DE3334291C2 - Weichlot aus einer Pb enthaltenden Legierung für Halbleiter-Vorrichtungen - Google Patents
Weichlot aus einer Pb enthaltenden Legierung für Halbleiter-VorrichtungenInfo
- Publication number
- DE3334291C2 DE3334291C2 DE19833334291 DE3334291A DE3334291C2 DE 3334291 C2 DE3334291 C2 DE 3334291C2 DE 19833334291 DE19833334291 DE 19833334291 DE 3334291 A DE3334291 A DE 3334291A DE 3334291 C2 DE3334291 C2 DE 3334291C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- soft solder
- semiconductor devices
- alloy
- alloy containing
- radioactive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/268—Pb as the principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01092—Uranium [U]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft Blei-haltige Legierungen, die sich zur
Anwendung als Weichlot zum Verbinden verschiedener Teile zur
Herstellung nicht nur von üblichen ICs, sondern auch von
VLSIs, wie Speicher-Vorrichtungen hoher Kapazität,
einschließlich 64 KRAM und 256 KRAM eignen.
Eine übliche Halbleiter-Vorrichtung ist eine keramische IC-
Baugruppe, die im Schnitt in Fig. 1 gezeigt ist. Diese
Baugruppe besteht aus einem Keramikgehäuse 1 mit einem
Hohlraum mit vorbestimmter Gestalt, einem auf dem Boden dieses
Hohlraums angelöteten Siliciumplättchen 2, Aluminium-
Verbindungsdrähten 3 und einer Abdichtplatte 4, die auf die
Oberseite des Keramikgehäuses 1 ebenfalls aufgelötet ist.
Diese IC-Keramik-
Baugruppe wird vereinigt, indem das Siliciumplättchen 2 und
die Abdichtplatte 4 mit einer Au-Si-Legierung oder Au-Sn-
Legierung durch Preßbindung (die-bonding) befestigt werden.
Lote aus diesen Goldlegierungen gewährleisten eine hohe
Verläßlichkeit der Vorrichtung, sind jedoch andererseits
teuer.
Deshalb ist von Interesse, anstelle der teuren, Au-haltigen
Legierungen andere, billigere Legierungen mit ähnlich hoher
Leistung zu verwenden. Dieses Ziel konnte bisher noch nicht
erreicht werden, da die Pb-haltigen Legierungen, speziell
solche, die Pb und Sn oder Pb und In enthalten (DE-AS 12 98
387, GB-PS 14 31 919), einen die Zuverlässigkeit der
Halbleiter-Vorrichtung beeinträchtigenden Nachteil haben.
Sie emittieren radioaktive α-Strahlung aufgrund ihrer im Pb
enthaltenen Verunreinigungen an U und Th, wodurch häufig
sogenannte "soft errors" verursacht werden. Um ein
ordnungsgemäßes und möglichst zuverlässiges Funktionieren der
Halbleiter-Vorrichtung sicherzustellen, müssen diese "soft
errors" unbedingt vermieden werden. Die die Zuverlässigkeit
der Halbleiterelemente beeinträchtigenden α-Strahlen werden
jedoch in keiner der oben erwähnten Literaturstellen
angesprochen, in denen bleihaltige Legierungen verwendet
werden.
In der GB-A 20 67 013 wird auf das Problem der α-Strahlung
durch Spuren der Radioisotope Th und U als Verunreinigungen im
Gehäusematerial hingewiesen. Es wird durch Einbau einer
Schutzschicht in die Halbleiter-Vorrichtung gelöst. Dieser
Schirm zum Abhalten der α-Strahlung wird aus einem aus Harz
bestehenden Material hergestellt, enthält U und Th in einer
Höchstkonzentration von nur 1 ppb und wird zwischen das
Halbleiter-Speicherelement und das Gehäuse eingefügt.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, eine
Pb-haltige Legierung zur Verfügung zu stellen, die aufgrund
ihres geringen Gehaltes an den Radioisotopen Th und U bestens
als Weichlot zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
geeignet sind, ohne daß zwischen Halbleiter-Speicherzelle und
Gehäuse eine Schicht zur Abschirmung der von den Radioisotopen
emittierten α-Strahlung vonnöten ist.
Gegenstand der Erfindung ist ein Weichlot für Halbleiter-
Vorrichtungen aus einer Pb enthaltenden Legierung, die 1 bis
65 Gew.-% Sn und/oder In und gegebenenfalls 1 bis 10 Gew.-% Ag
enthält, wobei der restliche Anteil aus Pb und zufälligen
Verunreinigungen besteht, das dadurch gekennzeichnet ist, daß
die Legierung weniger als 50 Teile pro 1 Milliarde Teile an
Radioisotopen als zufällige Verunreinigungen enthält, wobei die Impulszahl an radioaktiven α-
Teilchen nicht mehr als 1800 Bq/cm² (0,5 CPH/cm²) beträgt.
Das erfindungsgemäße Weichlot unterscheidet sich im Hinblick
auf Zusammensetzung und vorteilhafte Eigenschaften wesentlich
von bekannten Weichloten. So beschreiben GB-PS 14 31 919 und
DE-AS 12 98 387 ebenfalls Lote aus Legierungen ähnlicher und
zum Teil überlappender Zusammensetzung, machen jedoch keine
Angabe hinsichtlich des Gehaltes an schädlichen Radioisotopen,
die bei Verwendung dieser Legierungen für Halbleiter-
Vorrichtungen unvermeidlich zu sogenannten "soft errors"
führen.
Das erfindungsgemäße Weichlot gewährleistet bei guter
Benetzungsfähigkeit und guter Haftfestigkeit unter Vermeidung
von Speicherfehlern im Gegensatz zu GB-PS 14 31 919 und DE-AS
12 98 387 eine extrem hohe Verläßlichkeit der Halbleiter-
Vorrichtung. Als weiterer Vorteil muß der niedrige Preis des
erfindungsgemäßen Weichlotes angesehen werden, da die
enthaltene Legierung kein Gold enthält.
Die Anmelder haben verschiedene Untersuchungen durchgeführt,
um ein Lot zu entwickeln, das mit üblichen Goldlegierungen
darin vergleichbar ist, daß es hohe Verläßlichkeit der
Vorrichtung gewährleistet, das jedoch weniger teuer als das
letztere ist. Dabei wurde eine Blei enthaltende Legierung
aufgefunden, die 1 bis 65 Gew.-% Sn oder In oder beide
Bestandteile sowie gegebenenfalls 1 bis 10 Gew.-% Ag und zum
restlichen Anteil Pb und zufällige Verunreinigungen enthält,
welche weniger als 50 ppb (ppb bedeutet Teile pro Milliarde
Teile) Radioisotope an zufälligen Verunreinigungen einschließen, wobei die Zählrate an
radioaktiven alpha-Teilchen nicht mehr als 1800 Bq/cm²
(0,5 CPH, (Impulszahlen/h)/cm²) ist. Wenn diese Blei
enthaltende Legierung als Lot beim Zusammenbau einer
Halbleiter-Vorrichtung angewendet wird, zeigt sie gute
Benetzungsfähigkeit und Haftfestigkeit und gewährleistet
gleichzeitig eine extrem hohe Verläßlichkeit, ohne daß sie
Speicherungsfehler verursacht. Als weiterer Vorteil ist der
Preis dieser Legierung sehr niedrig, weil sie kein Gold
enthält.
Die kritische Bedeutung der Anteile der jeweiligen
Bestandteile wird nachstehend erläutert.
Diese Bestandteile ermöglichen ein Weichlot mit
guter Benetzungsfähigkeit und gewährleisten hohe Haftfestigkeit.
Wenn der Anteil jedes Elements weniger als
1 Gew.-% beträgt, werden ihre gewünschten Eigenschaften
nicht erreicht. Wenn ihr Gehalt 65 Gew.-% überschreitet,
wird durch ihre weitere Zugabe keine entsprechende Verbesserung
erzielt. Daher werden Sn oder In oder beide
in einer Menge im Bereich von 1 bis 65 Gew.-% angewendet.
Dieses Element ist wirksam zum Erzielen einer
weiter verbesserten Benetzbarkeit und Haftfestigkeit
und kann enthalten sein, wenn besonders hohe Werte für
diese Eigenschaften benötigt werden. Wenn jedoch der
Ag-Gehalt weniger als 1 Gew.-% beträgt, werden seine gewünschten
Eigenschaften nicht erhalten. Wenn der Ag-Gehalt
10 Gew.-% überschreitet, wird durch seine Zugabe keine
weitere Verbesserung erzielt. Aus wirtschaftlichen
Gründen ist daher Ag in einer Menge im Bereich von 1 bis
10 Gew.-% enthalten.
Bleibarren, die mit Hilfe der üblichen Raffinationsmethode
hergestellt werden, enthalten mindestens 50 ppb
an radioaktiven Isotopen, wie Uran und Thorium, und diese
Menge entspricht mehreren Tausend bis mehreren Hunderttausend Bq/cm² (mehreren bis mehreren hundert CPH/cm²),
angegeben als Impulszahl radioaktiver alpha-Teilchen.
Wenn Pb-Legierungen, die Blei mit einem so hohen Gehalt
an radioaktiven Isotopen enthalten als Weichlot zum Zusammenbau
einer Halbleitervorrichtung verwendet werden, emittieren
diese radioaktiven alpha-Teilchen, welche Speicherungsfehler
verursachen und die Verläßlichkeit der Vorrichtung
vermindern. Um daher diese störende Wirkung zu vermeiden,
muß der Gehalt an radioaktiven Isotopen als zufällige Verunreinigungen
auf weniger als 50 ppb vermindert werden,
wodurch die Impulszahl radiaktiver alpha-Teilchen auf
nicht mehr als 1800 Bq/cm² (0,5 CPH/cm²) vermindert wird.
Fig. 1 ist ein schematischer Querschnitt des
üblichen IC-Keramik-Bauteils.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen
Weichlots aus einer Pb-haltigen Legierung werden nachstehend im Vergleich mit üblichen
Produkten beschrieben.
Schmelzen der Proben Nr. 1 bis Nr. 12 und der
Vergleichsproben Nr. 1 bis 12 aus Pb enthaltenden Legierungen der
in der Tabelle angegebenen Zusammensetzung wurden mit
Hilfe des üblichen Schmelzverfahrens hergestellt. Die
Schmelzen wurden unter üblichen Bedingungen zu Barren
vergossen und zu 0,05 mm dicken Platten ausgewalzt.
Die Platten wurden zu fensterrahmen-förmigen Weichlot-
Teilen mit den Abmessungen 50 mm×10 mm×1 mm gestanzt.
Diese Proben wurden beim Zusammenbau von IC-
Keramik-Bauteilen mit dem in Fig. 1 gezeigten Schnitt
zum Auflöten der Abdichtplatten verwendet. Die Bindefestigkeit
und Benetzbarkeit, die durch diese Proben
erreicht wurde, sind in Tabelle 1 gezeigt. Die Proben
wurden außerdem im Hinblick auf die Impulszahl an alpha-
Teilchen und das Auftreten von Speicherfehlern überprüft.
Der Bewertungsindex der Benetzbarkeit war wie folgt:
wenn das Weichlot den gesamten notwendigen Bereich
bedeckte, und X wenn von dem Lot unbedeckte Bereiche
verblieben.
Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, zeigten die Proben
Nr. 1 bis 12 der Blei enthaltenden Legierung gemäß der Erfindung gute
Benetzungsfähigkeit und Haftfestigkeit. Da sie weniger
als 50 ppb an radioaktiven Isotopen enthielten, emittierten
sie darüber hinaus nicht mehr als 1800 Bq/cm² (0,5 CPH/cm²) radioaktiver
alpha-Teilchen. Daher verursachte keine dieser
Proben Speicherungsfehler aufgrund radioaktiver Isotope.
Andererseits lagen die Vergleichsproben Nr. 1 und Nr. 2
außerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches im Hinblick
auf den Sn- und In-Gehalt. Sie erreichten daher niedere
Haftfestigkeit und schlechte Benetzungsfähigkeit. Die
Vergleichsproben Nr. 3 bis Nr. 12 zeigten hohe Haftfestigkeit
und gute Bentzungsfähigkeit. Sie enthielten
jedoch einen so hohen Anteil an radioaktiven Isotopen,
daß sie einige oder viele Speicherungsfehler verursachten
und daher zur Ausbildung von Vorrichtungen mit
schlechter Verläßlichkeit führten.
Wie vorstehend beschrieben ist, gewährleistet
das erfindungsgemäße Weichlot auf Basis einer Blei enthaltenden Legierung
hohes Haftvermögen und gute Benetzbarkeit. Darüber
hinaus emittiert es nicht mehr als 1800 Bq/cm² (0,5 CPH/cm²) radioaktiver
alpha-Teilchen. Das Lot ist daher äußerst gut
geeignet zur Anwendung beim Zusammenbau von Halbleiter-
Vorrichtungen. Außerdem kann dieses Weichlot mit niederen
Kosten hergestellt werden.
Claims (1)
- Weichlot für Halbleitervorrichtungen aus einer Blei enthaltenden Legierung, die 1 bis 65 Gew.-% Sn und/oder In und gegebenenfalls 1 bis 10 Gew.-% Ag enthält, wobei der restliche Anteil aus Pb und zufälligen Verunreinigungen besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung weniger als 50 Teile pro 1 Milliarde Teile an Radioisotopen als zufällige Verunreinigungen enthält, wobei die Impulszahl an radioaktiven alpha-Teilchen nicht mehr als 1800 Bq/cm² (0,5 CPH/cm²) beträgt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57032678A JPS58151037A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | 半導体装置用pb合金ろう材 |
PCT/JP1983/000065 WO1983003163A1 (en) | 1982-03-02 | 1983-03-02 | Pb alloy solder for semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3334291T DE3334291T (de) | 1984-07-12 |
DE3334291C2 true DE3334291C2 (de) | 1991-07-11 |
Family
ID=12365528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833334291 Expired - Lifetime DE3334291C2 (de) | 1982-03-02 | 1983-03-02 | Weichlot aus einer Pb enthaltenden Legierung für Halbleiter-Vorrichtungen |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4512950A (de) |
EP (1) | EP0103025B1 (de) |
JP (1) | JPS58151037A (de) |
KR (1) | KR900000169B1 (de) |
DE (1) | DE3334291C2 (de) |
GB (1) | GB2126248B (de) |
HK (1) | HK52090A (de) |
NL (1) | NL8320060A (de) |
SG (1) | SG80589G (de) |
WO (1) | WO1983003163A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4344193A1 (de) * | 1993-12-23 | 1995-06-29 | Foerster Inst Dr Friedrich | Verfahren zur Anbringung einer Schutzschicht und Schutzelement |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60206596A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置用pb合金ろう材 |
JPS61222142A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Mitsubishi Metal Corp | Pb合金ろう材の製造に用いられる高純度Pb材 |
US4622205A (en) * | 1985-04-12 | 1986-11-11 | Ibm Corporation | Electromigration lifetime increase of lead base alloys |
JPS626793A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Mitsubishi Metal Corp | はんだペ−スト用Pb合金粉末 |
US4654275A (en) * | 1985-11-27 | 1987-03-31 | Allied Corporation | Storage life of Pb-In-Ag solder foil by Sn addition |
EP0264648B1 (de) * | 1986-09-25 | 1993-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zum Herstellen eines Filmträgers |
USRE33313E (en) * | 1987-09-21 | 1990-08-28 | Cominco Ltd. | Method for making low alpha count lead |
US5066614A (en) * | 1988-11-21 | 1991-11-19 | Honeywell Inc. | Method of manufacturing a leadframe having conductive elements preformed with solder bumps |
US5161729A (en) * | 1988-11-21 | 1992-11-10 | Honeywell Inc. | Package to semiconductor chip active interconnect site method |
US5010387A (en) * | 1988-11-21 | 1991-04-23 | Honeywell Inc. | Solder bonding material |
JPH02310330A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Taiho Kogyo Co Ltd | すべり軸受用オーバレイ合金 |
US5011658A (en) * | 1989-05-31 | 1991-04-30 | International Business Machines Corporation | Copper doped low melt solder for component assembly and rework |
WO1990014947A1 (en) * | 1989-06-01 | 1990-12-13 | Olin Corporation | Metal and metal alloys with improved solderability shelf life and method of preparing the same |
JPH04352429A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Sharp Corp | 半田バンプの形成方法 |
FR2697125B1 (fr) * | 1992-10-20 | 1994-12-09 | Thomson Csf | Procédé de montage d'une microstructure et microstructure montée selon le procédé. |
JP3617604B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2005-02-09 | ヒロセ電機株式会社 | パルス信号発生装置 |
AU2003272790A1 (en) | 2002-10-08 | 2004-05-04 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3411961A (en) * | 1965-10-21 | 1968-11-19 | Gen Motors Corp | Heat treatment process for creep resistant solder alloys |
DE1298387B (de) * | 1964-02-06 | 1969-06-26 | Semikron Gleichrichterbau | Halbleiter-Anordnung |
US3771211A (en) * | 1970-09-18 | 1973-11-13 | Ppg Industries Inc | Method of fabricating transparent electroconductive window |
GB1431919A (en) * | 1973-08-15 | 1976-04-14 | Atomic Energy Authority Uk | Microcircuit packages |
US4020987A (en) * | 1975-09-22 | 1977-05-03 | Norman Hascoe | Solder preform for use in hermetically sealing a container |
GB2067013A (en) * | 1980-01-09 | 1981-07-15 | Hitachi Ltd | Shielding semiconductor memories |
US4291815A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-29 | Consolidated Refining Co., Inc. | Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
GB2077168A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-16 | Cominco Ltd | Attachment of solder preform to a cover for a sealed container |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2711484A (en) * | 1953-01-26 | 1955-06-21 | Exxon Research Engineering Co | Preparation of radioactive objects |
US2811721A (en) * | 1954-12-15 | 1957-10-29 | Baso Inc | Electrically conductive compositions and method of manufacture thereof |
US2883330A (en) * | 1955-05-26 | 1959-04-21 | Robert J Teitel | Liquid metal compositions containing uranium |
JPS5734352A (en) * | 1980-08-09 | 1982-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
US4396677A (en) * | 1980-10-24 | 1983-08-02 | Josef Intrater | Metal, carbon, carbide and other composites thereof |
-
1982
- 1982-03-02 JP JP57032678A patent/JPS58151037A/ja active Pending
-
1983
- 1983-02-23 KR KR1019830000735A patent/KR900000169B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1983-03-02 GB GB08328561A patent/GB2126248B/en not_active Expired
- 1983-03-02 US US06/552,038 patent/US4512950A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-03-02 EP EP83900801A patent/EP0103025B1/de not_active Expired
- 1983-03-02 DE DE19833334291 patent/DE3334291C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-03-02 WO PCT/JP1983/000065 patent/WO1983003163A1/ja active IP Right Grant
- 1983-03-02 NL NL8320060A patent/NL8320060A/nl active Search and Examination
-
1989
- 1989-12-07 SG SG805/89A patent/SG80589G/en unknown
-
1990
- 1990-07-12 HK HK520/90A patent/HK52090A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1298387B (de) * | 1964-02-06 | 1969-06-26 | Semikron Gleichrichterbau | Halbleiter-Anordnung |
US3411961A (en) * | 1965-10-21 | 1968-11-19 | Gen Motors Corp | Heat treatment process for creep resistant solder alloys |
US3771211A (en) * | 1970-09-18 | 1973-11-13 | Ppg Industries Inc | Method of fabricating transparent electroconductive window |
GB1431919A (en) * | 1973-08-15 | 1976-04-14 | Atomic Energy Authority Uk | Microcircuit packages |
US4020987A (en) * | 1975-09-22 | 1977-05-03 | Norman Hascoe | Solder preform for use in hermetically sealing a container |
GB2067013A (en) * | 1980-01-09 | 1981-07-15 | Hitachi Ltd | Shielding semiconductor memories |
US4291815A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-29 | Consolidated Refining Co., Inc. | Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
US4291815B1 (en) * | 1980-02-19 | 1998-09-29 | Semiconductor Packaging Materi | Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
GB2077168A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-16 | Cominco Ltd | Attachment of solder preform to a cover for a sealed container |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BLACKWELL, A.C.; TOTTLE, C.R. in Developmant of low melting point hard solder in Metals and Materials, January 1971, S. 31/32 * |
DE-B.:SCHIMPKE, SCHROPP, KÖNIG:"Technologie der Maschinenbaustoffe, S. Hirzel Verlag 1977, S.636 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4344193A1 (de) * | 1993-12-23 | 1995-06-29 | Foerster Inst Dr Friedrich | Verfahren zur Anbringung einer Schutzschicht und Schutzelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK52090A (en) | 1990-07-20 |
KR840003919A (ko) | 1984-10-04 |
GB8328561D0 (en) | 1983-11-30 |
GB2126248A (en) | 1984-03-21 |
EP0103025B1 (de) | 1989-11-02 |
EP0103025A1 (de) | 1984-03-21 |
SG80589G (en) | 1990-07-06 |
WO1983003163A1 (en) | 1983-09-15 |
DE3334291T (de) | 1984-07-12 |
JPS58151037A (ja) | 1983-09-08 |
US4512950A (en) | 1985-04-23 |
EP0103025A4 (de) | 1985-10-01 |
NL8320060A (nl) | 1984-02-01 |
KR900000169B1 (ko) | 1990-01-23 |
GB2126248B (en) | 1986-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3334291C2 (de) | Weichlot aus einer Pb enthaltenden Legierung für Halbleiter-Vorrichtungen | |
DE69900894T2 (de) | Gegen Ermüdung widerstandsfähige, bleifreie Legierung | |
DE69632866T2 (de) | Bleifreies lot | |
DE69425224T2 (de) | Zinn-wismuth-lötpaste und deren verwendung | |
DE69423255T2 (de) | Bleifreies Weichlot mit verbesserten mechanischen Eigenschaften. | |
DE3645066C2 (de) | ||
DE60037057T2 (de) | Halbleiterelement und Herstellungsverfahren dafür | |
DE60034418T2 (de) | Verwendung eines Weichlötmaterials und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen oder elektronischen Vorrichtung | |
DE69521762T2 (de) | Bleifreies niedrigschmelzendes Lot mit verbesserten mechanischen Eigenschaften und mit diesem Lot verbundene Gegenstände | |
DE68926652T2 (de) | Halbleiterpackung ohne Montierungsfläche | |
DE68923024T2 (de) | Leiterrahmen mit verminderter Korrosion. | |
DE69704725T2 (de) | Weichlotlegierung, Weichlotpaste und Verfahren zum Weichlöten | |
DE3237385C2 (de) | ||
DE3810899C2 (de) | ||
DE1627762A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE60300669T2 (de) | Bleifreie Weichlötlegierung | |
DE112010000752T5 (de) | Bleifreie Lotlegierung, ermüdungsbeständige Lötmaterialien, die die Lotlegierung enthalten, und kombinierte Produkte, die die Lötmaterialien verwenden | |
DE19750104B4 (de) | Verwendung einer Lotpaste für Chipkomponenten | |
DE68906853T2 (de) | Flussmittelzusammensetzung und Verfahren zur Herabsetzung des Zinngehalts in Blei-Zinn-Lotverbindungen. | |
DE4311116C2 (de) | Festkörper-Elektrolyt-Kondensator | |
DE69619170T2 (de) | Niedrigschmelzende Legierung und Weichlotpaste hergestellte aus einem Pulver dieser Legierung | |
DE3625543A1 (de) | Band- bzw. drahtfoermiges material | |
EP1429889B1 (de) | Bleifreies weichlot, insbesondere elektroniklot | |
DE3514253A1 (de) | Halbleitereinrichtung | |
DE2511194C3 (de) | Legierungspulver-Mischung zur Herstellung von Dentalamalgamen |