DE3346043C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.

Fotoleiter, aus denen elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien für Festkörper-Bildaufnahmevorrichtungen bzw. -Bildabtastvorrichtungen oder für die Bilderzeugung oder fotoleitfähige Schichten für Manuskript-Lesevorrichtungen gebildet werden, müssen eine hohe Empfindlichkeit, ein hohes S/N-Verhältnis [Fotostrom (I _p )/Dunkelstrom (I _d )], Spektraleigenschaften, die an die elektromagnetischen Wellen, mit denen bestrahlt werden soll, angepaßt sind, ein schnelles Ansprechen auf die elektromagnetischen Wellen bzw. eine gute optisch-elektrische Empfindlichkeit und einen gewünschten Wert des Dunkelwiderstands haben und dürfen während der Anwendung nicht gesundheitsschädlich sein. Ferner ist es bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung auch notwendig, daß das Restbild innerhalb einer vorausberechneten Zeit leicht behandelt bzw. beseitigt werden kann. Im Fall eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials, das in eine für die Anwendung in einem Büro als Büromaschine vorgesehene elektrofotografische Vorrichtung eingebaut werden soll, ist es besonders wichtig, daß das Aufzeichnungsmaterial nicht gesundheitsschädlich ist.

Von dem vorstehend erwähnten Gesichtspunkt aus hat amorphes Silicium (nachstehend als a-Si bezeichnet) in neuerer Zeit als Fotoleiter Beachtung gefunden. Beispielsweise sind aus der DE-A 27 46 967 und der DE-A 28 55 718 Anwendungen von a-Si für den Einsatz in elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien bekannt, und aus der DE-A 29 33 411 ist eine Anwendung von a-Si für den Einsatz in einer Lesevorrichtung für einen fotoelektrischen Wandler bekannt.

Bei den bekannten fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterialien mit aus a-Si gebildeten fotoleitfähigen Schichten sind jedoch hinsichtlich der Ausgewogenheit der Gesamteigenschaften, wozu elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaften wie z. B. der Dunkelwiderstandswert, die Lichtempfindlichkeit und das Ansprechen auf elektromagnetische Wellen sowie Eigenschaften bezüglich des Einflusses von Umgebungsbedingungen während der Anwendung wie die Feuchtigkeitsbeständigkeit und ferner die Beständigkeit mit dem Ablauf der Zeit gehören, weitere Verbesserungen erforderlich.

Beispielsweise wird im Fall der Anwendung von a-Si in einem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial oft beobachtet, daß während seiner Anwendung ein Restpotential verbleibt, wenn gleichzeitig Verbesserungen hinsichtlich der Erzielung einer höheren Lichtempfindlichkeit und eines höheren Dunkelwiderstandes angestrebt werden. Wenn ein solches elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial über eine lange Zeit wiederholt verwendet wird, werden verschiedene Schwierigkeiten, beispielsweise eine Anhäufung von Ermüdungserscheinungen durch wiederholte Anwendungen oder die sogenannte Geisterbild-Erscheinung, wobei Restbilder erzeugt werden, hervorgerufen.

Ferner wurde bei einer Vielzahl von Versuchen, die von den Erfindern durchgeführt wurden, zwar festgestellt, daß a-Si als Fotoleitfähige Substanz, die die fotoleitfähige Schicht eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials bildet, im Vergleich zu bekannten anorganischen Fotoleitern wie z. B. Se, CdS oder ZnO oder zu bekannten organischen Fotoleitern wie z. B. Polyvinylcarbazol oder Trinitrofluorenon eine Anzahl von Vorteilen aufweist, jedoch wurde auch festgestellt, daß bei a-Si noch Probleme gelöst werden müssen. Wenn die aus einer a-Si-Monoschicht gebildete fotoleitfähige Schicht eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials, der Eigenschaften gegeben worden sind, die sie für die Anwendung in einer bekannten Solarzelle geeignet machen, einer Ladungsbehandlung zur Erzeugung von elektrostatischen Ladungsbildern unterzogen wird, ist nämlich die Dunkelabschwächung bzw. der Dunkelabfall auffällig schnell, weshalb es schwierig ist, ein übliches elektrofotografisches Verfahren anzuwenden. Diese Neigung ist unter einer feuchten Atmosphäre noch stärker ausgeprägt, und zwar in manchen Fällen in einem solchen Ausmaß, daß vor der Entwicklungszeit überhaupt keine Ladung beibehalten werden kann.

Ferner können a-Si-Substanzen als am Aufbau beteiligte Atome Wasserstoffatome oder Halogenatome wie z. B. Fluoratome oder Chloratome zur Verbesserung ihrer elektrischen und Fotoleitfähigkeitseigenschaften, Atome wie Boratome oder Phosphoratome zur Steuerung des Typs der elektrischen Leitung und andere Atome zur Verbeserung anderer Eigenschaften enthalten. In Abhängigkeit von der Art und Weise, in der diese am Aufbau beteiligten Atome enthalten sind, können manchmal Probleme bezüglich der elektrischen oder Fotoleitfähigkeitseigenschaften der gebildeten fotoleitfähigen a-Si-Schicht verursacht werden.

Besonders in dem Schichtbereich in der Nähe der Oberfläche oder an der Grenzfläche zwischen aneinander angrenzenden Schichten werden die Probleme des Verhaltens der Ladungen, das in Abhängigkeit von der Art, den Gehalten und den Verteilungsprofilen der enthaltenen Atome verschiedenartig verändert wird, oder der Stabilität der Struktur sehr wichtig, und es ist nicht selten eine Schlüsselfrage für die Erzielung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials, das seine Funktion in der gewünschten Weise erfüllt, ob die Steuerung der Eigenschaften dieses Schichtbereichs erfolgreich ist oder nicht.

Besonders bei der Herstellung eines a-Si enthaltenden fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials durch ein allgemein bekanntes Verfahren treten in vielen Fällen Schwierigkeiten auf, beispielsweise hinsichtlich der Reproduzierbarkeit der Bilder oder der Haltbarkeit des Aufzeichnungsmaterials. Obwohl der Mechanismus, durch den diese Schwierigkeiten hervorgerufen werden, bisher noch nicht geklärt ist, kann es sich bei der Unzulänglichkeit bezüglich der Reproduziereigenschaften vermutlich um das Problem der Fähigkeit zum Transport von Ladungen in der Nähe der Oberfläche oder an der Schichtgrenzfläche handeln, während es sich bei der Unzulänglichkeit bezüglich der Haltbarkeit um ein Problem handeln kann, das durch eine Änderung der Struktur in der Nähe der Oberfläche oder an der Schichtgrenzfläche hervorgerufen wird. Infolgedessen kann es nicht selten besser sein, wenn die fotoleitfähige Schicht in der Nähe der Grenzfläche auf der Grundlage einer etwas anderen Überlegung gestaltet wird als im Hauptteil der fotoleitfähigen Schicht.

Aus der DE-OS 32 11 081 ist ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial bekannt, das auf einem Träger eine fotoleitfähige Schicht enthält, die aus einer amorphen Substanz besteht, die Siliciumatome als Matrix und Wasserstoffatome als an ihrem Aufbau beteiligte Atome enthält.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 mit ausgezeichneten elektrofotografischen Eigenschaften bereitzustellen, dessen elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaften bei unterschiedlichen Umgebungsbedingungen in konstanter Weise stabil sind, das eine ausgeprägte Beständigkeit gegenüber der Licht-Ermüdung und kein oder im wesentlichen kein beobachtbares Restpotential zeigt, mit dem leicht Bilder hoher Qualität, die eine hohe Bilddichte, einen klaren Halbton und eine hohe Auflösung zeigen, erzeugt werden können und das eine hohe Lichtempfindlichkeit, ein hohes S/N-Verhältnis und einen guten elektrischen Kontakt zwischen seinen laminierten Schichten zeigt.

Diese Aufgabe wird durch ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial mit den im kennzeichnenden Teil von Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.

Das erfindungsgemäße fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial ist gegenüber elektromagnetischen Wellen, d. h., im weitesten Sinne gegenüber UV-Strahlen, sichtbarem Licht, IR-Strahlen, Röntgenstrahlen und γ-Strahlen, empfindlich.

Die bevorzugten Auführungsformen des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnungen näher erläutert.

Die Fig. 1, 2 und 4 zeigen jeweils eine schematische Schnittansicht, die zur Erläuterung einer Ausführungsform des Aufbaus des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials dient.

Fig. 3 ist eine schematische Abbildung des Tiefenprofils der Wasserstoffatome in der fotoleitfähigen Schicht des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials.

Fig. 5 ist eine Zeichnung, die eine Vorrichtung für die Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials durch das Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren zeigt.

Die Fig. 6 bis 10 sind graphische Darstellungen der Analysenergebnisse des Tiefenprofils der Wasserstoffatome in fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterialien gemäß Beispielen der Erfindung.

Fig. 11 ist eine graphische Darstellung des Analysenergebnisses des Tiefenprofils der Wasserstoffatome in der oberen Schicht eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials gemäß einem Beispiel der Erfindung.

Fig. 12 ist eine graphische Darstellung des Analysenergebnisses des Tiefenprofils der Wasserstoffatome in einem fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial gemäß einem Vergleichsbeispiel.

Fig. 13 ist eine graphische Darstellung des Ergebnisses eines Wiederholungsversuchs, der nach Beendigung aller Versuche mit derselben Probe wie in Fig. 12 durchgeführt wurde.

Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittansicht, die zur Erläuterung des Schichtaufbaus einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials dient.

Das fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial 100 ist aus einer fotoleitfähigen Schicht 103 aufgebaut, die aus einer amorphen Substanz besteht, die Siliciumatome als Matrix und mindestens Wasserstoffatome und ggf. Halogenatome als an ihrem Aufbau beteiligte Atome enthält [nachstehend als a-Si(H,X) bezeichnet] und auf einem Träger 101 gebildet ist, wie es in Fig. 1 gezeigt wird, oder über eine dazwischen befindliche untere Schicht 102 auf einem solchen Träger gebildet ist, wie es in Fig. 2 gezeigt wird. Die in der fotoleitfähigen Schicht enthaltenen Wasserstoffatome sind mit einem Tiefenprofil verteilt, das in der zu der Trägeroberfläche parallelen Richtung gleichmäßig ist, jedoch nimmt der Wasserstoffatomgehalt in der Richtung der Schichtdicke der fotoleitfähigen Schicht auf beide Oberflächen dieser Schicht hin ab, wie es in Fig. 3 gezeigt wird.

Die Wasserstoffatome, die in der fotoleitfähigen Schicht 103 enthalten sind, müssen, wie vorstehend beschrieben wurde, im Inneren der fotoleitfähigen Schicht einen größeren Gehalt haben als an den beiden Oberflächen, und die Gehalte an den beiden Oberflächen können in Abhängigkeit von der Substanz, die mit der fotoleitfähigen Schicht in Berührung gebracht wird, einander gleich oder verschieden sein. Andererseits kann der Bereich im Innern der fotoleitfähigen Schicht, der den Höchstwert des Wasserstoffatomgehalts aufweist, eine bestimmte Dicke in der Richtung der Schichtdicke haben oder nur eine einzelne Stelle in der Richtung der Schichtdicke bilden. Ferner macht es keinen wesentlichen Unterschied, ob der Wasserstoffatomgehalt kontinuierlich oder stufenweise geändert wird, um den Wasserstoffatomgehalt in Richtung auf die Oberflächen zu vermindern, und es ist eine Frage der geeigneten Wahl, die von der Ausgewogenheit zwischen der für das Aufzeichnungsmaterial erforderlichen Funktion und den Einrichtungen für die Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials abhängt, welche Art des Tiefenprofils vorgesehen werden sollte.

Als Ursache dafür, daß das erfindungsgemäße fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial, das eine fotoleitfähige Schicht aufweist, die so gebildet ist, daß der Wasserstoffatomgehalt auf diese Weise in Richtung auf ihre beiden Oberflächen abnimmt, bezüglich der Reproduzierbarkeit der Bilder hervorragend ist und eine ausgezeichnete Haltbarkeit zeigt, wenn es als fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial für elektrofotografische Zwecke verwendet wird, kann die Struktur der fotoleitfähigen Schicht vermutet werden, in der der Gehalt der Wasserstoffatome, die leicht bei relativ niedrigeren Temperaturen von Siliciumatomen abgespalten werden, in der Nähe der Oberfläche oder an der Grenzfläche zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der unteren Schicht oder dem Träger, d. h., an den Stellen in der fotoleitfähigen Schicht, die während der Fertigung und der Anwendung am meisten für Strukturänderungen anfällig sind, vermindert ist.

Der Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht 103 kann in dem Bereich mit dem Höchstwert, nämlich im mittleren Teil der fotoleitfähigen Schicht, vorzugsweise 0,1 bis 40 Atom-% und insbesondere 1 bis 30 Atom-% betragen, während er in dem Bereich mit dem Mindestwert, nämlich an den Oberflächen der fotoleitfähigen Schicht, vorzugsweise 0,05 bis 30 Atom-% und insbesondere 0,3 bis 20 Atom-% betragen kann. Die Differenz zwischen dem Bereich mit dem Höchstwert und dem Bereich mit dem Mindestwert kann vorzugsweise 0,01 bis 35 Atom-% und insbesondere 0,1 bis 25 Atom-% betragen.

Als von Siliciumatomen, Wasserstoffatomen und ggf. Halogenatomen, die in der fotoleitfähigen Schicht 103 enthalten sind, verschiedene Bestandteile können Atome der Gruppe III des Periodensystems wie z. B. Bor oder Gallium, Atome der Gruppe V wie z. B. Stickstoff, Phosphor oder Arsen als Bestandteile für die Steuerung der Breite des verbotenen Bandes oder Fermi-Niveaus und ferner Sauerstoffatome, Kohlenstoffatome, Germaniumatome und andere entweder einzeln oder in einer geeigneten Kombination davon enthalten sein.

Die untere Schicht 102 ist vorgesehen, um die Haftung zwischen der fotoleitfähigen Schicht und dem Träger zu verbessern oder um die Fähigkeit zum Behindern von Ladungen zu steuern, und sie kann als Monoschicht oder als Mehrfachschichht einer a-Si(H,X)-Schicht oder mikrokristallinen Si(H,X)-Schicht, die in Abhängigkeit von dem Zweck Atome der Gruppe III, Atome der Gruppe V, Sauerstoffatome, Kohlenstoffatome, Germaniumatome usw. enthält, gebildet werden. Wenn die untere Schicht 102 aus einer a-Si(H,X)-Schicht besteht, ist es auch ähnlich wie im Fall der vorstehend erwähnten fotoleitfähigen Schicht erwünscht, daß der Wasserstoffatomgehalt innerhalb der unteren Schicht in Richtung auf die Schichtgrenzfläche zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der unteren Schicht vermindert wird.

Ferner kann auf der fotoleitfähigen Schicht 103 eine obere Schicht, wie sie in Fig. 4 gezeigt wird, als zur Verhinderung einer Ladungsinjektion dienende Schicht oder als Schutzschicht vorgesehen werden, wobei die obere Schicht aus einem eine große Menge von Kohlenstoffatomen, Stickstoffatomen, Sauerstoffatomen usw. enthaltenden amorphen Silicium besteht oder eine organische Substanz mit hohem Widerstand enthält. Auch im Fall der oberen Schicht wird diese Schicht geeigneterweise so gebildet, daß der Wasserstoffatomgehalt innerhalb dieser Schicht in Richtung auf die Grenzfläche zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der oberen Schicht und in Richtung auf die Oberfläche der oberen Schicht abnimmt.

Der im Rahmen der Erfindung einzusetzende Träger kann entweder elektrizitätsleitend oder, isolierend sein. Als elektrizitätsleitende Substanz können Metalle wie z. B. NiCr, rostfreier Stahl, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt und Pd oder deren Legierungen erwähnt werden.

Als isolierende Träger können üblicherweise Folien oder Platten aus Kunstharzen, wozu beispielsweise Polyester, Polyethylen, Polycarbonat, Celluloseacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol und Polyamid gehören, Gläser, keramische Stoffe, Papiere und andere Substanzen eingesetzt werden. Diese isolierenden Träger sollten vorzugsweise mindestens eine Oberfläche haben, die einer Behandlung unterzogen worden ist, durch die sie elektrizitätsleitend gemacht wurde, und andere Schichten werden geeigneterweise auf der Seite des Träges vorgesehen, die durch eine solche Behandlung elektrizitätsleitend gemacht worden ist.

Ein Glas kann beispielsweise elektrizitätsleitend gemacht werden, indem auf dem Glas eine Dünnschicht aus NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, In₂O₃, SnO₂ oder ITO (In₂O₃+SnO₂) gebildet wird. Alternativ kann die Oberfläche einer Kunstharzfolie wie z. B. einer Polyesterfolie durch Vakuumbedampfung, Elekronenstrahl-Abscheidung oder Zerstäubung eines Metalls wie z. B. NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti oder Pt oder durch Lamminieren eines solchen Metalls auf die Oberfläche elektrizitätsleitend gemacht werden. Der Träger kann in irgendeiner Form ausgebildet werden, die in gewünschter Weise festgelegt werden kann. Wenn das in Fig. 1 gezeigte fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial 100 beispielsweise als Aufzeichnungsmaterial für elektrofotografische Zwecke eingesetzt werden soll, kann es für die Verwendung in einem kontinuierlichen, mit hoher Geschwindigkeit durchgeführten Kopierverfahren geeigneterweise in Form eines endlosen Bandes oder eines Zylinders gestaltet werden. Der Träger kann eine Dicke haben, die in geeigneter Weise so festgelegt wird, daß ein gewünschtes fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial gebildet werden kann. Wenn das fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial flexibel sein muß, wird der Träger mit der Einschränkung, daß er die Funktion eines Träges ausüben können muß, so dünn wie möglich hergestellt. In einem solchen Fall hat der Träger jedoch unter Berücksichtigung seiner Herstellung und Handhabung sowie seiner mechanischen Festigkeit vorzugsweise eine Dicke von 10 µm oder eine größere Dicke.

Im Rahmen der Erfindung kann eine aus a-Si(H,X) bestehende fotoleitfähige Schicht durch ein Vakuumbedampfungsverfahren unter Anwendung der Entladungserscheinung, z. B. durch das Glimmentladungsverfahren, das Zerstäubungsverfahren oder das Ionenplattierverfahren, gebildet werden. Das grundlegende Verfahren für die Bildung der aus a-Si(H,X) bestehenden fotoleitfähigen Schicht durch das Glimmentladungsverfahren besteht beispielsweise darin, daß ein gasförmiges Ausgangsmaterial für die Zuführung von Si, das dazu geeignet ist, Siliciumatome (Si) zuzuführen, zusammen mit einem gasförmigen Ausgangsmaterial für die Einführung von Wasserstoffatomen (H) und, falls erwünscht, Halogenatomen (X) in eine Abscheidungskammer, die im Inneren auf einen verminderten Druck gebracht werden kann, eingeleitet und in der Abscheidungskammer eine Glimmentladung angeregt wird, wodurch auf der Oberfläche eines Trägers, der in eine vorher festgelegte Lage gebracht wurde, eine aus a-Si (H,X) bestehende Schicht gebildet wird. Alternativ kann für die Bildung durch das Zerstäubungsverfahren ein Gas für die Einführung von Wasserstoffatomen (H) und, falls dies gewünscht wird, Halogenatome (X) in die Abscheidungskammer für die Zerstäubung eingeleitet werden, wenn ein aus Si gebildetes Target in einer Atmosphäre eines Inertgases wie z. B. Ar oder He oder einer Gasmischung auf Basis dieser Gase zerstäubt wird.

Als wirksames gasförmiges Ausgangsmaterial für die Zuführung von Si, das im Rahmen der Erfindung einzusetzen ist, können gasförmige oder vergasbare Siliciumhydride (Silane) wie z. B. SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀ und andere erwähnt werden. SiH₄ und Si₂H₆ werden im Hinblick auf ihre einfache Handhabung während der Schichtbildung und auf den Wirkungsgrad bezüglich der Zuführung von Si besonders bevorzugt.

Im Rahmen der Erfindung können in die fotoleitfähige Schicht Wasserstoffatome eingeführt werden, indem in eine Abscheidungskammer ein Gas, das hauptsächlich aus H₂ oder Siliciumhydrid wie z. B. SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ oder Si₄H₁₀ besteht, eingeleitet und darin eine Entladung angeregt wird.

Als wirksame gasförmige Ausgangsmaterialien für die Einführung von Halogenatomen, die im Rahmen der Erfindung einzusetzen sind, können eine Vielzahl von Halogenverbindungen, beispielsweise gasförmige Halogene, Halogenide, Interhalogenverbindungen oder gasförmige oder vergasbare Halogenverbindungen wie z. B. mit Halogenen substituierte Silanderivate erwähnt werden. Ferner können auch gasförmige oder vergasbare, Halogenatome enthaltende Siliciumverbindungen, die als am Aufbau beteiligte Atome Siliciumatome und Halogenatome enthalten, als im Rahmen der Erfindung wirksame Ausgangsmaterialien für die Einführung von Halogenatomen erwähnt werden.

Als typische Beispiele von Halogenverbindungen, die im Rahmen der Erfindung vorzugsweise eingesetzt werden, können gasförmige Halogene wie z. B. Fluor, Chlor, Brom oder Jod und Interhalogenverbindungen wie z. B. BrF, ClF, ClF₃, BrF₅, BrF₃, JF₃, JF₇, JCl und JBr erwähnt werden.

Als Halogenatome enthaltende Siliciumverbindungen, d. h., als mit Halogen substiuierte Silanderivate, können vorzugsweise Siliciumhalogenide wie z. B. SiF₄, Si₂F₆, SiCl₄ oder SiBr₄ eingesetzt werden.

Wenn die Wasserstoffatome enthaltende fotoleitfähige Schicht durch das Glimmentladungsverfahren gebildet werden soll, besteht die grundlegende Verfahrensweise darin, daß ein gasförmiges Siliciumhydrid als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Zuführung von Si und ein Gas wie z. B. Ar, H₂ oder He in einem vorausberechneten Mischungsverhältnis und mit vorausberechneten Gasdurchflußgeschwindigkeiten in eine Abscheidungskammer für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht eingeleitet werden und in der Abscheidungskammer eine Glimmentladung angeregt wird, was zu einer Plasmaatmosphäre dieser Gase führt, wodurch die fotoleitfähige Schicht auf einem gewünschten Träger gebildet werden kann. Zur Einführung von Halogenatomen kann für die Schichtbildung ferner eine gasförmige, Halogenatome enthaltende Siliciumverbindung in einer vorausberechneten Menge mit diesen Gasen vermischt werden. Die jeweiligen Gase können nicht nur als einzelne Gasart, sondern auch in Form einer Mischung von mehr als einer Gasart eingesetzt werden.

Für die Bildung der a-Si(H,X) enthaltenden fotoleitfähigen Schicht durch das Zerstäubungs- oder das Ionenplattierverfahren kann beispielsweise im Fall des Zerstäubungsverfahrens ein Si-haltiges Target verwendet werden, und dieses Target wird in einer bestimmten Gasplasmaatmosphäre zerstäubt. Alternativ wird im Fall des Ionenplattierverfahrens ein polykristallines Silicium oder Einkristall-Silicium als Verdampfungsquelle in ein Aufdampfungsschiffchen hineingebracht, und die Verdampfungsquelle wird durch Erhitzen mittels des Widerstandsheizverfahren oder des Elektronenstrahlverfahrens verdampft, um ein fliegendes, verdampftes Produkt herzustellen, dem ein Durchtritt durch eine bestimmte Gasplasmaatmosphäre ermöglicht wird.

Sowohl beim Zerstäubungs- als auch beim Ionenplattierverfahren können in die gebildete Schicht Wasserstoffatome eingeführt werden, indem ein Gas wie z. B. H₂ oder die vorstehend erwähnten Silane in die Abscheidungskammer eingeleitet und eine Plasmaatmosphäre aus diesem Gas gebildet wird.

Ferner können für die Einführung von Halogenatomen als gasförmiges Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen die vorstehend erwähnten Halogenidverbindungen oder Halogenatome enthaltenden Siliciumverbindungen in Form eines Gases in die Abscheidungskammer eingeleitet werden, und darin kann eine Plasmaatmosphäre aus diesem Gas gebildet werden. Als gasförmiges Ausgangsmateial für die Einführung von Halogenatomen können die vorstehend erwähnten Halogenverbinungen oder Halogene enthaltenden Siliciumverbindungen in wirksamer Weise eingesetzt werden. Ferner ist es auch möglich, als wirksames Ausgangsmaterial für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht eine gasförmige oder vergasbare Substanz wie z. B. einen Halogenwasserstoff, z. B. HF, HCl, HBr oder HJ, oder ein halogensubstituiertes Siliciumhydrid wie z. B. SiH₂F₂, SiH₂J₂, SiH₂Cl₂, SiHCl₃, SiH₂Br₂ oder SiHBr₃ einzusetzen.

Diese Halogenide, die Wasserstoffatome enthalten und während der Bildung der fotoleitfähigen Schicht gleichzeitig mit der Einführung von Halogenatomen in die Schicht Wasserstoffatome, die für die Steuerung der elektrischen oder fotoelektrischen Eigenschaften sehr wirksam sind, einführen können, können im Rahmen der Erfindung vorzugsweise als Ausgangsmaterial für die Einführung von Halogenatomen eingesetszt werden.

Andererseits kann beispielsweise im Fall des reaktiven Zerstäubungsverfahrens ein Si-Target verwendet werden, und H₂-Gas, ggf. zusammen mit einem Gas für die Einführung von Halogenatomen, kann, auch einschließlich von Inertgasen wie z. B. He oder Ar, in die Abscheidungskammer eingeleitet werden, um eine Plasmaatmosphäre zu bilden, in der das vorstehend erwähnte Si-Target zerstäubt wird, wodurch auf dem Träger die aus a-Si(H,X) bestehende fotoleitfähige Schicht gebildet werden kann.

Ferner können zum Dotieren mit Fremdstoffen Gase wie z. B. B₂H₆ in die Abscheidungskammer eingeleitet werden.

Um die Mengen der Wasserstoffatome (H) und Halogenatome (X), die, falls erwünscht, in die fotoleitfähige Schicht hineinzugeben sind, zu steuern, kann beispielsweise mindestens eine Art der folgenden Faktoren reguliert werden: Die Trägertemperatur und/oder die Mengen der Ausgangsmaterialien für den Einbau von Wasserstoffatomen (H) oder Halogenatomen (X), die in das Abscheidungsvorrichtungssystem einzuleiten sind, oder die Entladungsleistung.

Um in der fotoleitfähigen Schicht und der unteren Schicht einen Schichtbereich zu bilden, der von Siliciumatomen, Wasserstoffatomen und Halogenatomen verschiedene, zusätzliche Atome enthält, kann das Ausgangsmaterial für die Einführung solcher zusätzlichen Atome zusammen mit dem vorstehend erwähnten Ausgangsmaterial für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht während der Bildung einer fotoleitfähigen Schicht durch das Glimmentladungsverfahren oder das reaktive Zerstäubungsverfahren eingesetzt werden, während die in die gebildete Schicht hineingegebene Menge gesteuert wird.

Wenn für die Bildung der zusätzlichen Atome enthaltenden Schicht, die die fotoleitfähige Schicht bildet, das Glimmentladungsverfahren angewandt wird, können die Ausgangsmaterialien für die zur Bildung dises Schichtbereichs dienenden Rohgase gebildet werden, indem zu dem Ausgangsmaterial, das in geeigneter Weise aus den vorstehend erwähnten Ausgangsmaterialien für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht ausgewählt wurde, ein Ausgangsmaterial für die Einführung von zusätzlichen Atomen gegeben wird. Als ein solches Ausgangsmaterial für die Einführung zusätzlicher Atome können die meisten gasförmigen oder vergasbaren Substanzen in vergaster Form, die als am Aufbau beteiligte Atome mindestens die zusätzlichen Atome enthalten, eingesetzt werden.

Als Ausgangsmaterial für die Einführung zusätzlicher Atome, das im Rahmen der Erfindung in wirksamer Weise eingesetzt werden kann, können hauptsächlich B₂H₆, GaCl₃ und BF₃ für die Einführung von Atomen der Gruppe III, PH₃ und AsH₃ usw. für die Einführung von Atomen der Gruppe V, NO, N₂O und O₂ usw. für die Einführung von Sauerstoffatomen, CH₄, C₂H₆, C₃H₈, C₄H₁₀ und C₂H₄ usw. für die Einführung von Kohlenstoffatomen und NH₃ und N₂ usw. für die Einführung von Stickstoffatomen erwähnt werden.

Im Rahmen der Erfindung können als verdünnendes Gas, das bei der Bildung der fotoleitfähigen Schicht durch das Glimmentladungs- oder das Zerstäubungsverfahren einzusetzen ist, vorzugsweise Edelgase wie z. B. He, Ne oder Ar eingesetzt werden.

Als nächstes wird ein Beispiel des Verfahrens zur Herstellung des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials durch das Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren beschrieben.

Fig. 5 zeigt eine Vorrichtung für die Herstellung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials.

In Gasbomben 1102 bis 1106, die in Fig. 5 gezeigt werden, sind luftdicht abgeschlossene, gasförmige Ausgangsmaterialien für die Bildung der erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterialien enthalten. Beispielsweise ist 1102 eine Bombe, die SiH₄-Gas (Reinheit: 99,99%) enthält, ist 1103 eine Bombe, die mit H₂ verdünntes B₂H₆-Gas (Reinheit: 99,99%; nachstehend kurz als "B₂H₆/H₂" bezeichnet) enthält, ist 1104 eine Bombe, die NO-Gas (Reinheit: 99,99%) enthält, ist 1105 eine Bombe, die CH₄-Gas (Reinheit: 99,99%) enthält, und ist 1106 eine Bombe, die SiF₄-Gas (Reinheit: 99,99%) enthält. Außer diesen Bomben können, obwohl dies in Fig. 5 nicht gezeigt wird, auch weitere Bomben mit gewünschten Gasarten bereitgestellt werden, falls sie erforderlich sind.

Um diese Gase in eine Reaktionskammer 1101 hineinströmen zu lassen, wird zuerst ein Hauptventil 1134 geöffnet, um die Reaktionskammer 1101 und die Gas-Rohrleitungen zu evakuieren, nachdem bestätigt worden ist, daß Ventile 1122 bis 1125 der Gasbomben 1102 bis 1105 und ein Belüftungsventil 1135 geschlossen und Einströmventile 1112 bis 1115, Ausströmventile 1117 bis 1120 und ein Hilfsventil 1132 geöffnet sind. Als nächster Schritt werden das Hilfsventil 1132 und die Ausströmventile 1117 bis 1120 geschlossen, wenn der an einer Vakuummeßvorrichtung 1136 abgelesene Druck 6,7 bar erreicht hat.

Nachstehend wird ein Beispiel für die Bildung einer fotoleitfähigen Schicht des Schichtlaminattyps auf einem zylindrischen Träger 1137 erläutert. SiH₄-Gas aus der Gasbombe 1102, B₂H₆/H₂-Gas aus der Gasbombe 1103 und NO-Gas aus der Gasbombe 1104 werden in die Reaktionskammer 1101 hineinströmen gelassen, indem die Ventile 1122, 1123 und 1124 so geöffnet werden, daß die Drücke an Auslaßmanometern 1127, 1128 und 1129 jeweils auf einen Wert von 0,98 bar einreguliert werden, und indem die Einströmventile 1112, 1113 und 1114 geöffnet werden und Durchflußreguliervorrichtungen 1107, 1108 und 1109 und das Hilfsventil 1132 allmählich geöffnet werden. Die Ausströmventile 1117, 1118 und 1119 werden so reguliert, daß das Durchflußgeschwindigkeitsverhältnis von SiH₄-, B₂H₆/H₂- und NO-Gas einen gewünschten Wert hat, und auch die Öffnung des Hauptventils 1134 wird reguliert, während die Ablesung an der Vakuummeßvorrichtung 1136 beobachtet wird, und zwar so, daß der Druck in der Reaktionskammer einen gewünschten Wert erreicht. Nachdem bestätigt worden ist, daß die Temperatur des zylindrischen Trägers 1137 durch eine Heizvorrichtung 1138 auf 50 bis 400°C eingestellt wurde, wird eine Stromquelle 1140 auf eine gewünschte Leistung eingestellt, um in der Reaktionskammer 1101 eine Glimmentladung anzuregen.

Gleichzeitig werden die Entladungsleistung, die Trägertemperatur oder andere Faktoren so gesteuert, daß das vorher entworfene Tiefenprofil des Wasserstoffatomgehalts erhalten werden kann, und die Ventile 1118 und 1119 werden in dem Sinne betätigt, daß die entsprechende, gewünschte Änderung der Plasmabedingungen erhalten und auf diese Weise eine untere Schicht gebildet wird, während die Durchflußgeschwindigkeit der zugegebenen Gase entsprechend verändert wird.

Als nächster Schritt werden die Bildung der fotoleitfähigen Schicht und manchmal zusätzlich die Bildung der oberen Schicht auf der fotoleitfähigen Schicht durchgeführt. Der Wasserstoffatomgehalt kann ähnlich wie bei der Bildung der vorstehend beschriebenen unteren Schicht gesteuert werden, und die erforderlichen Ventile und Steuerteile werden gleichzeitig mit der Steuerung der Entladungsleistung und der Trägertemperatur betätigt, falls dies erwünscht ist.

Alle Ausströmventile mit Ausnahme der Ausströmventile, die für die bei der Bildung der einzelnen Schichten notwendigen Gase benötigt werden, werden geschlossen, und um zu verhindern, daß bei der Bildung der vorhergehenden Schicht eingesetzte Gase in der Reaktionskammer 1101 und in den Rohrleitungen von den Ausströmventile 1117 bis 1120 zu der Reaktionskammer 1101 verbleiben, kann ein Verfahren durchgeführt werden, bei dem das System einmal bis zur Erzielung eines hohen Vakuums evakuiert wird, indem die Ausströmventile 1117 bis 1120 geschlossen werden und das Hilfsventil 1132 bei vollständiger Öffnung des Hauptventils 1134 geöffnet wird, falls dies erwünscht ist.

Während der Schichtbildung kann der zylindrische Träger 1137 mittels eines Motors 1139 mit einer konstanten Geschwindigkeit gedreht werden, um die Schichtbildung gleichmäßig zu machen.

Das erfindungsgemäße fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial, das so gestaltet ist, daß es den vorstehend beschriebenen Schichtaufbau hat, kann alle Probleme, die vorstehend erwähnt wurden, überwinden und hervorragende elektrische, optische und Fotoleitfähigkeitseigenschaften sowie gute Eigenschaften gegenüber dem Einfluß von Umgebungsbedinungen bei der Anwendung zeigen.

Besonders im Fall seiner Anwendung als fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial für elektrofotografische Zwecke ist es hervorragend zum Festhalten von Ladung befähigt, ohne daß die Bilderzeugung durch ein Restpotential beeinflußt wird, sind seine elektrischen Eigenschaften stabil mit einer hohen Empfindlichkeit und zeigt es ein hohes S/N-Verhältnis sowie eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber der Licht-Ermüdung und hervorragende Eigenschaften bei der wiederholten Anwendung, wodurch es möglich ist, in stabiler Weise und wiederholt sichtbare Bilder mit hoher Qualität, die eine hohe Dichte, einen klaren Halbton und eine hohe Auflösung haben, zu erhalten.

Die Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele näher erläutert.

Beispiel 1

Mittels der in Fig. 5 gezeigten Vorrichtung für die Herstellung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials wurden auf einem zylindrischen Träger aus Aluminium durch das vorstehend erwähnte Glimmentladungsverfahren aufeinanderfolgend eine untere Schicht und eine fotoleitfähige Schicht gebildet. Die Schichtbildungsbedingungen für die einzelnen Schichten werden in Tabelle 1 gezeigt. Von dem erhaltenen zylindrischen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial wurde ein Teil abgeschnitten, und unter Anwendung eines Sekundärionen-Massenspektometers wurde eine quantitative Bestimmung des Wasserstoffgehalts in der Richtung der Schichtdicke durchgeführt, wobei als Ergebnis das in Fig. 6 gezeigte Tiefenprofil erhalten wurde. Ferner wurde der restliche Teil des zylindrischen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials zur Bildbewertung in eine elektrofotografische Vorrichtung eingesetzt. Die Bildbewertung wurde durchgeführt, indem unter einer normalen Umgebung Bilder in einer Gesamtzahl von 200 000 Blatt erzeugt wurden, und jeweils eine Probe pro 10 000 Blatt wurde im Hinblick darauf bewertet, ob sie bezüglich der Dichte, der Auflösung, der Reproduzierbarkeit der Helligkeitsabstufung und der Bildfehler usw. gute oder schlechte Eigenschaften hatte. Als Ergebnis wurde bestätigt, daß jede Probe ein Bild mit sehr hoher Qualität aufwies.

Dann wurde dieses zylindrische fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial in einem elektrischen Ofen 2 h lang auf 300°C erwärmt und nach dem Abkühlen wieder in die elektrofotografische Vorrichtung eingesetzt, worauf wieder eine Bilderzeugung durchgeführt wurde. Als Ergebnis wurde keine Änderung beobachtet. Ferner wurde dieses zylindrische fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial danach in einen Belichtungsversuchsbehälter hineingebracht, in dem an der Wandoberfläche Halogenlampen angebracht waren und eine gleichmäßige Bestrahlung eines zylindrischen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials durchgeführt werden konnte, und eine 200 mW/cm² entsprechende Belichtung wurde 24 h lang kontinuierlich durchgeführt. Nach der Abkühlung wurde die Bilderzeugung wieder durchgeführt, jedoch wurde auch in diesem Fall überhaupt keine Änderung beobachtet.

Durch die vorstehend beschriebenen Versuche wurde bestätigt, daß dieses zylindrische fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial unter Bedingungen haltbar ist, die viel strenger sind als die Umgebungsbedingungen bei der praktischen Verwendung. Auf diese Weise wurde experimentell bestätigt, daß eine Verbeserung ohne eine damit verbundene Nebenwirkung erzielt werden kann, indem das Verhalten der Wasserstoffatome innerhalb der fotoleitfähigen Schicht, die gegenüber der äußeren Umgebung relativ empfindlich ist, insbesondere dadurch beherrscht wird, daß der Wasserstoffatomgehalt an der Schichtgrenzfläche, wo leicht eine Änderung dieses Gehalts auftritt, vermindert wird.

Beispiel 2

Ein zylindrisches fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, jedoch wurde die fotoleitfähige Schicht direkt auf einem zylindrischen Träger aus Aluminium vorgesehen. Die Einzelheiten über die Schichtbildungsbedingungen werden in Tabelle 1 gezeigt. Mit diesem zylindrischen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial wurden genau die gleiche Analyse des Wasserstoffatomgehalts und der gleiche Bildbewertungs- und Haltbarkeitsversuch durchgeführt. Als Ergebnis wurde das in Fig. 7 gezeigte Tiefenprofil der Wasserstoffatome erhalten, und die Ergebnisse des Bildbewertungs- und Haltbarkeitsversuchs waren genauso gut wie in Beispiel 1.

Beispiele 3 bis 5

Zylindrische fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterialien wurden hergestellt, indem das Verfahren von Beispiel 1 wiederholt wurde, wobei die Tiefenprofile der Wasserstoffatome jedoch in der in den Fig. 8 bis 10 gezeigten Weise verändert wurden, und auf die gleiche Weise bewertet. Als Ergebnis wurde in jedem Fall festgestellt, daß die gleiche hohe Bildqualität wie in Beispiel 1 beibehalten werden konnte.

Beispiele 6 bis 10

Auf die einzelnen dünnen Schichten, die durch die gleichen Verfahren wie in den Beispielen 1 bis 5 abgeschieden worden waren, wurden unter den in Tabelle 1 gezeigten Schichtbildungsbedingungen kontinuierlich obere Schichten laminiert, während das Vakuum beibehalten wurde. Das Analysenergebnis des Tiefenprofils der Wasserstoffatome in den erhaltenen oberen Schichten wird in Fig. 11 gezeigt. Als Ergebnis der Bildbewertung, die ähnlich wie in Beispiel 1 durchgeführt wurde, wurde festgestellt, daß das hohe Qualitätsniveau beibehalten werden konnte, ohne daß eine Beeinträchtigung der Bildqualität eintrat.

Vergleichsbeispiel 1

Ein zylindrisches fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, jedoch wurde die Art des Tiefenprofils der Wasserstoffatome in der in Fig. 12 gezeigten Weise so verändert, daß der Wasserstoffatomgehalt im Oberflächenbereich der fotoleitfähigen Schicht erhöht wurde. Als dieses zylindrische fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial ähnlich wie in Beispiel 1 bewertet wurde, wurden sowohl hinsichtlich der gewünschten Bilder als auch hinsichtlich des Einflusses von Änderungen der Umgebungsbedingungen auf die Bilder in einer Kopiervorrichtung Ergebnisse erhalten, die den Ergebnissen in Beispiel 1 im wesentlichen gleichwertig waren. Sowohl beimTempern bei hoher Temperatur als auch bei der Belichtung wurden jedoch eine Potentialverminderung und ein verstärktes Auftreten von Bildfehlern beobachtet, und infolgedessen wurde das Ergebnis erhalten, daß ein Aufzeichnungsmaterial gebildet wurde, dessen Haltbarkeit im Fall der Erhöhung der Anzahl der erzeugten Bilder auf die für die praktische Anwendung gebräuchliche Größenordnung von 1 000 000 Blatt zweifelhaft ist.

Nachdem alle Versuche mit diesem zylindrischen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial beendet waren, wurde wieder eine Analyse des Wassestoffatomgehalts durchgeführt, wobei die in Fig. 13 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden. Aus diesen Ergebnissen sind Änderungen ersichtlich, die die Tatsache bestätigen, daß die vorstehend erwähnte Verschlechterung mit dem Entweichen oder der Diffusion von Wasserstoffatomen in Verbindung steht.

Tabelle 1

Claims (26)

1. Fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial, das auf einem Träger eine fotoleitfähige Schicht enthält, die aus einer amorphen Substanz besteht, die Siliciumatome als Matrix und mindestens Wasserstoffatome als an ihrem Aufbau beteiligte Atome enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoleitfähige Schicht ein derartiges Tiefenprofil aufweist, daß der Gehalt der darin enthaltenden Wasserstoffatome in der Richtung der Schichtdicke auf beide Oberflächen dieser Schicht hin abnimmt.

2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht an den beiden Oberflächen gleich ist.

3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht an den beiden Oberflächen verschieden ist.

4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt auf die beiden Oberflächen hin unter kontinuierlicher Änderung abnimmt.

5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt auf die beiden Oberflächen hin unter stufenweiser Änderung abnimmt.

6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt auf die eine Oberfläche hin unter kontinuierlicher Änderung und auf die andere Oberfläche hin unter stufenweiser Änderung abnimmt.

7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht in dem Bereich mit dem Höchstwert zwischen 0,1 und 40 Atom-% liegt.

8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht in dem Bereich mit dem Mindestwert zwischen 0,05 und 30 Atom-% liegt.

9. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz im Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht zwischen dem Bereich mit dem Höchstwert und dem Bereich mit dem Mindestwert zwischen 0,01 und 35 Atom-% liegt.

10. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffatomgehalt in der fotoleitfähigen Schicht in dem Bereich mit dem Höchstwert 0,1 bis 40 Atom-% und in dem Bereich mit dem Mindestwert 0,05 bis 30 Atom-% und die Differenz im Wasserstoffatomgehalt zwischen dem Bereich mit dem Höchstwert und dem Bereich mit dem Mindestwert 0,01 bis 35 Atom-% beträgt.

11. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Halogenatome enthalten sind.

12. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Atome der Gruppe III des Periodensystems enthalten sind.

13. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Atome der Gruppe V des Periodensystems enthalten sind.

14. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Halogenatome und Atome der Gruppe III des Periodensystems enthalten sind.

15. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Halogenatome und Atome der Gruppe V des Periodensystems enthalten sind.

16. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Träger und der fotoleitfähigen Schicht eine untere Schicht vorgesehen ist, die aus einer amorphen oder einer mikrokristallinen Substanz besteht, die Siliciumatome als Matrix und mindestens eine aus Waserstoffatomen und Halogenatomen ausgewählte Atomart als am Aufbau beteiligte Atome enthält.

17. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Schicht ferner mindestens eine aus Sauerstoffatomen, Kohlenstoffatomen und Germaniumatomen ausgewählte Atomart enthält.

18. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in der unteren Schicht Atome der Gruppe III des Periodensystems enthalten sind.

19. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in der unteren Schicht Atome der Gruppe V des Periodensystems enthalten sind.

20. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß in der unteren Schicht Atome der Gruppe III und Atome der Gruppe V des Periodensystems enthalten sind.

21. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der fotoleitfähigen Schicht eine obere Schicht vorgesehen ist, die Siliciumatome als Matrix und mindestens eine aus Kohlenstoffatomen, Stickstoffatomen und Sauerstoffatomen ausgewählte Atomart als am Aufbau beteiligte Atome enthält.

22. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der fotoleitfähigen Schicht eine obere Schicht vorgesehen ist, die Siliciumatome als Matrix und eine organische Substanz mit hohem Widerstand als Bestandteil enthält.

23. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der fotoleitfähigen Schicht eine obere Schicht vorgesehen ist, die eine organische Substanz mit hohem elektrischem Widerstand enthält.

24. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf der fotoleitfähigen Schicht eine obere Schicht vorgesehen ist, die Siliciumatome als Matrix und mindestens eine aus Kohlenstoffatomen, Stickstoffatomen und Sauerstoffatomen ausgewählte Atomart enthält.

25. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf der fotoleitfähigen Schicht eine obere Schicht vorgesehen ist, die eine organische Substanz mit hohem elektrischem Widerstand enthält.

26. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Schicht ferner entweder Atome der Gruppe III oder Atome der Gruppe V des Periodensystems enthält.