-
Allgemein gesagt, ist eine optische integrierte Schaltung
aus einer komplizierten Kombination von Strukturen
aufgebaut, wie es in Fig. 1 der beigefügten Zeichnungen
dargestellt ist. Genauer gesagt, ist auf einem Substrat (aus
z. B. Gadolinium-Gallium-Granat: GGG) 1 eine
Optikwellenleiterschicht (aus z. B. Yttrium-Eisen-Granat: YIG) 2 mit
höherem Brechungsindex als demjenigen des Substrats 1
ausgebildet, und Optikwellenleiterstreifen ("Rippen" genannt) 3 sind
darauf ausgebildet. Licht wird so durch die Rippen
übertragen, daß dann, wenn zwei Rippen benachbart zueinander
angeordnet sind, wie dies in Fig. 1 dargestellt ist, die gesamte
optische Energie des Lichts, das sich durch die Rippe 3-1
fortpflanzt, innerhalb einer Kopplungslänge, die durch die
Form, den Brechungsindex usw. der Rippen bestimmt wird, in
die Rippe 3-2 übertragen wird. In diesem Fall kann eine
Übertragung in die Rippe 3-2 dadurch verhindert werden, daß
Magnete 4-1, 4-2 angeordnet werden, die an den Oberseiten
der Rippen Magnetfelder auf diese ausüben, wie in Fig. 2(a)
der beigefügten Zeichnungen dargestellt, und dadurch, daß
die Intensitäten dieser Magnetfelder so gesteuert werden,
daß das sich durch die Rippe 3-1 fortpflanzende Licht an
einem Ausgangsanschluß für diese Rippe 3-1 austreten kann.
Es ist üblich, gewundene Spulen (d. h. gewickelte Spulen)
statt der Magnete zum Einstellen der Magnetfelder zu
verwenden. In diesem Fall ist es schwierig, die Spulen direkt auf
den Rippen auszubilden, und ein ebenes Medium muß auf den
Rippen ausgebildet werden, bevor die Spulen auf dem ebenen
Medium hergestellt werden können. Andererseits werden dann,
wenn das Substrat 1 aus einem elektrooptischen Kristall
(z. B. Galliumarsenid, GaAs) und die
Optikwellenleiterschicht 2 aus einem elektrooptischen Kristall mit höherem
Brechungsindex als demjenigen des ersten Kristalls (z. B.
GaAs mit höherem Widerstand) besteht, Elektroden 5-1 und 5-2
an den Oberseiten der Rippen angebracht, wie in Fig. 2(b)
der beigefügten Zeichnungen dargestellt, und eine Elektrode
6 ist am Boden des Substrats angebracht, so daß die
Übertragung von Licht mittels einer Steuerung der Spannung zwischen
den zwei Anschlüssen verhindert werden kann. Dies ist das
Prinzip eines optischen Schalters innerhalb einer optischen
integrierten Schaltung. Der erstere Schaltertyp verwendet
einen magnetooptischen Effekt, wohingegen der letztere einen
elektrooptischen Effekt verwendet. Allgemein gesagt,
verwendet eine integrierte optische Schaltung einen
elektromagnetischen Effekt. Fig. 1 zeigt den einfachsten Fall hierzu,
jedoch weist eine integrierte optische Schaltung im
allgemeinen eine komplizierte Form auf. Z. B. kann die
integrierte optische Schaltung einen Aufbau aufweisen, wie er in Fig.
3 der beigefügten Zeichnungen dargestellt ist.
-
Eine Schwierigkeit bei komplizierten integrierten optischen
Schaltungen mit derartigen gekrümmten optischen
Wellenleitern liegt darin, wie stark die optischen
Übertragungsverluste verringert werden können. Ein spezielles Problem sind
Verluste aufgrund optischer Streuung. Diese
Streuungsverluste werden teilweise durch Unregelmäßigkeiten aufgrund
thermischer Schwankungen in dem die optischen Wellenleiter
bildenden Material sowie teilweise durch die Struktur der
optischen Wellenleiter selbst hervorgerufen. Der erstere
Streuungstyp wird durch das Material bestimmt und führt zu einem
Verlust von etwa 0,8 dB/km für eine optische Wellenlänge von
1 um, was zu klein ist, als daß der Wert in einer
integrierten optischen Schaltung vernachlässigt werden könnte. Jedoch
schwankt beim letzteren Tap die Streuung abhängig vom
Verfahren, mit dem optische Wellenleiter hergestellt werden, so
stark, daß dies ein sehr ernstes Problem darstellt.
-
Um die Rippen auszubilden, wird im allgemeinen ein Naßätz-
oder ein Trockenätzverfahren verwendet. Beim Naßätzverfahren
werden die gewünschten Abschnitte des YIG oder dergleichen
mit heißer Phosphorsäure geätzt, während beim
Trockenätzverfahren die gewünschten Abschnitte des YIG durch auf den YIG
treffende Argonionen (Ar&spplus;) mechanisch geätzt werden. Die
Seiten der mit diesen Verfahren hergestellten Rippen sind
ungleichmäßig, wie dies in Fig. 4 der beigefügten
Zeichnungen unter 7 angedeutet ist. Diese Unregelmäßigkeiten 7
werden durch Ungleichmäßigkeit beim Ätzen und beim verwendeten
Material hervorgerufen oder durch Unregelmäßigkeiten bei der
zum Ausbilden der Rippen verwendeten Photomaske. Das sich
durch die Rippen ausbreitende Licht wird optisch durch die
Unregelmäßigkeiten an deren Seiten gestreut, so daß ein
optischer Übertragungsverlust die Folge ist. Dieser optische
Übertragungsverlust α ist mehr oder weniger proportional zu
(n&sub1;²-n&sub3;²), wobei n&sub1; der Brechungsindex der Rippen und n&sub3;
der Brechungsindex des umgebenden Mediums ist, wobei der
Wert stark von der Periode der Unregelmäßigkeiten an den
Seiten der Rippen beeinflußt wird. Diese Unregelmäßigkeiten
an den Seiten der Rippen betragen gegenwärtig etwa 0,08 um.
Der sich ergebende optische Verlust in den-geraden
Abschnitten der Rippen entspricht weniger als 1 dB/cm. Der Grund für
diesen niedrigen Übertragungsverlust ist der, daß das
Durchdringen von optischer Energie (d. h. der elektrischen
Feldverteilung E), die sich durch die Rippen zur Außenseite
fortpflanzt, in den geraden Abschnitten klein ist, wie dies
in Fig. 5 der beigefügten Zeichnungen dargestellt ist, so
daß die Unregelmäßigkeiten an den Seiten der Rippen nur eine
kleine Auswirkung aufweisen. Wie es in Fig. 5 dargestellt
ist, besteht jedoch in gekrümmten Abschnitten eine starke
Durchdringung optischer Energie (d. h. der elektrischen
Feldverteilung E) nach außen, so daß die Unregelmäßigkeiten
in den Seiten der Rippen eine starke Auswirkung haben und
die optische Streuung vergrößern.
-
Um den Einfluß der Unregelmäßigkeiten deutlicher zu machen,
wurden integrierte optische Schaltungen dadurch hergestellt,
daß das Substrat 1 aus Ga0,82Al0,18As und die
Optikwellenleiterschicht 2 aus GaAs hergestellt wurden, daß ein
gekrümmtes Rippenmuster auf der Optikwellenleiterschicht 2 mit
einer Dicke von 0,8 um ausgebildet wurde, und daß die
Wellenleiterschicht 2 so geätzt wurde, daß eine Tiefe von
0,5 um und eine Breite von 3 um verblieb, was unter
Verwendung einer Ionenbeschußätzanlage erfolgte. Anders gesagt,
wurden die Rippen so ausgebildet, daß sie eine Breite von
3 um, eine Höhe von 0,5 um über der Wellenleiterschicht und
eine Höhe von 0,8 um über dem Substrat aufweisen. Die Rippen
wurden mit einem Krümmungsradius von 0,07 mm bis 0,5 mm
gekrümmt. Die Übertragungsverluste in dieser integrierten
optischen Schaltung wurden unter Verwendung eines Strahls
eines He-Ne-Lasers mit einer optischen Wellenlänge von
1,15 um gemessen. Die Ergebnisse hierzu sind in Fig. 6 der
beigefügten Zeichnungen dargestellt, wobei die Verluste die
Summen der Krümmungsverluste und der Streuverluste sind. Für
kleinere Krümmungsradien überwiegen die Krümmungsverluste
die optischen Streuverluste, so daß die Verluste linear
ansteigen, wie dies in Fig. 6 durch eine gerade Linie
angedeutet ist. Bei einem Krümmungsradius von etwa 0,3 mm weichen
die Verluste jedoch von dieser linearen Änderung ab. Diese
Diskrepanz wird offenbar durch optische Streuung
hervorgerufen. Wie in Fig. 3 dargestellt, sind mehr Abschnitte
gekrümmter optischer Wellenleiter vorhanden, wenn das Muster
der integrierten optischen Schaltung kompliziert ist. Ein
Krümmungsradius von etwa 1 mm ist erforderlich, um ein
Muster hoher Dichte zu erstellen, obwohl die Rippen keinen
extrem kleinen Krümmungsradius, wie einen solchen von z. B.
0,1 mm aufweisen müssen, wie in Fig. 6 dargestellt. Daher
gilt dem Verringern optischer Streuung die Hauptsorge. Um
die optische Streuung (aufgrund der Unregelmäßigkeiten) zu
verringern, wurden Versuche dahingehend unternommen, daß die
Unregelmäßigkeiten der Seiten der Rippen mit einer Substanz
beschichtet wurden, wie einer solchen, die zum Umhüllen
optischer Fasern dient, um die Auswirkung der
Unregelmäßigkeiten zu verringern. Die Auswirkung wird verringert, da der
Unterschied zwischen den Quadraten der Brechungsindizes der
Rippen und des umgebenden Materials klein wird, wobei die
Streuverluste proportional zu diesem Unterschied sind, wie
oben angegeben. Ein anderer Grund ist der, daß die
Auswirkungen von Staub usw., der von den Seiten aufgefangen wird,
beseitigt werden. Da z. B. der Brechungsindex von LiNbO&sub3;
etwa 2,2 ist, wird der Übertragungsverlust um etwa 35%
verbessert, wenn das umgebende Material SiO&sub2;-Glas statt Luft
ist. Diese Wirkung wird in der Praxis verwendet. Die
Eigenschaften, die für den Bedeckungsfilm erforderlich sind, sind
die folgenden: (1) er deckt die Unregelmäßigkeiten an den
Seiten geeignet ab; (2) seine optischen Übertragungsverluste
sind klein; (3) er erzeugt keine Spannung in den Rippen; und
(4) er weist einen Brechungsindex nahe dem der Rippen auf,
z. B. n&sub1; n&sub3;.
-
Gegenwärtig wird die Beschichtung integrierter
MOS-Schaltungen durch Sputtern von SiO&sub2; oder dergleichen hergestellt
(Rib waveguide switches with MOS electro-optic control for
monolithic integrated optics in GaAs-AlxGa1-xxAs, Appl. Opts.
17, Nr. 16, Aug. 1978, Seiten 2548 bis 2555). Dieses
Verfahren erfüllt jedoch nicht die Bedingungen (1) und (4), wie
sie für integrierte optische Schaltungen erforderlich sind.
Für die Bedingung (4) ist dies offensichtlich. Was die
Bedingung (1) betrifft, sind Sputtern oder ähnliche Verfahren
nicht ausreichend, um die Unregelmäßigkeiten an den Seiten
zu glätten. Wenn die Unregelmäßigkeiten an den Seiten der
Rippen in Höhenrichtung so stark ausgeprägt sind, daß sie
"Hohlräume" bilden, können sie nicht vollständig bedeckt
werden, was heißt, daß eine Luftschicht (d. h. eine Schicht
mit dem Brechungsindex 1) verbleibt und die optischen
Streuverluste erhöht. Einige integrierte optische Schaltungen aus
dem Stand der Technik sind in "Directional Coupler Switch in
Molecular-beam Epitaxy GaAs", Appl. Phys. Lett. 34 (11), 1,
Juni 1979, Seiten 755 bis 757 genannt.
-
Aus JP-A-51-88041 ist es bekannt, eine integrierte optische
Schaltung bereitzustellen, bei der ein
Optikwellenleiterbereich auf einem Substrat mit höherem Brechungsindex als
demjenigen des Substrats (1) und aus elektrooptischem Material
hergestellt ist, wobei der Optikwellenleiterbereich mehrere
Rippen aufweist, um eingegrenzte Übertragung von Licht durch
den Optikwellenleiterbereich zu ermöglichen. Eine
Isolierschicht erstreckt sich über den Optikwellenleiterbereich
einschließlich der Rippen, welche Isolierschicht ein
gehärteter Film eines wärmebeständigen und hochmolekularen Harzes
ist. Damit entspricht dieses Dokument dem Oberbegriff von
Anspruch 1. Eine im wesentlichen ähnliche Struktur ist auch
aus GB-A-2 000 877 bekannt.
-
Die erfindungsgemäße integrierte optische Schaltung ist eine
solche, wie sie in Anspruch 1 definiert ist. Demgemäß
schlägt die Erfindung vor, daß auf jeder Rippe eine
Elektrode vorhanden ist, um den Brechungsindex der Rippe zu
verändern, welche Elektroden von der Isolierschicht mit Ausnahme
derjenigen Stelle bedeckt werden, an der sie einen
zugehörigen Elektrodenstreifen kontaktieren. Ferner sind mehrere
Elektrodenstreifen auf der Isolierschicht vorhanden, wobei
jeder Streifen in elektrischem Kontakt mit einer zugehörigen
Elektrode steht, welche Elektrodenstreifen sich quer zu den
Rippen erstrecken. Um jedoch zu gewährleisten, daß der
Elektrodenstreifen bei seinem Verlauf über die Rippen nicht
bricht, erfordert es die Erfindung ferner, daß die
Isolierschicht eine Dicke nicht unter 200 nm aufweist, als
Flüssigkeit abgeschieden ist und Wellungen mit einer Steigung
aufweist,
die ausreichend klein dafür ist, daß die Störungsrate
der Elektrodenstreifen verringert wird.
-
Ausführungsformen der Erfindung werden nun im einzelnen
beispielhaft unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben, in denen
-
Fig. 1 und 3 perspektivische Ansichten grundsätzlicher
Aufbauten integrierter optischer Schaltungen sind; Fig. 2a und
2b Querschnitte hierdurch sind; Fig. 4 und 5 Ansichten von
Unregelmäßigkeiten bzw. von der Ausbreitung des elektrischen
Feldes in gekrümmten Abschnitten derselben sind;
-
Fig. 6 ein Diagramm des Übertragungsverlustes über dem
Krümmungsradius ist;
-
Fig. 7 eine Ansicht eines Ausführungsbeispiels der Erfindung
ist;
-
Fig. 8 ein Diagramm des optischen Transmissionsvermögens von
PII ist;
-
Fig. 9 ein Schnitt durch eine integrierte optische Schaltung
gemäß der Erfindung ist;
-
Fig. 10 eine Gesamtansicht der mit Abhebeelektroden
versehenen integrierten optischen Schaltung von Fig. 9 ist; und
-
Fig. 11 und 12 die Dicke und den Neigungswinkel des PII-
Films zeigen.
-
Fig. 7 ist eine Darstellung eines Ausführungsbeispiels der
Erfindung und zeigt einen Schnitt durch die Struktur eines
Teils einer integrierten optischen Schaltung, bei der ein
200 nm dicker, ausgehärteter Film aus Polyimidharz, z. B.
Polyimidisoindochinazolindiol
(polyimideisoindroquinazolindion) (nachfolgend mit "PII" abgekürzt) als Abdeckschicht
8 über einer Optikwellenleiterschicht 2 mit einem
Brechungsindex von 3,4 verwendet wird, die auf einem GaAs-Substrat 1
ausgebildet ist und Rippen 3-1 und 3-2 aus GaAs aufweist.
Der PII-Film 8 wird nach dem Ausbilden von Elektroden 5-1
und 5-2 auf den Rippen 3-1 und 3-2 durch Auftragen einer
Flüssigkeit mit Hilfe eines Schleuderauftragungsverfahrens
aufgebracht, die dadurch hergestellt wurde, daß eine
vorgegebene Menge an PII in einem Lösungsmittel (z. B. einer
Mischung im Verhältnis 1:1 von N-Methyl-2-Pyrolidon und N,
N-Dimethylacetamid) gelöst wurde, gefolgt von einer
Wärmebehandlung zum Bewirken eines Aushärtens.
-
Die Dicke des so erhaltenen PII-Films 8 kann durch die
Konzentration an PII und die Drehzahl bei der
Schleuderauftragung bestimmt werden. Wenn das PII eine Konzentration von
8 Gew.-% aufweist und die Drehzahl 3500 U/min ist, weist der
PII-Film nach der Wärmebehandlung eine Dicke von 300 nm auf.
Wenn z. B. eine Wärmebehandlung bei 350ºC für eine Stunde
nach dem Auftragen des PII-Films vorgenommen wird, härtet
dieser aus, um einen Film zu ergeben, der geeignete
Eigenschaften für eine Abdeckschicht einer integrierten optischen
Schaltung aufweist. Da das PII durch Schleuderauftragung aus
einer Lösung aufgebracht wird, deckt es die
Unregelmäßigkeiten der Rippen vollständig ab und führt zu sehr wenig
Verformung, selbst wenn es ausgehärtet wurde, so daß es die
Unregelmäßigkeiten an den Rippen vollständig abdeckt. Wie es
in Fig. 8 dargestellt ist, weist PII ein derart
ausgezeichnetes optisches Transmissionsvermögen im Wellenlängenbereich
oberhalb 0,5 um auf, daß die Übertragungsverluste des Lichts
so klein sind, daß sie praktisch vernachlässigt werden
können. Ein PII-Film weist die Eigenschaft auf, daß sein
Brechungsindex den hohen Wert von etwa 1,72 aufweist, was dicht
bei demjenigen von LiNbO&sub3;, GaAs, YIG usw. ist. Anders
gesagt,
sind die obigen, für den Abdeckfilm vorgegebenen
Bedingungen vollständig erfüllt. Die Verwendung dieses PII-
Films für gekrümmte Rippen, wie in Fig. 6 dargestellt, hat
gezeigt, daß die Übertragungsverluste bei einem
Krümmungsradius von 0,5 mm um etwa 86% auf 9 dB/cm verringert
werden. Damit weist der PII-Film den Vorteil auf, daß optische
Übertragungsverluste stark verringert werden können.
-
Eine detailliertere Untersuchung hat das Folgende ergeben.
-
Über einer integrierten optischen Schaltung müssen
Anschlußleitungsmuster ausgebildet werden, damit Optiksteuerströme
durch die einzelnen Rippen fließen können. Ein Beispiel
einer einfachen Struktur dafür ist in Fig. 9 dargestellt.
Wenn die Elektrode der Rippe 3-2 gesteuert wird, müssen
Elektrodenstreifen 10 über einer Isolierschicht 9 auf den
Elektroden 5-1 und 5-3 angeordnet werden. Dies erfolgt in
der Regel durch einen Abhebeprozeß. Bei einer herkömmlichen
integrierten optischen Schaltung wird eine Struktur
verwendet, bei der die Elektrodenstreifen direkt, nicht über der
Isolierschicht 9, wie in Fig. 10 dargestellt, aufgebracht
werden, nachdem die Enden der Elektroden 5-1 und 5-3
teilweise entfernt sind; oder es wird eine Struktur verwendet,
bei der die Elektrodenstreifen 10 an den Rippen über der
Isolierschicht 9 angebracht werden, wie in Fig. 9
dargestellt. Wie in Fig. 9 gezeigt, sind Abschnitte der Rippen
jedoch so gebildet, daß sie steile Stufen aufweisen, was ein
Herstellen der Elektrodenstreifen 10 durch Abheben sehr
schwierig gestaltet. Wenn die Isolierschicht 9 steile Stufen
aufweist, wie in Fig. 9 dargestellt, können diese steilen
Stufen zu einem Brechen oder Verdünnen der
Elektrodenstreifen 10 führen, so daß sie von der in ihnen erzeugten Hitze
schmelzen könnten, und unerwünschte Abschnitte können durch
den Abhebeprozeß nicht entfernt werden, was die
Zuverlässigkeit desselben stark verringert. Da diese Schwierigkeit
aufgrund
der Stufen noch deutlicher wird, wenn die Integration
der integrierten optischen Schaltung zunimmt, ist es absolut
notwendig, die hochintegrierte Schaltung so auszugestalten,
daß die Isolierschicht 9 eben ist. Vor kurzem wurden
Rippenmuster durch Ionenbeschußätzen ausgebildet, wodurch die
Muster noch kleiner hergestellt werden können; die Steigung
der Rippenseiten beträgt in diesem Fall etwa 800, was nahe
beim rechten Winkel liegt. Infolgedessen sind die Stufen
noch vergrößert. Wie in Fig. 10 dargestellt, ist daher das
Verfahren des direkten Anbringens der Elektrodenstreifen 10
an den Rippen ungeeignet, um eine hochintegrierte Schaltung
zu bilden. Dies erfordert es, die Konstruktion von Fig. 9
mit Verwendung der Isolierschicht 9 einzuführen.
-
Der PII-Film ist ausgezeichnet, nicht nur hinsichtlich
seiner optischen Eigenschaften, sondern auch hinsichtlich
seiner elektrischen Isoliereigenschaften. Die Höhe der Rippen
3-1 und 3-2 liegt zwischen 200 nm und 1500 nm, so daß dann,
wenn ein SiO&sub2;-Film derselben Dicke von 200 nm, wie
derjenigen des PII-Films, als Isolierschicht verwendet wird, die
steilen Stufen von Fig. 9 ausgebildet werden, die die
Anschlußfähigkeit der Elektrodenstreifen 10 verschlechtern.
Wenn der Isolierfilm aus PII besteht, können jedoch alle
Unregelmäßigkeiten an der Oberfläche des PII-Films verringert
und eingeebnet werden, da die PII-Lösung eine Flüssigkeit
ist. Wenn sich das PII für eine vorbestimmte Zeitspanne nach
seinem Auftragen durch Schleuderauftragung oder ein anderes
Verfahren absetzen darf, werden demgemäß die Stufen in der
Oberfläche des PII-Films 9, wie sie zunächst durch die
Stufen 3-1 und 3-2 erzeugt werden, stark verringert und
eingeebnet, so daß irgendwelche Stufen in den Elektrodenstreifen
10 viel kleiner sind als im Fall von Fig. 9.
-
Bei der Erfindung spielt auch die Dicke des PII-Films 8 über
den Spitzen der Rippen eine wichtige Rolle. Wenn der PII-
Film 8 zu dünn ist, ist der Effekt des Verringerns der
Stufen unzureichend, was im ungünstigsten Fall die Isolierung
zwischen der Elektrode 5-1 und den Elektrodenstreifen 10
verringern kann. Wenn die Rippen z. B. eine Höhe von 350 nm
aufweisen und die Neigung der gestuften Abschnitte R ist,
wie in Fig. 11 dargestellt, wird die Steigung R kleiner,
wenn die Dicke h des PII-Films zunimmt, wie in Fig. 12
dargestellt. Wenn die Steigung kleiner als 30º ist, werden die
Elektrodenstreifen nicht zerschnitten. Aus diesem Grund muß
die Dicke des PII-Films mindestens 200 nm betragen. Wenn die
Dicke h des PII-Films 8 kleiner als 200 nm beträgt, ist
darüber hinaus die durch ihn bewirkte Isolierung unzureichend.
Daher muß die Dicke h des PII-Films 8 mindestens 200 nm
betragen.
-
Um die Magnetfelder innerhalb der integrierten optischen
Schaltung zu steuern, ist es andererseits erforderlich,
gewundene Spulen auf dem PII-Film zu erzeugen, um Magnetfelder
an die Rippen zu legen. Wenn in diesem Fall die Dicke h des
PII-Films vergrößert wird, verringert sich die Stärke der
dabei angelegten Magnetfelder. Daher beträgt die Filmdicke
wünschenswerterweise weniger als 1000 nm.
-
Es ist eine große Anzahl wärmebeständiger, hochmolekularer
Harze verfügbar, die bei der Erfindung verwendet werden
können, da sie die obigen Bedingungen erfüllen. Zusätzlich zu
Polyimiden, wie PII, können z. B. Epoxid-Harze,
Phenol-Harze, Polyamidimid-Harze usw. verwendet werden. Zwei oder mehr
dieser Harze können kombiniert werden.
-
Die Erfindung ermöglicht es, eine integrierte optische
Schaltung mit optischen Wellenleitern mit geringem Verlust
zu erstellen. Die Verwendung einer solchen integrierten
optischen Schaltung kann den Leistungsgrad von Schaltungen,
die verschiedene Signale übertragen, und auch von
verschiedenen
Vorrichtungen, die mit Übertragungstechniken in
Beziehung stehen, verbessern und die Größe und das Gewicht wie
auch die Kosten erniedrigen. Es ist daher offensichtlich,
daß die erfindungsgemäße optische integrierte Schaltung
einen extrem hohen Gebrauchswert hat.