DE3526436A1 - Verfahren zur herstellung von glasfaser-lichtwellenleitern - Google Patents

Verfahren zur herstellung von glasfaser-lichtwellenleitern

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Description

A.MarshaLl-1
Verfahren zur Herstellung von Glasfaser-Lichtwellenleitern
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines dotierten Glases durch Abscheidung aus einer chemischen Dampfphasenreaktion, bei denen eine glasbildende Reaktion mit einem Reaktanten durchgeführt wird,
Solche Verfahren werden vorzugsweise, aber nicht ausschließlich verwendet bei der Herstellung von dotierten Siliziumdioxid-Gläsern, beispielsweise für Glasfaser-Lichtwe11 en Ieiter, die aus mehreren, unterschiedlichen Glasschichten bestehen. Das Dotiermittel kann Fluor sein, das den Brechungsindex von Siliziumdioxid erheblich herabsetzt. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise bekannt aus der DE-OS 2 5 36 457.
Ps ist Aufgabe der Erfindung, das bekannte Verfahren der oben angegebenen Art im Hinblick auf die Zusammensetzung des Reaktionsprodukts zu verbessern.
BAD ORH3INAL
ZT/Pi-Kg/R, 23.07.1985
A.Marshall-1
_ rf
Die Aufgabe wird wie im Anspruch 1 angegeben gelöst. Weiterbildungen ergeben sich aus den übrigen Ansprüchen.
Die Erfindung wird nun anhand der Figuren beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Verlauf von An (Brechungsindexherabsetzung) über der Durchf lußmenge von CF-Cl-, wie rechnerisch vorausgesagt zusammen mit experimentellen Ergebnissen,
Fig. 2 die Gleichgewichts-Zusammensetzung von verschiedenen Bestandteilen des dampfförmigen Reak-
tanten, ausgedruckt im temperaturabhängigen Verlauf des Molenbruchs,
Fig. 3 eine Kurve des Verlaufs der relativen Konzentration der FluorierungsmitteI (SiCl-. FW(SiCl, F + SiCl.) und
5 3 4
Fig. 4 eine erfindungsgemäße Anordnung zur Substratrohr-Innenbeschi chtung.
Beim Verfahren der Abscheidung aus einer chemischen Dampfphasenreaktion zur Herstellung von dämpfungsarmen Glasfaser-Lichtwellenleitern, werden auf der Innenwand eines Siliziumdioxid-Substratrohres Schichten aus hochreinem Glas abgeschieden als Produkt einer thermisch oder durch ein Plasma angeregten Dampfphasenreaktion.
Die vorliegende Erfindung betrifft thermisch angeregte Reaktionen.
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Das Si Iiziumdioxid-Substrat rohr wird gründlich vorgereinigt, bevor es in einer horizontalen Glasbläser-Drehbank befestigt wird. Der Innenraum des Substrat roh res ist mit dem Ausgang eines Verdampfers verbunden, der die erforderlichen Mengen des dampfförmigen Reaktanten erzeugt. Hochreine Ha logenid-Ausgangsstoffe werden verdampft und zusammen mit Sauerstoffgas in das Substratrohr eingeleitet. Unter normalen Umgebungsbedingungen gibt es keine Reaktion, aber bei erhöhten Temperaturen, wie sie durch die Flamme eines Sauerstoff-Wasserstoff-Brenners erzeugt werden, der entlang der Außenseite des Rohres bewegt wird und auf der Außenseite gerichtet wird, um eine längsverschiebliche Erhitzungszone zu erzeugen. Dabei tritt eine chemische Dampfphasenreaktion auf, die eine Mischung von Oxiden entstehen läßt, die auf der Innenwand des Substratrohres abgeschieden und gleichzeitig zu einer glasigen Schicht erschmolzen werden. Durch gleichmäßige Bewegung der Erhitzungszone entlang dem Glasrohr wird eine gleichmäßige Schicht abgeschieden.
Die zur Abscheidung führenden Reaktionen sind von der
Form: SiCl. + 0-, ^ SiO- + 2Cl0, wobei [A\
4 c ic. \ 1I
SiCl,, Sauerstoff und Cl-, dampf- bzw. gasförmig sind. Die erforderliche Abscheidungstemperatur ist eine Funktion der Schmelztemperatur des abgeschmolzenen Glases.
Reines Siliziumdioxid erfordert eine Temperatur von 1900 bis 2100 K, um gleichzeitig abgeschieden und erschmolzen zu werden, obwohl die Reaktion SiCl, + 0-, bereits bei 1500 K (1200° C) vollständig ablaufen kann. Die Temperatur für die Abscheidung (mit Erschmelzung) verringert sich, wenn sich die Menge an Dotiermittel erhöht. Als dotiertes Siliziumdioxid kann man ein Mischoxidglas her-
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BAD ORK3INAL
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steLLen, indem man verschiedene Dotiermittel zusammen mit dem SiCl, einleitet, ζ. B. GeCL, und POCL,, um ein Mischoxidglas aus SiOGeO- als Kernmaterial des Lichtwellenleiters zu erhalten oder BBr,, um ein SiO_/BpO, Mischoxid für eine auf einem solchen Mischoxid-Kernglas aufzubringende Mantelschicht zu erzeugen. Wenn die Mantelschicht als Dotiermittel Fluor enthalten soll, wird daher die ein Dotiermittel enthaL-tende Ausgangs-Verbindung im obigen Beispiel ersetzt durch ein geeignetes fluorhaltiges Material. Nach Abscheidung des Materials für den optischen Mantel, z. B. SiOp/F wird das Kernmaterial abgeschieden, das alLein aus SiO- bestehen kann.
Das beschichtete Rohr wird darauf zu einem Stab kollabiert, indem man die Temperatur der Erhitzungszone auf etwa 2400 K (2100° C) erhöht, so daß die Oberflächenspannung die erweichende Siliziumdioxid-Wand des Rohres in sich zusammenfallen und den inneren Hohlraum verschwinden läßt. Beim Kollabieren wird die heiße Zone am ganzen Rohr entlang geführt, es entsteht dadurch eine stabförmige Vorform, die zur Faser ausgezogen werden kann.
Unter den Reaktionen von SiCL,, GeCl,, POCl, und
die BBr, mit Sauerstoff ist die Reaktion von SiCL, 5 4
mit Sauerstoff die schwierigste, da die Aktivierungsenergie für die Reaktion hoch ist und Temperaturen von über 1400 K erforderlich sind, um vernünftige Reaktionsgeschwindigkeiten zu erhalten. Auch die thermische Zersetzung von Si LiziumteträchLorid ist schwierig. Die Reaktion
SiF. + 0., 5> SiO-. + 2F_
4 c 2 2
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ist thermodynamisch sehr ungünstig, d a /J G , die freie Energie der Reaktion bei 2100 K (einer typischen Reaktions- und Abscheidüngstemperatur) + 768 kJ/MoL beträgt im Vergleich zu -158 U/Mol für SiCl4 + O2 und
die GLeichgewichtskonstante Kp verschwindend klein und näherungsweise gleich Null ist, im Gegensatz zum Wert von 8512 für das SiCl,+0_. Es gibt eine gewisse Abscheidung, wenn Siliziumtetrachlorid mit dem Fluorid gemischt wird, aber die Oxidation zu Siliziumdioxid ist b e trächtlich langsamer als wenn das Chlorid allein als Ausgangsstoff verwendet wird (z. B. J.Irven et al: Optical Fibres by Plasma Augmented Vapour Deposition, Physics and Chemistry of Glass, Vol. 21 No. 1, Feb. 1980 S. 48). Es ist postuliert worden, daß die Reaktion über die Bildung eines chlor- und fluorhalt igen Zwischenprodukts abläuft, z. B.
3 SiCl4 + Si F4 ZZZZZZZ 4 SiCl3 F,
wobei G°?ioo 9Leich 58 kJ/Mol und Kp gleich 0.036 ist, d. h. mit einer kleinen, aber bedeutsamen Reaktion in der Vorwärtsrichtung. Die weitere Reaktion ist:
SiCl3 F + 3/2 O2 SiO1 5 F + 3/2 Cl2 (2),
wobei SiO1 ς F ein tetraetisch gebundenes Siliziumatom bedeutet mit einer Fluorbindung und drei Sauerstoff-Brückenbindungen. Jedoch wird wenig Fluor in das Reaktionsprodukt eingebaut, sogar bei großen Überschüssen von SiF..
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BAD
A.Marsha L1-1
Ein Rechnermode LL auf der Grundlage von thermodynamisehen Voraussagen hat gute Übereinstimmung gezeigt mit experimenteLlen Ergebnissen für die Fluorierung von Siliciumdioxid nach dem Verfahren der SiIiziumdioxid-Abscheidung aus einer chemischen Dampfphasenreaktion auf der Innenwand eines Rohres. Das Rechnermodell beruhte darauf/, daß der vorwiegende Mechanismus des Einbaus von Fluor in Glasfaser-Lichtwellenleiter auf der Basis von Siliziumdioxid über die Reaktion (2) erfolgt. Das SiCl., F wird über Austauschreaktionen von SiCl. und Fluor oder verschiedenen fluorhaItigen Verbindungen (z. B. SiF,, CF-Cl2, CF,, SF,, BF,),die verschiedene Verhältnisse zwischen all den Komponenten der SiCl,_.F. (i = 0,1,2,3 oder 4) entstehen Lassen. Das Modell berüc.ksichtigt die Tatsache, daß die Reaktion (1) bei 1500 K (1200° C) vollständig abläuft, und die Annahme, daß die Reaktion (2) eine ähnliche Reaktionkinetik befoLgt. Fig. 1 zeigt eine Kurve von /\n über der Durchflußmenge von CF CL_ gemäß der Voraussage des RechnermodeL Is und experimentelle Ergebnisse, die eine gute Übereinstimmung mit der Kurve von /\ η zeigen und damit in der Tendenz bestätigen, daß SiCl, F der überwiegende Vorläufer von fLuoriertem Glas ist. ( Δη ist die Herabsetzung des Brechungsindex bezogen auf den Brechungsindex von reinem 5 Siliziumdioxid).
Wenn SiCl, und ein F luorierungsmitte I in Gegenwart von Sauerstoff beginnend bei Umgebungstemperaturen fortschreitend erhitzt werden und wenn die Reaktion (2) eine ähnliche Reaktionkinetik wie die oben für Reaktion (1) angegebene befolgt, hätte dies zur Folge, daß oberhalb von 1500 K (1200° C) kein Fluoraustausch möglich wäre.
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A.Marshall-1 " ^O ·
weil für die Austauschreaktion keine geeignete SiliziumchLorid-Verbindung vorhanden wäre. Dies bedeutet, daß das Verhältnis von SiCL, F zu SiCL, in der Gasphase, bei der Temperatur, bei der die Oxidationsreaktion stattfindet, das Verhältnis von SiO- 5 F zu SiO2 im abgeschiedenen Glas bestimmt.
Fig. 2 zeigt die tatsächlichen Anteile der ChlorfLuorsilane (SiCl,_.F.) bei unterschiedlichen Temperaturen von 300 bis 2500 K. Man kann daran sehen, daß das Verhältnis von SiCl-, F zu SiCL, mit zunehmender Temperatur zunimmt. Dies ist deutlicher in Fig. 3 gezeigt, die den Anteil von SiO1 _ F, der bei der jeweiligen Temperatur im GLas eingebaut sein wurde, zeigt. Es ist angenommen, daß nur SiCl, F und SiCL, mit Sauerstoff reagieren und dabei das Glas bilden und daß das Verhältnis dieser beiden das Verhältnis von SiO. ,. F und Si0? im abgeschiedenen Glas bestimmt. Der Anteil von Fluor im Glas ist der Brechungsindexherabsetzung ^n direkt proport i ona I.
Zur Erläuterung von Fig. 3 wird folgendes Beispiel betrachtet. Wenn man davon ausgeht, daß die Oxidationsreakton bei 1500 K im wesentlichen vollständig abläuft, dann wäre bei dieser Temperatur der Anteil von SiO1 ς F im Glas ungefähr gleich 0,07, wogegen bei 1800 K dieser Bruch ungefähr gleich 0,15 wäre. D. h., daß eine Temperaturerhöhung von 300 K den eingebauten Fluoranteil verdoppeln würde.
Daraus ergibt sich folgendes: Wenn man z. B. die Oxidationsreaktion verzögern würde, bis die Reaktanten eine höhere Temperatur erreicht haben als diejenige, bei der
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A.Marshall-1
die Oxidationsreaktion abläuft, dann würden Austauschreaktionen zwischen SiCl. und f luorha Itigen Verbin-
düngen zuerst stattfinden und der Anteil von Fluor im abgeschiedenen Material würde erhöht werden, wenn dann bei der erhöhten Temperatur die Oxidationsreaktion erlaubt würde.
Die Oxidationsreaktion kann beim Verfahren der Abscheidung auf der Innenwand eines Rohres dadurch verzögert werden, daß man innerhalb des Substratrohres ein Zuführungsrohr anordnet und dieses Zuführungs rohr fortschreitend bewegt, zusammen mit dem das Substratrohr von außen erhitzenden Brenner. Diese Anordnung ist schematisch in Fig. 4 gezeigt. Das Substratrohr 1 wird erhitzt durch eine Flamme (angedeutet durch Pfeile 2) eines nicht gezeigten Brenners und erhitzt dabei das Substratrohr 1 auf beiden Seiten an einer Stelle, die in Verlängerung des Zuführungsroh res 3 vor dessen Ende liegt. Sauerstoff wird in das Zuführungsrohr 3 eingeleitet und die anderen gas- oder dampfförmigen Reaktanten (SiCl, und eine fluorhaltige Verbindung) werden mit oder ohne ein inertes Trägergas in den Zwischenraum zwischen dem Zuführungs rohr 3 und dem Substratrohr 1 eingeleitet. Das Substratrohr 3 ist so angeordnet, daß der Sauerstoff sich mit den anderen Gasen nur in der Erhitzungszone vermischt, typischerweise bei Temperaturen von 1800 bis 1900 K (1500 bis 1600 C) und mit ihnen in der Reaktionszone 4 reagiert. Die Gasflüsse können auch ausgetauscht werden, d. h. der Sauerstoff kann auch zwischen dem Substrat rohr und dem Zuführungsrohr strömen, während die Reaktanten-Gase durch das Zuführungsrohr eingeleitet werden.
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Das Verfahren zur Vergrößerung der Menge des eingebauten FLuors ist nicht auf das Verfahren der Abscheidung in einem Rohr beschränkt, sondern auch auf andere Verfahren der HersteLLung von GLasfaser-LichtweLLenLeitern anwendbar, indem Oxidationsreaktion verhindert wird, bis eine höhere Temperatur aLs normaLerweise erreicht ist, um so zuerst Austauschreaktionen stattfinden zu Lassen. Die Technik ist auch nicht beschränkt auf die FLuordotierung von Si Li zi umdi ox i d-G Läsern, da auch andere Dot i errni tte L auf ähnLiche Weise durch einen Prozess eingebaut werden können, der eine Oxidationsreaktion von SiliziumtetrachLorid mit einschLießt. Auch dabei wird erfindungsgemäß die Oxidationsreaktion verhindert, bis eine höhere Temperatur aLs dafür erforderLich wäre, erreicht ist, um so zu erlauben, daß Austauschreaktionen mit anderen Reaktanten stattfinden und dadurch dotierte Siliziumdioxid-GLäser mit den Zusammensetzungen entstehen, die bei der niedrigeren Temperatur aus thermodynamisehen Gründen nicht mög-Lich wären. Wenn auch oben die Verbindung anhand der HersteLLung von GLasfaser-LichtweLLenLeitern beschrieben ist, so muß das GLas nicht die Form einer GLasfaser haben und auch nicht eine solche Form, die nach Weiterverarbeitung eine GLasfaser ergeben soLL, vielmehr kann das durch den erfindungsgemäßen Einbau von DotiermitteLn hergestellte Glas mit niedrigem Brechungsindex auch für andere optische Bauelemente verwendet werden.
Das oben beschriebene Verfahren des Einbaus von Fluor in Siliziumdioxid beruht darauf, daß größere Mengen von SiCl, F als üblicherweise vor Ort und unmittelbar vor der Oxidationsreaktion erzeugt werden. Alternativ dazu kann das Siliziumtetrachlorid und ein FLuorierungsmitte I
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A.Marshall-1 " **>'
auch vorerhitzt werden- auf eine Temperatur, die höher als die für die Oxidationsreaktion in einem Inertgas erforderliche Temperatur, bevor die Gase oder Dämpfe in das Substratrohr eingeleitet werden, das Zuführungsrohr ist in diesem Fall nicht notwendig. Dadurch läßt sich die chemische Reaktion bewirken und SiCl- F produzieren, das in die Reaktionszone eingeleitet wird, wo es mit ebenfalls in das Substratrohr eingeleitetem Sauerstoff reagiert. Das SiCl, F wird dabei an einer von der Reaktionszone entfernten Stelle vorproduziert und nicht erst, wie im Zusammenhang mit Fig. 4 beschrieben, unmittelbar vor der Reaktionszone. Auch dabei wird die Oxidationsreaktion verhindert, bis größere Mengen von SiCl, F als üblicherweise vorhanden sind, so daß der Anteil des Doti ermitteis Fluor im abgeschiedenen Siliziumdioxid erhöht ist. In jedem Falle kann die Abscheidungsreaktion so durchgeführt werden, daß die Abscheidung entweder im glasiger Form erfolgt oder in Partikelform und dann erst unmittelbar nach der Abscheidung in den glasigen Zustand erschmolzen wird.
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Claims (9)

INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC 3526436 CORPORATION, NEW YORK A.Marshall 1 Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines dotierten Glases durch Abscheidung aus einer chemischen Dampfphasenreaktion, bei dem eine glasbildende Reaktion mit einem Reaktanten durchgeführt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß das Eintreten der glasbildenden Reaktion so Lange verhindert wird, bis der Reaktant auf eine höhere Temperatur erhitzt ist als für die glasbildende Reaktion erforderlich ist, derart, daß ein Reaktionsprodukt mit einer Zusammensetzung entsteht, die bei niedrigeren Temperaturen aus thermodynamisehen Gründen nicht möglich wäre.
2. Verfahren nach Anspruch 1 zur Herstellung von fluordotiertem Si Iiζiumdioxid-G las, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktamt Siliziumtrichlorfluorid (SiCl-F) enthält.
ZT/Pi-Kg/R, ?.3.07.1985
r -*-·■;■ ■
A.MarshalL-1
3. Verfahren zur Herstellung eines dotierten Siliziumdioxid-Glases aus einer Dampfphasen-Oxidationsreaktion mit einem Reaktanten, der Siliziumtetrachlorid und eine ein Dotiermittel enthaltende Verbindung enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktant auf eine Temperatur erhitzt wird, die höher ist als die für die Oxidationsreaktion erforderliche Temperatur und bei der mindestens zwischen einem Teil des Siliziumtetrachlorids und der das Dotiermittel enthaltenden Verbindung eine Austauschreaktion stattfindet, und daß das Auftreten der Oxidationsreaktion verhindert wird, bis der Reaktant auf diese höhere Temperatur erhitzt ist, derart, daß ein Reaktionsprodukt entsteht, dessen Zusammensetzung aus thermodynamischer. Gründen bei niedrigeren Temperaturen nicht erhältlich wäre.
-
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
* als Dotiermittel Fluor verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die das Dotiermittel enthaltende Verbindung eine oder mehrere der Verbindungen SiF,, CF?CL^, Cf://·
SF,, BF7 oder F_ ist.
OJ C.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktant in einer Schutzgasatmosphäre auf die höhere Temperatur erhitzt wird, um die Austauschreaktion in Gang zu bringen und im Reaktanten Siliziumtrichlorfluorid (SiCl,F) zu produzieren.
ZT/01-Kg/R, 23.07.1985
ORK3INAL
A.Marshall-1
7. Anwendung des Verfahrens nach einem der vorstehenden Ansprüche auf die an sich bekannte innerhalb eines Rohres durchgeführte Abscheidung aus einer chemischen Dampfphasenreaktion zur Herstellung einer Vorform eines Glasfaser-LichtweIlenLeiters.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Reaktant und Sauerstoff in ein rotierendes Glasrohr eingeleitet wird, während an dessen Außenseite eine Wärmequelle entlang bewegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktant und der Sauerstoff bis zum Erreichen der durch die Wärmequelle im Innern des Glasrohrs erzeugten
Erhitzungszone voneinander getrennt werden.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß sie zur Einleitung
des Sauerstoffs in das Rohr ein vom einen Ende in das '
Substratrohr hineinragendes Zuf üh rungs roh r enthält, das *■ gemeinsam mit der Wärmequelle entlang dem Substratrohr
bewegbar ist, so daß sein vorderes Ende, aus dem der
Sauerstoff in das Substratrohr übertritt, an die bewegbare Erhitzungszone heranreicht.
ZT/Pi-Kg/R, 23.07.1985
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IN (1) IN165303B (de)
ZA (1) ZA855166B (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5305254A (en) * 1987-12-15 1994-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device
US6121164A (en) * 1997-10-24 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Method for forming low compressive stress fluorinated ozone/TEOS oxide film
NL1019371C2 (nl) * 2001-11-15 2003-05-16 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze voor het bereiden van zeer zuiver siliciumchloride en/of germaniumchloride.
US7793612B2 (en) * 2003-08-01 2010-09-14 Silica Tech, Llc Ring plasma jet method and apparatus for making an optical fiber preform

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3037491A1 (de) * 1979-10-04 1981-04-09 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp., Tokyo Verfahren zur herstellung einer glasvorform fuer die optische uebertragung
DE2922795C2 (de) * 1978-06-08 1983-03-10 Corning Glass Works, 14830 Corning, N.Y. Verfahren zur Herstellung von optischen Glasgegenständen, insbesondere optischen Wellenleitern und Vorrichtung zur Herstellung einer optischen Glasvorform

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US30883A (en) * 1860-12-11 Improvement in corn-planters
CH620181A5 (en) * 1975-08-16 1980-11-14 Heraeus Schott Quarzschmelze Process for the preparation of synthetic quartz glass, apparatus to carry out the process, and the use of the synthetic quartz glass
JPS5430852A (en) * 1977-08-11 1979-03-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Production of glass fiber for optical communication
GB1603949A (en) * 1978-05-30 1981-12-02 Standard Telephones Cables Ltd Plasma deposit
FR2432478B1 (de) * 1978-07-31 1982-03-12 Quartz & Silice
US4235616A (en) * 1979-05-14 1980-11-25 Corning Glass Works Optical waveguide manufacturing process and article
US4292063A (en) * 1980-05-05 1981-09-29 Northern Telecom Limited Manufacture of an optical fiber preform with micro-wave plasma activated deposition in a tube
US4378987A (en) * 1981-10-15 1983-04-05 Corning Glass Works Low temperature method for making optical fibers
US4440558A (en) * 1982-06-14 1984-04-03 International Telephone And Telegraph Corporation Fabrication of optical preforms by axial chemical vapor deposition
JPS6054939A (ja) * 1983-09-02 1985-03-29 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd シングルモ−ドファイバ用プリフォ−ムロッドの製造方法
US4586943A (en) * 1983-10-20 1986-05-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for the production of glass preform for optical fibers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2922795C2 (de) * 1978-06-08 1983-03-10 Corning Glass Works, 14830 Corning, N.Y. Verfahren zur Herstellung von optischen Glasgegenständen, insbesondere optischen Wellenleitern und Vorrichtung zur Herstellung einer optischen Glasvorform
DE3037491A1 (de) * 1979-10-04 1981-04-09 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp., Tokyo Verfahren zur herstellung einer glasvorform fuer die optische uebertragung

Also Published As

Publication number Publication date
GB8418912D0 (en) 1984-08-30
GB2162168B (en) 1988-06-29
FR2568242B1 (fr) 1992-04-30
JPS6140835A (ja) 1986-02-27
AU576600B2 (en) 1988-09-01
GB2162168A (en) 1986-01-29
DE3526436C2 (de) 1995-05-24
FR2568242A1 (fr) 1986-01-31
JPH053416B2 (de) 1993-01-14
IN165303B (de) 1989-09-16
AU4500385A (en) 1986-01-30
ZA855166B (en) 1986-09-24
ES8703818A1 (es) 1987-02-16
ES545474A0 (es) 1987-02-16
US4735648A (en) 1988-04-05

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