Tape operated semiconductor device packaging
FR2520541A1 (en) * 1982-01-22 1983-07-29 Flonic Sa Mounting assembly for memory integrated circuit in bank card - comprises flexible film support carrying metallic connecting pads for chip connections
FI72409C (en) * 1984-03-09 1987-05-11 Lohja Ab Oy FOERFARANDE FOER INKAPSLING AV PAO EN BAERREMSA ANORDNADE HALVLEDARKOMPONENTER.

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3623419A1 (en) * 1986-07-11 1988-01-21 Junghans Uhren Gmbh METHOD FOR EQUIPPING A CABINET NETWORK FOR THE CIRCUIT HOLDER OF AN ELECTROMECHANICAL CLOCKWORK AND PARTLY ASSEMBLED CABINET NETWORK OF A CLOCKWORK CIRCUIT BRACKET
DE4133183B4 (en) * 1990-10-13 2005-07-28 Hynix Semiconductor Inc., Ichon Enclosure design for chip TAB devices, use thereof and methods of assembling same
DE19650318A1 (en) * 1996-09-23 1998-04-02 Tech Gmbh Antriebstechnik Und Packaging for power electronics
DE19650318C2 (en) * 1996-09-23 1999-05-06 Tech Gmbh Antriebstechnik Und Sheet metal housing for a circuit of the power electronics
DE10117797A1 (en) * 2001-04-10 2002-10-24 Bosch Gmbh Robert Mounting device and method for building an electronic component
DE10117797C2 (en) * 2001-04-10 2003-04-17 Bosch Gmbh Robert Mounting device and method for building an electronic component
DE10234162B4 (en) * 2001-07-26 2008-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for producing an organic component
DE10151657C1 (en) * 2001-08-02 2003-02-06 Fraunhofer Ges Forschung Process for assembling a chip with contacts on a substrate comprises applying adhesion agent points and an adhesive mark, joining the chip and the substrate, and allowing the adhesives to harden
DE102013016697A1 (en) 2013-08-19 2015-02-19 Oechsler Aktiengesellschaft chip assembly
DE102013022388B3 (en) 2013-08-19 2024-01-04 Oechsler Aktiengesellschaft Chip assembly process

Also Published As

Publication number Publication date
SE8504295D0 (en) 1985-09-16
CA1232372A (en) 1988-02-02
GB8522166D0 (en) 1985-10-09
CH669477A5 (en) 1989-03-15
SE8504295L (en) 1986-03-18
FI843631A0 (en) 1984-09-17
FI76220C (en) 1988-09-09
FR2570544B1 (en) 1990-01-05
FI76220B (en) 1988-05-31
FI843631L (en) 1986-03-18
GB2164794B (en) 1988-03-23
FR2570544A1 (en) 1986-03-21
GB2164794A (en) 1986-03-26
BE903242A (en) 1986-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3533159A1 (en) METHOD FOR ENCODING COMPONENTS ASSEMBLED ON A CARRIER TAPE, ESPECIALLY SEMICONDUCTOR COMPONENTS
EP2259311B1 (en) Method for embedding at least one component into a circuit board element
DE112015005836B4 (en) POWER MODULE
DE102009043587A1 (en) Functional laminate
WO1999056390A1 (en) Electronic component
DE10232788B4 (en) Electronic component with a semiconductor chip on a system carrier, system carrier and method for producing an electronic component
DE19522338B4 (en) Chip carrier assembly with a via
DE1812158A1 (en) Method for embedding semiconductor wafers in dielectric layers
EP3111474B1 (en) Method for producing a printed circuit board with an embedded sensor chip, and printed circuit board
DE102005015036B4 (en) Method for mounting a chip on a substrate
DE19540306C1 (en) Prodn. of conductor frames for semiconductor components
EP3276652A2 (en) Method for producing a substrate arrangement with a glue prefixing means, corresponding substrate arrangement, method for connecting an electronic component with a substrate arrangement using a glue prefixing means formed on the electronic component and/or the substrate arrangement and an electronic component bonded with a substrate arrangement
WO2017144691A1 (en) Optoelectronic component with a lead frame section
DE10162676A1 (en) Electronic component and system carrier and method for producing the same
DE1960121A1 (en) Holding device for semiconductor tablets
WO1998013863A1 (en) Process for flip chip bonding of a semiconductor chip with a small number of contacts
DE2136201C3 (en) Method for attaching metallic leads to an electrical solid-state component
DE10151657C1 (en) Process for assembling a chip with contacts on a substrate comprises applying adhesion agent points and an adhesive mark, joining the chip and the substrate, and allowing the adhesives to harden
DE3935792A1 (en) Encapsulated electronic circuit on substrate - has ceramic green sheet foil, forming wall(s) encapsulating housing
EP1518270B1 (en) Method for producing a packaging for semiconductor components
DE102015102535B4 (en) Bonding system and method for bonding a hygroscopic material
DE2436600A1 (en) METHOD FOR ACHIEVING A SURFACE STABILIZING PROTECTIVE LAYER IN SEMICONDUCTOR COMPONENTS
DE2707931A1 (en) Protective layer for semiconductor devices - consists of self-hardening lacquer applied to devices grouped on adhesive tape
DE1540577C (en) Thin film assembly of electronics with insulation and method of making that assembly
DE1816427C3 (en) Process for applying a protective layer to semiconductor elements

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination