DE3434616C2 - Verfahren zur Herstellung von Titan-Bor-Oxinitridschichten auf Sinterhartmetallkörpern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Titan-Bor-Oxinitridschichten auf Sinterhartmetallkörpern

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Titan- Bor-Oxinitridschichten auf Sinterhartmetallkörpern, insbesonde­ re auf Schneidplatten aus gesinterten Karbiden von Metallen der IV. bis VI. Nebengruppe des PSE mit Bindemetall der Eisengrup­ pe, nach dem Prinzip der chemischen Dampfphasenabscheidung in einer im wesentlichen aus TiCl₄, BCl₃, N₂ und H₂ bestehenden Reaktionsatmosphäre.
Es ist bekannt, die Oxidationsbeständigkeit von beschichteten und unbeschichteten Sinterhartmetallen durch sauerstoffhaltige Deckschichten zu verbessern. So werden in der US-Patentschrift Nr. 401 86 31 eine Titan-Oxinitridschicht und in der DE-AS 196 46 02 sauerstoff- und stickstoffhaltige Karbidschichten der Elemente der IV. bis VI. Nebengruppe des PSE für diesen Zweck empfohlen. Eine noch bessere Wirkung erzielten hinsichtlich der Oxidationsbeständigkeit reine Aluminiumoxid- und Zirkoniumoxid­ deckschichten, wie sie in der DE-AS 22 53 745 und in der euro­ päischen Patentanmeldung Nr. 3 18 05 mit unterschiedlichen Zwi­ schenschichten vorgeschlagen werden.
Durch die europäische Patentanmeldung EP 83 043 A1 ist es be­ kannt, Titan-Bor-Oxinitride als Oberflächenschichten bei Hart­ metall-Schneideinsätzen zu verwenden. Der Sauerstoffgehalt des in einem einstufigen Verfahren herzustellenden Titan-Bor-Oxini­ trids liegt bei 0,1 bis 5 Gew.-%. Dabei wird mit einer Reak­ tionsgasmischung gearbeitet, die CO₂ enthält, so daß Drücke und Temperaturen notwendig sind, die sich ungünstig auf die Schichtbildung und damit auch auf die Verschleißfestigkeit der Titan-Bor-Oxinitridschicht auswirken. Es wird auch vorgeschla­ gen, die Titan-Bor-Oxinitridschichten mit Schichten aus Karbi­ den, Nitriden, Karbonitriden der Elemente der IV. bis VI. Grup­ pe des Periodensystems oder Bornitriden oder Aluminiumoxiden zu kombinieren, wobei der jeweils günstige µm-Bereich der Schicht­ dicken mit einfachen Routineversuchen ermittelt werden soll.
In der französischen Patentschrift 2370551 werden verschleiß­ feste Titan-Bornitridschichten der Zusammensetzung TiBxNy be­ schrieben, bei denen x = 0,05 - 0,08 und 1 < x + y < 1,25 sein sollen. Solche Schichten werden durch chemische Dampfphasenab­ scheidung im Niederdruckbereich von 60 bis 100 Torr und bei Temperaturen von 1050-1500°C hergestellt. Abhängig vom dem Molverhältnis Borhalogenit/Wasserstoff, dem Stickstoffpartial­ druck, der Abscheidungstemperatur und dem Druck in dem vorgege­ benen Bereich entstehen ein- und zweiphasige Schichten mit un­ terschiedlichen Eigenschaften. Bei Anwendung von atmosphäri­ schem Druck (Normaldruck) werden dagegen keine Schichten, son­ dern pulverförmiger Niederschlag erzeugt. Die abgeschiedenen Phasen sind mit leicht veränderten Gitterkonstanten dem kubisch flächenzentrierten Titannitrid und dem hexagonalen Titandiborid isomorph. Die zur Erzeugung der Titan-Bornitridschichten not­ wendigen Temperaturen und Abscheidezeiten führen aufgrund der hohen Beweglichkeit der Boratome dazu, daß die Hartmetallunter­ lage boriert wird, wodurch Veränderungen in deren Gefüge ein­ treten, die den Gebrauchswert derart beschichteter Hartmetall­ körper verringern. Aus Untersuchungen ist bekannt, daß unter solchen Bedingungen die Bestandteile der bekannten Sinterhart­ metalle zu Boriden reagieren. Die Boridbildung erfolgt zunächst in der Bindemetallphase z. B. zu Cobaltborid und bei Temperatu­ ren über 1050°C auch unter Beteiligung der karbidischen Hart­ stoffphasen unter Ausscheidung von Kohlenstoff zu sogenannten Eta-Boriden. Eine derartige Borierung des Hartmetallgrundkör­ pers führt zu einer erheblichen Verminderung der Bruchfestig­ keit des beschichteten Hartmetallkörpers, die u. a. Fehlleistun­ gen bei dessen Einsatz für die Zerspanung im unterbrochenem Schnitt (Fräsen) zur Folge hat.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Verfahren zur Herstellung bzw. Abscheidung von Titan-BorOxinitridschichten auf Sinterhartmetallkörpern, ausgehend von dem bekannten Prin­ zip der chemischen Dampfphasenabscheidung in einer im wesentli­ chen aus TiCl₄, BCl₃, N₂ und H₂ bestehenden Reaktionsatmosphä­ re, zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf den in einem TiCl₄-N₂-H₂-Gasgemisch unter einem Druck von 90 bis 20 kPa bei 1280 bis 1350 K vorbehandelten Sinterhartmetallkör­ pern während und nach dem Absenken der Temperatur auf 1100 bis 1200 K unter demselben Druck durch eine Nachbehandlung in einer aus 2 bis 2,5 Vol.-% TiCl₄, 0,02 bis 0,2 Vol.-% BCl₃, 25 bis 35 Vol.-% N₂ und 60 bis 75 Vol.-% H₂ bestehenden Gasatmosphäre, der 0,005 bis 0,04 Vol.-% H₂O zugesetzt ist, eine Titan-Bor- Oxinitridschicht entsprechend der allgemeinen Formel TiBxOyNz gebildet wird, in der x = 0,30 bis 0,75, y = 0,05 bis 0,25 und x + y + z = 0,98 bis 1,3 betragen.
Bei den für die Verfahrensdurchführung in Betracht kommenden Anlagen für die Oberflächenbeschichtung nach der chemischen Dampfphasenabscheidung ist es zweckmäßig, daß der H₂O-Zusatz über den H₂-Gasstrom in die Reaktionsatmosphäre eingebracht wird.
Für die Verfahrensführung hat es sich als vorteilhaft erwiesen, daß in dem Gasgemisch für die Vorbehandlung und/oder in der Gasatmosphäre für die Nachbehandlung H₂ teilweise durch Ar er­ setzt wird.
Eine vorteilhafte Maßnahme in der erfindungsgemäßen Verfahrens­ gestaltung wird auch darin gesehen, daß die Sinterhartmetall­ körper vor der Vorbehandlung in Ar aufgeheizt und nach der Nachbehandlung in N₂ abgekühlt werden.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Titan- Bor-Oxinitridschichten im Bereich der erzielbaren Zusammenset­ zung TiBxOyNz haben im Vergleich zu den bekannten Hartstoff­ schichten dieser Struktur höhere Härte, höhere Abriebfestig­ keit, höhere Oxidationsbeständigkeit und höhere Bruchfestig­ keit. Entsprechend beschichtete Hartmetallgrundkörper sind ver­ schleißfester, insbesondere bei der spanenden Formung kurzspa­ nender Eisenwerkstoffe, hoch- und niedriglegierter Stähle, von Superlegierungen und von NE-Werkstoffen. Sie weisen z. B. Mikro­ härten auf, die erheblich über den der bisher aus dem System Titan-Bor-Sauerstoff-Stickstoff bekannten liegen.
Es ist auch im Sinne der Erfindung das erfindungsgemäße Be­ schichtungsverfahren mit anderen Beschichtungsverfahren zum Aufbringen von zusätzlichen Schichten aus Karbiden, Nitriden, Siliciden der IV. bis VI. Nebengruppe des PSE, mit Aluminium­ oxid, Zirkoniumoxid, Borkarbid, Siliciumnitrid, mit Kohlenstoff mit diamantähnlichen Eigenschaften und/oder Bornitrid zu kombi­ nieren.
Bei der Kombination mit anderen Beschichtungsverfahren kann durch getrennte Ausführung der einzelnen Verfahrensabschnitte die Titan-Bor-Oxinitridschicht als Deckschicht, Grundschicht und/oder Zwischenschicht aufgebracht werden.
Aufgrund der anzustrebenden Temperaturwechselbeständigkeit der Titan-Bor-Oxinitridschichten soll die Verfahrensführung so er­ folgen, daß die Schichtdicke des gesamten Schichtsystems als Einzel- oder Mehrfachschicht insgesamt im Bereich zwischen 0,2 und 12 µm liegt.
Anhand besonders dicker, für die Härtemessung längs und quer zur Schichtwachstumsrichtung extra hergestellter Modellschich­ ten wurden bei verschiedenen Zusammensetzungen der Titan-Bor- Oxinitridschichten Mikrohärten mh100p 4500-5400 gefunden. Zum Beispiel wurden an Titan-Bor-Oxinitridschichten
TiB0,70 O0,10 N0,22 mh100p 4700
und
TiB0,40 O0,22 N0,51 mh100p 5300
gemessen.
Die vergleichsweise niedrigen Abscheidetemperaturen von 1100-1200 K, vorzugsweise 1130-1180 K, für die Erzeugung der er­ findungsgemäßen Titan-Bor-Oxinitridschichten und deren hohe Bildungsgeschwindigkeit verhindern weitgehend die Diffusion von Bor in die Hartmetallunterlage und bilden die Voraussetzung für die Ausbildung einer superfeinkörnigen Struktur. Neben der che­ mischen Zusammensetzung resultieren die besonderen verschleiß­ mindernden Eigenschaften aus dieser vorzugsweise röntgenamor­ phen Schichtstruktur. Die Aufwachsgeschwindigkeit beträgt in­ nerhalb der Grenzwerte für die Abscheidetemperatur und Gaszu­ sammensetzung zwischen 0,05 und 20 µm pro Minute.
Im Gegensatz zu Titranbornitrid, wie es in der französi­ schen Patentschrift 237 05 51 vorgeschlagen wird, läßt sich Titanboroxinitrid bei Drücken auch oberhalb 1,3,3 kPa, vorzugsweise bei atmosphärischem Druck, problemlos als festhaftende Schicht auf Hartmetallunterlagen direkt oder auf bereits in an sich bekannter Weise mit anderen Hart­ stoffschichten versehenen Hartmetallunterlagen abscheiden.
Die hohen Abscheidegeschwindigkeiten und die niedrigen Abscheidetempe­ raturen bilden die Voraussetzung dafür, daß die meist unter­ wünschte Borierung der Hartmetallunterlage vollkommen aus­ bleibt bzw. nur wenige µm tief die Ausbildung von Boriden in der Bindemetallphase nachweisbar ist. Eine kombinierte Hartstoffabscheidung und gleichzeitige Borierung der Hart­ metallunterlage, tritt aufgrund des geringen Borangebotes aus der Gasphase nicht ein.
Je nach Verwendungszweck können durch Konzentrationsgradie­ ten des Bors, des Sauerstoffs und des Stickstoffs innerhalb der Schicht in den vorgenannten Grenzen die Eigenschaften der Titanboroxinitridschichten variiert werden. So werden die höchsten Härten bei etwa gleichgewichtigen Anteilen von Bor und Stickstoff und die höchste Oxidationsbeständigkeit bei Sauerstoffanteilen von y = 0,1-0,2 erzielt. Die Kombi­ nation der Titanboroxinitridschicht mit anderen Hartstoff­ schichten kann in den Grenzbereichen höhere Konzentrationen an Stickstoff erfordern, wenn mit Carbid- oder Nitridschich­ ten kombiniert wird oder höhere Sauerstoffgehalte erfordern, wenn mit Oxidschichten kombiniert wird.
Für die Kombination von Titanboroxinitridschichten mit ande­ ren Hartstoffschichten kommen alle an sich bekannten Hart­ stoffauflagen mit verschleißmindernder Wirkung in Frage, vorzugsweise Carbide, Nitride, Silicide der IV., V. und VI. Nebengruppe des Periodischen Systems der Elemente, deren Mischphasen Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Borcarbid, Silicium­ nitrid, Kohlenstoff mit diamantähnlichen Eigenschaften und/oder Bornitrid.
Die Erfindung soll nachstehend an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert werden:
Beispiel 1
Wendeschneidplatten aus einem Hartmetall der Anwendungsgruppe K20 mit 6% Co, 0,6% Ta(Nb,V)C, 0,2% TiC, Rest WC (im folgen­ den K20-Hartmetall genannt) wurden in einem Reaktor unter Inertgas auf 1320 K aufgeheizt und 20 min mit einem Gasge­ misch, bestehend aus Ar-H₂-TiCl₄-C₆H₆ behandelt. Danach wurde Benzol durch Stickstoff ersetzt und anschließend ein Gasge­ misch eingestellt, welches folgende Zusammensetzung hatte:
32,74 Vo.-% N₂
65,00 Vol.-% H₂
 2,14 Vol.-% TiCl₄
 0,10 Vol.-% BCl₃
 0,02 Vol.-% H₂O
Dabei wurde gleichzeitig die Temperatur von 1320 K auf 1200 K gesenkt.
Die Wendeschneidplatten wurden in dieser Atmosphäre bei einem Druck von 105 kPa 40 min lang bei 1200 K behandelt und an­ schließend im Reaktor im Stickstoffstrom abgekühlt.
Diese Wendeschneidplatten wiesen eine geschlossenen Doppel­ schicht, bestehend aus einer 3 µm starken TiC-Schicht und einer 4 µm starken röntgenamorphen Titanboroxinitridschicht der Zusammensetzung TiB0,40O0,12N0,51 auf. Die Titanboroxini­ tridschicht hatte eine Vickershärte HV 0,1 von 53 000 MPa.
Der Gebrauchswert der Schicht wurde in einem Frästest ermit­ telt:
Testbedingungen Einzahnfräser
1. Test:
Werkstoff = Grauguß lamellar;
Festigkeit : 200 N.mm-2
Schnittgeschwindigkeit, v = 224 m/min
Schnittiefe, a = 2 mm
Vorschub pro Zahn, sz = 0,4 mm
Fräswerkzeug = Fräskopf ⌀ 320 mm, eine Schneide
Wendeschneidplatte = dreieckförmig, mit 22 mm
Kantenlänge und 4 mm Dicke
Kriterium Freiflächenverschleiß:
Verschleißmarkenbreite, VB = 0,8 mm
2. Test:
Werkstoff, Werkzeug, Wendeschneidplatte wie Test 1
Schnittgeschwindigkeit v = 140 m/min
Schnittiefe a = 2 mm
Vorschub pro Zahn sz = 0,5 mm
Kriterium Freiflächenverschleiß:
Verschleißmarkenbreite VB = 1,0 mm
Beispiel 2
Wendeschneidplatten aus einem Hartmetall der Anwendungsgruppe K20 mit 6% Co, 0,6% Ta(Nb,V)C, 0,2% TiC, Rest WC wurden in einem Reaktor unter Inertgas auf 1320 K aufgeheizt und 40 min in einer H₂-N₂-TiCl₄-Atmosphäre behandelt. Danach wurde ein Gasgemisch mit folgender Zusammensetzung eingestellt:
32,64 Vol.-% N₂
65,00 Vol.-% H₂
 2,14 Vol.-% TiCl₄
 0,02 Vol.-% H₂O
und gleichzeitig die Temperatur auf 1200 K gesenkt.
Die Wendeschneidplatten wurden in dieser Atmosphäre 40 min lang bei 1200 K behandelt und anschließend im Reaktor im Stickstoffstrom abgekühlt.
Diese Wendeschneidplatten wiesen eine geschlossenen Doppel­ schicht, bestehend aus einer 4 µm starken TiN-Schicht und einer 4 µm starken Titanboroxinitridschicht der Zusammenset­ zung TiB0,70O0,10N0,22 auf. Die Titanboroxinitridschicht hat­ te eine Vickershärte HV 0,1 von 47 000 MPa.
Diese Wendeschneidplatten wurden mit einer in üblicher Weise mit Titannitrid beschichteten Wendeschneidplatte im Drehtest verglichen:
AG/Werkstück: Längsdrehen einer Welle (glatter Schnitt)
Werkstoff: Grauguß, lamellar; Festigkeit = 220 N.mm-2
Schnittgeschwindigkeit, v = 120 m.min-1
Schnittiefe, a = 2 mm
Vorschub, s = 0,3 mm.U-1
Werkzeug: Wendeplatten-Drehmeißel zum Längsdrehen;
Wendeschneidplatte: Dreieckförmig, mit 22 mm Kantenlänge, und 4 mm Dicke;
Kriterium: Freiflächenverschleiß:
Verschleißmarkenbreite, VB = 0,5 mm
Ergebnisse als Standzeit in min:
Konventionell TiN-beschichtete WSP = 32 min
Erfindungsgemäß beschichtete WSP = 72 min
Die in den Ausführungsbeispielen beschriebenen Hartstoff­ schichten wurden röntgenographisch, metallographisch am Schräg- und Querschliff und mit der Elektrodenstrahlmikroson­ de zur Klärung der Phasenverteilung, der Schichtdicke und des Schichtaufbaues analysiert.

Claims (4)

1. Verfahren zur Herstellung von Titan-Bor-Oxinitridschichten auf Sinterhartmetallkörpern, insbesondere auf Schneidplatten aus gesinterten Karbiden von Metallen der IV. bis VI. Neben­ gruppe des PSE mit Bindemetall der Eisengruppe, nach dem Prinzip der chemischen Dampfphasenabscheidung in einer aus TiCl₄, BCl₃, N₂ und H₂ bestehenden Reak­ tionsatmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß auf den in einem TiCl₄-N₂-H₂-Gasgemisch unter einem Druck von 90 bis 120 kPa bei 1280 bis 1350 K vorbehandelten Sinterhartmetallkörpern während und nach dem Absenken der Temperatur auf 1100 bis 1200 K unter demselben Druck durch eine Nachbehandlung in einer aus 2 bis 2,5 Vol.-% TiCl₄, 0,02 bis 0,2 Vol.-% BCl₃, 25 bis 35 Vol.-% N₂ und 60 bis 75 Vol.-% H₂ bestehenden Gasatmosphäre, der 0,005 bis 0,04 Vol.-% H₂O zugesetzt ist, eine Titan-Bor-Oxinitridschicht entsprechend der allgemeinen Formel TiBxOyNz gebildet wird, in der x = 0,30 bis 0,75, y = 0,05 bis 0,25 und x + y + z = 0,98 bis 1,3 betragen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der H₂O-Zusatz über den H₂-Gasstrom in die Reaktionsat­ mosphäre eingebracht wird.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Gasgemisch für die Vorbehandlung und/oder in der Gasatmosphäre für die Nachbehandlung H₂ teilweise durch Ar ersetzt wird.
4. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Sinterhartmetallkörper vor der Vorbehandlung in Ar aufgeheizt und nach der Nachbehandlung in N₂ abgekühlt wer­ den.
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