DE3337630C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3337630C2
DE3337630C2 DE3337630A DE3337630A DE3337630C2 DE 3337630 C2 DE3337630 C2 DE 3337630C2 DE 3337630 A DE3337630 A DE 3337630A DE 3337630 A DE3337630 A DE 3337630A DE 3337630 C2 DE3337630 C2 DE 3337630C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aluminum nitride
temperature
oxide
aluminum
sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3337630A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3337630A1 (de
Inventor
Fritz Dipl.-Ing. Dr. 6451 Rodenbach De Aldinger
Waltraud Dipl.-Ing. 6450 Hanau De Werdecker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Priority to DE19833337630 priority Critical patent/DE3337630A1/de
Priority to US06/660,499 priority patent/US4627815A/en
Priority to JP59212749A priority patent/JPS6096578A/ja
Publication of DE3337630A1 publication Critical patent/DE3337630A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3337630C2 publication Critical patent/DE3337630C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002Crucibles or containers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Temperaturaus­ gleichskörpers aus dichtgesintertem Aluminiumnitrid.
Unter Temperaturausgleichskörper soll ein Körper verstanden werden, der dazu dient, innerhalb eines vorgegebenen Volumens eine möglichst konstante Temperatur aufrechtzuerhalten oder über eine vorgegebene Fläche für eine gleichmäßige Temperaturübertragung zu sorgen. Ein derartiger Temperatur­ ausgleichskörper kann überall dort eingesetzt werden, wo ein möglichst geringer Temperaturgradient erforderlich ist. Temperaturausgleichskörper können zum Beispiel verwendet werden bei Schmelz- und Einkristallziehprozessen in Form eines Rohres oder eines Außentiegels um den eigentlichen Schmelz­ tiegel, bei Thermoanalysengeräten in Form eines Ofenblockes, bei Wärmebehand­ lungs-, Sinter- oder Drucksinterprozessen in Form einer Ofenauskleidung oder eines Einsatzes.
Im niedrigen Temperaturbereich (< 1000°C) werden als Temperaturausgleichs­ körper üblicherweise je nach Anwendungstemperatur metallische Wärmeübertra­ gungskörper aus Kupfer, Silber oder Aluminium verwendet. Sie besitzen den Nachteil, daß sie eine niedrige Schmelztemperatur aufweisen, eine niedrige Rekristallisationstemperatur haben und bereits bei niedrigen Temperaturen zum Kriechen neigen, d. h. sich bereits durch ihr Eigengewicht verformen. Für hohe Temperaturen könnten Wärmeausgleichskörper aus Berylliumoxid verwendet werden. Der Einsatz von Berylliumoxid als Temperaturausgleichskörper kommt jedoch kaum in Betracht, weil die Handhabung von Berylliumoxid aufgrund seiner Giftigkeit sehr problematisch ist und außerdem die bei niedrigen Temperaturen gute Wärme­ leitfähigkeit des Berylliumoxids bei hohen Temperaturen stark abfällt.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 20 35 767 ist ein Isolierkörper, der im wesentlichen aus Aluminiumnitrid besteht und eine Wärmeleitfähigkeit von mehr als 50 W/m K aufweist, bekannt.
In der europäischen Patentanmeldung 75 857 werden durch Sintern von Aluminium­ nitrid-Pulver erhaltene Formkörper mit hoher Dichte und hoher Wärmeleitfähig­ keit beschrieben. Als Hilfsmittel für das Sintern des Aluminiumnitrid-Pulvers sind hieraus Seltenerdmetalloxide, z. B. Yttriumoxid oder Lanthanoxid, Calcium­ oxid, Bariumoxid und Strontiumoxid, bekannt.
Je nach Art seiner Herstellung enthält Aluminiumnitrid-Pulver üblicherweise als Verunreinigung mehr oder weniger Sauerstoff, der die Wärmeleitfähigkeit des gesinterten Körpers beeinflußt.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines Temperaturausgleichskörpers aus dichtgesintertem Aluminiumnitrid zu finden, das die ungünstige Beeinflussung der Wärmeleitfähigkeit des gesinterten Produktes durch in dem als Ausgangsmaterial eingesetzten Aluminium­ nitrid-Pulver enthaltenen Sauerstoff ausschließt bzw. mindert.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein pulverförmiges Gemisch aus 90-99,9 Gew.-% Aluminiumnitrid, das, bezogen auf Aluminium­ nitrid, 0,05-2 Gew.-% Aluminium mit einer Korngröße unter 1 Mikrometer enthält, und 0,1-10 Gew.-% oxidischem Zusatz, der aus einem oder mehreren Oxiden der Gruppe der Oxide der Erdalkalimetalle, der Seltenerd­ metalle, der Übergangsmetalle der IV., V. und VI. Gruppe des Periodensystems, Aluminiumoxid und Siliziumoxid besteht, durch Kaltpressen in einen Formkörper umgewandelt und dieser bei 1750-2000°C unter Stickstoff gesintert wird.
Die nach diesem Verfahren hergestellten Temperaturausgleichskörper aus dicht­ gesintertem Aluminiumnitrid können bei Temperaturen bis etwa 1700°C einge­ setzt werden. Sie besitzen hohe Festigkeit und gute Temperaturwechselbestän­ digkeit, zeichnen sich aufgrund ihrer Ungiftigkeit durch eine einfache Hand­ habung bei der Bearbeitung aus und besitzen eine gute Beständigkeit gegenüber heißen Gasen. Da ihr Sauerstoff-Gehalt infolge der Zugabe des feinteiligen Aluminiums zu dem als Ausgangsmaterial einge­ setzten Aluminiumnitrid-Pulver geringer als der des Aluminiumnitrid-Pulvers ist, zeichnen sie sich durch eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit aus.
Thermischer Ausdehnungskoeffizient und Wärmeleitfähigkeit des dichtgesinterten Aluminiumnitrids lassen sich durch Art und Menge des oxidischen Zusatzes in gewünschter Weise beeinflussen. Eine Wärmeleitfähigkeit bis etwa 200 W/m K kann erreicht werden.
Als oxidischer Zusatz hat sich Yttriumoxid besonders bewährt, vorzugsweise in einer Menge von 0,5-4 Gew.-%.
Der nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte Temperaturausgleichs­ körper kann zum Beispiel als Ofenblock in Thermoanalysegeräten für die Hoch­ temperaturanalyse (bis etwa 1700°C), als Körper zur Homogenisierung der Temperatur in Einkristallziehprozessen und in Form von Wärmerohren verwendet werden.
Zur näheren Erläuterung wird in dem folgenden Beispiel die Herstellung eines Temperaturausgleichskörpers nach dem erfindungsgemäßen Verfahren beschrieben.
Beispiel
5000 g einer Mischung aus 99 Gew.-% pulverförmigem Aluminiumnitrid, das 1 Gew.-% Aluminium-Pulver mit einer Korngröße unter 1 Mikrometer enthält, und 1 Gew.-% pulverförmigem Yttriumoxid werden in einer Kugelmühle mit keramischen Mahlkörpern unter Argon als Schutzgas 40 Stunden lang gemahlen und anschließend auf ein Sieb mit einer Maschenweite von 100 Mikrometer gegeben.
Aus dem durch Sieben erhaltenen Pulver mit einer Korngröße unter 100 Mikro­ meter werden durch isostatisches Kaltpressen (Druck 2500 bar) Preßlinge herge­ stellt und in einen elektrisch beheizten Sinterofen gegeben. Nach Evakuieren auf 10-5 mbar wird auf 500°C aufgeheizt und diese Temperatur 1 Stunde lang aufrechterhalten. Danach wird in den Sinterofen Stickstoff eingeleitet, bis der Druck 5 mbar beträgt. Unter Aufrechterhalten dieses Druckes wird dann der Sinterofen beheizt, bis innerhalb von 3 Stunden eine Temperatur von 1200°C erreicht wird. Anschließend wird der Stickstoff-Druck auf 140 mbar und die Temperatur innerhalb einer Stunde auf 1850°C - der Stickstoff-Druck beträgt jetzt 180 mbar - erhöht.
Diese Temperatur und dieser Druck werden 2 Stunden lang aufrechterhalten; dann wird gekühlt. Nach Belüften des Sinterofens werden die dichtgesinterten Körper entnommen.
Die so hergestellten Temperaturausgleichskörper besitzen einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 3,6 · 10 - 6 K- 1, eine Wärmeleitfähigkeit von 200 W/m K, eine Biegefestigkeit von 320 N/mm2 und eine Dichte von 3,27 g/cm3 (= theoretische Dichte).

Claims (3)

1. Verfahren zur Herstellung eines Temperaturausgleichskörpers aus dicht­ gesintertem Aluminiumnitrid, dadurch gekennzeichnet, daß ein pulver­ förmiges Gemisch aus 90-99,9 Gew.-% Aluminiumnitrid, das, bezogen auf Aluminiumnitrid, 0,05-2 Gew.-% Aluminium-Pulver mit einer Korn­ größe unter 1 Mikrometer enthält, und 0,1-10 Gew.-% oxidischem Zu­ satz, der aus einem oder mehreren Oxiden der Gruppe der Oxide der Erd­ alkalimetalle, der Seltenerdmetalle, der Übergangsmetalle der IV., V. und VI. Gruppe des Periodensystems, Aluminiumoxid und Siliziumoxid besteht, durch Kaltpressen in einen Formkörper umgewandelt und dieser bei 1750-2000°C unter Stickstoff gesintert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der oxidische Zu­ satz aus Yttriumoxid besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Yttriumoxid 0,5-4 Gew.-% beträgt.
DE19833337630 1983-10-15 1983-10-15 Temperaturausgleichskoerper Granted DE3337630A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833337630 DE3337630A1 (de) 1983-10-15 1983-10-15 Temperaturausgleichskoerper
US06/660,499 US4627815A (en) 1983-10-15 1984-10-12 Ceramic temperature stabilization body, and method of making same
JP59212749A JPS6096578A (ja) 1983-10-15 1984-10-12 温度平衡材の製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833337630 DE3337630A1 (de) 1983-10-15 1983-10-15 Temperaturausgleichskoerper

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3337630A1 DE3337630A1 (de) 1985-04-25
DE3337630C2 true DE3337630C2 (de) 1987-09-03

Family

ID=6211997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833337630 Granted DE3337630A1 (de) 1983-10-15 1983-10-15 Temperaturausgleichskoerper

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4627815A (de)
JP (1) JPS6096578A (de)
DE (1) DE3337630A1 (de)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0177194A3 (de) * 1984-09-05 1988-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung
JPH0717454B2 (ja) * 1985-06-28 1995-03-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
CA1262149A (en) * 1985-08-13 1989-10-03 Hitofumi Taniguchi Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body
JPS6241766A (ja) * 1985-08-13 1987-02-23 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
US5314850A (en) * 1985-10-31 1994-05-24 Kyocera Corporation Aluminum nitride sintered body and production thereof
JPH0717453B2 (ja) * 1985-11-28 1995-03-01 京セラ株式会社 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
DE3603191A1 (de) * 1986-02-03 1987-08-13 Feldmuehle Ag Schneidplatte
US4843038A (en) * 1986-11-13 1989-06-27 Narumi China Corporation Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same
JPS63166765A (ja) * 1986-12-26 1988-07-09 イビデン株式会社 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
US4847221A (en) * 1987-01-13 1989-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba AlN sintered body having high thermal conductivity and a method of fabricating the same
US4833108A (en) * 1987-03-28 1989-05-23 Narumi China Corporation Sintered body of aluminum nitride
FR2614321A1 (fr) * 1987-04-27 1988-10-28 Europ Propulsion Cartouche en materiaux composites pour dispositif d'elaboration de monocristaux.
JPH0686330B2 (ja) * 1987-08-28 1994-11-02 住友電気工業株式会社 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
JPH01203270A (ja) * 1988-02-08 1989-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法
US4994219A (en) * 1988-03-08 1991-02-19 Allied-Signal Inc. Method for forming a high strength silicon nitride
US4870036A (en) * 1988-03-08 1989-09-26 Allied-Signal Inc. High strength silicon nitride
US4988645A (en) * 1988-12-12 1991-01-29 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Cermet materials prepared by combustion synthesis and metal infiltration
JP2732290B2 (ja) * 1989-04-18 1998-03-25 日新製鋼株式会社 窒化アルミニウム基焼結体の製造方法
IT1239221B (it) * 1990-02-19 1993-09-28 Keramont Italia Composizioni ceramiche refrattarie ed elettroconduttrici e procedimento per la loro preparazione
DE69427722T2 (de) * 1993-05-21 2002-05-08 Toshiba Kawasaki Kk Sinterkörper aus Aluminiumnitriol und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH07109573A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5541145A (en) * 1993-12-22 1996-07-30 The Carborundum Company/Ibm Corporation Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics
US5424261A (en) * 1993-12-22 1995-06-13 The Carborundum Company Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics
US5773377A (en) * 1993-12-22 1998-06-30 Crystalline Materials Corporation Low temperature sintered, resistive aluminum nitride ceramics
TWI447067B (zh) * 2011-08-04 2014-08-01 氮化鋁製造方法
DE102017124404A1 (de) 2017-10-19 2019-04-25 rtw RÖNTGEN-TECHNIK DR. WARRIKHOFF GmbH & Co. KG Yttrium-beschichtetes Aluminiumnitrid-Pulver, dessen Herstellung und Verwendung
CN112981281B (zh) * 2021-02-07 2021-11-09 哈尔滨工业大学 一种提高Cf/Al复合材料复杂构件层间剪切强度的方法
US11927388B2 (en) 2021-07-20 2024-03-12 Electrolux Home Products, Inc. Reversible drawer assembly

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3108887A (en) * 1959-05-06 1963-10-29 Carborundum Co Refractory articles and method of making same
CH494187A (de) * 1966-03-09 1970-07-31 Lonza Werke Gmbh Verfahren zur Herstellung von Bornitrid
US3572992A (en) * 1967-07-05 1971-03-30 Tokyo Shibaura Electric Co Preparation of moulded and sintered aluminum nitride
DE1906522B2 (de) * 1968-02-10 1972-01-13 Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) Verfahren zur herstellung eines gesinterten aluminiumnitrid yttriumoxid gegenstands
US4097293A (en) * 1969-04-30 1978-06-27 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method for manufacturing heat-resistant reinforced composite materials
DE2035767A1 (de) * 1969-07-22 1971-02-25 Gen Electric Elektrischer Isolierkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit
GB1310362A (en) * 1969-12-16 1973-03-21 United States Borax Chem Process for purification of refractory metal nitrides
JPS491427A (de) * 1972-04-25 1974-01-08
JPS5849510B2 (ja) * 1973-06-30 1983-11-04 株式会社東芝 チツカアルミニウムシヨウケツタイノ セイゾウホウホウ
JPS50151704A (de) * 1974-05-28 1975-12-05
US4188194A (en) * 1976-10-29 1980-02-12 General Electric Company Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride
JPS5934156B2 (ja) * 1977-08-16 1984-08-20 日本特殊陶業株式会社 アルミナ被覆した窒化アルミニウム焼結体
JPS55133597A (en) * 1979-04-06 1980-10-17 Hitachi Ltd Multilayer circuit board
US4289503A (en) * 1979-06-11 1981-09-15 General Electric Company Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst
US4256792A (en) * 1980-01-25 1981-03-17 Honeywell Inc. Composite electronic substrate of alumina uniformly needled through with aluminum nitride
JPS5756384A (en) * 1980-09-19 1982-04-03 Tokyo Shibaura Electric Co Manufacture of ceramic heat transmitting body
JPS5832072A (ja) * 1981-08-14 1983-02-24 株式会社日立製作所 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物
JPS5832073A (ja) * 1981-08-21 1983-02-24 株式会社日立製作所 焼結体
JPS5855377A (ja) * 1981-09-28 1983-04-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPS5855376A (ja) * 1981-09-28 1983-04-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
DE3248103C1 (de) * 1982-12-24 1987-11-12 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Tiegel zum Ziehen von Einkristallen
JPS6042280A (ja) * 1983-08-18 1985-03-06 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6096578A (ja) 1985-05-30
JPH0217508B2 (de) 1990-04-20
DE3337630A1 (de) 1985-04-25
US4627815A (en) 1986-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3337630C2 (de)
DE69911309T2 (de) Siliciumnitridsinterkörper hoher Wärmeleitfähigkeit und Verfahren zum Herstellen desselben
DE10211538B4 (de) Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Drähten und Bändern auf Basis der Verbindung MgB2
EP0237072A2 (de) Praktisch porenfreie Formkörper aus polykristallinem Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung ohne Mitverwendung von Sinterhilfsmitteln
DE1471035B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkoerpers
DE1567844A1 (de) Methode zur Herstellung einer gesinterten Masse von Aluminium-Nitrid
DE2614839C3 (de) Gesinterter SUiciumnltridkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
CH658855A5 (de) Roehrenbauteile.
DE68910363T2 (de) Siliciumnitrid-Sinterkörper.
DE3873663T2 (de) Sinterkoerper aus aluminiumnitrid und verfahren zu seiner herstellung.
EP0497156B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Werkstoffes auf Siliciumnitrid-Basis.
DE69126308T2 (de) Verfahren zur herstellung von nitridierbarem siliciummaterial
DE3880335T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliziumnitrid-Sinterformkörpers.
DE4401589C5 (de) Siliziumnitridkeramik und Verfahren zur Herstellung der Nitridkeramik
DE3716002A1 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumcarbid-sinterkoerpers
EP0251218A2 (de) Elektrisch isolierende Substratwerkstoffe aus polykristallinem Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung durch isostatisches Heisspressen
DE2705384C3 (de) Dauermagnet-Legierung und Verfahren zur Wärmebehandlung gesinterter Dauermagnete
DE1906522A1 (de) Aluminiumnitrid-Yttriumoxyd-Sintermassen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE68910231T2 (de) Siliciumnitrid-Sinterkörper.
EP0825969B1 (de) Verfahren zur herstellung von supraleiter-formkörpern
DE69013862T2 (de) Lichtabweisender Sinterkörper aus Aluminiumnitrid und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE4325345C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Aluminiumnitrid-Sinterprodukts
EP0709352A1 (de) Praktisch porenfreie Sinterkörper auf Basis von Siliciumcarbid enthaltend grobkörnigen Graphit
DE3874526T2 (de) Targetmaterial zur bildung eines supraleitenden films.
EP0321975A1 (de) Polykristalline Sinterkörper auf Basis von Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee