DE3208611C2 - - Google Patents
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- DE3208611C2 DE3208611C2 DE19823208611 DE3208611A DE3208611C2 DE 3208611 C2 DE3208611 C2 DE 3208611C2 DE 19823208611 DE19823208611 DE 19823208611 DE 3208611 A DE3208611 A DE 3208611A DE 3208611 C2 DE3208611 C2 DE 3208611C2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristall
zelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Es ist aus der DE-OS 28 27 258 bereits bekannt, auf aus
Glas bestehende Deckplatten von Flüssigkristall-Anzeige
anordnungen durchgehende Siliziumoxidschichten aufzu
bringen, die die Elektroden tragen. Es ist weiter bekannt,
z. B. aus der DE-AS 26 13 925, auch auf die Elektroden
eine Siliziumoxidschicht aufzubringen, die eine Ober
flächenstrukturierung zur Ausrichtung der Flüssigkri
stallmoleküle aufweist.
Es ist weiter bekannt, auf den inneren Deckflächen sol
cher Flüssigkristallzellen organische oder anorganische
dielektrische Schichten aufzubringen, die eine Oberflä
chenstrukturierung besitzen, um dadurch eine einheitliche
Ausrichtung der angrenzenden Flüssigkristallschicht zu
bewirken.
Flüssigkristallzellen, die während des Herstellungsvor
ganges oder aber während des Betriebs beispielsweise
höheren Temperaturen ausgesetzt sind, zeigten häufig eine
stark reduzierte Lebensdauer.
Die vorliegende Erfindung macht es sich zur Aufgabe, eine
Verringerung der Temperaturempfindlichkeit solcher ein
gangs genannter Flüssigkristall-Anzeigezellen bei ver
längerter Lebensdauer zu erreichen.
Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Patent
anspruchs 1 beschriebenen Merkmale gelöst.
Anhand des in der Figur dargestellten Ausführungsbei
spiels wird die Erfindung nachfolgend näher erklärt.
Die Figur zeigt stark vergrößert einen Querschnitt durch
eine Flüssigkristallzelle, deren beide Deckplatten 1 und
2 aus einem natriumhaltigen Glas, wie z. B. einem Natron
kalkglas bestehen. Diese beiden Deckplatten 1 und 2
weisen an ihren Außenflächen beispielsweise Polarisator
folien 13 auf. Die Abstände der beiden Deckplatten 1 und
2 voneinander wird durch Abstandsteile 9 erreicht, die
ggf. auch gleichzeitig als Verschlußteile der Zelle, die
in ihrem Inneren den Flüssigkristall 12 enthält, dienen
kann.
Auf der Innenseite der Deckplatte befinden sich außerdem
Elektroden 14 bzw. 15 zur elektrischen Ansteuerung des
Flüssigkristallmaterials 12. Über den Elektroden 14 und
15 befinden sich dielektrische Schichten 6 und 5, die z.
B. aus Siliziumoxid bestehen und die verhindern sollen,
daß durch den Flüssigkristall 12 ein nennenswerter Strom
fließt. Die Elektroden können, wie z. B. im Zusammenhang
mit der einen Elektrode 14 gezeigt, nach außen geführt
sein und mit einem elektrisch leitenden Kontaktierungs
belag 10 verbunden sein.
Die vorliegende Erfindung sieht nun vor, daß die sich
einander zugewandten Oberflächen der aus natriumhaltigem
Glas bestehenden Deckplatten 1 und 2 mit einer durch
gehenden mit Phosphor dotierten Siliziumoxidschicht
versehen sind. Es handelt sich dabei bevorzugt um eine
Siliziumschicht. Es hat sich gezeigt, daß, wenn diese
Schicht möglichst durchgehend und dicht ist, eine Lebens
dauerverlängerung und/oder eine verringerte Temperatur
abhängigkeit der Flüssigkristallzelle erzielt wird. Es
wird angenommen, daß die durchgehende, phosphordotierte
Siliziumoxidschicht direkt auf der Glasoberfläche ver
hindert, daß Natriumionen aus dem Glas heraustreten und
ggf. in den Flüssigkristall eindringen können. Diese
erfindungsgemäße Schicht wirkt anscheinend als eine
Diffusionssperre.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ergibt eine
Phosphordotierung zwischen 0,1% und 10%, insbesondere
zwischen 1% und 5%, offenbar eine erhöhte Dichtigkeit
dieser Siliziumoxidschicht gegenüber Natriumionen.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung
sind diese direkt auf den Glasoberflächen befindlichen
durchgehenden Siliziumoxidschichten 3 und 4 mit Phosphor
dotiert, hingegen die auf den Elektroden 14 und 15 ange
ordneten Siliziumoxidschichten 5 und 6 weitgehend dotie
rungsfreie Siliziumoxidschichten. Eine solche Kombination
dieser Schichten hat sich als besonders günstig erwiesen.
Auf den inneren Oberflächen der Siliziumoxidschichten 5
und 6 können noch weitere Orientierungsschichten 7 und 8
angeordnet sein, die eine einheitliche Ausrichtung der
Flüssigkristallmoleküle bewirken. Eine die Flüssigkri
stalle orientierende Oberflächenstrukturierung erreicht
man z. B. durch Reiben der direkt an die Flüssigkristall
schicht angrenzenden Oberflächen.
Claims (8)
1. Flüssigkristallzelle mit wenigstens einer aus Glas
bestehenden Deckplatte, auf deren inneren Oberfläche eine
durchgehende, isolierende oder halbleitende Siliziumoxid
schicht und auf dieser wenigstens eine schichtartige
Elektrode und ggf. weitere isolierende oder halbleitende
Schichten angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß
bei einer aus natriumhaltigem Glas bestehenden Deckplatte
die Siliziumoxidschicht eine Phosphordotierung aufweist.
2. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Siliziumoxidschicht mit 0,1% bis 10%,
vorzugsweise 0,5% bis 5%, insbesondere mit 1% bis 5%
Phosphor dotiert ist.
3. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß sich zumindest auf den Elektroden
eine weitere Siliziumoxidschicht befindet.
4. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die weitere Siliziumoxidschicht ebenfalls
mit Phosphor dotiert ist.
5. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die weitere Siliziumoxidschicht etwa mit
der gleichen Menge Phosphor dotiert ist wie die sich
direkt auf der Deckplatte befindliche Siliziumoxidschicht.
6. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die weitere Siliziumoxidschicht von Dotie
rungsstoffen weitgehend frei ist.
7. Flüssigkristallzelle nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere isolierende
oder halbleitende Schicht, die direkt an die Flüssigkri
stallschicht angrenzt, eine zumindest die angrenzenden
Flüssigkristallmoleküle ausrichtende Oberflächenbeschaffen
heit besitzt.
8. Flüssigkristallzelle nach einem der Ansprüche 1, 2
oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich zumindest auf
den Elektroden eine weitere anorganische isolierende
Schicht befindet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823208611 DE3208611A1 (de) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | Fluessigkristallzelle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823208611 DE3208611A1 (de) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | Fluessigkristallzelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3208611A1 DE3208611A1 (de) | 1983-09-22 |
DE3208611C2 true DE3208611C2 (de) | 1989-09-07 |
Family
ID=6157826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823208611 Granted DE3208611A1 (de) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | Fluessigkristallzelle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3208611A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3710223C2 (de) * | 1987-03-27 | 2002-02-21 | Aeg Ges Moderne Inf Sys Mbh | Leiterbahnenanordnung mit einer überlappenden Verbindung zwischen einer metallischen Leiterbahn und einer ITO-Schicht-Leiterbahn auf einer Isolierplatte aus Glas |
JP2655719B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-09-24 | 富士通株式会社 | 液晶表示素子 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51114145A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-07 | Sharp Corp | A method of forming twist-nematic liquid crystal indicating element of field effect type |
DE2827258A1 (de) * | 1978-06-21 | 1980-01-03 | Siemens Ag | Elektrooptische anzeigevorrichtung, insbesondere fluessigkristallanzeige |
-
1982
- 1982-03-10 DE DE19823208611 patent/DE3208611A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3208611A1 (de) | 1983-09-22 |
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Legal Events
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