DE3243674A1 - Bezugsspannungsschaltung - Google Patents
BezugsspannungsschaltungInfo
- Publication number
- DE3243674A1 DE3243674A1 DE19823243674 DE3243674A DE3243674A1 DE 3243674 A1 DE3243674 A1 DE 3243674A1 DE 19823243674 DE19823243674 DE 19823243674 DE 3243674 A DE3243674 A DE 3243674A DE 3243674 A1 DE3243674 A1 DE 3243674A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mosfet
- reference voltage
- transistor
- voltage terminal
- circuit according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/28—Provision in measuring instruments for reference values, e.g. standard voltage, standard waveform
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/247—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the supply voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
- H03K17/145—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature in field-effect transistor switches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
TOKYO SH.tBAURA DENKI KAÜüSlllKI KAISHA
Kawacaki-shi / Japan
5
5
Bezugsspannungsschaltung
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zum Erzeugen einer*
Bezugsspannung.
Gewöhnlich wird eine in eine integrierte Schaltung eingefügte Schaltung zuin Erzeugen einer Bezugs spannung V so
ausgeführt, daß sie eine Speisespeinnung V mit Hilfe
eines Widerstandes teilt» Bei einer solchen Bezugsspannungserzeugerschaltung ändert sich jedoch die Bezugsspannung V _p bei Schwankungen der Speisespannung V„_,
reu cc
Folglich kann in einem weiten Bereich von Speisespannungen keine stabile Bezugsspannung V ^ erzeugt werden.
Es liegt deshalb der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine
Schaltung zu schaffen, die innerhalb eines weiten Bereichs
der Speisespannungen in der Lage ist, eine stabile Bezugsspannung bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung mit einer Bezugs-,
spannungserzeugerschaltung gelöst, welche ein erstes Widerstandselement, das zwischen eine erste Speisespannungsklemme
und eine Bezugsspannungskleinme eingefügt ist, ein zweites Widerstandseleitient, das zwischen eine zweite
Speisespannungsklcmme und die Bezugsspannungsklemme eingefügt ist, und einen ersten Transistor aufweist, dessen
Drainelektrode mit der Bezugsspannungskleinme, dessen Sourceelektrode mit der ersten Speisespannungsklemme und
dessen Gatolektrode mit der zweiten Speiscspannungsklemme verbunden sind.
Da die Gatoelektrode des MOSFET mit der zweiten Speisespannungsklemme
verbunden ist, ändert sich erfindungsgemäß der Widerstand des MOSFET mit Veränderungen der
Speisespannung V . Als Folge davon kann die Bezugs-
CC
spannung V f an der Bezugsspannungsklemme konstant
gehalten werden.
Die Zeichnung zeigt im einzelnen:
Fig. 1 das Schaltbild einer ersten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Bezugsspannungserzeugerschal
tung;
15
15
Fig. 2 bis 5 Schaltbilder eines zweiten bis fünften Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen
Bezugsspannungserzeugerschaltung.
In der in Fig. 1 gezeigten Bezugsspannungserzeugerschaltung
ist ein Widerstand 13 mit dem Widerstandswert R1 zwischen eine Bezugsspannungsklemme 11 und Masse
geschaltet. Ein Widerstand 15 mit dem Widerstandswert
R„ liegt zwischen der Bezugsspanriungsklemme 11 und
einer Speisespannungsklemme 14. Die Gateelektrode eines Anreicherungs-n-Kanal-MOSFET 16 ist an die Speisespannung
sklemme 14 angeschlossen. Die Drainelektrode des MOSFET 16 steht mit der Bezugsspannungsklemme 11, die
Sourceelektrode mit Masse in Verbindung. Bei einer Steigerung der Speisespannung V ^ an der Speisespannungs-
CO
klemme 14 um Δ V ist die Stromzunahme Λΐ0 des Stroms
I„ durch den Widerstand 15 gegeben durch Gleichung (1):
= dv /R ...(D
Wenn die Bezugsspannung V „an der Bezugsspannungsklemme
11 unverändert bleiben soll, dann muß die Stromzunahme
BADORIGINAL
Al1 dos durch den Widerstand 13 fließenden Stroms I.
Null sein. Daraus ergibt sich als Gleichung geschrieben; = 0.
Null sein. Daraus ergibt sich als Gleichung geschrieben; = 0.
Wenn V - V. ..' > V ~ ist, wobei V, ,, die Schwell spannung
des MOSFET 16 ist, befindet sich der MOSPTiT 16 im Triodenbareich.
Der durch den MOSFET 16 fließende Strom I3
ist durch Gleichung (2) gegeben:
...(2) bei JS1 = .(W/L·) «(έ-μ/t) ...(3)
mit.W: Gatebreite des MOSFET 16,
L: Gatelänge des MOSFET 16,
£: Dielektrizitätskonstate des Gateoxidfilms,
t: Dicke des Gateoxidfilms,
μϊ Oberflächenmobilität des Substrats.
Eine Veränderung JlI3 im Strom I3 ist somit durch Gleichung
(4) gegeben zu:
Ai3 = («3/*vcc) .Avoc = P1-V1^ ·Λνοο ....(4)
Die Änderung dl~ dos Stroms I- ist außerdem durch Gleichung
(5) gegeben:
Δΐ0 = Ai1 + 4ΐ, .".-.. (5)
Aus den Gleichungen (1), (4) und (5) erhält man den
Widerstandswert R„ nach der Gleichung (6):
Widerstandswert R„ nach der Gleichung (6):
p- «/,· „
Wenn der Widerstandswert R~ des Widerstandes 15 durch
die Gleichung (6) vorgegeben ist, kann, wie aus vorangehender Beschreibung deutlich wird, die Bezugsspannung
V f trotz der Änderungen der Speisespannung V unverändert
bleiben.
Der Widerstandswert R1 des Widerstandes 13 ist einzig
durch die Bezugsspannung V ~, den Widerstandeswert R_
des Widerstandos 15, die Konstante ^1 des MOSFJET 16 und
seine Schwellspannung V.. nach folgender Überlegung
festgelegt:
= <Vcc - Vref)/R2 "'il^cc ~ Vt1>
Vref -
Außerdem gilt
I1 = Vref/Ri ...<8)
woraus mit den Gleichungen (7) und (8) sich folgende 2b Beziehung ergibt:
■ 1/R1 = (Vcc - Vref)/(Vref-R2) ~
£i{(Vcc - Vt1} - Vref/2J · " l9)
Der Wert R1 des Widerstandes 13 ist aus Gleichung (9)
zu bestimmen. Wie oben beschrieben, sind die Werte R1
und R2 bei der Bezugsspannungserzcugerschaltung nach
Fig. 1 durch die Gleichungen (9) und (6) festgelegt.
3ö Die Bczugsspannung.scrzeugerschaltunfj für ein zweites
Aunführuncjisbeiupi.el. nach Fig. 2 unterteile i dot sich von
der orrjton nur dadurch, daß any to] Ie der, Widerstand!'.-; 13
BAD ORIGINAL
ein Anreicherungs-n-Kanal-MOSFET 17 getreten ist, dessen
Gatelek-trode mit «einer Draineloktrode verbunden ist.
Der MOSFET 17 benötigt dabei weniger Raum als der Widerstand 13. Eine Konstante ß2 des MOiJFET 17 ist eindeutig
durch seine Schwe 1.1.spannung V, „, die Bezugsspannung
V. t ,., den Widerstandswert R„ und die Konstante
^1 des MOSFET 16 bestimmt. Ein Strom I1, der durch den
MOSFET 17 fließt, ist durch Gleichung (10) gegeben:
1I = ^2 (Vref - Vt2)2/2 '...(10)"
Damit erhält man durch Lösen der Gleichungen (7) und
(10) die Konstante |3>2 gemäß:
fS2 = &/vref - vt2)2J.f(vcc - vref)/R2 _
fc t(Vcc - vt1>'vrcf - Vref2/2B — (11i
Die in Fig. 3 gezeigte Bezugsspannungserzeugerschaltung
nach einem dritten Ausführungsbeispiel· der Erfindung
unterscheidet sich vom zweiten Ausführungsbeispiel dadurch,
daß anstelle des Anreicherungs-n-Kanal-MOSFET 17 ein Vcrarmung~n-Kanal-MOSFET 18 verwendet wird, dessen
Gate mit seiner Sourceelektrode verbunden ist. Bei Verwendung des Anreicherungs-n-Kanal-MOSFET 17 läßt
sich die Bezugsspannung V „ nicht unter die Schwellspannung
V _ absenken. Damit fällt der Bereich der
Bezugsspannung V_ f in den Bereich von V,- bis
(Vcc - Vt1). Wird jedoch ein Verarmungs-n-Kanal-MOSFET
18 verwendet, so umfaßt der Bereich der Bezugsspannung die Spanne von 0 bis (V - V 1).
Fig. A zeigt ein vier tos Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Im Unterschied zum zweiten Aunführungsbcispiel
ist lediglich der Widerstand 15 durch einen Anreicherungs-n-Kanal-MOSFET
19 ersetzt, dessen Gate mit seiner
BAD ORIGINAL
Drainelektrode verbunden ist. Der MOSFET 19 benötigt weniger J'latz als der Widerstand 15 der Schaltung der
b ]'':i.g. 2.
Für die Bezugsspannungsschaltuncj der Fig. 4 gilt die
Gleichung (6) nicht mehr. Eine ähnlich der Gleichung (6)
lautende Beziehung kann jedoch dadurch erhalten werden,
daß der MOSFKT 19 näherungsweise als ein linearer Widerstand betrachtet wird. Da ein Strom I„, der durch den
MOSFET 19 fließt, von der Speisespannung V abhängt,
C C
ist ein differentieller Widerstand r~ des MOSFET 19
durch Gleichung (12) gegeben:
15
15
l/r2 = (9I2A>Vcc)Vcc = Vq ...(12)
bei V„ = constant (z.B. 5 V) .
Wenn der differentielle Widerstand r~ bei V = V_
mit R_ gleichgesetzt wird, so erhält man aus den Gleichungen (6) und (12):
Die Gleichung (13) zeigt die allgemeine Beziehung, die
niiin Ik.! i. Verwendung eines nichtlineax'en Widerstandes
anr.l el .11» den Widerstandes 1 !3 erhält. Gleichung (13) gilt,
solange die .Schwankungen der Speisespannungsquelle V
' CC
relativ gering sind.
Das fünfte Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 5 unterscheidet
sich vom Ausführungsbeispiel der Fig. 4 dadurch, daß an die Stelle der Anreichungs-n-Kanal-MOSFETs 17 und
19 VeI-Ur]IiUnCjU-MOSJ-1KT;-; 20 und 21 gesetzt sind, deren
Gates jeweils mit Ihren Sourccelok troden verbünde-η sind.
Werden Anreicherungn-MOSFJ-JTS 17 und 19 verwendet, fällt
BAD
OAB
die Bezugsopannung V ς. in den engen Bereich von V „ bis
(V -V4-1). Werden dagegen VeTaJrIiIUnCJu-MOSF]1J1J1F. 20 und
21 eingesetzt:, ;>o bleibt der Bereich der BoziujKHpannuny
V f zwischen O bi« (V - vi-i' erhalten, wie dies auch
für das Be.iisp.iel nach Fig. 3 gilt.
Die Erfindung ist nicht auf die in den Fig. 1 bis 5 gc~
zeigten und in Verbindung damit beschriebenen Auaführungsbcispiclc
begrenzt. Bei den Beispielen wird zwischen die Bezugsspannungsklernme 11 und Masse der n-Kanal-MOSFET
16 geschaltet. Wird jedoch eine negative Spciseopannung
V , verwendet, dann muß an die Stelle des n-Kanal-MOSFKT
CC
16 ein p-Kanal-MOSFET treten. Wird außerdem für den
speziellen Fall beim ersten Ausführungabeiapiel der Strom I1 Null, so wird der Wort R1 des Widerstandes 13
unendlich, was aus Gleichung (8) hervorgeht. Mit anderen. Worten, es ist möglich, eine Bezugsspannungsschaltung
nur mit dem Widerstand 15 und dem MOSFET 16 ohne den Widerstand 13 aufzubauen. In diesem Fall ist im Vergleich
zum Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 der für diesen Schaltungsaufbciu benötigte Raum geringe!:.
-A-
Leerseite
Claims (1)
- TOKYO SIUBAURA DKNKI KABUSHIKI KAISHA Kawasaki-σ; hi / Japan
5BezugsspannungsschaltungPatentansprücheBezugsspannungnschaltung mit einoin ersten Widerstand:;.-element, das zwischen eine <?r.r3te Speisespannung^klemme und eine Bczugsr.pannungskleminc geschaltet ist, und mit einem zweiten Widerstandselement, das zwischen der Bezugsspannungsklemme und einer zweiten Speisespannungsklemme liegt, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) (16) mit seiner Drainelektrode an die erste Bezugsspannungsklemme (11), mit seiner Sourceelektrode an die erste Speisespannungsklemme (12) und mit seiner Gateelcktröde an die zweite Spoise.spannungsklemmo (14) angeschlossen ist.2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichneL·, daß das erste und das zweite Widerstandselement durch Widerstände (13, 15) gebildet sind.3, Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Widerstandselemeht ein zweiter MOSFET (17) ist, dessen Drainelektrode mit der Bezugsspannungsklemme (11) und dessen Sourceelektrode mit der ersten Speisespannungsklemme (12) verbunden sind, während das zweite Widerstandseloment ein Widerstand (15) ist."4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor ein Anreichcrungs-MOSFET ist, dessen Gateelektrode mit seiner Drainelektrode verbunden ist.5. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor ein Verarmungs-MOSFET (18) ist, dessen Gateelektrode mit seiner Sourceelektrode verbunden ist.6. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, diiß das zweite Widerstandselement (15) ein Widerstand mit dem Widerstandswert R„ ist und der erste Transistor eine Konstante jö hat und daß die an der Bezugsspannungsklemme (11) abnehmbare Bezugsspannung V r: sich durch folgende Beziehung ergibt:' R2 = 1/(P"Vref) rait J3= (W/L) - (g .μ/t)wobei W die Gatebreite des ersten MOSFET (16), L die Gatelänge des ersten MOSFET (16), £ die Dielektrizitätskonstante des Gateoxidfilms des ersten MOSFET (16), t die Gateoxiddicke des ersten MOSFET (16) und μ die Oberflächenbeweglichkeit des Substrats sind.7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Widerstandselement (13) ein ohmscher Widcrstcind von einem Widerstandswert R1 ist, der folgende Beziehung zum Widerstandswort R- hat:1/R1 = (V 1 cc- Vref/2}· H(VCC V Vrefmit V : Speisespannung und V, : Schwellspiinnung des ersten MOSFET.BAD ORISchaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Widerstandrjolcmcnt (15) ein ohmneher Widerstand mit einem Widorstandswort H2 ist, der erste Transistor (16) eine Konstante β hat und die Bezugsspannung V f, die an der Bezugsspannungsklomme (11) abnehmbar ist, folgender Beziehung folgt;R2 = 1/^iV ref} mit ß= (W/L)wobei W die Gatebreite des ersten MOSPET, L die Gate länge des ersten MOSFET1. & die Dielektrizitätskonstan te des Gatefilms des ersten MOSFET, t die Gatooxiddicke des ersten MOSPET und μ die Oberflächenmobilität des Substrats sind.9. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Widerstcindselement durch einen zweiten Transistor (17) gebildet ist, dessen Drainelektrode mit der Bezugsspannungsklemme (11) und dessen Sourceelektrode mit der ersten Speisespannungsklemme (12) verbunden ist, und daß das zweite Widerstandselement ein dritter Transistor (19) ist, dessen Drainelektrode mit der zweiten Speisespannungsklexnme (14) und dessen Sourccelektrode mit der Bezugsspannungsklemme (11) verbunden sind.10. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (16) ein MOSB1ET und der zweite und der dritte Transistor (17, 19) Anreicherungs-MOSFETs sind, deren Gates mit ihren Drainelektroden in Verbindung stehen.11. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor ein MOSFET (16) und der zweite und der dritte Transistor (20, 21) VerarmungsMOSFETs sind, dessen Gates jeweils mit ihren Sourceelektroden in Verbindung stehen. 512. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor als nichtlineares Widerstandselement mit einem differentiellen Widerstand r? arbeitet, daß der erste Transistor (16) eine Kon- stanteβ besitzt und daß an der Bezugsspannungsklemme eine Bezugsspannung V _ auftritt mit folgender Beziehung zwischen r„,Ä und V fmit ß= (W/L)·(£-μ/t), undl/r„ = (<>I0/ÖV )„ = konstantccwobei W die Gatebreite des ersten MOSFET, L die Gate lä'nge des ersten MOSFET, die Dielektrizitätskonstante des Gateoxidfilms des ersten MOSFET, t die Gateoxiddicke des ersten MOSFET, μ die Oberflächenbeweglichkeit des Substrats, I„ der durch das nichtlineare Widerstandselement fließende Strom und Vdie Speisespannung sind.
25
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56188843A JPS5890177A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 基準電圧回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3243674A1 true DE3243674A1 (de) | 1983-06-01 |
DE3243674C2 DE3243674C2 (de) | 1985-07-25 |
Family
ID=16230805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3243674A Expired DE3243674C2 (de) | 1981-11-25 | 1982-11-25 | Bezugsspannungsschaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4499416A (de) |
JP (1) | JPS5890177A (de) |
DE (1) | DE3243674C2 (de) |
GB (1) | GB2113877B (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4633086A (en) * | 1985-04-09 | 1986-12-30 | Grumman Aerospace Corporation | Input circuit for infrared detector |
US4942312A (en) * | 1985-08-19 | 1990-07-17 | Eastman Kodak Company | Integrated-circuit having two NMOS depletion mode transistors for producing stable DC voltage |
US4661726A (en) * | 1985-10-31 | 1987-04-28 | Honeywell Inc. | Utilizing a depletion mode FET operating in the triode region and a depletion mode FET operating in the saturation region |
NL8503331A (nl) * | 1985-12-03 | 1987-07-01 | Philips Nv | Geintegreerde schakeling bevattende een lastkapaciteit en geintegreerde referentiebron. |
JP2715642B2 (ja) * | 1990-08-22 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路 |
KR940002433B1 (ko) * | 1991-07-03 | 1994-03-24 | 삼성전자 주식회사 | 정 전압회로 |
US5126568A (en) * | 1991-07-19 | 1992-06-30 | Grumman Aerospace Corporation | Magnetometer input circuit for infrared detectors |
US5200623A (en) * | 1991-12-04 | 1993-04-06 | Grumman Aerospace Corp. | Dual integration circuit |
US5614815A (en) * | 1994-03-10 | 1997-03-25 | Fujitsu Limited | Constant voltage supplying circuit |
US5532617A (en) * | 1994-03-25 | 1996-07-02 | Philips Electronics North America Corporation | CMOS input with temperature and VCC compensated threshold |
US5491334A (en) * | 1994-08-22 | 1996-02-13 | Grumman Aerospace Corporation | Magneto-optical input system for infrared detectors |
JP5646360B2 (ja) * | 2011-02-04 | 2014-12-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US20230273637A1 (en) * | 2020-09-07 | 2023-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Control Circuit Of Secondary Battery And Electronic Device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2732511A1 (de) * | 1976-07-21 | 1978-01-26 | Gen Electric | Spannungskonstanthalter fuer integrierte schaltungen |
DE2708022B2 (de) * | 1977-02-24 | 1979-05-17 | Eurosil Gmbh, 8000 Muenchen | Schaltungsanordnung in integrierter MOS-Technik zur Abgabe einer Konstantspannung |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1915512A1 (de) * | 1969-03-26 | 1970-10-01 | Standard Elek K Lorenz Ag | Spannungsstabilisatorschaltung |
DE2137813C3 (de) * | 1971-07-28 | 1978-04-20 | Gebrueder Junghans Gmbh, 7230 Schramberg | Schaltungsanordnung für den Antrieb eines Gangordner-Schwingers eines zeithaltenden Gerätes |
US3975649A (en) * | 1974-01-16 | 1976-08-17 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit using field effect transistor with compensation means |
US4114053A (en) * | 1977-01-12 | 1978-09-12 | Johnson & Johnson | Zero temperature coefficient reference circuit |
JPS54152138A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Nippon Precision Circuits | Constant voltage circuit for low voltage |
CH632610A5 (fr) * | 1978-09-01 | 1982-10-15 | Centre Electron Horloger | Source de tension de reference realisee sous forme d'un circuit integre a transistors mos. |
JPS55112618A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-30 | Nippon Precision Saakitsutsu Kk | Constant voltage circuit |
US4298811A (en) * | 1979-07-20 | 1981-11-03 | Signetics Corporation | MOS Voltage divider |
JPS5644917A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Nec Corp | Constant-voltage circuit |
JPS5672530A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Nec Corp | Semiconductor circuit |
GB2081940A (en) * | 1980-08-05 | 1982-02-24 | Standard Telephones Cables Ltd | MOS transistor circuit |
JPS5787224A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-31 | Toyoda Mach Works Ltd | Linearizer |
DE3108726A1 (de) * | 1981-03-07 | 1982-09-16 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch integrierte referenzspannungsquelle |
US4453121A (en) * | 1981-12-21 | 1984-06-05 | Motorola, Inc. | Reference voltage generator |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188843A patent/JPS5890177A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-22 US US06/443,630 patent/US4499416A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-25 GB GB08233595A patent/GB2113877B/en not_active Expired
- 1982-11-25 DE DE3243674A patent/DE3243674C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2732511A1 (de) * | 1976-07-21 | 1978-01-26 | Gen Electric | Spannungskonstanthalter fuer integrierte schaltungen |
DE2708022B2 (de) * | 1977-02-24 | 1979-05-17 | Eurosil Gmbh, 8000 Muenchen | Schaltungsanordnung in integrierter MOS-Technik zur Abgabe einer Konstantspannung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4499416A (en) | 1985-02-12 |
DE3243674C2 (de) | 1985-07-25 |
JPH0567964B2 (de) | 1993-09-28 |
JPS5890177A (ja) | 1983-05-28 |
GB2113877A (en) | 1983-08-10 |
GB2113877B (en) | 1985-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2921037C2 (de) | Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Schaltung | |
DE2641860C2 (de) | Integrierte Stromversorgungsschaltung | |
DE2929450C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Pegelanpassung | |
DE3243674A1 (de) | Bezugsspannungsschaltung | |
DE69306195T2 (de) | Schaltung zum Ziehen des Eingangs einer integrierten Schaltung auf einen definierten Zustand | |
DE3108515A1 (de) | "stromquellenschaltung" | |
DE2415803C3 (de) | Konstantstromquelle | |
DE2309154A1 (de) | Stromverstaerker | |
DE2623507A1 (de) | Schaltungsanordnung fuer binaere schaltvariable | |
DE69700031T2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Referenzstrom in einer integrierten Schaltung | |
DE2510604C2 (de) | Integrierte Digitalschaltung | |
DE69206335T2 (de) | Unter niedriger Spannung betriebener Stromspiegel. | |
DE2757464B2 (de) | ||
DE2554054A1 (de) | Differentialverstaerkerschaltung in cmos-bauweise | |
DE3238486C2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
DE2556683A1 (de) | Gegen- oder negativwiderstandsnetz | |
DE2410205A1 (de) | Hystereseschaltung | |
DE2643677B2 (de) | Stromspiegelverstärker mit Feldeffekttransistoren | |
DE2435606C3 (de) | Reihenschaltung aus Feldeffekttransistoren zur Realisierung eines hxxochohmigen linearen Widerstandes | |
DE19954329C1 (de) | Analogschalter mit zwei komplementären MOS-Feldeffekttransistoren | |
DE3006598C2 (de) | Spannungsquelle | |
DE2653484A1 (de) | Integrierbarer konstantwiderstand | |
DE2638086A1 (de) | Integrierte stromversorgung | |
DE1176192B (de) | Elektronisches Schaltnetz zum selektiven Verbinden einer ersten oder einer zweiten Klemme mit einer dritten Klemme nach Mass-gabe der momentanen Polaritaet eines Steuersignals | |
DE4222846C2 (de) | Mosfet-Multiplizierer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: EITLE, W., DIPL.-ING. HOFFMANN, K., DIPL.-ING. DR.RER.NAT. LEHN, W., DIPL.-ING. FUECHSLE, K., DIPL.-ING. HANSEN, B., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. BRAUNS, H., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. GOERG, K., DIPL.-ING. KOHLMANN, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW. NETTE, A., RECHTSANW., 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee | ||
8370 | Indication of lapse of patent is to be deleted | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |