DE3150525A1 - POLYCRYSTALLINE ZINKSULFID AND ZINKSELENID PRODUCTS WITH IMPROVED OPTICAL QUALITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SUCH ARTICLES - Google Patents
POLYCRYSTALLINE ZINKSULFID AND ZINKSELENID PRODUCTS WITH IMPROVED OPTICAL QUALITY AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SUCH ARTICLESInfo
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München, den 21. Dezember I98IMunich, December 21, 1989I
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Polykristalline Zinksulfid- und Zinkselenid-Erzeugnisse mit verbesserter optischer Qualität sowie Verfahren zur Herstellung derartiger Artikel Polycrystalline zinc sulfide and zinc selenide products with improved optical quality as well as processes for the manufacture of the current articles
Die Erfindung betrifft polykristalline Zinksulfid- und Zink-;. selenid-Erzeugnisse mit verbesserter optischer Qualität so- ywie ein Verfahren zur Herstellung derartiger Artikel. ;;The invention relates to polycrystalline zinc sulfide and zinc ;. selenide products with improved optical quality so-y as a method for producing such articles. ;;
Zinksulfid und Zinkselenid werden bei Anwendungsfällen eingesetzt, bei denen Übertragungsfähigkeit für langwellige Infrarotstrahlung, gefordert ist. Ein Beispiel für solche Anwendungsfälle sind Geschoßhauben. Zinksulfid ist ein Hauptfenstermaterial für Bord-FLIR (forward-looking infrared^Systeme. Diese Verbindungen gehören zu den chemisch und mechanisch dauerhaftesten Materialien, die im Infrarotbereich des elek-tromagnetischen Spektrums bis zu einer Wellenlänge von näherungsweise 10 Mikrometer transparent sind, in den erforderlichen Abmessungen verfügbar sind und Übertragungsmöglichkeit auch im sichtbaren Bereich des Spektrums besitzen. Ein diesen. Verbindungen anhaftendes Problem besteht jedoch darin, daß die Übertragung im sichtbaren Bereich und im nahen Infrarotbereich des elektromagnetischen Spektrums ungenügend ist. Es wurden sich zusätzliche Anwendungsmöglichkeiten für diese Verbindungen ergeben, wenn ihre Transparenz im sichtbaren und nahen infraroten Wellenlängenbereich verbessert werden könnte. Sie würden sich dann auch für Anwendungsfälle verwenden lassen, die eine multispektrale Übertragung erfordern. Während '-.: die Wellenlängenbegrenzung irr fernen Infrarotbereich eine dem.Zinc sulfide and zinc selenide are used in applications where transmission capability for long-wave infrared radiation is required. An example of such use cases are bullet hoods. Zinc sulfide is a major window material for onboard FLIR (forward-looking infrared ^ systems. These compounds are among the most chemically and mechanically durable materials in the infrared range of the electromagnetic Spectrum up to a wavelength of approximately 10 micrometers are transparent, are available in the required dimensions and can be transmitted also have in the visible range of the spectrum. One of these. The problem associated with compounds, however, is that the transmission in the visible range and in the near infrared range of the electromagnetic spectrum is insufficient. It have found additional uses for these compounds result if their transparency in the visible and near infrared wavelength range could be improved. They could then also be used for applications that require multispectral transmission. While '-.: the wavelength limitation in the far infrared range is a dem.
-r.-r.
Material innewohnende Eigenschaft ist und mit der Quantenabsorption zusammenhängt, ist die kurzwellige Grenze durch verschiedene unvollständig charakterisierte äußere Effekte bestimmt=Material is inherent property and related to quantum absorption related, the short-wave limit is due to various, incompletely characterized external effects determined =
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, polykristalline Zinksulfid- und Zinkselenid-Erzeugnisse mit verbesserter optischer Qualität sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung anzugeben.The invention is based on the object of providing polycrystalline zinc sulfide and zinc selenide products with improved optical quality and a process for their production.
Die Erzeugnisse sind erfindungsgemäß mit den im Patentanspruch 1 genannten Merkmalen ausgestattet.The products are according to the invention with those in claim 1 features mentioned.
Der Patentanspruch 3 beschreibt das Verfahren zu ihrer Herstellung gemäß der Erfindung.Claim 3 describes the process for their production according to the invention.
Die weiteren Unteransprüche haben Weiterbildungen des Verfahrens gemäß der Erfindung zum Gegenstand. Auf sie wird hiermit zur Verkürzung der Beschreibung ausdrücklich verwiesen .The further subclaims have developments of the method according to the invention to the subject. Reference is hereby expressly made to them in order to shorten the description .
Isostatisches Heißpressen (HIP) ist die gleichzeitige Anwendung von Wärme und Druck mittels eines inerten, d.h. neutralen Arbeitsfluids. Es wurde herausgefunden, daß eine HIP-Behandlung von Zinksulfid- und Zinkselenid-Proben eine Verbesserung hervorruft, die über die Beseitigung von Poren hinausgeht. Die Behandlung führte zu einer wesentlichen Verbesserung der Transparenz bei Wellenlängen, die kürzer sind als zwei Mikrometer. Es wurde auch herausgefunden, daß Proben von Zinksulfid verbesserte Transmissionseigenschaften über ihre gesamte effektive spektrale Bandbreite erhalten. Die Begrenzung in der Transparenz von Zinksulfid und Zinkselenid ist auf Streuungs-und Absorptionsmechanismen zurückzuführen. Bei Wellenlängen unterhalb von zwei Mikrometer ist vermutlich Streuung und nicht Absorption die Hauptursache für die Begrenzung der übertragungsfähigkeit oder Durchlässigkeit. Es wurde herausgefunden., daß eine HIP-Behandlung die Streuung nicht nurHot isostatic pressing (HIP) is the simultaneous application of heat and pressure by means of an inert, i.e. neutral Working fluids. It was found that HIP treatment zinc sulfide and zinc selenide samples produce an improvement beyond the removal of pores. The treatment resulted in a significant improvement in transparency at wavelengths shorter than two micrometers. Samples of zinc sulfide were also found to have improved transmission properties throughout effective spectral bandwidth obtained. The limit in the transparency of zinc sulfide and zinc selenide is on Scattering and absorption mechanisms attributed. At wavelengths below two micrometers there is presumably scattering and not absorption the main cause of limitation of transmittance or permeability. It was found out., that a HIP treatment doesn't just reduce the spread
durch Verringerung oder Beseitigung der Porosität sondern auch durch Verringerung oder Beseitigung von Einschlüssen ■ der zweiten Phase reduziert, indem Verunreinigungen ausdif-? fundieren können und - im Fall von Zinfcsulfid - nichtkubi- ... sches polymorphes Zinksulfid in die kubische Form umgewan- V delt wird. Insgesamt verringert eine HIP-Behandlung die Ab-' sorption, indem gegebenenfalls vorhandene absorbierende Ar- ' ten diffundieren können. Es wurde auch herausgefunden, daß . HIP-Behandlung das stöchiometrische Mengenverhältnis der Atome der Verbindung sowohl für ZnS als auch für ZnSe herstellt. by reducing or eliminating the porosity instead also by reducing or eliminating inclusions ■ the second phase is reduced by separating impurities? and - in the case of tin sulfide - non-cubic ... polymorphic zinc sulfide is converted into the cubic form. Overall, HIP treatment reduces the sorption, in that any absorbent species that may be present can diffuse. It was also found that. HIP treatment establishes the stoichiometric ratio of the atoms of the compound for both ZnS and ZnSe.
Ein Verfahren gemäß der Erfindung zur Behandlung eines Er- ; Zeugnisses aus ZnS oder ZnSe besteht in der Steuerung des ; chemischen Potentials an der Oberfläche desErzeugnisses,dem Erwärmen des Erzeugnisses und der Anwendung isostatischen Druckes. Die Steuerung des chemischen Potentials geschieht t' vorzugsweise durch Einwickeln des Erzeugnisses in eine Fo- v lie aus inertem Material, die noch einen gewissen Dampfaustausch erlaubt. ·.'A method according to the invention for treating an er-; Certificate from ZnS or ZnSe consists in the control of the; chemical potential on the surface of the product, heating the product and applying isostatic pressure. The control of the chemical potential takes t 'is preferably by wrapping the product in a Fo v lie of inert material, which still allows a certain amount of vapor exchange. ·. '
Im folgenden sei die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, die die Transmissionsspektren einer Probe von ZnS vor und nach der Behandlung darstellt.In the following the invention is with reference to the Drawing explained in more detail, which shows the transmission spectra of a sample of ZnS before and after treatment.
Isostatisches Heißpressen (HIP) , d.h. die gleichzeitige Anwendung von Wärme und Druck mittels eines inerten Arbeits- : fluids, wird in der metallurgischen Herstellung von Metallpulverpreßteilen und Gußteilen angewendet, um die Bruchfestigkeit und die Wiederstandsfähigkeit gegen Materialermüdung zu verbessern. Die Erfindung verwendet eine ähnliche HIP-Ausrüstung zur Behandlung von Zinksulfid- und Zinkselenid-Proben. Die zu behandelnden Proben werden in einen HIP- ■ Ofen herkömmlicher Bauart eingebracht. Der Ofen wird evaku- ■ iert und anschließend mit einem inerten Gas, beispielsweise mit Argon, unter Druck gesetzt. Man führt Wärme zu und trägt dafür Sorge, daß sich Wärme und Druck stabilisieren.Hot isostatic pressing (HIP), i.e. simultaneous use of heat and pressure by means of an inert working fluid, is used in the metallurgical production of metal powder pressed parts and castings applied to the breaking strength and the resistance to material fatigue to improve. The invention uses similar HIP equipment to treat zinc sulfide and zinc selenide samples. The samples to be treated are placed in a conventional ■ HIP furnace. The furnace is evacuated and then pressurized with an inert gas such as argon. One adds heat to and ensures that heat and pressure stabilize.
Der Druck und die Wärme werden während einer Zeitspanne
aufrechterhalten, die ausreicht, um eine Reihe von Verunreinigungen und Fehlern aus den Proben zu beseitigen. Die
behandelten Proben schlossen Zinksulfid ein, das durch chemische Ablagerung aus der Dampfphase (CVD) gewonnen war,sowie
warmgepreßtes Zinksulfid. Es wurden ferner Proben aus CVD-Zinkselenid behandelt. Die gängigen handelsüblichen Proben
von Zinksulfid und Zinkselenid sind farbig und durchscheinend. Bei Zinksulfid resultiert die Farbigkeit aus Abweichungen
von einem strengen stöchiometrischen Mengenverhältnis der Atome in dem Material. Die Proben sind eher
durchscheinend als transparent, weil Licht durch Defekte
in der Materialmasse gestreut wird. Die genaue Natur aller unterschiedlichen Arten von Defekten ist nicht bekannt.Die
Farbe, die Arten und die relativen Beträge der Lichtstreuungsfehler
werden durch die bei der Vorbereitung des Materials angewendeten Verfahren und durch die Prozeßbedingungen
der Vorbereitung bestimmt. Die Streuungsfehler begrenzen die Transparenz bei Wellenlängen, die kurzer als
etwa 2 Mikrometer sind. Hinzu kommen einige Absorptionsstreifen bei unterschiedlichen Wellenlängen, die von der
Herstellungsart der Probe abhängen. Die langwellige Grenze des Transmissionsbandes ist eine dem Material innewohnende
Eigenschaft und hat ihre Ursache in quantenmechanischen Absorptionserscheinungen.
Für Wellenlängen· zwischen etwa 2 Mikrometern und der langwelligen Grenze ist die Transmission
vom Grundsatz her durch Absorptionserscheinungen begrenzt, die auf Verunreinigungen zurückzuführen sind. Die Begrenzung
der Transparenz in diesen Materialien im sichtbaren und im nahen Infrarotbereich beruht auf einer Kombination von unvollständig
charakterisierten Absorptions- und Streuungserscheinungen, wobei die Streuung jedoch vorherrscht. Die kurzwellige
Grenze des Transmissionsbereiches ist letztlich eine dem Material innewohnende Eigenschaft; ein nichtstöchiometri
sches Mengenverhältnis, Verunreinigungen und andere punktuel
Ie Defekte können die Transparenz für nahe der kurzwelligen Grenze liegende Wellenlängen verringern. Die Behandlung mitThe pressure and heat are for a period
sufficient to remove a variety of contaminants and defects from the samples. The samples treated included zinc sulfide obtained by chemical vapor deposition (CVD) and hot pressed zinc sulfide. CVD zinc selenide samples were also treated. The common commercial samples of zinc sulfide and zinc selenide are colored and translucent. In the case of zinc sulfide, the color results from deviations from a strict stoichiometric proportion of the atoms in the material. The rehearsals are rather
translucent as transparent, because light is scattered by defects in the material mass. The exact nature of all different types of defects is not known. The color, types, and relative amounts of light scattering defects are determined by the methods used in preparing the material and by the process conditions of the preparation. The scattering errors limit the transparency at wavelengths that are shorter than about 2 micrometers. In addition, there are some absorption strips at different wavelengths, which depend on how the sample is manufactured. The long-wave limit of the transmission band is an inherent property of the material and is caused by quantum mechanical absorption phenomena. For wavelengths between about 2 micrometers and the long-wave limit, the transmission is in principle limited by absorption phenomena that can be traced back to impurities. The limitation of the transparency in these materials in the visible and in the near infrared range is based on a combination of incompletely characterized absorption and scattering phenomena, with scattering, however, predominating. The short-wave limit of the transmission range is ultimately an inherent property of the material; a non-stoichiometric quantity ratio, impurities and other punctiform defects can reduce the transparency for wavelengths that are close to the short-wave limit. Treatment with
isostatischem Heißpressen (HIP) reduziert diese Beschränkungen nicht nur durch Verringerung oder Beseitigung der Porosität der Materials sondern auch durch Verringerung und Beseitigung vieler derjenigen Defekte, die zu Streuung und Absorption beitragen. Dies ist auf eine Kombination von Fakr toren zurückzuführen, die bei der HIP-Behandlung durch gleichzeitige Anwendung von Wärme und Druck erzeugt werden. Die zugeführte Wärme erlaubt ein Ausdiffundieren von normalerweise in dem Material vorhandenen Verunreinigungen. Diese Verunreinigungen können aus tatsächlichen Verunreinigungen durch kontaminierende Atome von anderen als den die ideale Verbindung bildenden Elementen bestehen oder in Fehlern im Kristallgitter, beispielsweise in Fehlstellen oder Zwischengitteratomen. Auf jeden Fall diffundieren diese Verunreinigungen mit einer Geschwindigkeit nach außen zur Oberfläche der Probe,die eine Funktion der Temperatur ist. Atome, die derartige Verunreinigungen verursachen, können in dem Sulfid- oder Seienid-Kristall als ausgeprägte separate Phasen Vorhandensein. Die zugeführte Wärme dient auch dazu, diese.Einschlüsse von Abscheidungen der zweiten Phase der behandelten Verbindung zu reduzieren oder zu eliminieren. Der aufgewendete Druck hilft bei der Eliminierung solcher restlicher Porosität, die vor der Behandlung in der Probe ist und verhindert die Bildung neuer Porosität, die sich andernfalls während des Prozesses entwikkein könnte. Darüberhinaus begrenzt der-Druck die Verflüchtigung der Verbindungen, da die verwendeten Verbindungen bei den für die Behandlung erforderlichen Temperaturen einen beträchtlichen Dampfdruck besitzen. Bei Zinksulfid-Verbindungen besitzt die optisch isotrope kubische Kristallform eine höhere Dichte als die doppeltbrechende hexagonole Form. Es wurde herausgefunden, daß der bei der HIP-Behandlung "angewendete Druck die Umwandlung nichtkubischer polymorpher in kubische Kristalle begünstigt. Außerdem verringert der Druck die Gleichgewichtskonzentration von Zwischenatomen und Fehlstellen des Kristallgitters und verringert allgemein die Löslichkeit von Verunreinigungen.Hot isostatic pressing (HIP) reduces these limitations not only by reducing or eliminating the porosity of the material, but also by reducing and eliminating many of the defects that contribute to scattering and absorption. This is due to a combination of Fak r factors, which are generated by simultaneous application of heat and pressure in the HIP treatment. The heat supplied allows impurities normally present in the material to diffuse out. These impurities may consist of actual impurities from contaminating atoms of elements other than the ideal compound or in defects in the crystal lattice such as defects or interstitial atoms. In any event, these impurities will diffuse outwardly to the surface of the sample at a rate that is a function of temperature. Atoms which cause such impurities may exist in the sulfide or selenide crystal as distinct separate phases. The heat supplied also serves to reduce or eliminate these inclusions of deposits of the second phase of the compound being treated. The pressure applied helps eliminate any residual porosity that was in the sample prior to treatment and prevents the formation of new porosity that might otherwise develop during the process. In addition, the pressure limits the volatilization of the compounds, since the compounds used have a considerable vapor pressure at the temperatures required for the treatment. In the case of zinc sulfide compounds, the optically isotropic cubic crystal form has a higher density than the birefringent hexagonal form. It has been found that the pressure applied in the "HIP" treatment promotes the conversion of non-cubic polymorphic crystals to cubic crystals. In addition, the pressure decreases the equilibrium concentration of interatomic atoms and crystal lattice defects and generally decreases the solubility of impurities.
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Proben von Zinksulfid beinhalteten sowohl warmgepreßtes Material als auch solches,das durch chemische Ablagerung aus der Dampfphase (CVD) hergestellt war. Zinkselenid-Proben waren solche aus CVD-Material. Es wurdeherausgefunden, daß Proben aus warmgepreßtem Zinkselenid wesentlich schlechtere Transmissionseigenschaften besitzen als Proben aus CVD-ZinkselenidT die nicht allgemein erhältlich sind. Die Behandlung verbessert jedoch auch die Eigenschaften von warmgepreßtem Zinkselenid. Die Behandlungsdauer hängt von der Ausgangsqualität .der Probe ab. Je besser die Qualität, d.h. die Transmissionsfähigkeit, der Probe ist, um so kürzer kann die Behandlungsdauer sein, um eine bestimmte Verbesserung der Transmissionseigenschaften zu erreichen. Es wurde herausgefunden, daß warmgepreßtes Zinksulfid-Material im Vergleich zu durch einen CVD-Prozeß gewonnenem Zinksulfid größere Konzentrationen von Verunreinigungen oder Defekten aufweist, welche Streuung bewirken. Die Behandlungsdauer wird ferner durch die Dicke der anfänglichen Probe bestimmt. Je größer die Dicke ist, desto langer muß die Beharidlungsdauer sein, um einen vorbestimmten Verbesserungsgrad der Transmissionsfähigkeit zu erreichen.Samples of zinc sulfide included both hot-pressed material and material made by chemical vapor deposition (CVD). Zinc selenide samples were made from CVD material. It has been found that samples made from hot-pressed zinc selenide have significantly poorer transmission properties than samples made from CVD zinc selenide T, which are not generally available. However, the treatment also improves the properties of hot-pressed zinc selenide. The duration of treatment depends on the initial quality of the sample. The better the quality, ie the transmittance, of the sample, the shorter the treatment time can be in order to achieve a certain improvement in the transmission properties. It has been found that hot-pressed zinc sulfide material has greater concentrations of impurities or defects which cause scattering than zinc sulfide obtained by a CVD process. The duration of treatment is also determined by the thickness of the initial sample. The larger the thickness, the longer the treatment time must be in order to achieve a predetermined degree of improvement in the transmittance.
Wie oben erwähnt, wurde herausgefunden, daß die HlP-Behandlung von Proben die optischen Eigenschaften optischer Elemente verbessert. Dies ist auf das Zusammenwirken mehrerer Faktoren zurückzuführen. Die zugeführte Wärme scheint ein Herausdiffundieren von Verunreinigungen aus dem Kern der Probe zur äußeren Oberfläche zu begünstigen. Der Druck begrenzt die Verflüchtigung der Verbindung und hilft ferner, vorhandene Porosität zu eliminieren und die Bildung neuer Porosität zu verhindern. Bei Zinksulfid zwingt der Druck außerdem vermutlich irgendwelche vorhandenen Bolymorphe in die kubische Forme. Dies liefert eine Richtlinie bei der Auswahl von Betriebstemperatur und -druck. Die Temperatur sollte hoch genug sein um das Ausdiffundieren von Verunreinigunoen aus dem Körper der Probe zu ermöglichen. Der Druck sollte hoch genug sein um einerseits Verflüchtigung zu verhindern und anderer-As mentioned above, it was found that the HIP treatment of samples improves the optical properties of optical elements. This is due to the interaction of several Factors attributed. The heat applied appears to be diffusing out impurities from the core of the sample to favor the outer surface. The pressure limits the volatilization of the compound and also helps prevent existing ones Eliminate porosity and the formation of new porosity to prevent. With zinc sulfide, the pressure is also likely to force any bolymorphs present into the cubic one Shape. This provides a guideline in selecting the operating temperature and pressure. The temperature should be high enough be about the diffusion of impurities from the Allow body of the sample. The pressure should be high enough on the one hand to prevent volatilization and on the other hand
seits Porosität in der Probe im wesentlichen zu beseitigen. Die Behandlungsdauer wird sowohl durch die Dicke der Probe als auch durch seine anfängliche optische Qualität bestimmt Proben von geringer Transmissionsfähigkeit erfordern eine längere Behandlungszeit, um einen vorbestimmten Wert der op tischen Transparenz zu erreichen. Eine Obergrenze der Behandlungsdauer ist gegeben .durch .übermäßiges Kornwachstum das während überlanger Behandlung stattfinden kann. Es wurde außerdem herausgefunden, daß der Wert der optischen Verbesserung bei CVD-Zinksulfid wesentlich größer ist als bei Proben aus warmgepreßtem Zinksulfid. Dies ist wahrscheinlich auf die Tatsache zurückzuführen, daß der' Warmpreßprozeß Fehlstellen größeren Ausmaßes erzeugt, die mit diesem Prozeß nicht so gut ausdiffurtdieren.on the one hand, to substantially eliminate porosity in the sample. The treatment time is determined both by the thickness of the sample and by its initial optical quality. Samples with low transmittance require a longer treatment time in order to achieve a predetermined value of the optical transparency. An upper limit to the duration of the treatment is given by excessive grain growth that can take place during prolonged treatment. It has also been found that the optical improvement value of CVD zinc sulfide is significantly greater than that of hot pressed zinc sulfide samples. This is probably due to the fact that the hot-pressing process produces large-scale imperfections which do not diffuse out as well with this process.
Eine 6 mm starke Probe von CVD-Zinksulfid wurde drei Stun-A 6 mm thick sample of CVD zinc sulfide was taken for three hours
den bei einer Temperatur von 990° C und einem Druck'von 5000 psi (pound-force per square inch; 1 psi = 6,8948x10' N/mm ) behandelt. Die Behandlung erbrachte eine sichtbare Verbesserung der optischen Eigenschaften der Probe. Ein Druck von 30000 psi und eine Temperatur von 1000° C wurde für eine Probe aus warmgepreßtem Zinksulfid und eine CVD-Zinkselenid-Probe verwendet und führte wieder zu einer wesentlichen Verbesserung der optischen Eigenschaften. Eine 15 mm starke Probe aus CVD-Zinksulfid wurde in etwa 24 Stunden bei einer Temperatur von etwa 1000° C und einem Druck von 30000 psi erfolgreich behandelt. Temperaturen in einem Bereich von 700° C bis 1050° C und Drücke im Bereich von 5000 psi bis 30000 psi wurden bei unterschiedlichen Probenarten angewendet. Der Bereich der Anwendungszeiten reichte von 3 Stunden für die erwähnte Probe geringer Dicke bis ^u 36 Stunden für Proben größerer Dicke. Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf diese Verfahrensparameter beschränkt. Wesentlich unterschiedlich? Kombinationen von Temperatur, Druck und Behandlungsdauer rufen beträchtliche Verbesserungen der optischen Qualität der behandelten Proben hervor. Die tatsäch]ichen Verfahrensparameter werdentreated at a temperature of 990 ° C and a pressure of 5000 psi (pound-force per square inch; 1 psi = 6.8948x10 'N / mm). The treatment produced a visible improvement in the optical properties of the sample. A pressure of 30,000 psi and a temperature of 1000 ° C was used on a hot-pressed zinc sulfide sample and a CVD zinc selenide sample and again resulted in a substantial improvement in optical properties. A 15 mm thick sample of CVD zinc sulfide was successfully treated in about 24 hours at a temperature of about 1000 ° C and a pressure of 30,000 psi. Temperatures in the range of 700 ° C to 1050 ° C and pressures in the range of 5000 psi to 30,000 psi were used with different types of samples. The field of application times ranged from 3 hours for the sample mentioned small thickness to u ^ 36 hours for samples of greater thickness. The invention is of course not restricted to these process parameters. Significantly different? Combinations of temperature, pressure and treatment time produce significant improvements in the optical quality of the treated samples. The actual process parameters are
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normalerweise durch die Erfordernisse der spezifischen Anwendungen vorgeschrieben. Um einen vorbestimmten Wert der Verbesserung zu erreichen,können im Einzelfall wesentlich niedrigere Temperaturen und Drücke angewendet werden. usually dictated by the needs of the specific application. In order to achieve a predetermined value of the improvement, significantly lower temperatures and pressures can be used in individual cases.
Einige Proben wurden vor der Anwendung von Wärme und Druck in dem HIP-Gerät zunächst in eine Folie aus einem zweiten Material eingewickelt. Diese Wickel sind nicht vakuumdicht aber sie dienen dazu, den Dampfaustausch zwischen den Proben und der Reaktionskammer zu begrenzen sowie zur Steuerung des chemischen Potentials der flüchtigen Bestandteile in den Proben, wodurch die Behandlung günstig beeinflußt wird. Die Steuerung des chemischen Potentials der flüchtigen Bestandteile an der Oberfläche der Proben kann auch durch andere Mittel erreicht werden, beispielsweise durch Verwendung von Dotierungsstoffen in dem Arbeitsgas oder - Feststoffen, die Dampfarten abgeben. Es wurden Folien aus Graphit, Flußstahl,Tantal, Kupfer und Platin verwendet. Die Einwickelfolie aus Platin erbrachte die besten Ergebnisse bei der Verbesserung der Transmissionseigenschaften der Proben. Dies liegt vermutlich an seiner inerten Natur. Some samples were first wrapped in a film of a second material prior to the application of heat and pressure in the HIP device. These wraps are not vacuum-tight, but they serve to limit the vapor exchange between the samples and the reaction chamber and to control the chemical potential of the volatile constituents in the samples, which has a favorable effect on the treatment. The control of the chemical potential of the volatile constituents on the surface of the samples can also be achieved by other means, for example by using dopants in the working gas or solids that give off types of vapor. Foils made of graphite, mild steel, tantalum, copper and platinum were used. The platinum wrapper produced the best results in improving the transmission properties of the samples. This is presumably due to its inert nature.
In der Zeichnung ist das Transmissionsspektrum einer 6 mm starken CVD-Zinksulfid-Probe dargestellt. Die Linie 10 gilt für die ursprüngliche Probe, d.h. die Probe vor der Behandlung. Die Linie 20 gilt für dieselbe Probe nach einer HIP-Behandlung mit einer Behandlungsdauer von 3 Stunden, einer Behandlungstemperatur von 1000° C und einem Druck von 30000 psi. Durch die HIP-Behandlung wurde die Durchlässigkeit des Materials für kurze Wellenlängen wesentlich verbessert. Außerdem wurde das im Infrarotbereich bei einer Wellenlänge von 6 Mikrometern liegende Absorptionsband beseitigt. Die Absorptionsbänder in Zinksulfid hängen ab von der Herstellungsmethode und den Verfahrensbedingungen, diese werden jedoch durch die HIP-Behandlung wesentlich verbessert Die unbehandelte Probe ist gelborange und derart trübe, daß sie zur Abbildung bei Wellenlängen des sichtbaren LichtesThe drawing shows the transmission spectrum of a 6 mm thick CVD zinc sulfide sample. Line 10 applies for the original sample, i.e. the sample before treatment. Line 20 applies to the same sample after a HIP treatment with a treatment time of 3 hours, a treatment temperature of 1000 ° C and a pressure of 30,000 psi. The HIP treatment increased the permeability of the material for short wavelengths significantly improved. Also, that was in the infrared range at one wavelength of 6 micrometers lying absorption band eliminated. The absorption bands in zinc sulfide depend on the Manufacturing method and process conditions, these however, are significantly improved by the HIP treatment The untreated sample is yellow-orange and so cloudy that it can be used for imaging at wavelengths of visible light
nich.t verwendet werden kann. Das behandelte Material ist farblos, weil die Behandlung das stöchiometrische Mengenverhältnis auf den korrekten Wert von 1:1 für Zink und Schwefel eingestellt hat. Sie ist wasserklar, weil die Behandlung die Konzentration von lichtstreuenden Fehlstellen erheblich reduziert hat. Die HIP-Behandlung verbessert die Durchlässigkeit bei Wellenlängen, die größer sind als 2 Mikrometer, erheblich. Andere Proben von ZnS wurden in ähnlicher Weise bei 30000 psi und 990° C für 24 Stunden behandelt. Die Stärke der Proben reichte von 0,4 bis 1,5 cm.cannot be used. The treated material is colorless because the treatment reduced the stoichiometric ratio to the correct value of 1: 1 for zinc and Sulfur has stopped. It is water-clear because the treatment increases the concentration of light-scattering imperfections has reduced significantly. The HIP treatment improves that Transmittance at wavelengths greater than 2 micrometers, considerable. Other samples of ZnS were similarly treated at 30,000 psi and 990 ° C for 24 hours. The thickness of the samples ranged from 0.4 to 1.5 cm.
Die folgende Tabelle faßt die Messungen des Absorptionskoeffizienten für eine 6 mm dicke Zinksulfid-Probe zusammen, die derProbe der Zeichnung entspricht. Die Absorptionskoeffizienten wurden berechnet, indem der Bruchieil des absorbierten Lichtes durch die Dicke der Probe dividiert wurde. Sie enthalten somit den Oberflächenbeitrag zur Absorption.The following table summarizes the measurements of the absorption coefficient for a 6 mm thick zinc sulfide sample, which corresponds to the sample of the drawing. The absorption coefficient were calculated by dividing the fraction of the light absorbed by the thickness of the sample. They thus contain the surface contribution to absorption.
Scheinbarer Absorptionskoeffizient von CVD-Zinkzsulfid (cm" ) Apparent absorption coefficient of CVD zinc sulfide (cm ")
Eine 6 mm starke Probe von CVD-Zinkselenid wurde ebenfalls für 3 Stunden bei einer Temperatur von 1000° C und einem Druck von 30000' psi behandelt. Die unbehandelte Probe ist von gelber Farbe und trüb. Nach der Behandlung ist die Probe gelbgrün und transparent. Gelbgrüne Farbe ist auf das korrekte stöchiometrische Verhältnis von Zinkselenid zurückzuführen. Die Transparenz im sichtbaren Bereich ist we-A 6 mm thick sample of CVD zinc selenide was also used treated for 3 hours at a temperature of 1000 ° C and a pressure of 30,000 psi. The untreated sample is yellow in color and cloudy. After the treatment, the sample is yellow-green and transparent. Yellow-green color is on that correct stoichiometric ratio of zinc selenide. The transparency in the visible area is
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sentlich verbessert. Die Transmission der Probe bei einer Wellenlänge von 0,5 Mikrometer wurde mit einem Spektrometer vor der Behandlung gemessen. Die Messung ergab einen Wert von 5%. Nach der Behandlung wurde ein Wert von 50% für die Transmission ermittelt. Diese wesentliche Verbesserung ist hauptsächlich auf die Berichtigung des stöchiometrischen Mengenverhältnisses zurückzuführen, die durch die Behandlung herbeigeführt wurde. Es wurde außerdem die Lichtstreuung der Probe vor und nach der Behandlung gemessen. Hierzu wurde ein Helium-Neon-Laser als Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 0,6328 Mikrometern verwendet.Der Anteil des gegenüber dem einfallenden Laserstrahl um 90° gestreuten Lichtes wurde mit der Maßeinheit sr" (sr = Einheitsraumwinkel) folgendermaßen ermittelt:much improved. The transmission of the sample at a Wavelength of 0.5 micrometer was measured with a spectrometer before treatment. The measurement resulted in one Value of 5%. After the treatment, a value of 50% was determined for the transmission. This major improvement is mainly due to the correction of the stoichiometric ratio made by the treatment was brought about. The light scattering of the sample before and after the treatment was also measured. For this purpose, a helium-neon laser was used as the light source with a wavelength of 0.6328 micrometers The proportion of the light scattered by 90 ° compared to the incident laser beam was measured using the unit sr "(sr = unit solid angle) determined as follows:
-3 Vor der Behandlung 2 χ 10-3 Before treatment 2 χ 10
-4 nach der Behandlung 4,5 χ 10-4 after treatment 4.5 χ 10
Dies zeigt, daß die Arten von Verunreinigungen in diesem Material die Hauptursache von Streuungen sind. Das Phänomen dieser Streuungen ist für den verringerten Transmissionsgrad bei niedrigen Wellenlängen verantwortlich und wird, vermutlich durch die HIP-Behandlung wirksam verringert.This shows that the types of impurities in this material are the main causes of scattering. The phenomenon This scatter is responsible for the reduced transmittance at low wavelengths and will, presumably effectively reduced by the HIP treatment.
LeLe
erseitereit
Claims (18)
zur Verbesserung der Behandlung.14. The method according to claim 5, characterized by controlling the chemical potential of the volatile constituents on the surface of the product
to improve treatment.
Druck in eine Folie aus inertem Material eingewickelt
wird.15. The method according to claim 5, d ad urch characterized in that the article before the application of heat and
Print wrapped in a sheet of inert material
will.
dem inerten Gas gesteuert wird.18. The method according to claim 12, characterized in that the steam exchange between the product and
the inert gas is controlled.
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|---|---|---|---|
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Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957951A (en) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | 住友電気工業株式会社 | Manufacture of zns polycrystal body |
| EP0157040A3 (en) * | 1983-04-05 | 1987-11-25 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method of producing transparent polycrystalline zns body |
| JPS607413A (en) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lens for converging beam |
| JPH0617280B2 (en) * | 1987-03-18 | 1994-03-09 | 社団法人生産技術振興協会 | ZnSe single crystal production method |
| JP2737191B2 (en) * | 1987-12-28 | 1998-04-08 | 東ソー株式会社 | Method for producing homogeneous quartz glass block |
| DE69112347T2 (en) * | 1990-11-14 | 1996-04-25 | Raytheon Co | Zinc sulfide optical elements. |
| DE9110969U1 (en) * | 1991-09-04 | 1991-12-05 | Wild Leitz Systemtechnik GmbH, 6330 Wetzlar | Panoramic periscope for day and night vision |
| DE4414552C2 (en) * | 1994-04-26 | 2001-06-07 | Lukas Kuepper | Process for the production of micro-optical elements or a fiber end in the form of a micro-optical element |
| JP3578357B2 (en) * | 1994-04-28 | 2004-10-20 | 信越石英株式会社 | Method for producing heat-resistant synthetic quartz glass |
| JP2002534801A (en) | 1999-01-04 | 2002-10-15 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | Apparatus and method for shaping a semiconductor surface |
| FR2898962B1 (en) | 2006-03-23 | 2008-05-09 | Brandt Ind Sas | DOMESTIC GAS COOKING OVEN AND METHOD OF IGNITING AT LEAST ONE GAS BURNER IN SUCH GAS DOMESTIC COOKING OVEN |
| US7790072B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-09-07 | Raytheon Company | Treatment method for optically transmissive bodies |
| EP2511236B1 (en) * | 2011-04-14 | 2015-07-01 | Rohm and Haas Company | Improved quality multi-spectral zinc sulfide |
| JP5444397B2 (en) * | 2012-03-09 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | Manufacturing method of optical components |
| US20130271610A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Keith Gregory ROZENBURG | Polycrystalline chalcogenide ceramic material |
| JP5876798B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-03-02 | 住友電気工業株式会社 | ZnSe polycrystal and method for producing the same |
| JP5621828B2 (en) * | 2012-10-11 | 2014-11-12 | 住友電気工業株式会社 | Manufacturing method of optical components |
| JP6989102B2 (en) * | 2017-04-05 | 2022-01-05 | 日本電気株式会社 | Manufacturing method of zinc sulfide sintered body and zinc sulfide sintered body |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1244433B (en) * | 1961-08-21 | 1967-07-13 | Eastman Kodak Co | Optical material and process for its manufacture |
| DE1422135B1 (en) * | 1959-10-29 | 1970-02-26 | Eastman Kodak Co | Process for the manufacture of infrared transparent optical elements |
| DE2949512C2 (en) * | 1979-12-08 | 1982-10-21 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Process for the aftertreatment of zinc sulphide bodies for optical purposes |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1272294A (en) * | 1960-10-26 | 1961-09-22 | Kodak Pathe | New optical element and method and apparatus for its manufacture |
| GB1013156A (en) * | 1961-08-21 | 1965-12-15 | Eastman Kodak Co | Improvements in or relating to the manufacture of optical elements of zinc selenide |
| US3454685A (en) * | 1961-08-21 | 1969-07-08 | Eastman Kodak Co | Method of forming zinc selenide infrared transmitting optical elements |
| US3177759A (en) * | 1961-10-04 | 1965-04-13 | Barnes Eng Co | Apparatus for the spectrum examination of materials |
| FR2286394A1 (en) * | 1974-09-30 | 1976-04-23 | Comp Generale Electricite | OPTICAL DEVICE |
| GB1547172A (en) * | 1976-06-24 | 1979-06-06 | Nat Res Dev | Methods and apparatus for cutting welding drilling and surface treating |
| JPS55113802A (en) * | 1979-02-24 | 1980-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Production of high-purity sintered body by hot hydrostatic press |
| JPS6016391B2 (en) * | 1979-03-31 | 1985-04-25 | 住友電気工業株式会社 | Manufacturing method of high purity, high strength ZnSe sintered body by hot forging method |
| JPS5711824A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductive zinc sulfide |
| JPS5717411A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of polycrystalline zinc selenide body |
| DE3039749C2 (en) * | 1980-10-22 | 1982-08-19 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Process for the production of bubble-free, glassy material |
| JPS606307B2 (en) * | 1980-12-22 | 1985-02-16 | 工業技術院長 | Method for producing polycrystalline zinc selenide |
-
1981
- 1981-11-06 CA CA000389659A patent/CA1181557A/en not_active Expired
- 1981-12-16 GB GB8138005A patent/GB2090237B/en not_active Expired
- 1981-12-16 IT IT49921/81A patent/IT1172159B/en active
- 1981-12-21 DE DE19813150525 patent/DE3150525A1/en not_active Ceased
- 1981-12-25 JP JP56216050A patent/JPS57135723A/en active Granted
- 1981-12-28 FR FR818123571A patent/FR2497361B1/en not_active Expired
- 1981-12-29 SE SE8107840A patent/SE8107840L/en not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-09-01 GB GB08323505A patent/GB2125023B/en not_active Expired
-
1987
- 1987-09-29 FR FR878713457A patent/FR2610730B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2406626A patent/JPH03271122A/en active Granted
- 1990-12-26 JP JP2406625A patent/JPH03271107A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1422135B1 (en) * | 1959-10-29 | 1970-02-26 | Eastman Kodak Co | Process for the manufacture of infrared transparent optical elements |
| DE1244433B (en) * | 1961-08-21 | 1967-07-13 | Eastman Kodak Co | Optical material and process for its manufacture |
| DE2949512C2 (en) * | 1979-12-08 | 1982-10-21 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Process for the aftertreatment of zinc sulphide bodies for optical purposes |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| DE-B.: L.D. Landau, E.M. Lifschitz, "Statistische Physik", 4. Aufl., Akademie-Verlag, Berlin 1975, S. 75 -77 und 297-298 * |
| GB-B.: Y. B. Huffadine, A.J. Whitehead and M.J. Latimer, "A simple hot isostatic pressing techique", Proceeding of the Britisch Ceramic Society, Fabrication science 2, No. 12, March 1969, S. 201-209 * |
| US-B. Herausg. H.E. Bennett u.A. "Laser induced Damage in Optical Materials", National Bureau of Standards, Washington, D.C., 1980, Nr. AD-A088-560, S. 57-63 * |
| US-Druckschirft: "Improved Large ZnS Windows", B.A. diBenedetto u.a., Raytheon Co., Technical Report AFAL-TR-73-176, 1973, S. 1-50 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8149921A0 (en) | 1981-12-16 |
| JPH03271122A (en) | 1991-12-03 |
| JPH03271107A (en) | 1991-12-03 |
| FR2497361B1 (en) | 1989-03-31 |
| JPS57135723A (en) | 1982-08-21 |
| GB2090237B (en) | 1985-12-11 |
| IT1172159B (en) | 1987-06-18 |
| GB8323505D0 (en) | 1983-10-05 |
| GB2125023A (en) | 1984-02-29 |
| GB2090237A (en) | 1982-07-07 |
| SE8107840L (en) | 1982-06-30 |
| JPH0469090B2 (en) | 1992-11-05 |
| GB2125023B (en) | 1985-11-13 |
| JPH0451489B2 (en) | 1992-08-19 |
| CA1181557A (en) | 1985-01-29 |
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| FR2497361A1 (en) | 1982-07-02 |
| FR2610730B1 (en) | 1990-10-12 |
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