DE3223386C2 - - Google Patents
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entwickeln von
positiv-arbeitenden Reproduktionsschichten auf der Basis
von o-Naphthochinondiaziden mit einer wäßrig-alkalischen
Entwicklerlösung.
Wenn eine o-Naphthochinondiazid enthaltende Reproduktionsschicht
bestrahlt (belichtet) und dann mit einem
wäßrig-alkalischen Entwickler entwickelt wird, werden
die von Licht getroffenen Stellen entfernt (Nichtbildstellen),
während die nicht vom Licht getroffenen Stellen
als Bildstellen stehenbleiben. Aus diesem
Grund nimmt man solche Schichten beispielsweise als positiv-
arbeitenden strahlungsempfindlichen Bestandteil für
Druckplatten und Fotoresists. Diese Beschichtungsmassen
auf Basis von o-Naphthochinondiaziden werden gewöhnlich
mit alkalilöslichen Harzen vermischt, die für dieses Anwendungsgebiet
wirtschaftliche und praktische Vorteile
haben. Als alkalilösliche Harze werden im allgemeinen
Mischungen von Phenol-Formaldehyd-Harzen oder Kresol-
Formaldehyd-Harzen verwendet. Bekannte Entwickler für
diese positiv-arbeitenden strahlungsempfindlichen Schichten
mit o-Naphthochinondiaziden sind Trinatriumphosphat,
Natriumhydroxid oder Natriumsilikat allein oder im Gemisch
in wäßriger Lösung. Wäßrige Lösungen dieser Entwickler
neigen jedoch gelegentlich dazu, das Druckplattenträgermaterial
Aluminium bzw. Aluminiumoxid durch ihre
ätzende Wirkung zu beeinträchtigten, außerdem kann das Entwicklungsergebnis
sehr unterschiedlich sein. Im Extremfall
kann schon ein geringfügiges Überschreiten der Entwicklungszeit
dazu führen, daß keine für die Druckpraxis
ausreichende Druckform entsteht. Bei Verringerung des
pH-Werts dauert die Entwicklung unannehmbar lange, wogegen
bei Erhöhung des pH-Werts der Aluminium- oder Aluminiumoxidträger
angeätzt wird, und dadurch sowohl die
Bildstellen als auch die Nichtbildstellen der Druckform
in unerwünschter Weise angegriffen bzw. entfernt werden.
Es sind auch bereits Entwicklerzusätze für "Positiventwickler"
bekannt geworden, wozu beispielsweise die folgenden
zählen:
- - aus der DE-PS 12 00 133 der Zusatz von wasserlöslichen Salzen der Fluorwasserstoffsäure oder von Säuren des Siliciums, Titans, Zinns oder Bors zu üblichen wäßrigen Alkalilösungen auf der Basis von beispielsweise Diethanolamin, Natriummetasilikat oder Trinatriumphosphat,
- - aus der DE-OS 28 34 958 der Zusatz von wasserlöslichen Salzen, Oxiden oder Hydroxiden des Calciums, Strontiums, Bariums oder verwandter Elemente zu wäßrig-alkalischen Entwicklerlösungen; auch Komplexbildner wie Hydrocarbonsäuren, Tenside, Antischaummittel oder Hydrokolloide werden als Zusatzkomponenten aufgeführt,
- - aus der US-PS 35 86 504 der Zusatz von Alkylphenol-poly- (hydroxyalkylenoxid) mit 6 bis 18 Mol Hydroxyalkylenoxid pro Mol Alkylphenol zu einem wäßrig-alkalischen Entwickler,
- - aus der US-PS 38 68 254 der Zusatz von ethoxylierten Alkylphenolen oder Dialkylphenolen zur lichtempfindlichen Schicht bereits vor deren alkalischen Entwicklung.
Die Entwicklerzusätze des Standes der Technik sind jedoch
nocht nicht in allen Fällen ausreichend, um einen möglichst
vielseitig anwendbaren Entwickler für positiv-arbeitende
Reproduktionsschichten zu ergeben. Aufgabe der vorliegenden
Erfindung ist es deshalb, ein Entwicklungsverfahren
vorzuschlagen, bei dem die Bildstellen sowie das Oxid an
den Nichtbildstellen möglichst wenig angegriffen werden.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum
Entwickeln von bildmäßig belichteten lichtempfindlichen
Schichten, die ein alkalilösliches Harz und ein o-
Naphthochinondiazid aufweisen, mit einer wäßrig-
alkalischen Lösung, die ein nicht-ionogenes Tensid
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das Tensid ein
ethoxyliertes Phenol, ein ethoxyliertes Alkanol, ein
ethoxyliertes Alkandiol, ein Alkindiol, ein ethoxyliertes
Alkindiol, ein Alkylenoxid-Blockcopolymer oder
ein Fettsäureamid ist.
Das im Entwickler vorhandene Komponentengemisch ist so
formuliert worden, daß es die Entwicklungsgeschwindigkeit
gegenüber einem mit Alkalilösung ohne Zusatz entwickelten
Material im wesentlichen unverändert läßt, aber
außerdem in der Praxis eine effektive Sperrwirkung gegen
die Ätzung des Aluminiums bzw. Aluminiumoxids aufweist.
Jede Alkaliverbindung, die in wäßriger Lösung Hydroxylionen
abspalten kann, ist für die praktische Durchführung
dieser Erfindung geeignet. Zu den einen alkalischen pH-
Wert bewirkenden Verbindungen zählen solche, die in Wasser
direkt Ionen abspalten oder Salze, die in Wasser Hydroxylionen
bilden, beispielsweise sind dies Natriumsilikat,
Natriummetasilikat, Trinatriumphosphat, Mononatriumphosphat
und Natriumhydroxid.
Bevorzugte Tenside sind beispielsweise ethoxylierte
Octylphenole, ethoxylierte Nonylphenole
oder andere unter
die oben definierte Gruppe fallenden Tenside;
zu den bevorzugten Tensiden gehören
auch die, die sich vom 2,4,7,9-Tetramethyl-decin (5)
-diol(4,7) ableiten, das auch ethoxyliert sein kann.
In der wäßrigen Entwicklerlösung können noch weitere
Zusätze, insbesondere in Salzform, verwendet werden,
die hydrophile, wasserunlösliche Schichten auf dem Trägermaterial
bilden können, selbst alkalisch reagierende
Systeme in Wasser bilden oder zur Pufferung des Systems
beitragen. Von diesen weiteren Zusätzen können 0,2 bis
10 Gew.-%, vorzugsweise 0,5 bis 5 Gew.-%, in der wäßrigen
Entwicklerlösung enthalten sein. Es können z. B. die
folgenden Salze der wäßrigen-alkalischen Lösung zugesetzt
werden: Salze der Fluorokieselsäure, Fluorotitansäure,
Fluorozinnsäure, Fluoroborsäure, Ortho- oder Metakieselsäure,
Orthotitansäure oder Zinnsäure, diese werden in
der DE-PS 12 00 133 ausführlicher beschrieben.
In einer zweckmäßigen Ausführungsform der Erfindung enthält
der Entwickler 0,2 bis 12 Gew.-% der den alkalischen
pH-Wert bewirkenden Verbindung, insbesondere 0,2
bis 10 Gew.-%, bevorzugt jedoch 3 bis 8 Gew.-%. Vom
nichtionogenen Tensid sind zweckmäßig 0,1 bis 10 Gew.-%,
vorzugsweise 0,5 bis 3 Gew.-% vorhanden. Der pH-Wert des
Entwicklers liegt im allgemeinen zwischen 7 und 14, vorzugsweise
zwischen 11 und 13.
Entwicklergemische, die zusätzlich eines der angegebenen
Tenside enthalten, sind beispielsweise wie folgt aufgebaut
(die Zahlenangaben sind solche in Gew.-%):
A enthärtetes Wasser | |
91,95 | |
Natriummetasilikat · 5 H₂O | 3,98 |
Trinatriumphosphat · 12 H₂O | 3,42 |
Mononatriumphosphat | 0,34 |
Natriumhydroxid | 0,71 |
B enthärtetes Wasser | |
92,20 | |
Natriummetasilikat · 5 H₂O | 4,01 |
Trinatriumphosphat · 12 H₂O | 3,45 |
Mononatriumphosphat | 0,34 |
C Trinatriumphosphat · 12 H₂O | |
0,75 | |
Natriummetasilikat | 3,50 |
Mononatriumphosphat · 1 H₂O | 0,20 |
wasserlösliche Methylcellulose mittlerer Viskosität | 0,10 |
dest. Wasser | 98,50 |
C Natriummetasilikat | |
0,45 | |
D Natriumhexametaphosphat | 0,09 |
dest. Wasser | 99,46 |
E Natriummetasilikat | |
5,60 | |
Natriumhexametaphosphat | 1,00 |
dest. Wasser | 93,40 |
F Natriummetasilikat | |
5,80 | |
Trinatriumphosphat · 12 H₂O | 1,80 |
Mononatriumphosphat | 0,40 |
dest. Wasser | 92,00 |
G dest. Wasser | |
95,90 | |
Natriummetasilikat | 2,00 |
Mononatriumphosphat | 0,80 |
Natriumhydroxid | 0,80 |
H dest. Wasser | |
95,84 | |
Natriummetasilikat | 1,91 |
Mononatriumphosphat | 0,76 |
Natriumhydroxid | 1,15 |
Probestücke einer mechanisch aufgerauhten und anodisch
oxidierten Aluminiumplatte, die eine lichtempfindliche
Beschichtung auf der Basis eines Veresterungsproduktes
aus 1 Mol 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 3 Mol
Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäurechlorid
und eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks trägt, werden in
einem Vakuumkopierrahmen belichtet. Ein Probestück wird
mit etwa 750 ml des weiter unten angegebenen Entwicklers
in einer kleinen Schale entwickelt, wobei die Schale auf
eine an einen Zeitschalter angeschlossene Schaukelvorrichtung
aufgesetzt wird. Der Entwickler hat folgende
Zusammensetzung (in Gew.-%)
Wasser | |
92,196 | |
Natriummetasilikat | 4,016 |
Trinatriumphosphat | 3,448 |
Mononatriumphosphat | 0,340 |
Die Entwicklungszeit wird auf 15 Minuten festgesetzt.
Das Probestück wird nach der Entwicklung abgespült und
trockengetupft, es dient als Kontrollprobe. Anschließend
werden nacheinander Probestücke in gleicher Weise,
jedoch unter Zugabe von 1 Gew.-% des jeweils eingesetzten
Tensids zu der Lösung entwickelt. Die Probestücke
werden ebenfalls abgespült und getrocknet und mit der
Kontrollprobe verglichen. In Tabelle 1 sind die mit den
verschiedenen Tensiden erzielten Ergebnisse aufgeführt.
Als Vergleichskriterien gelten:
- a) der 21stufige Stauffer-Keil, wobei eine höhere freie Keilstufe auf eine aggressivere Entwicklung hindeutet,
- b) die Rasterpunktzuspitzung (-abschwächung) oder der Rasterpunktverlust,
- c) der Angriff auf das Oxid an den Nichtbildstellen, sowie Zwischenstufen auf dem Staufferkeil; angezeigt durch die Bildung eines weißen, pulverigen Belags, der sich leicht abwischen läßt.
Es wird nach dem Verfahren gemäß den Beispielen 1 bis 4
und V1 und V2 mit einem Entwickler folgender Zusammensetzung
gearbeitet (in Gew.-%):
Wasser | |
91,545 | |
Natriummetasilikat | 3,988 |
Trinatriumphosphat | 3,423 |
Mononatriumphosphat | 0,337 |
Natriumhydroxid | 0,707 |
Da es sich bei diesem Entwicklertyp um einen aggressiveren
Entwickler handelt, werden die Proben jedoch nur
7 Minuten bei Schaukelbewegung entwickelt.
Claims (5)
1. Verfahren zum Entwickeln von bildmäßig belichteten
lichtempfindlichen Schichten, die ein alkalilösliches
Harz und ein o-Naphthochinondiazid aufweisen,
mit einer wäßrig-alkalischen Lösung, die
ein nicht-ionogenes Tensid enthält, dadurch gekennzeichnet,
daß das Tensid ein ethoxyliertes Phenol,
ein ethoxyliertes Alkanol, ein ethoxyliertes Alkandiol,
ein Alkindiol, ein ethoxyliertes Alkindiol,
ein Alkylenoxid-Blockcopolymer oder ein Fettsäureamid
ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Entwicklerlösung als den alkalischen pH-Wert
bewirkende Verbindung Trinatriumphosphat, Natriumhydroxyd,
Mononatriumphosphat, Natriumsilikat und/oder
Natriummetasilikat enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Entwicklerlösung 0,2 bis 12 Gew.-% der
den alkalischen pH-Wert bewirkenden Verbindung und
0,1 bis 10 Gew.-% des nichtionogenen Tensids enthält.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Entwicklerlösung zusätzlich
mindestens ein wasserlösliches Salz der Fluorokieselsäure,
Fluorotitansäure, Fluorozinnsäure, Fluoroborsäure,
Orthokieselsäure, Metakieselsäure, Orthotitansäure
oder Zinnsäure enthält.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß sich die Reproduktionsschicht auf
einem mechanisch, chemisch und/oder elektrochemisch
aufgerauhten und gegebenenfalls anodisch oxidierten
Träger aus Aluminium befindet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/287,465 US4374920A (en) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | Positive developer containing non-ionic surfactants |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3223386A1 DE3223386A1 (de) | 1983-02-10 |
DE3223386C2 true DE3223386C2 (de) | 1993-09-09 |
Family
ID=23103033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823223386 Granted DE3223386A1 (de) | 1981-07-27 | 1982-06-23 | Verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4374920A (de) |
DE (1) | DE3223386A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19520741A1 (de) * | 1994-06-07 | 1996-02-01 | Davatech Europ V O F | Entwickler zur Verwendung im Offset-Druckverfahren |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58190952A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性印刷版の現像液 |
US4436807A (en) | 1982-07-15 | 1984-03-13 | American Hoechst Corporation | Developer composition with sodium, lithium and/or potassium salts for developing negative working imaged photographic material |
JPS59121336A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版の現像液 |
DE3346979A1 (de) * | 1983-12-24 | 1985-07-04 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Entwickler fuer positivfotoresists |
DE3427556C1 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-02 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Verfahren zur Herstellung von Fotoresist-Reliefstrukturen mit UEberhangcharakter |
JPS6232453A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
JPH0638159B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1994-05-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
GB8628613D0 (en) * | 1986-11-29 | 1987-01-07 | Horsell Graphic Ind Ltd | Developing fluid for lithographic plates |
EP0269760A1 (de) * | 1986-12-02 | 1988-06-08 | Bernd Schwegmann GmbH & Co. KG | Feuchtwasserzusatz für den Offsetdruck |
JPS63158552A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
US4778616A (en) * | 1987-06-01 | 1988-10-18 | Hoechst Celanese Corporation | Scratch corrector for lithographic printing plates |
US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
DE68923844T2 (de) * | 1988-10-20 | 1995-12-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Entwickler für Positiv-Photolacke. |
US5246818A (en) * | 1989-08-16 | 1993-09-21 | Hoechst Celanese Corporation | Developer composition for positive working color proofing films |
JP2670711B2 (ja) * | 1990-05-29 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物用現像液 |
JP2920410B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1999-07-19 | コニカ株式会社 | 感光性平版印刷版の現像処理装置 |
DE4027299A1 (de) * | 1990-08-29 | 1992-03-05 | Hoechst Ag | Entwicklerzusammensetzung fuer bestrahlte, strahlungsempfindliche, positiv und negativ arbeitende sowie umkehrbare reprographische schichten und verfahren zur entwicklung solcher schichten |
US5532116A (en) * | 1992-01-13 | 1996-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Aqueous alkaline developing solution |
EP0732628A1 (de) * | 1995-03-07 | 1996-09-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Wässrig-alkalische Lösung zum Entwickeln von Flachdruckplatten |
US5998102A (en) * | 1997-10-06 | 1999-12-07 | Agfa Corporation | Etch inhibitors in developer for lithographic printing plates |
GB9723025D0 (en) * | 1997-11-01 | 1998-01-07 | Du Pont Uk | Improvements in or relating to the processing of lithographic printing plate precursors |
GB9723026D0 (en) * | 1997-11-01 | 1998-01-07 | Du Pont Uk | Improvements in or relating to the processing of lithographic printing plate precursors |
DE69901642T3 (de) | 1998-03-14 | 2019-03-21 | Agfa Nv | Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial |
US6455234B1 (en) | 1999-05-04 | 2002-09-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers |
US7348300B2 (en) * | 1999-05-04 | 2008-03-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
US6864395B2 (en) * | 1999-05-04 | 2005-03-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
US7208049B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment |
JP2001215690A (ja) | 2000-01-04 | 2001-08-10 | Air Prod And Chem Inc | アセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用 |
US6649324B1 (en) * | 2000-08-14 | 2003-11-18 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Aqueous developer for lithographic printing plates |
US6511790B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate |
JP2002351094A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 現像液組成物及び画像形成方法 |
JP4230130B2 (ja) | 2001-07-04 | 2009-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法 |
JP2003315987A (ja) | 2002-02-21 | 2003-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法 |
US6641986B1 (en) * | 2002-08-12 | 2003-11-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol surfactant solutions and methods of using same |
EP1400856B1 (de) | 2002-09-20 | 2011-11-02 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Flachdruckplatte |
WO2005043245A2 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-12 | Mallinckrodt Baker Inc. | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors |
JP2005321763A (ja) | 2004-04-06 | 2005-11-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版自動現像機の現像補充液補充方法 |
KR101112545B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2012-03-13 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101209049B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-12-07 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을 포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE581434A (de) * | 1958-08-08 | |||
US3707373A (en) * | 1969-03-17 | 1972-12-26 | Eastman Kodak Co | Lithographic plate developers |
US3586504A (en) * | 1969-10-24 | 1971-06-22 | Eastman Kodak Co | Photoresist developers and methods |
US3669660A (en) * | 1970-05-21 | 1972-06-13 | Polychrome Corp | Lithographic plate developing composition and process of use thereof |
US3745028A (en) * | 1971-04-26 | 1973-07-10 | Eastman Kodak Co | Lithographic plate desensitizer formulations |
US3738850A (en) * | 1971-10-04 | 1973-06-12 | Eastman Kodak Co | Lithographic plate desensitizer formulations |
US3891439A (en) * | 1972-11-02 | 1975-06-24 | Polychrome Corp | Aqueous developing composition for lithographic diazo printing plates |
US3891438A (en) * | 1972-11-02 | 1975-06-24 | Polychrome Corp | Aqueous developing composition for lithographic diazo printing plates |
US3868254A (en) * | 1972-11-29 | 1975-02-25 | Gaf Corp | Positive working quinone diazide lithographic plate compositions and articles having non-ionic surfactants |
US3954472A (en) * | 1974-08-26 | 1976-05-04 | S. O. Litho Corporation | Substractive developer for negative working lithographic plates |
US4130425A (en) * | 1976-12-29 | 1978-12-19 | Marcole, Inc. | Subtractive developer for lithographic plates |
US4308340A (en) * | 1980-08-08 | 1981-12-29 | American Hoechst Corporation | Aqueous 2-propoxyethanol containing processing composition for lithographic printing plates |
-
1981
- 1981-07-27 US US06/287,465 patent/US4374920A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-06-23 DE DE19823223386 patent/DE3223386A1/de active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19520741A1 (de) * | 1994-06-07 | 1996-02-01 | Davatech Europ V O F | Entwickler zur Verwendung im Offset-Druckverfahren |
DE19520741C2 (de) * | 1994-06-07 | 2003-01-30 | Davatech Europ V O F | Entwickler zur Verwendung im Offset-Druckverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3223386A1 (de) | 1983-02-10 |
US4374920A (en) | 1983-02-22 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3223386C2 (de) | ||
DE3315395C2 (de) | ||
DE3439597A1 (de) | Entwickler fuer belichtete negativ arbeitende reproduktionsschichten sowie verfahren zur herstellung von druckformen und verwendung des entwicklers | |
EP0537633A1 (de) | Verfahren zur Behandlung von aufgerauhten und anodisierten Flachdruckplatten und danach hergestellte Flachdruckplatten | |
EP0131575B1 (de) | Wässrig-alkalische lösung und verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten | |
DE3603372A1 (de) | Positive photoresistmischung | |
EP0301264B1 (de) | Phenoxypropanol enthaltendes, weitgehend pH-neutrales Entwicklergemisch für Flachdruckplatten | |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: HOECHST CELANESE CORP., SOMERVILLE, N.J., US |
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8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: EULER, K., DIPL.-CHEM. DR.PHIL.NAT., PAT.-ASS., 63 |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: MEYER-DULHEUER, K., DIPL.-CHEM. DR.PHIL., 6230 FRA |
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |