DE3423457A1 - Verfahren zur herstellung von leiterplatten - Google Patents
Verfahren zur herstellung von leiterplattenInfo
- Publication number
- DE3423457A1 DE3423457A1 DE19843423457 DE3423457A DE3423457A1 DE 3423457 A1 DE3423457 A1 DE 3423457A1 DE 19843423457 DE19843423457 DE 19843423457 DE 3423457 A DE3423457 A DE 3423457A DE 3423457 A1 DE3423457 A1 DE 3423457A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base plates
- wet
- activated
- electroless
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
Description
BAYER AKTIENGESELLSCHAFT 5090 Leverkusen, Bayerwerk Konzernverwaltung RP
Patentabteilung K/ABc 9 5. }\%\ IQf^.
Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
Gegenstand der Erfindung ist ein naßchemisches Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten.
Es ist allgemein bekannt, daß die Abscheidung von haftfesten Metallauflagen auf den üblichen Isolierbasismaterialien
eine aufwendige Vorbehandlung erfordert. So müssen beispielsweise die Basisplatten
zunächst mit einer Haftvermittlerschicht versehen und anschließend mit oxidierenden Flüssigkeit, vorzugsweise
Chromschwefelsäure, behandelt werden, bevor die so präparierten Platten mit ionischen oder
kolloidalen Edelmetallösungen aktiviert, maskiert und in handelsüblichen Metallisierungsbädern metallisiert
werden.
Abgesehen von der Vielstufigkeit dieser Methoden weist diese Technik den Nachteil auf, daß eingeschleppte
Chromionen die Bäder irreversibel vergiften und daß die erhaltenen Leiterplatten unbefriedigende elektrische
Eigenschaften zeigen.
Le A 22 953
Es ist daher bereits vorgeschlagen worden, die nichtleitenden Oberflächen von Substraten, beispielsweise
Basisträger von Leiterplatten, ohne oxidative Vorbehandlung mit einer Lösung oder einem Lack einer
Edelmetallkomplexbildung für die anschließende chemische Metallisierung zu aktivieren /vgl. z.B.
DE-A 1 696 603 und DE-A 2 116 389?.
Diese an sich materialschonenden Aktivierungsverfahren konnten sich jedoch bislang in der Praxis nicht
durchsetzten, da sie verhältnismäßig große Aktivatormengen benötigen und die in der Elketronikindustrie geforderten
hohen Abzugsfestigkeiten der Metallauflagen nicht erreichen. Aus diesem Grunde wird zumindest in der erstgenannten
Patentpublikation eine Oberflächenbehandlung mit Ätzmitteln empfohlen (vgl. Spalte 6, Zeile 48).
Es wurde nun gefunden, daß man diese Nachteile vermeiden und auf einfache Weise, d. h. ohne Ätzung, zu
Halbzeugen zur Herstellung von hochwertigen Leiterplatten gelangen kann, wenn man
a) die Basisplatten mit einem Aktivatorsystem, enthaltend
Komplexverbindungen der Elemente der I. oder VIII. Nebengruppe des Periodensystems, die
mindestens eine haftvermittelnde funktioneile Gruppe aufweisen, behandelt,
b) auf den so aktivierten Platten naßchemisch-stromlos oder kombiniert naßchemisch-stromlos/galvanisch eine
elektronisch leitfähige Metallauflage mit einer Schichtdicke von 0,05-10 pm aufbringt und
Le A 22 953
G-
c) die auf diese Weise metallisierten Basisplatten, die sog. Halbzeuge, in üblicher Weise zu Leiterplatten
weiterverarbeitet.
Gegenüber dem bekannten Substraktiv-Verfahren, bei dem
bis zu 70 pm starke Metallauflagen pf^atiell mit Hilfe
von Ätzlösungen herausgelöst werden müssen, weist das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil auf, daß man Metal
lschichte mit einer Dicke von nur maximal 10 pm, vorzugsweise 0,1-7,5 pm bzw. - besonders bevorzugt 0,1-5,0
pm - herausätzen muß, was eine beträchtliche Materialersparnis zur Folge hat.
Im Vergleich zu nach ebenfalls bekannten "Dünnschichtmethoden" zur Herstellung von Leiterplatten, die durch
das Auflaminieren von galvanisch hergestellten Dünnschichtauflagen
charakterisiert sind, zeichnet sich das neue Verfahren durch einen geringeren Arbeitsaufwand
sowie verbesserte mechanische und elektrische Eigenschaften der Metallauflagen aus.
Die zur Durchführung des neuen Verfahrens benötigten Komplexverbindungen sind allgemein bekannt (vgl. z.B.
DE-A 31 48 280.
Geeignete Komplexverbindungen in den Aktivatorlösungen sind 1l·—Komplexe von Olefinen, konjugierten Dienen und
O0,ß-ungesättigten Ketonen sowie Chelatkomplexe von
Nitril-, Amin-, Carboxyl-, Hydroxyl-, Sulfonsäure- und SuIfonamidgruppenhaltigen Verbindungen, die
Le A 22 953
außer diesen zur Metallkomplexbildung benötigten Gruppen mindestens eine weitere funktioneile Gruppe
enthalten, die die Haftfestigkeit des Aktivators auf der Substratoberfläche verbessert.
Dieses kann durch eine chemische Reaktion mit der Substratoberfläche
vorzugsweise aber durch Ausbildung von Wasserstoffbrüchenbindungen oder durch die Wirkung
von van der Waalsscher Kräfte erreicht werden.
Besonders geeignet für eine solche chemische Verankerung des Aktivators an der Substratoberfläche sind
funktionelle Gruppe wie Carbonsäuregruppen, Carbonsäurehalogenidgruppen,
Carbonsäureanhydridgruppen, Carbonestergruppen, Carbonamid- und Carbonimidgruppen,
Aldehyd- und Ketongruppen, Ethergruppen, SuIfonamidgruppen, SuIfonsäuregruppen und SuIfonatgruppen,
SuIfonsäurehalogenidgruppen, Sulfonsäureestergruppen, halogenhaltige heterocaclische Reste,
wie Chlortriazinyl-, -pyrazinyl-, -pyrimidyl- oder -chinoxalinylgruppen, aktivierte Doppelbindungen,
wie bei Vinylsulfonsäure- oder AcrylSäurederivaten, Aminogruppen, Hydroxylgruppen, Isocyanatgruppen,
Olefingruppen und Acetylengruppen sowie Mercaptogruppen
und Epoxidgruppen, ferner höherkettige Alkyl- oder Alkenylreste ab C0, insbesondere Olein-,
Linolein-, Stearin- oder Palmitingruppen.
Ganz besonders gut geeignet sind funktionelle Gruppen wie Carbonsäuregruppen, Carbonsäureanhydridgruppen,
Amidgruppen, Carbonsäure-imidgruppen, Keto-, Aldehyd- und Estergruppen.
Le A 22 953
-X-
Es ist zweckmäßig, die die Adsorption hervorrufenden funktioneilen Gruppen auf das jeweilige Substrat abzustimmen.
So verbessern z.B. langkettige Alkyl- oder Alkenyl-Gruppen im Aktivatormolekül die Haftfestigkeiten
auf Substraten aus Polyethylen oder Polypropylen. Zur Metallisierung von Gegenständen auf Polyamid-
oder Polyesterbasis sind dagegen Aktivatoren mit beispielsweise zusätzlichen Carbonyl- oder Sulfon-Gruppen
besonders günstig.
Bevorzugte Aktivatoren sind organometallische /A'-Verbindungen
der Elemente Pd, Au, Pt und Ag, wie sie z.B. in DE-A 3 148 280 beschrieben sind. Besonders bevorzugt
sind die ebenfalls zum Teil bekannten bzw. nach an sich bekannten Verfahren erhältlichen Komplexverbindüngen
der Elemente der 1. oder 8. Nebengruppe des Periodensystems in den Oxidationsstufen 1-4 (insbesondere
einwertiges Palladium) mit ungesättigten Ketonen der Formel
R1 -C-C=C- R4
η I ι
O R2 R3
worin
R1 und R4 C1-C2Q-Alkyl, vorzugsweise C-j-Cg-Alkyl,
R2 und R3 Wasserstoff oder C1-C -Alkyl, vorzugsweise
Methyl bedeuten.
Le A 22 953
Beispielhaft seien genannt: Mesityloxid, n-Buten-3-on-2, n-Hepten-3-on-2, n-Hexen-3-on-2, n-Decen-4-on-3, 5-Chlor-penten-3-on-2,
Ethylvinylketon, 3-Methyl-octen-5-on-4, 3-Methyl-penten-3-on-2, 7-Methoxy—hepten-3-on-2.
Weitere Beispiele für bevorzugte Komplexbildner sind: Butadien, 4-Cyclohexen-lf2-dicarbonsäureanhydrid und
4-Cyclohexen-l,2-dicarbonsäureimid. Besonders bevorzugt
sind deren Palladiumkomplexe.
erfindungsgemäß neue Verfahren wird zweckmäßigerweise so durchgeführt, daß man Basismaterialien mit den
o.a. organometallischen Verbindungen benetzt. Dies kann vornehmlich durch Besprühen mit einer leicht
flüchtigen organischen Lösung der genannten Aktivatoren oder durch Tauchen in diese Medien erfolgen.
Hierbei soll die Konzentration des Aktivators zwischen 0,01 g und 10 g pro Liter Lösungsmittel betragen.
Als Lösemittel kommen vorzugsweise chlorierte Kohlenwasserstoffe wie HCCl-, CCl., CH3Cl2 und ClCH=CCl2,
Alkohole wie C H OH und CH OH bzw. deren Gemische untereinander in Betracht.
Die so behandelten Basismaterialien werden dann, wenn erforderlich in einem Lösemittel angequollen, anschließend
sensibilisiert und in einem reduktiven Metallisierungsbad ganzflächig metallisiert.
Gegebenenfalls wird darin die so erhaltene Metallauflage
galvanisch bis zu einer maximalen Gesamtstärke von 10 pm verstärkt.
Le A 22 953
-SL-
Danach wird das metallisierte Basismaterial, auch "Halbzeug"
genannt, partiell mit einer Maske versehen.
Zum Abdecken der Halbzeuge kommen in den meisten Fällen "Resistauflagen" (Photolacke, Photoresists) und zwar
"Negativ-Resists" oder "Positiv-Resists" in Betracht. Sie sind allgemein bekannt (s. beispielsweise Günther
Hermann, "Leiterplatten, Herstellung und Vorbehandlung", S. 98 - 103 und 125 - 127).
Im ersten Fall werden nach dem Belichten die unbelichteten Teile mit einem geeigneten Lösungsmittel entfernt,
im zweiten Fall die belichteten Teile. Zur Herstellung von Reliefs für die Elektronik bzw. für die Mikroelektronik
können eine Reihe von speziellen Resistsystemen verwendet werden. In diesem Zusammenhang seien die mit
Hilfe von UV-Strahlung, Elektronenstrahlung und Laserstrahlung härtbaren Resistsysteme erwähnt (vgl.
DE-A 2 007 267, DE-A 2 454 879 und DE-A 2 507 874).
Zum Herauslösen der nicht vernetzten Teile der Resistauf lage eignen sich übliche organische Lösungsmittel,
in denen das Präpolymere der Lackauflagen gut löslich ist.
Das Aufbringen der Reliefmaske kann auch durch Siebdrucken,
Beschichten oder Bestempeln erfolgen.
Als Substrate für das erfindungsgemäße Verfahren eignen
sich Platten, vorzugsweise mit Normlöchern versehene Platten aus glasfaser- und glasmattenverstärkten
Epoxidharzen (s. beispielsweise Kunststoffhandbuch,
Le A 22 953
Prof. R. Vieweg, XI, S. 180 - 246, Carl Hanser Verlag,
Münschen (1971)), fluorhaltigen Polymerisaten (s. beispielsweise
o.a. Literaturstelle S. 673 - 674) wie PTFT (Polytetrafluorethylen), wärmehärtbaren Kunststoffen
wie Phenol-Formalin- und/oder Melaminharze (s. beispielsweise Prof. R. Vieweg "Kunststoff-Handbuch"
X, S. 19 - 59 und 63 - 128), Polypropylen, Polyethylen, ABS- (Acrylnitril-Butadien-Styrol)-Mischoder
Pfropfcopolymerisate und Polykondensate (z.B.
Polycarbonate, aromatisch und/oder aliphatische Polyamide, Polyester, aromatische und/oder aliphatische
Polyamide bzw. Polyamid-Imide bzw. deren Mischungoder
Cokondensate).
Die Polymerplatten müssen im Einzelfall vor der Metallisierung mit einem geeigneten Quellmittel angequollen
werden.
Zur Behandlung von Platten auf der Basis von Polyamidkondensaten werden beispielsweise Lösungen eines Gemisches
von Halogeniden von Elementen der 1. und/oder 2. Hauptgruppe des Periodensystems mit Salzen aus schwachen
anorganischen Basen und starken anorganischen Säuren eingesetzt.
Geeignete Halogenide von Elementen der 1. und 2. Hauptgruppe sind insbesondere die Chloride; bevorzugt
sind LiCl, BeCl3, HgCl3 und CaCl3.
Geeignete Salze schwacher Basen und starker Säuren sind Sulfate, Nitrate und vor allem Chloride von Metallen
Le A 22 953
— & —
■η-
der 3. und 4. Haupt- und Nebengruppe sowie von Nichtedelmetallen
der 6. - 8. Nebengruppe. Bevorzugt sind FeCl2, FeCl-, TiCl3, TiCl4, BC^3 unc^ insbesondere
AlCl3.
Geeignete Quell- und Lösungsmittel sind solche wie sie in üblichen Handbüchern über Polyamide beschrieben
sind (vgl. z.B. "Die Polyamide" von Hopff. Müller, Wegner, Springer-Verlag (1054), sowie "Polymer Handbook" von Brandrup et al, New York, Band IV (1975)
sowie "Kunststoffhandbuch" von Vieweg/Müller; Band IV
(1966). Beispielsweise seien genannt: niedrige aliphatische und araliphatische Alkohole, wie z.B.
Methanol, Ethanol, Isopropanol, n-Propanol, n-Butanol,
Benzylalkohol und Phenylethylalkohol. Besonders bevorzugt ist Methanol. Auch Dimethylsulfoxid und amidgruppenhaltige
Lösungsmittel wie Formamid und Dimethylformamid kommen in Betracht. Selbstverständlich
sind auch Mischungen dieser Lösungsmittel einsetzbar.
Ein besonders bevorzugtes Quellmittelsystem ist eine
Lösung von CaCl?/ALCl->-Gemisch in Methanol.
Gewünschtenfalls können auch übliche Polyamidweichmacher (0,2 - 10 Gew.-%, bzw. 0,5 - 5 Gew.-%) bezogen
auf die gesamte Flüssigkeitsmenge) zugesetzt werden. Beispielshaft seien Benzolsulfonsäuremonoethylamid,
p-Toluolsulfonsäureamid, Dioxidiphenylsulfon und Dibenzylalkohol
genannt.
Le A 22 953
Gemäß einer bevorzugten Verfahrensvariante können die Arbeitsgänge "Aktivieren" und "Anquellen" kombiniert
werden, indem man den Aktivator in dem Quellmittel löst und dieses System zur Anwendung bringt.
Nach der Lösungsmittelbehandlung werden die Platten von anhaftendem Lösungsmittel befreit.
Das geschieht im allgemeinen durch Verdampfen, gegebenenfalls unter reduziertem Druck. Höher siedende
Lösungsmittel werden zweckmäßigerweise durch Extraktion oder Spülen mit niedrigsiedenden Lösungsmitteln entfernt.
Werden Fluorpolymerisate als Substrate eingesetzt, geht
man vorzugsweise bei der Durchführung dieser Variante so vor, daß man diese Polymerisate durch Tauchen in
einer organischen, vorzugsweise wasserfreien, Lösung wie THF (Tetrahydrofuran), Benzol und Toluol, die zusätzlich
eine alkaliorganische Verbindung mit einem einsamen, zur Bildung von einem Carbanion oder Carbkation
befähigten Elektronenpaar enthält, behandelt.
In diesem Zusammenhang sei auf die Literaturstellen "N. D. Scott et. al.: Am. Soc. 5_8_, 2443 (1936);
N. D. Scott: ÜSP 2 181 771; M. Szware: Nature 178, 1168 1956; M. Szware: Am. Soc. 7JL/ 2656 (1056)" hingewiesen.
Wobei Naphthalinnatrium, Naphthalinlithium, Benzollithium, Benzolnatrium, Biphenyl-, Triphenyl-
und Butyl-lithium bzw. natrium besonders zu bevorzugen sind. Die Konzentration der alkaliorganischen
Verbindungen soll 0,01 bis 250, vorzugsweise 2,5 100, besonders bevorzugt 5 - 75 g pro Liter Lösemittel
betragen.
Le A 22 953
-it-
Die zur Herstellung von erfindungsgemäßen Basismaterialien ebenso einsetzbaren Duroplaste auf der Basis von
Phenol-, Epoxid- und Melaminharzen können selbstverständlich mit einem Haftvermittlerlack (s. beispielsweise
G. Hermann, Leiterplatten, Herstellung und Vorbereitung. S. 164-168, Eugen G. Lenze Verlag, Saulgau/
Württ. (1978)), der eine kautschukelastische Komponente enthält, beschichtet werden. Ebenso können sie nach
ihrer Aktivität zur Erhöhung der Abzugsfestigkeit der im letzten Schritt abgeschiedenen Metallschicht in
für die ABS-Polymerisate üblichen Löse- oder Quellmittel (s. beispielsweise "Polymer-Handbook" Brandrup et
al. New York, Band IV (1975) bzw. in oxidierend wirkenden Medien behandelt werden.
Die vorbehandelten und aktivierten Basisplatten massen
durch Reduktion sensibilisiert werden. Dazu können bevorzugt die in der Galvanotechnik üblichen Reduktionsmittel,
wie Hydrazinhydrat, Formaldehyd, Hypophosphit oder Borane verwendet werden. Natürlich sind auch andere
Reduktionsmittel möglich. Bevorzugt wird die Reduktion in wäßriger Lösung durchgeführt. Es sind aber, auch
andere Lösungsmittel wie Alkohole, Ether, Kohlenwasserstoffe einsetzbar. Selbstverständlich können auch Suspensionen
oder Aufschlämmungen der Reduktionsmittel
verwendet werden.
Die so sensibilisierten Oberflächen können direkt zur stromlosen Metallisierung einegesetzt werden. Es kann
aber auch erforderlich sein, die Oberfläche durch Spülen von den Reduktionsmittelreste zu reinigen.
Le A 22 953
- 45.
Eine ganz besonders bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens besteht darin, daß die Reduktion im Metallisierungsbad gleich mit dem Reduktionsmittel
der stromlosen Metallisierung durchgeführt wird. Diese Ausführung stellt eine bisher nicht mögliche
Vereinfachung der stromlosen Metallisierung dar.
Diese Ausführungsform ist ganz besonders für die bevorzugt
einzusetzenden aminboranhaltigen Nickelbäder oder formalinhaltige Kupferbäder geeignet.
Als in dem erfindungsgemäßen Verfahren einsetzbare Metallisierungsbäder kommen handelsübliche Bäder von
Nickelsalzen, Cobaltsalzen, Kupfersalzen, Gold- und
Silbersalzen oder deren Gemische in Betracht.
Für die galvanische Verstärkung kommen folgende Metalle in Frage:
Ni, Co, Cu, Ag, Al, Cr und An. Bevorzugt ist Cu.
Halbzeuge, d.h. die nach beliebigen Methoden mit einer stromlos-naßchemischen Dünnschichtmetallauflage versehenen
Polymerplatten, auf der Basis von Polyamiden und Fluorpolymerisaten sind bisher nicht in der Literatur
beschrieben worden und deshalb ebenfalls Gegenstand der Erfindung.
Die Halbzeugmaterialien zur Herstellung von Leiterplatten sollen folgende Eigenschaften aufweisen:
Le A 22 953
1. Sie sollen im aktivierten Zustand an der Luft gegenüber
Feuchtigkeit stabil sein.
2. Ihre Aktivatorauflage soll nicht während des Aufbringens
bzw. des Entwickeins von Fotoresistauflagen von der Oberfläche entfernbar oder gar
desaktivierbar sein.
3. Ihre Aktivatorauflage soll nicht während einer Quell- oder Oxidatieneinwirkung von der Oberfläche
entfernt bzw. desaktiviert werden.
4. Ebenso darf die Reliefauflage während des Quelloder
Abbauvorganges von der Materialoberfläche nicht abgeschwemmt werden.
5. Die Abzugsfestigkeit der Metallauflage nach DIN
53 494 soll mindestens 25, vorzugsweise 50 N/25 mm betragen.
6. Bei der Sensibilisierung bzw. Metallisierung dürfen keine Liganden freiwerden, die die Metallisierung-
oder Sensibilisierungsbäder vergiften.
Die Weiterverarbeitung dieser Halbzeuge zu Leiterplatten durch partielles Maskieren, gegebenenfalls galvanische
Verstärkung bis zu 50 μπι und Herauslösen der nicht benötigten
Metallbereiche mit geeigneten Ätzlösungen erfolgt nach üblichen Methoden.
Grundsätzlich bieten sich für die Weiterverarbeitung zwei Varianten an.
Le A 22 953
^ at.
Die erste ist dadurch gekennzeichnet, daß man die nicht-maskierten Bereiche auf dem Halbzeug mit der
Ätzlösung herauslöst. Auf diese Weise erhält man Leiterplatten mit einer verhältnismäßig dünnen Metallauflage,
nämlich maximal 10 pm.
Die bevorzugte Verfahrensweise besteht dem gegenüber
darin, daß man die nicht-raaskierten Bereiche galvanisch bis maximal 50 pm verstärkt und gegebenenfalls anschließend
mit einer Zinnauflage schützt, bevor die Maske und die darunterliegende Dünnschichtauflage mit
Hilfe einer Ätzlösung abgetragen werden.
Selbstverständlich können die nach dem besagten Verfahren abgeschiedenen Metallauflagen auch nach dem Differenzätzverfahren
rasterförmig entwickelt werden.
Le A 22 953
-Vb-
Eine 200 χ 200 χ 1 mm starke glasfaserverstärkte (30 %) und mit Normlöchern versehene Kunststoffplatte aus PoIy
amid-6 wird 5 Minuten in einer Lösung von 1 g 4-Cyclohexen-l^-dicarbonsäureanhydridpalladium(II)chlorid
in 1 1 CH2Cl2 bei Raumtemperatur (RT) aktiviert, getrocknet
und in einem Bad, welches
1400 ml Methanol
123 g CaCl2
2,0 g AlCl3
400 ml H2
enthält, 5 Minuten bei RT behandelt. Anschließend wird die Platte in einem Bad, bestehend aus
1200 ml Ethanol
25 ml NH -Löst
50 ml 2n-DMAB-(Dimethylaminboran)
25 ml NH -Löst
50 ml 2n-DMAB-(Dimethylaminboran)
25 ml NH -Lösung (25 %ig)
5 Min. bei RT sensibilisiert, mit destilliertem Wasser gespült und dann in einem handelsüblichen Verkupferungsbad
bei 300C bis zu einer Metallauflage von ca. 1 pm
verkupfert.
Die galvanische Verstärkung dieser Auflage bis zu einer Gesamtschichtdicke von 5 pm erfolgt in einem üblichen
GaIvanisierungsbad.
Le A 22 953
Die so hergestellte Dünnschichtplatte wird mit Hilfe des Siebdruckverfahrens auf der Basis eines Styrolbutadienco
polymerisats, welche freie kammförmige Bahnen von etwa
500 pm Breite aufweist, bedeckt und dann in einem Bad, welches aus
50 g H2O2
50 g FeCl3
1000 ml H2
50 g FeCl3
1000 ml H2
besteht, 10 Min. nachbehandelt.
Man erhält eine durchkontaktierte Leiterbahnplatte mit 500 pm breiten und 4,0 pm starken Leiterbahnen. Die Metal
lauf lage haftet an der Substratoberfläche so gut, daß
sie trotz einer 1-minütiger Nachbehandlung bei 2650C in
einem Trockenschrank nicht von der Polymeroberfläche zu entfenen ist.
Eine 200 χ 200 χ 1 mm große handelsübliche Kautschuk gepfropfte Polyamid-6-Platte wird mit 0,2 mm großen Löchern
versehen, in einem Bas aus 1 ltr. CH2Cl2 und 0,9 g
Mesityloxid-palladiumchlorid im Verlaufe von 4 Minuten bei 180C aktiviert, getrocknet in einem Bad aus
Le A 22 953
1500 ml EtOH
120 g CaCl2
20 ml p-Toluolsulfonamid
3 g AlCl3
bei 2O0C 5 Minuten behandelt, gemäß Beispiel 1 sensibilisiert
und dann in einem handelsüblichen Verkupferungsbad auf dem chemischen Wege verkupfert.
Nach etwa einigen Minuten färbt sich die Probenoberfläche
dunkel und anch ca. 30 Min. wird eine gut elektrisch leitende Cu-Auflage abgeschieden. Diese wird auf galvanischem
Wege auf ca. 7,5 pm verstärkt.
Die so hergestellte Dünnschichtleiterplatte wird mit eine UV-härtbaren Lack auf der Basis von oligomeren 1,4-Polyisopren
(ca. 5 gew.-%ig in Xylol) der Fa. Agfa Geavert AG, Leverkusen) besprüht und dann getrocknet.
Nach einer Woche wird die Halbzeugoberfläche mit einer Fotomaske bedekt und mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell
versetzt. Der nicht vernetzte Prepolymeranteil wird nach Entfernen der Maske vom Probekörper in Methanol
(reinst) entfernt. Anschließend wird die Dünnschichtplatte bei 250C in einem Bad aus
30 g CuCl2
80 ml Salzsäure 32 Gew.-% 50 ml Wasserstoffperoxid 35 Gew.-%
1000 ml H
bildmäßg entwickelt.
Le A 22 953
• SL4-
Man erhält eine durchkontaktierte Leiterplatte mit 40 μπι breiten und 7,5 μπι starken Leiterbahnen. Die Abzugsfestigkeit
der Metallauflage gemessen nach DIN 53 494 beträgt ca. 60 N/25 nm und besteht den
15 sekundigen Lötbadtest bei 2550C.
Eine 200 χ 200 χ 1 mm große handelsübliche Polytetrafluorethylen-Folie
wird mit Normlöchern versehen und in einer Lösung, welche aus
TO 1 Mol Natrium,
1 Mol Naphthalin,
1 ltr. Tetrahydrofuran
angesetzt wird, 5 Min. vorbehandelt.
Anschließend wird die Platte mit Methanol neutralgewaschen
und dann in einem Bad, welches aus
0,9 g n-3-Hepten-2-on-palladiumchlorid 1000 ml CCl2 = CHCl
besteht, bei 300C 6 Minuten behandelt und anschließend
getrocknet. Die so aktivierte Platte wird in einem Bad, welches aus
1000 ml Methanol 40 ml Hydrazin 12 ml NH_-Lösung (25 %ig)
Le A 22 953
• A?.
besteht bei RT 5 Min. sensibilisiert, gewaschen und dann in einem handelsüblichen Vernickelungsbad vernickelt.
Nach etwa zwei Minuten färbt sich der Versuchskörper silbergrau und nach ca. 20 Min. wird eine elektrisch
gut leitende Ni-Auflage abgeschieden, die mit galvanischem
Silber auf 3,5 pm verstärkt wird.
Die so hergestellte Dünnschichtplatte wird mit einem UV-härtbaren Resistlack beschichtet, getrocknet und anschließend
mit einer Photomaske bedeckt bzw. mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte
Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske vom Basismaterial in einer handelsüblichen Entwicklerlösung
entfernt. Anschließend wird die Platte in der in Beispiel 1 angegebenden Metallätzlösung nachbehandelt.
Man bekommt eine durchkontaktierte Leiterplatte. Die Metallauflage
haftet an der Polymeroberfläche so gut, daß sie die Temperatur nach DIN 53 43 6 besteht. Diese Platte
läßt sich in einem handelsüblichen Zinn-Lötbad problemlos bei erhöhter Temperatur (250-2600C) in Verlaufe von
einigen Minuten löten.
Eine 200 χ 300 mm große aromatische Polyimidfolie
ίτ>)
(Kapton ) wird gemäß Beispiel 1 bis Löchern versehen in einer Lösung, welche aus 1,0 g 4-Cyclohexen-l,2-dicarbonsöureimid-palladiumchlorid
und 1 ltr. CH2Cl3
Le A 22 953
besteht aktiviert, gemäß Beispiel 1 sensibilisiert metallisiert und dann die Metallauflage gemäß Beispiel 2 entwickelt.
Man erhält eine Leiterplatte, deren Metallauflage an der
Substratoberfläche so gut haftet, daß sie trotz einer
1 Minütigen Nachbehandlung in einem handelsüblichen Lösbad bei 25O0C nicht von der Polymeroberfläche zu entfernen
ist.
Eine 100 χ 100 χ 1 ram große 40 % mineralfüllstoffverstärkte
Polymerplatte aus Polyamid-6 wird in einem Bad aus 0,8 g 4-Cyclohexen-l,2-dicarbonsäure-imid-palladium-(II)-Chlorid,
1500 ml Methanol, 120 g CaCl2 und 3 g AlCl bei 3 00C 5 Minuten haftaktiviert. Anschließend
wird die Platte in einem Bad, bestehend aus 1200 ml Ethanol, 24 ml NH -Lösung (25 %ig) und 5 00 ml 2n-DMAB
(Dimethylaminboran)-Lösung 5 Min. sensibilisiert, gewaschen, in einem handelsüblichen naßchemischen Verkupferungsbad
mit einer ca. 5 pm starken Cu-Auflage verkupfert und dann mit einem UV-härtbaren Resistfilm
der Fa. BASF AG beschichtet. Nun wird diese Halbzeugoberfläche mit einer Photomaske, welche freie, durchgehende
Bähen von ca. 200 pm aufweist, bedeckt und mit
Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske
vom Basismaterial in einer handelsüblichen Entwicklerlösung entfernt. Danach wird die freie Metalloberfläche
Le A 22 953
- gtu-
auf galvanischem Wege mit einer 35 μΐη starken Cu-Auf lage
und anschließend mit einer 2 pm starker Zinn-Auflage versehen.
Nun wird der Polymer-Metal1-Verbundwerkstoff in
Methylenchlorid von der polymeren Resistauflage befreit und 35 Minuten, in einer Cu-Ätzlösung bestehend aus
100 ml HCl (37 %ig), 30 ml H3O2 (40 %ig) und 1000 ml H3O
nachbehandelt.
Man erhält eine elektrische Leiterplatte mit 200 pm breiten und ca. 42 pm starken durchgehenden Leiterbahnen
bestehend aus ca. 5 pm chemischen und ca. 35 pm galvanischem Kupfer bzw. aus ca. 1 pm galvanischen Zinn. Die
Metallauflage haftet an der Substratoberfläche so gut,
daß sie trotz einer zweistündigen Nachbehandlung bei 1600C
nicht von der Polymeroberfläche zu entfernen ist.
4-Cyclohexen-l,2-dicarbonsäureimid-palladium-(II)-chlorid
10 g 4-Cyclohexen-l,2-dicarbonsäureimid werden in der
fünffachen Menge Dimethylformamid gelöst, im Verlaufe von 3 Stunden mit der äquimolaren Menge Acetonitrilpalladiumdichlorid
bei 45°C versetzt. DMF und Acetonitril werden bei 45°C/25 mbar abestilliert. Man erhält mit
95 %iger Ausbeute einen gelb-bräunlichen Feststoff vom Schmelzpunkt 1020C.
Le A 22 953
Eine mit Löchern versehene Polyamidplatte wird gemäß Beispiel 5 aktiviert und mit einem UV-härtbaren Resistfilm
O^ Nylotron LN der Firma BASF AG) beschichtet. Nun wird
die Substratoberfläche mit einer Maske bedeckt, mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte
Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske von der Plattenoberfläche durch Behandeln mit 1,1,1-Trichlorethan
entfernt. Danach wird der Probekörper nach Beispiel 1 in einer methanolischen Lösung gequollen, sensibilisiert,
mit destilliertem Wasser gespült und dann in einem handelsüblichen Verkupferungsbad bei 600C bis zu
einer Metallauflage von ca. 17,5 pm partiell verkupfert.
Man erhält eine fertige Leiterplatte, deren Cu-Auflage
so gut an der Plattenoberfläche haftet, daß sie trotz einer eintägigen Nachtemperung bei 1400C nicht von der
Plattenoberfläche zu entfernen ist.
Le A 22 953
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten durch naßchemische Metallisierung von Basisplatten mit
Hilfe von metallorganischen Aktivatoren, dadurch gekennzeichnet, daß man
a) die Basisplatten, mit einem Aktivatorsystem, enthaltend Komplexverbindungen der Elemente
der I. oder VIII. Nebengruppe des Periodensystems, die mindestens eine haftvermittelnde
funktionelle Gruppe aufweisen, behandelt,
b) auf den so aktivierten Platten naßchemischstromlos oder kombiniert naßchemisch-stromlos/galvanisch
eine elektrisch leitfähige Metallauflage mit einer Schichtdicke von
0,05-10 μΐη aufbringt und
c) die auf diese Weise metallisierten Basisplatten, die sog. Halbzeuge in üblicher Weise
zu Leiterplatten weiterverarbeitet.
2. Verfanren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die die gegebenenfalls Normlöcher aufweisenden
Basisplatten mit einem Quellmittel behandelt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivatorsystem außerdem ein Quellmittel
für die Basisplatten enthält.
Le A 22 953
-TA-
■2.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die aktivierten Basisplatten zunächst naßchemisch-stromlos
und danach galvanisch mit einer elektrisch leitenden Metallschicht von maximal
10 um Dicke versieht.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die aktivierte Basisplatte zunächst naßchemisch stromlos vernickelt oder verkupfert und danach auf
diese Metallauflagen galvanisch mit Kupfer verstärkt.
6· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Halbzeuge maskiert und die nicht maskierten Bereiche chemogalvanisch bis zum Erreichen einer
Gesamtmetallschichtdicke von 50 \xm verstärkt.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Aktivatoren Palladiumkomplexe von
konjugierten Dienen oder , ß-ungesättigten Ketonen verwendet.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Halbzeuge auf der Basis von Plattenmaterial
aus Polyamiden oder Fluorpolymerisaten herstellt.
9. Verwendung von naßchemisch metallisierten Basisplatten mit einer Metallauflage von 0,05-10 μΐη und
einer Abzugsfestigkeit nach DIN 53 4 94 von mindestens 25 N/25 mm.
Le A 22 953
10. Polyamid- und Fluorpolymerisat-Platten mit einer naßchemisch erzeugten Metallauflage von 0,05 10
μπι und einer Abzugsfestigkeit nach DIN 53 494 von mindestens 25 N/25 mm.
Le A 22 953
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843423457 DE3423457A1 (de) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
EP85107381A EP0166327B1 (de) | 1984-06-26 | 1985-06-14 | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
AT85107381T ATE39367T1 (de) | 1984-06-26 | 1985-06-14 | Verfahren zur herstellung von leiterplatten. |
DE8585107381T DE3566905D1 (en) | 1984-06-26 | 1985-06-14 | Process for manufacturing printed circuit boards |
FI852488A FI852488L (fi) | 1984-06-26 | 1985-06-24 | Foerfarande foer framstaellning av ledarplattor. |
ES544533A ES8700538A1 (es) | 1984-06-26 | 1985-06-25 | Procedimiento para la obtencion de circuitos impresos |
JP60138051A JPS6118195A (ja) | 1984-06-26 | 1985-06-26 | プリント回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843423457 DE3423457A1 (de) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3423457A1 true DE3423457A1 (de) | 1986-01-02 |
Family
ID=6239138
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843423457 Withdrawn DE3423457A1 (de) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
DE8585107381T Expired DE3566905D1 (en) | 1984-06-26 | 1985-06-14 | Process for manufacturing printed circuit boards |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8585107381T Expired DE3566905D1 (en) | 1984-06-26 | 1985-06-14 | Process for manufacturing printed circuit boards |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0166327B1 (de) |
JP (1) | JPS6118195A (de) |
AT (1) | ATE39367T1 (de) |
DE (2) | DE3423457A1 (de) |
ES (1) | ES8700538A1 (de) |
FI (1) | FI852488L (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4576685A (en) * | 1985-04-23 | 1986-03-18 | Schering Ag | Process and apparatus for plating onto articles |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA956294A (en) * | 1973-03-14 | 1974-10-15 | Stanley J. Whittaker | Rotary valve |
JPS5694690A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Asahi Chemical Ind | Method of manufacturing thick film fine pattern |
DE3148280A1 (de) * | 1981-12-05 | 1983-06-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
DE3324767A1 (de) * | 1983-07-08 | 1985-01-17 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substraten fuer die stromlose metallisierung |
-
1984
- 1984-06-26 DE DE19843423457 patent/DE3423457A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-06-14 DE DE8585107381T patent/DE3566905D1/de not_active Expired
- 1985-06-14 EP EP85107381A patent/EP0166327B1/de not_active Expired
- 1985-06-14 AT AT85107381T patent/ATE39367T1/de not_active IP Right Cessation
- 1985-06-24 FI FI852488A patent/FI852488L/fi not_active Application Discontinuation
- 1985-06-25 ES ES544533A patent/ES8700538A1/es not_active Expired
- 1985-06-26 JP JP60138051A patent/JPS6118195A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI852488L (fi) | 1985-12-27 |
JPS6118195A (ja) | 1986-01-27 |
DE3566905D1 (en) | 1989-01-26 |
EP0166327B1 (de) | 1988-12-21 |
ES544533A0 (es) | 1986-10-16 |
EP0166327A3 (en) | 1986-10-08 |
ATE39367T1 (de) | 1989-01-15 |
ES8700538A1 (es) | 1986-10-16 |
FI852488A0 (fi) | 1985-06-24 |
EP0166327A2 (de) | 1986-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0081129B1 (de) | Verfahren zur Aktivierung von Substratoberflächen für die stromlose Metallisierung | |
EP0153683B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten | |
EP0489759B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer durchkontaktierten leiterplatte | |
EP0259754A2 (de) | Flexible Schaltungen | |
DE2265194A1 (de) | Verfahren zur vorbehandlung fuer das metallisieren von kunststoffen | |
EP0082438A1 (de) | Verfahren zur Aktivierung von Substratoberflächen für die stromlose Metallisierung | |
DE3417563C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallmustern auf isolierenden Trägern, insbesondere gedruckte Schaltungen | |
DE2854385A1 (de) | Gedruckte schaltung und verfahren zu deren herstellung | |
DE2541868A1 (de) | Verfahren zur abscheidung von metall auf der oberflaeche eines nichtleitenden substrats | |
WO1999013696A1 (de) | Verfahren zum metallisieren eines elektrisch nichtleitende oberflächenbereiche aufweisenden substrats | |
DE69838420T2 (de) | Verfahren zur modifizierung von oberflächen | |
DD283580A5 (de) | Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten ein- oder mehrlagigen leiterplatten und durchkontaktieren ein-oder mehrlagige leiterplatte | |
DE2104216B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallschichten oder Metallbildern | |
EP0132677A1 (de) | Verfahren zum Aktivieren von Substratoberflächen für die direkte partielle Metallisierung von Trägermaterialien | |
EP0324189A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Leiterplatten | |
EP0195332B1 (de) | Elektrische Leiterplatten | |
EP0166327B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten | |
EP0326918B1 (de) | Verfahren zum Metallisieren von Formkörpern aus Polyarylensulfid | |
DE2924745A1 (de) | Additives verfahren zur herstellung von metallmustern auf kunststoffsubstraten | |
EP0110172B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Verbundwerkstoffen | |
DE1665276A1 (de) | Verfahren zur Herstellung flaechenhafter Verdrahtungen mit metallisierten Loechern | |
EP0197323A2 (de) | Elektrische Leiterplatten | |
DE3146164C2 (de) | ||
WO1997039163A1 (de) | Verfahren zur herstellung von induktiv arbeitenden zählsystemen | |
WO1998020712A1 (de) | Verfahren zum strukturieren von kunststoffoberflächen, insbesondere zur herstellung von datenträgern zur speicherung von daten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8130 | Withdrawal |