DE3215981A1 - Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren - Google Patents
Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahrenInfo
- Publication number
- DE3215981A1 DE3215981A1 DE19823215981 DE3215981A DE3215981A1 DE 3215981 A1 DE3215981 A1 DE 3215981A1 DE 19823215981 DE19823215981 DE 19823215981 DE 3215981 A DE3215981 A DE 3215981A DE 3215981 A1 DE3215981 A1 DE 3215981A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carbon
- granulate
- binder
- purity
- production
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abstich eines Ofens (1) mit abstichfähiger Schmelze. Das Abstichrohr (5) des Ofens wird elektrisch aufgeheizt, so daß dadurch das im Abstichrohr (5) befindliche Material, insbesondere Silicium, in die flüssige Phase überführt wird.
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT »3- Unser Zeichen
Berlin und München VPA 82 P 1 343 DE
Verfahren zum Herstellen hochreiner Ausgangsmaterialien für die Fertigung von Silizium für Solarzellen nach dem
carbothermischen Reduktionsverfahren.
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen hochreiner Ausgangsmaterialien für die
Fertigung von Silizium für Solarzellen nach dem carbothermischen Reduktionsverfahren, bei dem als Ausgangsmaterialien
Quarzsand, der durch einen Glasschmelz-ZAuslaugprozeß
in hochreines SiCL übergeführt worden ist, und zur Reduktion fein verteilter Kohlenstoff verwendet
werden.
Bei der großtechnischen Herstellung von Silizium (metalurgical grade) wird natürlich-vorkommender Quarz
mit Kohlenstoff (Petrolkoks, Koks, Kohle, Holzkohle) im Lichtbogenofen reduziert. Da bei diesem Prozeß verunreinigte
Ausgangssubstanzen (SiOp, Kohlenstoff) eingesetzt werden, besitzt das hergestellte Silizium nur eine
Reinheit von ungefähr 98 % und ist damit für die Herstellung
von Solarzellen ungeeignet. Solarsilizium läßt sich mit diesem Verfahren nur dann erzeugen, wenn auch
die Ausgangssubstanzen eine sehr hohe Reinheit und die erforderliche Reaktivität besitzen. Für den breiten Einsatz
von Solarzellen müssen darüber hinaus die Ausgangssubstanzen kostengünstig und mit gleichbleibender
Qualität hergestellt werden.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist aus der europäischen Patentanmeldung 0029157 zu entnehmen. Bei
diesem Verfahren wird aus verunreinigtem Quarzsand, Boroxid und Soda ein Natrium-Borosilikatglas erschmolzen
Edt 1 Plr/28.4.1982
"Ζ" VPA 82P 13*3DE
und dieses Glas in einen Glaskörper mit großer Oberfläche (Fasern, Bänder, Folien) übergeführt. Durch einen
anschließenden Temperprozeß wird in dem Glaskörper eine Phasentrennung herbeigeführt, bei der neben einer
Si0o-reichen Phase eine Na0O-B0O,-reiche Phase entsteht,
in welcher sich die störenden Verunreinigungen ansammeln. Durch eine anschließende Säurebehandlung wird
die NapO-BpO,-reiche Phase mitsamt der Verunreinigungen
aus dem Glaskörper ausgelaugt, so daß nur hochreines SiOp zurückbleibt, welches dann der Kohlenstoff-Reduktion
im Lichtbogen zugeführt werden kann. Bei dem so hergestellten SiOp kann der Gehalt an Übergangsmetallionen
bis in den ppm-Bereich und darunter abgesenkt werden.
Die Verminderung des Borgehaltes, welcher stark dotierend in Silizium wirkt, läßt sich dadurch herbeiführen,
daß gemäß der Patentanmeldung P 31"23 009.1 das
Phasentrennungsauslaugverfahren so durchgeführt wird, daß kein Bor vor oder während des Prozesses in die Glasschmelze
gelangt. Es werden bei der Überführung in die Glasphase ein Gemisch aus Aluminiumoxid und Carbonaten
und/oder Oxiden der Elemente der Alkali- und Erdalkalimetallgruppe zugesetzt und eine homogene Glasschmelze
bei 13000C bis 15000C hergestellt, die in die" Glasfaser
übergeführt und ohne Temperung dem Phasentrennungsauslaugverfahren
unterworfen wird. Das auf diese Weise erhaltene feinpulverige SiOp besitzt einen für die
Fertigung von Solarzellen ausreichenden Reinheitsgrad (Borgehalt kleiner 1 ppm; Übergangsmetalle kleiner
10 ppm).
Neben hochreinem SiOp wird für den Reduktionsprozeß auch hochreiner Kohlenstoff benötigt. Kohlenstoff mit den erforderlichen
Eigenschaften ist zur Zeit kommerziell nicht erhältlich. Die für die Herstellung von metalurgical
grade-Silizium verwendeten Materialien besitzen im
- /- VPA 82 P 13 43 DE
allgemeinen einen Aschegehalt von 0,1 bis 1 %, sind also für die Herstellung von Solarsilizium ungeeignet. Einen
wesentlich niedrigeren Verunreinigungspegel besitzt Graphit, der durch eine Hochtemperaturbehandlung (größer
I200Q0C) mit fluorierten Kohlenwasserstoffen gereinigt
wurde. Dieses Material ist jedoch wegen der hohen Kosten und seiner geringen Reaktivität für den Reduktionsprozeß
ungeeignet.
Aufgabe der Erfindung ist es, sowohl SiOp als auch
Kohlenstoff in ausreichender Reinheit für das carbothermische Reduktionsverfahren in möglichst einfacher
und kostengünstiger Weise herzustellen.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs genannen Art gelöst, welches erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet
ist, daß der Kohlenstoff vor dem Reduktionsprozeß einem Reinigungsverfahren in der Weise
unterworfen wird, daß er mit einem Binder in eine Granulatform übergeführt wird, daß das Kohlenstoffgranulat
einer Extraktion in einer heißen anorganischen Säurelösung unterzogen wird und daß abschließend das
hochgereinigte Kohlenstoffgranulat direkt zur Reduktion
von aus hochreinem SiOp mittels eines Binders hergestellten Granulats verwendet wird. Dabei liegt es im
Rahmen der Erfindung, daß als Granulat Pillen oder Tabletten aus Kohlenstoff und/oder aus SiOp verwendet
werden.
Zwar ist aus der DE-OS 30 13 319 bekannt, für den Reduktionsprozeß
von SiOp zur Herstellung von für Solarzellen geeignetem Silizium bei Hochtemperaturschraelzverfahren
aktivierten Kohlenstoff oder Ruß in Form von Tabletten zu verwenden, die ein hochgereinigtes Bindemittel
wie Stärke, Zucker oder Zellulose und Quarzsand enthalten, doch liegt der nach der Reduktion
erreichte Reinheitsgrad des Silizium für den Borgehalt
_ VPA 82P 1343 OE
kleiner 7 ppm und für den Phosphorgehalt kleiner 5 ppm.
Um den Reinheitsgrad noch zu verbessern, und Silizium in Solarzellenqualitat herzustellen, wird deshalb im An-Schluß
an den Reduktionsprozeß bei dem bekannten Verfahren noch ein Schmelzprozeß angeschlossen, in welchem
die Verunreinigungeidurch zonenweises Ausschmelzen abgetrennt
werden. Dieser zusätzliche Prozeßschritt erübrigt sich beim Verfahren nach der Lehre der Erfindung durch
den Auslaugprozeß.
Bei diesem Extraktionsprozeß werden die störenden Verunreinigungen
wie z. B. Calzium, Aluminium und die Übergangsmetalle entfernt, so daß hochreines Kohlenstoffgranulat
erhalten wird, das eine hohe Reaktivität im Reduktionsprozeß aufweist. Nach dem Trocknen kann das
Granulat im Lichtbogenofen sofort eingesetzt werden. Mit diesem Verfahren kann Kohlenstoff folgender Reinheit erhalten
werden: Übergangsmetalle (Fe, Ni), Al, Mg, Ca< 10 ppm, Bor und Phosphor
< 1 ppm.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, daß in Abänderung des Verfahrens nach Anspruch
1 der Kohlenstoff im Gemisch mit dem aus Quarzsand und glasbildenden Zuschlagen gebildeten, vorzugsweise
in die Faserform übergeführten und zerkleinerten Glaskörper mittels eines Binders in die Granulatform gebracht
und in einer heißen anorganischen Säurelösung, vorzugsweise Salzsäure, extrahiert wird. Dabei werden
als Zuschläge Alkali- und Erdalkalioxide, wie Na2/ CaO,
AIpO,, und/oder MgO verwendet. Die z. B. ca. 10 bis
100 μΐη dicken Fasern werden zerkleinert, mit der erforderlichen
Menge an fein verteiltem Kohlenstoff, z. B. 2 Mol Kohlenstoff zu 1 Mol SiO-, und einem geeigneten
Binder, z. B. einem hochreinen Phenolharz, gemischt und in Pillen bzw. Tabletten übergeführt. Anschließend
werden diese Pillen mit einer heißen anorganischen Säure, z. B. Salzsäure, ausgelaugt, wobei sämtliche
-/- VPA 82 P 13 4 3 DE
Verunreinigungen aus der Glasmatrix und dem Kohlenstoff
entfernt werden. Die hochreinen SiOp/Kohlenstoff-Pillen
oder -Tabletten können nach dem Trocknen direkt im Lichtbogen zu Silizium reduziert werden. Falls erforderlich/
können zur Korrektur des stöchiometrischen Si02/Kohlenstoff-Verhältnisses Pillen oder Tabletten aus
reinem SiO? und reinem Kohlenstoff zugegeben werden.
Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach
der Lehre der Erfindung wird zum Extrahieren eine 3n - 6n heiße Salzsäure von mindestens 900C verwendet.
Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß als Binder hochreine Substanzen, die bei Temperaturen im Bereich
von 600QC mit SiO2 und/oder Kohlenstoff noch
mechanisch stabil sind, verwendet werden. Die chemische Zusammensetzung des Binders sowie seine Konzentration in
der Pille oder Tablette muß so gewählt werden, daß ihre Form durch den Auslaugprozeß nicht zerstört wird, und im
Lichtbogen eine ausreichende Festigkeit noch vorhanden ist, damit kein vorzeitiger Zerfall einsetzt und die
Pillen bzw. Tabletten als Staub mit den Reaktionsgasen (CO, COp) aus dem Ofen getragen werden.
Bei der Herstellung der Granulatform (Kornvergrößerung) werden deshalb gemäß der Lehre der Erfindung bevorzugt
Phenolharze, aber auch Stärke oder Natriumsilikat verwendet. Der Anteil des Binders im Granulat wird dabei
auf 5 bis 15 % eingestellt. Der Durchmesser des Granulats beträgt /► 6 mm, vorzugsweise 6 bis 25 mm. Als
Ausgangsmaterial für den hochreinen Kohlenstoff wird Ruß, Aktivkohle oder auch gemahlene Holzkohle eingesetzt.
Claims (12)
1. Verfahren zum Herstellen hochreiner Ausgangs-
materialien für die Fertigung von Silizium für Solarzellen nach dem carbothermischen Reduktionsverfahren/
bei dem als Ausgangsmaterialien Quarzsand, der durch einen Glasschmelz-ZAuslaugprozeß in hochreines SiOp
übergeführt worden ist/ und zur Reduktion feinverteilter Kohlenstoff verwendet werden, dadurch
gekennzeichnet , daß der Kohlenstoff vor dem Reduktionsprozeß einem Reinigungsverfahren in der
Weise unterworfen wird, daß er mit einem Binder in eine Granulatform übergeführt wird, daß das Kohlenstoffgranulat
einer Extraktion in einer heißen anorganischen Säurelösung unterzogen wird und daß abschließend das
hochgereinigte Kohlenstoffgranulat direkt zur Reduktion von aus hochreinem SiOp mittels eines Binders hergestellten
Granulats verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als Granulat Pillen
oder Tabletten von Kohlenstoff und SiO2 verwendet
werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß in Abänderung des
Verfahrens nach Anspruch 1 der Kohlenstoff im Gemisch mit dem aus Quarzsand und glasbildenden Zuschlägen gebildeten,
vorzugsweise in die Faserform übergeführten und zerkleinerten Glaskörper mittels eines Binders in
die Granulatform gebracht und in vorzugsweise heißer Salzsäure extrahiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß als Zuschläge Alkali- und Erdalkali-Oxide, wie Na2O, CaO, Al2O, oder
MgO verwendet werden.
- f- VPA 82 P 1 3 h 3 DE
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß eine 3n bis 6n Salzsäure
von mindestens 9O°C verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5/ dadurch gekennzeichnet , daß das Mol-Verhältnis
Kohlenstoff zu SiO» auf 2 : 1 eingestellt wird.
7- Verfahren nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet , daß zur Korrektur des stöchiometrischen SiOp/Kohlenstoff-Verhältnisses Pillen
oder Tabletten aus reinem SiO„ und/oder reinem Kohlenstoff
beigegeben werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß als Binder hochreine
Substanzen, die bei Temperaturen im Bereich von 600°C mit SiOp und/oder Kohlenstoff noch mechanisch stabil
sind, verwendet werden.
9· Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß Phenolharze, Sucrose
oder Natriumsilikate verwendet werden. 25
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß der Anteil des Binders
auf 5 bisi5 % eingestellt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet , daß als Ausgangsmaterial für den Kohlenstoff Ruß>
Aktivkohle oder gemahlene Holzkohle verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet , daß der Durchmesser des
Granulats auf > 6 mm, vorzugsweise auf 6 bis 25 mm, eingestellt wird.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823215981 DE3215981A1 (de) | 1982-04-29 | 1982-04-29 | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
LU84501A LU84501A1 (de) | 1982-04-29 | 1982-12-03 | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solartellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
JP58069088A JPS58190809A (ja) | 1982-04-29 | 1983-04-19 | シリコン生成用高純度原材料の製造方法 |
US06/486,685 US4460556A (en) | 1982-04-29 | 1983-04-20 | Method for producing high purity Si for solar cells |
NO831484A NO161250C (no) | 1982-04-29 | 1983-04-27 | Fremgangsmaate til fremstilling av hoeyrenset silisium som er egnet for fremstilling av solceller i henhold til en karbotermisk reduksjonsprosess. |
IT20804/83A IT1164196B (it) | 1982-04-29 | 1983-04-27 | Procedimento per la produzione di materiali di partenza di alta purezza per la fabbricazione di silicio per celle solari col processo di riduzione carbotermica |
CA000426893A CA1198879A (en) | 1982-04-29 | 1983-04-28 | Method for producing high purity starting material for attaining si for solar cells |
BR8302183A BR8302183A (pt) | 1982-04-29 | 1983-04-28 | Processo para a preparacao de materiais de partida altamente puros para o apresto de silicio para celulas solares pelo processo de reducao carbotermica |
ZA832998A ZA832998B (en) | 1982-04-29 | 1983-04-28 | A process for the production of high-purity starting material for the production of silicon,particularly for use in solar cells |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823215981 DE3215981A1 (de) | 1982-04-29 | 1982-04-29 | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3215981A1 true DE3215981A1 (de) | 1983-11-03 |
DE3215981C2 DE3215981C2 (de) | 1990-10-04 |
Family
ID=6162270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823215981 Granted DE3215981A1 (de) | 1982-04-29 | 1982-04-29 | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4460556A (de) |
JP (1) | JPS58190809A (de) |
BR (1) | BR8302183A (de) |
CA (1) | CA1198879A (de) |
DE (1) | DE3215981A1 (de) |
IT (1) | IT1164196B (de) |
LU (1) | LU84501A1 (de) |
NO (1) | NO161250C (de) |
ZA (1) | ZA832998B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3439550A1 (de) * | 1984-10-29 | 1986-04-30 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von silizium fuer solarzellen |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3732073A1 (de) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen |
FR2827592B1 (fr) * | 2001-07-23 | 2003-08-22 | Invensil | Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration |
DE60314162T2 (de) * | 2002-08-29 | 2007-09-06 | Elkem As | Herstellung von metallen und legierungen unter verwendung von aus einem kohlenstoffhaltigen gas erzeugtem festem kohlenstoff |
EP1837561B1 (de) | 2002-10-29 | 2009-11-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Ölring |
BRPI0709288A2 (pt) * | 2006-03-15 | 2011-07-05 | Reaction Sciances Inc | método para produzir silìcio tendo alta pureza, método para preparar sìlicio de alta pureza, método para prepara sìlica de alta pureza e método para purificar silìcio de baixo grau para silìcio de alto grau |
US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
ITMI20081085A1 (it) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | N E D Silicon S P A | Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza. |
CA2733354A1 (en) | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Electrodynamic Applications, Inc. | Plasma processes for producing silanes and derivatives thereof |
JP2012504100A (ja) | 2008-09-30 | 2012-02-16 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 二酸化珪素からのソーラーグレードシリコンの製造 |
DE102008042498A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
EP2322474A1 (de) | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
CN106672976A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-05-17 | 石兵兵 | 一种低硼多晶硅及其制备方法 |
CN108147414B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-12-01 | 宁夏大学 | 一种纳米级硅颗粒的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE538783C (de) * | 1927-04-30 | 1931-11-16 | Daniel Gardner | Herstellung von Kohlenstoff von hoher Reinheit |
DE553235C (de) * | 1929-11-08 | 1932-06-23 | Carbonfix Sarl Soc | Herstellung reiner, praktisch aschefreier Kohle |
DE1946458A1 (de) * | 1968-09-17 | 1970-04-23 | Minerais Sa Des | Verfahren zur Verkokung von Pech und zur Erzeugung von stueckigem Kohlenstoff grosser analytischer Reinheit |
DE2706536A1 (de) * | 1976-02-23 | 1977-08-25 | Aluminum Co Of America | Aufreinigung von kohle |
EP0029157A1 (de) * | 1979-11-08 | 1981-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand und dessen Verwendung für Solarzellen |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
-
1982
- 1982-04-29 DE DE19823215981 patent/DE3215981A1/de active Granted
- 1982-12-03 LU LU84501A patent/LU84501A1/de unknown
-
1983
- 1983-04-19 JP JP58069088A patent/JPS58190809A/ja active Pending
- 1983-04-20 US US06/486,685 patent/US4460556A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-04-27 IT IT20804/83A patent/IT1164196B/it active
- 1983-04-27 NO NO831484A patent/NO161250C/no unknown
- 1983-04-28 CA CA000426893A patent/CA1198879A/en not_active Expired
- 1983-04-28 BR BR8302183A patent/BR8302183A/pt unknown
- 1983-04-28 ZA ZA832998A patent/ZA832998B/xx unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE538783C (de) * | 1927-04-30 | 1931-11-16 | Daniel Gardner | Herstellung von Kohlenstoff von hoher Reinheit |
DE553235C (de) * | 1929-11-08 | 1932-06-23 | Carbonfix Sarl Soc | Herstellung reiner, praktisch aschefreier Kohle |
DE1946458A1 (de) * | 1968-09-17 | 1970-04-23 | Minerais Sa Des | Verfahren zur Verkokung von Pech und zur Erzeugung von stueckigem Kohlenstoff grosser analytischer Reinheit |
DE2706536A1 (de) * | 1976-02-23 | 1977-08-25 | Aluminum Co Of America | Aufreinigung von kohle |
US4083940A (en) * | 1976-02-23 | 1978-04-11 | Aluminum Company Of America | Coal purification and electrode formation |
EP0029157A1 (de) * | 1979-11-08 | 1981-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand und dessen Verwendung für Solarzellen |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3439550A1 (de) * | 1984-10-29 | 1986-04-30 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von silizium fuer solarzellen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4460556A (en) | 1984-07-17 |
NO161250B (no) | 1989-04-17 |
NO161250C (no) | 1989-07-26 |
NO831484L (no) | 1983-10-31 |
IT8320804A0 (it) | 1983-04-27 |
DE3215981C2 (de) | 1990-10-04 |
IT1164196B (it) | 1987-04-08 |
CA1198879A (en) | 1986-01-07 |
ZA832998B (en) | 1984-01-25 |
BR8302183A (pt) | 1984-04-17 |
JPS58190809A (ja) | 1983-11-07 |
LU84501A1 (de) | 1983-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3215981A1 (de) | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren | |
DE3635064A1 (de) | Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium | |
DE2945141C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand | |
DE619129C (de) | Verfahren zur Gewinnung von Tonerde | |
GB1560503A (en) | Process for working up waste fly dusts | |
EP0137306A2 (de) | Verfahren zur Befreiung von Siliciumbruchstücken von Verunreinigungen | |
EP0577119A2 (de) | Verfahren zur Verglasung von Kraftwerksasche | |
DE2908570A1 (de) | Verfahren zur rueckgewinnung der wertmetalle aus katalysatoren | |
DE2252904A1 (de) | Verfahren zum vermindern der loeslichkeit von blei in bleihaltigen glasuren und fritten | |
DE2619604A1 (de) | Verfahren zur herstellung von fluessigem wasserglas | |
DE752067C (de) | Verfahren zur Herstellung Kalk und Magnesia enthaltender feuerfester Baustoffe | |
DE3439550A1 (de) | Verfahren zum herstellen von silizium fuer solarzellen | |
DE2625532C3 (de) | Verwendung von Schmelzgranulaten aus Schlacken von metalsilikathaltiger Steinkohle | |
DD291535A5 (de) | Verfahren zur hydrothermalen herstellung von natriumsilikatloesungen | |
EP0230582A1 (de) | Verfahren zur Reinigung von Kieselsäure | |
EP0527353B1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Silicium im Elektroniederschachtofen und Rohstoff-Formlinge für die Durchführung des Verfahrens | |
DE3503097A1 (de) | Verfahren zum reinigen von silicium | |
DE2201313C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Schleifwerkzeuges aus Korund, kubischem Bornitrid oder Diamant als Schleifkorn und einem keramischen Bindemittel | |
DE599101C (de) | Verfahren zur Herstellung von Berylliumverbindungen aus berylliumhaltigen Mineralien | |
DE2346608C3 (de) | Verfahren zum Erschmelzen von Glas mit erhöhter chemischer Resistenz unter Verwendung von Rauchgas- oder Filterstaub | |
DD136608B3 (de) | Aufbereitung von dispers-amorpher hydrolysekieselsaeure | |
DE687332C (de) | Verfahren zum Abscheiden des Antimons und Bleies aus vorwiegend antimon- und bleihaltigen Massen | |
DE609559C (de) | Verfahren zur Herstellung von an Phosphor reichem, von Silicium sowie von Titan weitgehend bis voellig freiem Ferrophosphor | |
AT140563B (de) | Verfahren zur Herstellung von Glas. | |
DD160961A3 (de) | Verfahren zur aufbereitung dispers-amorpher hydrolysekieselsaeure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: C01B 33/02 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |