DE3017509A1 - Halbleiterlaservorrichtung und bildaufzeichnungsgeraet - Google Patents
Halbleiterlaservorrichtung und bildaufzeichnungsgeraetInfo
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Description
Τ,___,,_ _ Ρ«,., .,._ _ If1,..,,- Patentanwälte und
RUPE - rELLMANN . ■ 8 Dipl.-Chem. G. Bühling
Dipf.-Ing. H.Tiedtke _ 8 _
Dipl.-Ing. R. Kinne Dipl.-Ing. R Grupe 301 7509 Dipl.-Ing. B. Pellmann
8000 München 2
Tel.: 089-539653
Telex: 5-24845 tipat
cable: Germaniapatent München
6. Mai 1980 DE 0413
CANON KABUSHIKI KAISHA
Tokyo, Japan
Halbleiterlaservorrichtung und Bildaufzeichnungsgerät
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterlaservorrichtung, deren Ausgangsstrahl stabilisiert
wird, sowie auf eine Halbleiterlaservorrichtung, deren Strahlintensität gemessen werden kann; ferner auf eine
Halbleiterlaservorrichtung, die zur Verwendung in einem ein photoempfindliches Material verwendenden
elektrophotographischen Bildaufzeichnungsgerät geeignet ist, sowie auf ein Bildaufzeichnungsgerät, das den
Ausgangsstrahl der Halbleiterlaservorrichtung verwendet .
Es ist bereits eine Halbleiterlaservorrichtung vorgeschlagen worden, die eine sog. selbsttätige Leistungsregelung
(im folgenden APC genannt) verwendet, bei der der Ausgangsstrahl des Halbleiterlaserelementes
gemessen und zur Regelung rückgekoppelt wird, um hierdurch die Lichtausgangsintensität des Halbleiterlaserelementes
konstant zu halten. (APC = Automatic Power Control).
Mü/rs 030047/0789
Als ein Beispiel für eine Vorrichtung mit APC-Funktion ist eine Halbleiterlaservorrichtung vorge- '
schlagen worden, bei der der Hauptstrahl (im folgenden Frontstrahl genannt) des Halbleiterlaserelementes, der
als Ausgangsstrahl der Lichtquelle vorgesehen ist, und der Nebenstrahl des Elementes (im folgenden Rückstrahl
genannt) in bezug auf die Leistung und die Emissionsverteilung identisch gemacht werden; der Rückstrahl
wird zur Rückkoppelung an eine Laserversorgungsschaltung
angelegt, um hierdurch den Frontstrahl zu regeln
Beispielsweise ist in der US-PS 4 125 777 die in Fig. 1 gezeigte Vorrichtung beschrieben, bei der ein
Lichtempfänger 3 einen Rückstrahl 2 eines Halbleiterlaserelementes
1 empfängt, um eine selbsttätige Leistungsregelung zu ermöglichen. Das Ausgangssignal des
Lichtempfängers 3 wird an eine getrennte Laser'treiberschaltung bzw. Laserversorgungsschaltung gelegt, um
die Ausgangsleistung eines Frontstrahles 4 zu regeln, der als das eigentliche Ausgangssignal der Lichtquelle
vorgesehen ist.
Bei diesen Vorrichtungen liegt jedoch eine den Rückstrahl aussendende Oberfläche 5 des Halbleiterlaserelementes
1 gegenüber einer Lichtempfänger-Oberfläche 6 des Lichtempfängers 3. Dies führt zu dem
folgenden Problern:
Ist '-χ der Austrittswinkel des Rückstrahles 2 in
bezug auf eine Normale 7 der den Rückstrahl aussendenden Oberfläche 5 des Halbleiterlaserelementes 1
und Ι(λ )(W/sr) die Intensität des Rückstrahles 2, so
ergibt sich eine zu einer Gauss-Verteilung ähnliche Verteilung von I(c<
), wie sie durch die durchgehende Linie A in Fig. 2 dargestellt ist. Dasselbe gilt auch
030047/0789
ORIGINAL [NSPECTED
- 10 - DE 0413
für den Frontstrahl.
Ist ferner l(in) der Abstand zwischen der den Rückstrahl
aussendenden Oberfläche 5 und der Lichtempfänger-Oberfläche 6 und L(cX. ) die Beleuchtungsstärke pro
Flächeneinheit ^er Lichtempfänger-Oberfläche 6, die
den Rückstrahl mit einem Austrittswinkel <x empfängt, so gilt:
A2
Die Gleichung (1) ist in Fig. 2 durch die gestrichelte
Linie B dargestellt. Hieraus erkennt man, daß die Beleuchtungsstärke L(O) im Zentralbereich der
Lichtempfänger-Oberfläche, die den Strahl mit (X =0 empfängt, maximal ist. L(O) ist gegeben durch:
Im Randbereich verringert sich die Beleuchtungsstärke
zusätzlich zu der Abnahme von I(o< ) mit cos u · Dementsprechend
ergibt sich bei der bekannten Vorrichtung ein großer Unterschied der Beleuchtungsstärken des
Zentralbereiches und des Randbereiches der Lichtempfän- - ger-Oberflache 6. Dies führt zu dem folgenden Problem:
030047/0789
ORIGINAL INSPECTED
- 11 - DE 0413
Ist L(W/m ) die Beleuchtungsstärke der Lichtempfänger-Oberfläche
und E(V) die Klemmenspannung (Ausgangsspannung), so ist die Ausgangscharakteristik des
Lichtempfängers im allgemeinen nicht immer linear, sondern ist in einen linear Bereich G und nicht lineare
Bereiche F und H unterteilt. Dies ist in der Fig. 3 gezeigt.
In dem linearen Bereich G wächst die Klemmenspannung E proportional zu dem Anwachsen der Beleuchtungsstärke
L an. In den nichtlinearen Bereichen F und H ist die Klemmenspannung E nicht proportional zu dem Anwachsen
der Beleuchtungsstärke L. Insbesondere in dem Bereich F ist das Signal/Rausch-Verhältnis des Licht-'
empfangers verringert.
Ist, wie bei der bekannten Vorrichtung, der Unterschied der Beleuchtungsstärken des Zentralbereiches
und des Randbereiches der Lichtempfänger-Oberfläche 6
groß, so liegt die Beleuchtungsstärke in dem Zentralbereich in dem Bereich H der Fig. 3 und entsprechend die
Beleuchtungsstärke des Randbereiches in dem Bereich F. Das Ergebnis ist, daß die Ausgangsspannung des Lichtempfängers
3 nicht proportional zu der Beleuchtungsstärke ist. Hierdurch wird es unmöglich, die Lichtmenge
mit einer hohen Genauigkeit zu messen.
Zusätzlich zu diesem Problem tritt bei der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung das Problem auf, daß der
Rückstrahl 2 von der Lichtempfänger-Oberfläche 6 des
Lichtempfängers 3 reflektiert wird. Der reflektierte Rückstrahl 2 mischt sich und interferiert mit dem
Frontstrahl 4. Wenn der Frontstrahl abgebildet wird, so erscheint überdies ein Geisterbild des von der
Lichtempfänger-Oberflache reflektierten Rückstrahles.
_ 12 _ DE 0413
■ 1 ■
Bisher haben bei Lichtkommunikationssysternen usw. Halbleiterlaserelemente eine weite Verbreitung als
Lichtquelle gefunden. In solchen Fällen wird die vorstehend beschriebene APC-Regelung oft verwendet.
Fig. 4 zeigt ein solches Verfahren. Das Ausgangslicht eines Halbleiterlaserelementes 11 wird mittels
eines Photodetektors 12 empfangen,- dessen Signal durch einen IQ Verstärker 13 verstärkt und anschließend zur Rückkoppelung an
eine Laserversorgungsschal· tung 14 angelegt wird. Hierdurch
wird das Ausgangslicht so geregelt, daß das Ausgangssignal des Photodetektors 12 immer konstant bleibt. Wird
jedoch das Ausgangslicht des Halbleiterlaserelementes für die Bildaufzeichnung usw. verwendet, so ergibt
sich durch die Wellenlängenabhängigkeit der Empfindlichkeit des mit dem Laserlicht bestrahlten photoempfindlichen
Materials ein großes Problem. Bei einer Vorrichtung, die einen Laser wie einen gewöhnlichen
Helium-Neon-Laser mit einer kurzen Wellenlänge verwendet, ist die spektrale Empfindlichkeit des photoempfindlichen
Materials nahe der Laser-Wellenlänge meist flach, so daß der Einsatz eines gewöhnlichen
APC-Systems möglich ist. Dagegen hat das von einem Halbleiterlaserelement ausgesandte Laserlicht eine
Wellenlänge von ungefähr 800 nm und liegt damit verglichen
mit dem Licht eines Helium-Neon-Lasers im nahen Infrarotbereich. Das üblicherweise verwandte photoempfindliche
Material hat in diesem Bereich eine geringe Empfindlichkeit. Wenn ein Halbleiterlaser in einem
Bildaufzeichnungsgerät benützt wird, ist es deshalb
oft der Fall, daß das photoempfindliche Material bei
der Verwendung sensibilisiert wird. Jedoch kann die spektrale Empfindlichkeit des Materials, sogar wenn
das Material sensibilisiert worden ist, gerade in dem
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Wellenlängenbereich des Halbleiterlasers nicht flach gemacht werden, wenn man die Stabilität der Bildqualität
und die Lebensdauer des photoempfindlichen Materials betrachtet. Das photoernpfindliche Material hat
noch die in Fig. 5 gezeigte Wellenlängenabhängigkeit.
Es ist deshalb notwendig, die Lichtmenge in Abhängigkeit von der benutzten Wellenlänge des Halbleiterlaserelementes
zu regeln. Tritt während des Betriebs des Halbleiterlasers eine Wellenlängenverschiebung auf, so
kann mit einem herkömmlichen APC-System keine gute Bildqualität erhalten v/erden.
Beispielsweise hat ein Halbleiterlaser einen Temperaturkoeffizienten
der Wellenlänge von 0,25 bis 0,3 mn. Bei einer Temperaturänderung von 30 C tritt deshalb
eine Wellenlängenverschiebung von 9 mn des Maximums auf. Ist die Wellenlängen abhängigkeit der Empfindlichkeit
des photoempfindlichen Materials größer, so wird das erhaltene Bild schlecht in der Qualität.
Andererseits gibt es ein Verfahren, bei der ein Halbleiterlaserelernent bei einer bestimmten Temperatur
durch den Einsatz einer Kühleinrichtung, wie eines Peltier-Elementes verwendet wird. Jedoch werden durch
dieses Verfahren sowohl die Zahl der Bauteile ais auch die Kosten erhöht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
ου Halbleiterlaservorrichtung, die die vorstehend angeführten
Nachteile beim Stand der Technik beseitigt und ein Bildaufzeichnungsgerät zu schaffen, bei dem ein
photoempfindliches Material durch den Ausgangsstrahl
dieser Laservorrichtung abgetastet wird. Bei dem HaIbleiterlasersystem
soll der Rückstrahl nicht mit dem
14 DE D413
Frontstrahl gemischt werden und eine sehr genaue Regelung des Ausgangsstrahls möglich sein. Ferner soll bei
der Halbleiterlaservorrichtung ein Temperaturaufnehmer, beispielsweise ein Thermistor, der eine Wider-Standsänderung
infolge einer Temperaturänderung
zeigt, an einer Stelle eingebaut sein, die eine genaue Messung der Temperatur des Halbleiterlaserelementes gestattet. Der Temperaturaufnehmer soll so mit einer
Schaltung verbunden sein, an der das Ausgangssignal des Photodetektors anliegt, der das Licht des Laserelementes
empfängt, daß wenn eine Wellenlängenverschiebung aufgrund einer Temperaturänderung auftritt, die
Information so rückgekoppelt wird, daß die erforderliche Menge von Licht, das dieser Wellenlänge entspricht,
erhalten wird, wodurch immer eine optimale Menge von Licht erhalten wird. Ferner soll ein Bildaufzeichnungsgerät
geschaffen werden, das diese Halbleiterlaservorrichtung verwendet.
Erfindungsgemäß soll ein Bildaufzeichnungsgerät
geschaffen werden, bei'dem die Aufzeichnung auf einem
lichtempfindlichen Material mittels des Ausgangsstrahls
eines Halbleiterlaser erfolgt, und bei dem ein optischer Filter mit einer Durchlassigkeitsverteilung,
die der für das verwendete photoempfindilche Material charakteristischen spektralen Empfindlichkeit
entspricht, vor einem Detektor angeordnet ist, der die Lichtnienge des Laserelementes mißt, so daß eine Veränderung der Empfindlichkeit des photoempfindlichen Mate-
rials kompensiert wird, die durch eine Verschiebung der Oszillationswellenlänge aufgrund von Umgebungstemperatur:änderung
des Laserelementes hervorgerufen wird.
- 15 - DE 0413
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung
näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Frontansicht der Anordnung einer herkömmlichen Halbleiterlaservorrichtung,
Fig. 2 ein Diagramm des Ausgangslichtes des Lasers und der Verteilung der Beleuchtungs
stärke auf der Lichtempfänger-Oberfläche der in Fig. 1 gezeigten Halbleiterlaservorrichtung
,
Fig. 3 ein Diagramm der Ausgangscharakteristik
des Lichternpfängers der Halbleiterlaservorrichtung
,
Fig. .4 eine Schaltung zur Regelung der Lichtmenge des Halbleiterlaserelementes,
Fig. 5 ein Diagramm der Wellenlängenabhängigkeits-
Charakteristikeines photoempfindlichen
Materials,
25
25
Fig. 6 eine schematische perspektivische Ansicht
eines ersten Ausführungsbeispiels der Halbleiterlaservorrichtung ,
Fig. 7 eine Seitenansicht der wesentlichen Teile
der in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung,
Fig. 8 eine schematische perspektivische Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels,
- 16 - DE 0413
Fig. 9 eine Seitenansicht der wesentlichen Teile des in Fig. 8 gezeigten Ausführungsbeispiels,
Fig. 10 eine Seitenansicht der wesentlichen Teile
eines dritten Ausführungsbeispiels,
Fig. 11 eine Seitenansicht der wesentlichen Teile
eines vierten Ausführungsbeispiels, 10
Fig. 12 eine perspektivische Ansicht einer mit
einem Temperaturaufnehmer versehenen Halbleiterlaservorrichtung,
Fig. 13 die Lichtmengen-Regelschaltung der in
Fig. 12 gezeigten Halbleiterlaservorrichtung,
Fig. 14 ein Diagramm des Laserausgangssignals oder der
Temperatur aufgetragen gegen die Wellen
länge,
Fig. 15 und 16 eine perspektivische Ansicht und
eine Seitenansicht einer mit einem optisehen
Filter versehenen Halbleiterlaser-
vorrichtung,
Fig. 17 ein Diagramm der gegen die Wellenlänge aufgetragenen erforderlichen Lichtmenge
für das photoempfindliche Material, zum
Erzielen einer bestimmten Empfindlichkeit zu erhalten,
Fig. 18 eine Seitenansicht eines weiteren Ausfüh-OJ
rungsbeispiels
030047/0789
- 17 - DE 0413
Fig. iy eine Seitenansicht eines anderen Ausführungsbeispiels,
das mit einem optischen Filter versehen ist,
Fig. 20 eine perspektivische Ansicht eines
Ausführungsbeispiels, mit einem optischen Filter
Fig. 21 eine perspektivische Ansicht eines das Halbleiterlaserelement verwendenden Bild
aufzeichnungsgerätes, und
Fig. 22 ein Blockschaltbild des in Fig. 21 gezeigten Gerätes.
15
15
Die Fig. 6 und 7 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel der Halbleiterlaservorrichtung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist eine elektrisch leitende Halterung 111 auf einer scheibenförmigen Grundplatte
110 befestigt, die im allgemeinen aus einem Metall wie beispielsweise Stahl oder Kupfer mit guten
Wärineabstrahlungseigenschaften hergestellt ist. Ein
Halbleiterlaserelement 113 ist an einer senkrechten Fläche 112 der Halterung 111 nahe deren oberen Ende in
herkönirnl.icher Weise angebracht. Das Halbleiterlaserelenient
113 wird über eine Treiber- oder Versorgungseinheit 114 betrieben, wobei das Halbleiterlaserelement
einen Frontstrahl 115 nach oben und einen Rückstsrahl
ou 116 nach unten aogibt, wie dies in Fig. 7 gezeigt ist.
Ö30Ö47/0789
- 13 - DE 0413
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, weist die Versorgungseinheit 114 eine positive Elektrode 117, die an der
senkrechten Fläche 112 der Halterung 111. angebracht ist, eine negative Elektrode 119, die an der senkrechten
Oberfläche mit einer dazwischengeschobenen isolierenden Platte 118 angebracht ist, Leitungen 120 und
121, die mit den entsprechenden Elektroden verbunden sind und sich mit einem zwischen die Leitungen und die
Grundplatte geschobenen isolierenden Material durch die Grundplatte 110 erstrecken, und eine Lasertreiberoder
Versorgungsschaltung 122 auf, die mit diesen Leitungen
verbunden ist. Das Halbleiterlaserelement 113 wird mit der Laserversorgungsschaltung 114 auf herkömmliche
Weise betrieben, wie es beispielsweise in der US-Patentanmeldung 822 340 beschrieben ist.
Die Halterung 111 ist in ihrem unteren Abschnitt mit einer geneigten Fläche 123 versehen. Ein Lichtempfänger
124 ist auf der geneigten Fläche angebracht.
Der Lichternpfanger 124 ist somit in bezug auf die
strahlaussendende Fläche des Halbleiterelementes 113 geneigt und empfängt in diesem geneigten Zustand den
von dem Halbleiterlaserelement ausgesandten Rückstrahl. Der Lichtempfänger 124 ist mit einem Verstärker 129
über Klemmen 125, 126 und Leitungen 127, 128 verbunden. Der Verstärker 129 ist mit der vorstehend beschriebenen
Laserversorgungsschaltung 122 verbunden. Der Lichtempfänger 124 legt somit die Ausgangsleistung des Rückstrahles
116 zur Rückkoppelung an die Laserversorgungs-
ou schaltung 122 an und regelt den Frontstrahl 115 und
den Rückstrahl 116 so, daß ihre Ausgangsleistungen einen bestimmten Wert annehmen.
Wird nun das Halbleiterlaserelement 113 betrieben, so trifft, wie in Fig. 7 gezeigt, bei diesem Aus-
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führurigsbeispiel der Rückstrahl 116 , der dieselbe Ausgangsleistung
wie der Frontstrahl 115 hat, auf den Lichtempfänger 124 auf. Ein Teil des Rückstrahles wird
durch die geneigte Lichtempfänger-Oberfläche in einer
Richtung reflektiert, die unterschiedlich von der Richtung des Frontstrahles 115 ist.
Ist V^ der V/inkel zwischen den Normalen der strahlaussendenden
Fläche des Halbleiterlaserelementes 113 und des Lichtempfangers 124, I die Maximalintensität
des Rückstrahles 116 und 1 der Abstand zwischen dem Teil der Lichtempfänger-Oberfläche, der die Intensität
I„ empfängt, und der Oberfläche, die den Rückstrahl aussendet,
so ist die Beleuchtungsstärke Ln des Teils
der Lichternpfänger-Oberflache, der die Maximalintensität
empfängt, gegeben durch:
I
L = — sin γ (3)
L = — sin γ (3)
° Jl2
Vergleicht man Gleichung (3) mit Gleichung (2), so sieht man, daß die Beleuchtungsstärke aufgrund der Neigung
des Lichteinpfängers 124 um den Faktor siny
niedriger ist. Folglich kann verhindert werden, daß das Ausgangssignal des Lichternpfängers 124 im nichtlinearen
Bereich H der in Fig. 3 gezeigten Empfindlichkeitskurve liegt, so daß eine genaue Lichtmengen-Messung durchgeführt
v/erden kann. Da der Lichtenipfanger 124 auf der
geneigten Fläche 123 befestigt ist, hat der reflektierte Strahl des Rückstrahls eine andere Richtung als der
Frontstrahl. Das Auftreten von Geisterbildern kann somit verhindert werden.
BAD ORIGINAL
Die Fig. 8 und 9 zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel der Halbleiterlaservorrichtung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel· erstreckt sich eine
Strahlreflexionsfläche 130 nach unten von der vertikalen
Fläche 112 der Halterung 111 weg, an der das Halbleiterlaserelement
113 angebracht ist. An der Halterung 111 ist eine horizontale Fläche 131 ausgebildet, die die
Strahlreflexionsfläche schneidet. Der Lichtempfanger
124 ist auf einer geneigten unterlage 132 angebracht, die auf der horizontalen Fläche 131 befestigt ist.
Die Richtung der Neigung des Lichtempfängers ist entgegengesetzt zu der bei dem ersten Ausführungsbeispiel.
Der Lichtempfanger 124 ist so geneigt, daß
der Teil der Lichtempfänger-Oberfläche, der die Maximalleistung
des Rückstrahls 116 empfängtr weiter von der
strahlaussendenden Oberfläche des Halbleiterlaserelementes 113 entfernt ist, als der andere Teil der Lichtempfänger-Oberflache.
Bei diesem Ausführungsbeispiel· wird die eine Häifte
des Rückstrahis des Hal·bl·eiterl·aserel·ementes 113 durch
die Strahlrefl·exionsfiäche 130 reflektiert und trifft
2*·» auf dem Lichtempfänger 124 auf, während die verbieibende
andere Hälfte des Rückstrahls direkt den Lichtempfänger
124 erreicht. Deshalb ist es ausreichend, wenn die Flächendes Lichtempfängers 124 so groß ist, daß sie die
eine Hälfte der Strahlemissions-Breite bedeckt. 30
Dieses Ausführungsbeispiel· ist in den anderen Punkten identisch mit dem ersten Ausführungsbeispiel·.
Im fol·genden soll der Betrieb dieses Ausführungs-
beispieis eriäutert werden.
Wie in Fig. 9 gezeigt ist, ist θ der (konstante) Winkel zwischen der Normalen der strahlaussendenden
Oberfläche des Halbleiterlaserelementes 113 und des Lichtempfänger 124 und ex der (variable) Austrittswinkel
des Halbleiterlaserelementes 113. Dann können die Distanz l(.-x ), die der Rückstrahl zurücklegen muß,
bevor er den Lichtempfänger 124 erreicht, die Intensität
I ( (N ) des Rückstrahls mit dem Austrittswinkel ex. ,
und die Beleuchtungsstärke der Lichtempfänger-Oberfläche
des Lichtempfängers 124, der den Rückstrahl empfängt,
als Funktionen des Austrittswinkels ex. ausgedrückt werden.
Die Beleuchtungsstärke L(ex ) der Lichtempfänger-Oberfläche
des Lichtempfängers 124, der den Strahl mit der Intensität I (ex ) empfängt ist dann gegeben durch:
LCa) = si
In dieser Gleichung wird sin (Θ+ ex.) auf der rechten
Seite vergrößert, wenn d größer wird, da θ konstant ist (Θ + ex
< 90°). Aus Fig. 9 sieht man, daß l(<x ) kleiner wird, wenn c<
größer wird. Folglich wird
sin(0+g)
[Ha)]2
[Ha)]2
größer, wenn <^ größer wird.
- 22 -
Das folgende erklärt sich hieraus. Die Intensität I(o<
) des Rückstrahles nimmt mit der Zunahme von ex. ab,
wie dies die Kurve A in Fig. 2 zeigt. Da jedoch
sinCQ+cQ
zunimmt, wird die Änderung der Beleuchtungsstärke L (ex. )
auf dem Lichtempfänger 124 sehr viel kleiner als die
Änderung von I ( ex ) . Dies führt zu dem Ergebnis, daß der
Unterschied in den Beleuchtungsstärken zwischen den Abschnitten der Lichtempfänger-Oberfläche des Lichtempfängers
124 kleiner wird, so daß es möglich wird, den Lichtempfänger im linearen Bereich der Ausgangscharakteristik
zu verwenden, der in Fig. 3 gezeigt ist.
l(c< ) kann mathematisch ausgedrückt werden durch: 20
sin + cos tan
Setzt man diesen Ausdruck in Gleichung (4) ein, so erhält man
030047/0789
Bestimmt man in dieser Gleichung die Intensität I( f- ) des Rückstrahls des Halbleiterlaserelementes
und den maximalen Einfallswinkel Cx des notwendigen Strahles, so ist es möglich, einen geeigneten Wert für
θ und den maximalen Abstand 1(0) zwischen dem Lichtempfänger 1 2-4 und der den Rückstrahl aussendenden Oberfläche
zu bestimmen, damit die Beleuchtungsstärke L((Λ )
des Lichtempfängers in den in Fig. 3 gezeigten linearen
Bereich G der Ausgangscharakteristik des Lichtempfängers TO fällt.
Fig. 10 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel, das gegenüber dem vorstehend beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel
modifiziert ist.
Obwohl es für die Herstellung der Halterung vorteilhaft ist, wenn die senkrechte Fläche 112 der Halterung
111 und die Strahlreflexionsfläche 130 wie bei dem
zweiten Ausführungsbeispiel· eine durchgehende Fläche sind, ist in Fig. 10 eine Stufe t zwischen beiden vorgesehen,
wenn der zwischen der den Rückstrahl aussendenden Fläche des HalMeiterlaserelementes 113 und der Strahlreflexionsfläche
130 gebildete Winkel ß ungefähr ein rechter Winkel ist.
Experimentell erhält man, wenn 1(0) = 10 mm und θ = 45° ist, ein Ergebnis, das die gestellte Aufgabe
löst, sogar wenn t = 3 mm und ß = 70 bis 110°.
Fig. 11 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel.
Dieses Ausführungsbeispiel ist gegenüber dem in den Fig. 8 und 9 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel·
dadurch modifiziert, daß anstelle der Strahlreflexionsfiäche
130 ein zweiter Lichtempfänger 133 angebracht ist.
030047/0789
Hierbei werden eine Vielzahl von Lichtempfängern verwendet. Jeder dieser Lichtempfänger ist so um den
Winkel Θ' geneigt, daß sie symmetrisch in bezug auf die Normale der strahlaussendenden Fläche des Halbleiterlaserelementes
113 sind. Der Neigungswinkel Θ1, der
Austrittswinkel (X ' und der Abstand IV zwischen der den
Rückstrahl aussendenden Fläche und den Lichtempfängern 124, 133 sind ähnlich wie Θ, (X. und 1 bei dem zweiten
Ausführungsbeispiel·
Wie vorstehend beschrieben worden ist, ist der
Lichtempfänger geneigt. Deshalb kann der Lichtempfänger
im linearen Bereich der in Fig. 3 gezeigten Ausgangscharakteristik verwendet werden. Dies führt sowohl zu
einer genaueren Messung des Laserstrahls durch den Lichtempfänger als auch zu einer hochgenauen Ausgangsregelung.
Ferner mischt sich der von der Lichtempfänger-Oberfläche
des Lichtempfängers reflektierte Rückstrahl nicht mit dem Frontstrahl. Dies ermöglicht das Auftreten
von Geisterbildern zu verhindern und die gesteckten Ziele zu erreichen.
Wie bereits ausgeführt worden ist, verschiebt sich die Oszillationswellenlänge des Halbleiterlaserelements
aufgrund einer Änderung in der Umgebungstemperatur. Die Wellenlängenverschiebung ist unerwünscht,
da sie große Nachteile für das entstehende Bild eines Bildaufzeichnungsgerätes hat, bei dem
ein photoempfindliches Material verwendet, wird dessen Empfindlichkeit sich ändert.
Im folgenden werden zur Kompensation dieses Effektes verschiedene Ausführungsbeispiele erläutert. Die Fig.
12 und 13 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel·. In Fig. 12 ist mit 201 ein Halbleiterlaserelement bezeichnet,
das einen .Frontstrahl· L.. und einen Rückstrahl· L„ aus-
030047/0789
sendet. Eine Laserhalterung (Halterungsteil) 202 aus Metall trägt das Halbleiterlaserelement. Mit 203 ist
ein Temperaturaufnehmer, beispielsweise ein Thermistor bezeichnet, der eine Widerstandsänderung entsprechend
einer Temperaturänderung des Halbleiterlaserelements zeigt. Der Temperaturaufnehmer 203 ist mittels eines
wärmeleitenden Klebstoffes 204 in einem Loch in der Laserhalterung 202 befestigt. Alternativ kann der Temperaturaufnehmer
auch an dem Halbleiterlaserelement 201 angebracht sein. Mit 205 ist ein Photodetektor bezeichnet,
der den Laserstrahl des Halbleiterlasers empfängt, der nicht zur Aufzeichnung benutzt wird, also den Rückstrahl
L2. Der Photodetektor 205 ist fest auf der Laserhalterung
202 angebracht. Seine Lichtempfänger-Oberfläche ist so
geneigt, daß sie nicht senkrecht zu dem Rückstrahl L2
ist.
Wie in Fig. 13 gezeigt ist, ist ein Widerstand mit dem Widerstandswert R in Serie mit dem Photo-
detektor 205 geschaltet. Der Temperaturaufnehmer 203 mit dem Widerstandswert R_ ist parallel zu dem Photodetektor
205 und dem Widerstand 206 geschaltet. Der Eingang IN1 eines Fehlerverstärkers ist mit der Klemme T1
des Photodetektors 205 verbunden. Eine Referenzspannungsquelle 208 ist zwischen den Eingang IISL· des Fehlerverstärkers
und eine Klemme T2 geschaltet.
Trifft der Rückstrahl L2 des Halbleiterlaserelementes 201 auf den Photodetektor 205 auf, so fließt
ein Strom I1. Hierdurch wird die Klemmenspannung V1 des
Thermistors 203 1..'Rn1^. Diese Spannung wird mit der
Referenzspannung V verglichen, und ein Signal zur Rückkoppelung
an eine Laserversorgungsschaltung 209 angelegt, die das Halbleiterlaserelement 201 so versorgt, daß
V1 gleich VQ wird, so daß der Speisestrom des
HalbleiterlaserelementrjZOI geregelt wird.
030047/0789
Bei der vorliegenden Halbleiterlaservorrichtung
wird der Ausgang des Lasers immer auf einen optimalen Wert durch die Größe der Temperaturänderung des Temperaturaufnehmers
203 korrigiert, sogar wenn die Wellenlänge durch einen Temperaturanstieg des Halbleiteriaserelementes
201 sich verschiebt, um die erforderliche Lichtmenge
zu erhalten.
Dies soll nun im einzelnen beschrieben werden.
Die Empfindlichkeit des später beschriebenen photoempfindlichen
Materials, das mit dem Frontstrahl beleuchtet wird, wird zunächst gemessen und die Laserwellenlänge
λ auf der Abszisse gegen die Lichtmenge P aufgetragen, die für das photoempfindliche Material
erforderlich ist, um die erforderliche Sensibilität zu erhalten. Ein Beispiel hierfür ist in Fig. 14 gezeigt.
Die Abszisse in Fig. 14 kann auch die Temperatur des
Laserelementes darstellen.
Als nächstes wird der Temperaturkoeffizient
All Δ T der Wellenlänge des Halbleiterlasers bestimmt.
Aus diesen Ergebnissen kann die Größe der Verschiebung
der Wellenlänge in dem benutzten Temperaturbereich sowie die Größe der Verschiebung der erforderlichen Lichtmenge
bestimmt werden. Deshalb sollte die erforderliche Lichtmenge nur durch die Größe der Verschiebung der
Wellenlänge korrigiert werden.
Diese Korrektur erfolgt folgendermaßen: 30
Da die Schaltung so arbeitet, daß die Beziehung
1I^TH = V0 iltimer aufrecht erhalten wird, sollte der Widerstandswert
IL1J, des Thermistors durch die Temperatur' nur so geändert
werden, daß die in Eig. 14 gezeigte Sensibilitätskurve des photoempfindlichen Materials korrigiert wird. Dementsprechend
sollte der Temperaturkoeffizient (B konstant)
030047/0789
des Widerstandes des Thermistors in dem benutzten Temperaturbereich,
beispielsweise von 10 bis 40 0C (283 0K
bis 313 0K) ausgesucht werden.
Gilt
RTH 10°-C
111 = 2.0,
111 = 2.0,
rTI[ «fire
so ist bekannt, daß B 2000 K ist, da
RT1I 10°C
^TO-C = E» t » ,V- IT»·
T 283°K 3130K
Hierbei bedeutet EXP die Exponentialfunktion, d. h. 20
1T1 T7J.
Wird also ein Thermistor mit einer Konstante B von2000 K in der Vorrichtung eingebaut, so kann man eine
geeignete Lichtmenge erhalten.
Ein willkürlicher numerischer Wert kann nicht für die Konstante B des Thermistors erhalten werden, jedoch
ist es möglich, verschiedene Konstanten B zu erhalten, wenn der Thermistor und ein fester Widerstand kombiniert
werden. Deshalb kann die Beziehung zufriedenstellend erfüllt werden, sogar wenn das Halbleiterlaserelement
Temperaturkoeffizienten für die Wellenlänge von 0,25 bis 0,3 nm/°C hat und wenn die Sensibilität der Trommel
030047/0789
- 28 - DE 0413
differiert. Auch wenn die Widerstandsänderung des
Thermistors mit der Temperatur nicht linear ist, so ergeben sich bei Temperaturverschiebungen von ungefähr
30 0C keine wesentlichen Probleme.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann bei diesem
Ausführungsbeispiel, sogar wenn die erforderliche Lichtmenge
mit einer Wellenlängenänderung des Halbleiter- «
laserelementes schwankt, die Laserausgangsleistung immer
IQ zu einem geeigneten Wert mittels des Photodetektors
und des Temperaturaufnehmers verschoben werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Lichtmenge des Rückstrahles
gemessen. Natürlich kann auch die Lichtmenge des Frontstrahles zu einer bestimmten Zeit gemessen
ic werden.
Im folgenden soll ein zweites Ausführungsbeispiel· beschrieben werden, bei dem die Empfindiichkeitsänderung
des photoempfindiichen Materiais kompensiert wird,
die durch die Veränderung der Schwingungswellenlänge des Halbleiterlaserelementes hervorgerufen wird, die
auf einer Änderung der umgebungstemperatur basiert.
Fig. 15 zeigt den Grundaufbau des Halbleiterlaserelementes
dieses Ausführungsbeispiels. Fig. 16 zeigt einen Querschnitt hiervon. Ein Halbleiteriaserelement
311 ist an einem Kühlkörper 312 aus Kupfer angebracht. Die Elektroden des Halbleiterlaserelements
sind mit Metallelektroden 313 und'314 verbunden, die
von dem Kühlkörper 312 isoliert sind. Der Rückstrahl· 311b des Hal·bleiterlaserel·ements 311 passiert einen
Fiiter 316 und trifft auf einen Photodetektor 315 auf. Der spektraie Transmissionsfaktor des Filters ist entsprechend
der spektralen Empfindlichkeit des später beschriebenen photoempfindlichen Materiais ausgewählt,
das zu Aufζeichnungszwecken mit dem Frontstrahl· 311a
030047/0789
- 29 - DE 0413
des Halbleiterlaserelements 311 bestrahlt wird. Dies ist durch eine Kurve 318 in Fig. 17 gezeigt. Die Kurve 318
stellt ferner die Empfindlichkeitskurve des photoempfindlichen Materials dar. Andererseits hängt die spektrale
^ Empfindlichkeit des Photodetektors 315, falls dies einer vom PIN-Aufbau ist, kaum von der Wellenlänge im
• nahen Infrarotbereich ab. Dies zeigt eine gestrichelte
Linie 317 in Fig. 17. Folglich muß die erforderliche Lichtmenge, die von dem Halbleiterlaserelement 311 ausgesandt
werden sollte, eine Charakteristik haben, wie sie in Fig. 17 durch eine strichpunktierte Linie 319 dargestellt ist.
(Der Abschnitt a bis b der strichpunktierten Linie 319 stellt dieselbe Charakteristik wie die gerade Linie in
Fig. 5 dar.) Ist In(^.) die vom Laser ausgesandte Licht-
menge und T(^ ) der Transmissionsfaktor des Filters,
dann ist die auf den Photodetektor 315 auftreffende Lichtmenge I gegeben durch:
Ι(λ) = T(X)
Ferner ist, wenn sich die Umgebungstemperatur ändert und sich die Laserwellenlänge zu /, - verschiebt,
Wenn die Rückkoppelung so betätigt wird, daß die auf den Photodetektor 315 auftreffende Lichtmenge 1(^ ) unabhängig
von konstant bleibt, (dies geschieht in ähnlicher Weise wie bei herkömmlichen APC-Systemen)
so ergibt sich
3Q1-7509
- 30 - DE 0413
Ι(λ) = TCA)-I0CX) = ICA1) =
Somit wird die auf das photoempfindliche Material
auftreffende Lichtenergie genau so in ihrer Größe korrigiert, wie wenn die Empfindlichkextsabhängigkeit
des photoempfindlichen Materials korrigiert würde.
Die spektrale Transmissionsfaktor-Charakteristik eines solchen Filters ist zur Korrektur geeignet, wie
bereits beschrieben worden ist, wenn sie dieselbe Charakteristik wie die Empfindlichkeitskurve des verwendeten
photoempfindlichen Materials hat. Wenn der tatsächlich benutzte Wellenlängenbereich jedoch nur
ein enger Bereich ist, beispielsweise der Bereich von a bis b in Fig. 17, dann kann der Transmissionsfaktor
im Punkt a in Fig. 17 so ausgelegt werden, daß er 100 %
ist. Durch eine solche Auslegung wird die Korrektur in geeigneter Weise möglich, ohne daß dem Halbleiterlaserelement
mehr Last als nötig aufgebürdet wird.
Ein solcher Filter kann als optischer Absorptionsfilter aufgebaut werden. Im Handel erhältliche Filter
sind jedoch in ihrer Vielfalt beschränkt. Deshalb kann die gewünschte Transmissionsfaktor-Verteilung in manchen
OQ Fällen nicht erhalten werden.
In diesen Fällen kann der Filter durch die Verwendung eines dielektrischen Vielschicht-Films frei
gewählt werden. Beispielsweise kann ein Filter, der 2^ die erforderliche Empfindlichkeitskurve des photoempfindlichen
Materials zeigt, durch ein Material aufgebaut werden, das Magnesiumfluorid (MgF„) und Zirkondioxid
030047/0789
- 31 - DE 0413
2) aufweist, die alternierend zu einer optischen
Filmdicke nd (n: Brechungsindex, d: Filmdicke) 235,8 nm in einer Vielfachschicht mit BK7 als Grundlage
aufgedampft sind. Um ein Beispiel zu geben, ein Filter, der zu der iriFig. 17 gezeigten Empfindlichkeitskurve 318
des photoempfindlichen Materials paßt, könnte durch abwechselndes Aufbringen von sieben Schichten aus ZrO^
(n = 2,07) und MgF2 (n = 1,38) auf einem Glassubstrat
BK7 und abschließendes Aufbringen einer weiteren Schicht
aus ZrOp durch Aufdampfen hergestellt werden.
Fig. 18 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem ein Filter 316-1 und ein Photodetektor 315-1
geneigt so angeordnet sind, daß sie nicht senkrecht zu dem Rückstrahl· 311b sind, um zu verhindern, daß Licht
zu dem Laser zurückrefiektiert wird. Diese Maßnahme
wird getroffen, da in Rechnung gestellt wird, daß, wenn Licht zu dem Laserelement zurückreflektiert wird, dessen
Charakteristik aufgrund des wohlbekannten Selbstkoppelungs-Phänomens
instabil wird.
In Fig. 18 sind Teile, die denen in Fig. 15 und 16 ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen,
wobei zur Unterscheidung "-1" hinzugefügt wurde.
Wenn die photoempfindliche Charakteristik des photoempfindlichen
Materials irregulär wird oder wenn es gewünscht ist, einen genauen Korrektureffekt zu erzielen,
ist es zunächst notwendig, den Filter 316 auszuwechseln. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel jedoch wird diese
Korrektur dadurch mögiich, daß der Filter mit einem Justiermechanismus versehen wird.
030047/0783
^ 32 - DEL O4r3
Fig. 19 zeigt dieses Ausführungsbeispiel. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind ein Filter 316-2 und ein Photodetektor
315-2 auf einem drehbaren Haltete!! 322 angeordnet. Der Einfallswinkel des Rückstrahls auf den Photodetektor
315-2 kann durch eine Justierschraube 320 geändert werden.
In Fig. 19 sind Teile, die denen in Fig. 15 und 16 ähnlich sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
]0 Im- allgemeinen ändert sich die Transmissionsfaktorkurve
eines optischen Filters und eines dielektrischen Filters mehr oder weniger,· wenn der Einfallswinkel des auf diesen
Filter einfallenden Lichtstrahls geändert wird. Dies
rührt daher, daß die Länge des optischen Weges auf dem
Weg durch den Filter durch den Einfallswinkel geändert
wird. Wenn der Filter entsprechend der Unregelmäßigkeit
des photoempfindlichen Materials gewählt wird, ist es dementsprechend nur erforderlich, den Winkel des Filters
in bezug auf den Rückstrahl· zu ändern. Es ist somit nicht notwendig, eine Vielzahl von Filtern herzustellen;
trotzdem ist eine hochgenaue Lichtmengenregelung mit nur einer Filterart möglich.
Fig. 20 zeigt die Lichtquelle, die in ein TO-Gehäuse
321 eingeschmolzen und eingeschlossen ist. Ein Justiermechanismus, der die zuvor beschriebene
Justierschraube 320 aufweist, ist von außen zu bedienen.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann die Lichtmengenregelung
aufgrund der Wellenlängenverschiebung des Halbleiterlaser mit sehr hoher Genauigkeit durch
Anordnen des Filters vor dem Photodetektor durchgeführt
werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Lichtmenge des Rückstrahles gemessen. Natürlich ist es auch,
wie schon früher beschrieben, möglich, den optischen Filter in dem von dem Frontstrahl beleuchteten Abschnitt
anzuordnen. Dies rührt daher, daß die Beziehung zwischen
030047/G78S
- 33 - DE 0413
der Lichtmenge des Frontstrahles und der des Rückstrahles
linear ist. Jedoch hat die Anordnung im Bereich des Rückstrahles den Vorzug, daß dieser ständig gemessen werden
kann.
Wie vorstehend in Verbindung mit einigen Ausführungsbeispielen
beschrieben worden ist, ist es erfindungsgemäß immer möglich, ein gutes Bild sogar dann zu
erhalten, wenn sich die Temperatur des Halbleiterlaser-
IQ elementes aufgrund von Umwelteinflüssen oder aufgrund
von Selbstaufheizung des Halbleiterlaserelementes ändert.
Natürlich kann der Lichtmengendetektor auch eine Veränderung in der Lichtmenge eines gewöhnlichen Halbleiterlaserelementes
messen, die nicht von einer Temperaturänderung begleitet ist. Deshalb erreicht immer eine
notwendige und hinreichende Lichtmenge das photoempfindliche Material.
Im folgenden soll ein Beispiel für ein Bildaufzeichnungsgerät
beschrieben werden, bei dem der vorstehend beschriebene Halbleiterlaser geeignet verwendet wird.
Das Laser-Aufzeichnungsgerät wird in Verbindung mit Fig. 21 beschrieben. Eine das elektrophotographisehe. Verfahren
verwendende Aufzeichnungseinheit 401 weist eine photoempfindliche Trommel 402, eine Entwicklungseinrichtung
403, eine Wärme-Fixiereinrichtung 404, einen Lader 405, einen Papierführungsmechanismus 406 υμά
Aufzeichnungspapier 406a auf. Ein elektrisches latentes
Bild, das auf der Oberfläche der photoempfindlichen
Trommel 402 durch das herkömmliche elektrophotographische
Verfahren aufgrund des Abbildungslichtes gebildet wird,
wird in ein sichtbares Bild durch den Lader 405 und die
Entwicklungseinrichtung 403 entwickelt. Ferner wird das auf dem latenten Bild basierende Bild auf das Aufzeichnungspapier
406a gedruckt, das durch den Papierführungs-
. 3017503
- 34 - DE 0413
] mechanismus 406 zugeführt wird. Die photoempfindliche
Trommel 402 besteht aus dreischichtigem photoempfindlichen
Material, wie es in den US-PSen 4 071 361 und 3 666 beschrieben ist, und zeigt die in den Fig. 3, "5 oder c
17 gezeigte Charakteristik. Ihre photoempfindliche
Schicht ist dadurch sensibilisiert, daß CdS mit einer
Verunreinigung wie beispielsweise Kupfer, Chlor oder
etwas ähnlichem dotiert worden ist, damit sie über einen
weiten Wellenlängenbereich verwendet werden kann. Statt •jQ dessen· kann auch mit Te dotiertes Se verwendet werden.
Verschiedene optische Elemente und eine ■Optikmontierplatte 407, auf der diese optischen Elemente angebracht
sind, sind in der Aufzeichnungseinheit enthalten. Auf der
Optikmontierplatte 407 ist eine Laserversorgungseinheit
409 angeordnet., die eine Halbleiterlagereinrichtung
versorgt, die ein Halbleiterlaserelement enthält, das
die Lichtquelle ist* die den Bildinformationsstrahl
für die photo empfindliche. Trommel 4Ό2 liefert. Ferner sind auf .der Optikmontierplatte 407 eine Kollimatorlinse
410, die den sich nach dem Austritt aus dem Laserelement
expandierenden Strahl kollimiert, ein Spiegel 411, der
den Lichtstrahl nach dem Durchtritt durch die Kollimatorlinse 410 umlenkt, eine'stfahlaufweitungslinse "412, die
den Durchmesser des" von dem Spiegel 41V reflektierten
. Strahl aufweitet, ein Oälvänometer-Abtastspiegel 413,
durch den die photoempfindliche Trommel 402 durch den".
Strahl abgetastet wird, eine Äbbildungslinse 414, die ·
den Abtastlichtstrahl nach dem Abtastspiegel'413 auf die
. . Oberfläche der photqempfindlichen Trommel· abbildet,
ein Strahlpiositionsbes.timmungsspiegel 415/'der den aus
der Ab'blldungsiinse: 4T4austretenden''Abtaststrahl
reflektiert, und.eine Strahipdsxtionsbestimmungseinridhtüng
416 angeordnet, die. den von' dem Spiegel 415 reflektierten
Lichtstrahl mißt und ein Zeilenänfangssignal
erzeugt^ In einem darunterliegenden Gehäuse 417 ist eine
. SpannungsvQrsörgungseinheit 4t8,. eine 'Fblgesteuerschai-
- 35 - DE 0413
tung 419 und eine Bildsignalsteuerschaltung 420 enthalten.
Auf der Oberfläche der Optikmontierplatte 407 ist eine Platte 421 mit einer Montieröffnung für die
Strahlaufweitungslinse 4T2, eine Platte 422 mit einer
Montieröffnung für die Abbildungslinse und eine Platte
423 angebracht, die eine in der optischen Achse liegende Öffnung hat und mit einem Photodetektor 423a auf der
Rückseite der öffnung versehen ist, die mechanisch so ausgerichtet und angebracht sind, daß die Mittelpunkte
der öffnungen optisch auf einer geraden Linie liegen.
Eine Scheibe 42 4 mit einer in der optischen Achse liegenden öffnung ist abnehmbar ; an dem vorderen
Ende der Strahlaufweitungslxnse 412 so angebracht, daß der Mittelpunkt dieser Öffnung koinzident mit der
optischen Achse der Strahlaufweitungslxnse 412 Ist. Ein fluoreszierendes Material, das durch Licht im Wellenlängenbereich
von 800 bis 900 nm angeregt wird, sichtbares Licht emittieren, ist an den gesamten Umfangsflächen
der Öffnungen in der Platte 423 und der Scheibe 424 angebracht.
Durch Entfernen des Galvanometer-Abtastspiegels 413 und durch Projizieren des aus der Strahlaufweitungslinse
412 austretenden Bildes des Laserstrahls auf die
Oberfläche des an der Platte 423 angebrachten fluoreszierenden Materials kann die Position des Laeerstrahlbildes
beobachtet werden. Die Richtung des Laserstrahls
kann parallel zu der optischen Achse der Strahlaufor)
ov weitungslinse 412 dadurch gemacht werden, daß die
reflektierende Fläche des Spiegels 411 geschwenkt wird.
Geht der gesamte Laserstrahl durch die Öffnungen in der
Platte 423 und der Scheibe 424 aufgrund der vorstehend beschriebenen Justiermaßnahmen des optischen Weges r
OvJ so wird als Ergebnis hiervon das Ausgangssignal des.
auf der Platte 423 angeordneten Photödetektors 423a
maximal. Kennt man das Ausgangssignal des Photodetektors
030Ö47/0783
- 36 - DE 0413
321a, so kann, überprüft werden, ob der optische Weg
richtig eingestellt ist. Auf der Oberfläche der Optikmontierplatte 407 ist zwischen der Abbildungslinse
414 und der photoempfindlichen Trommel 402 eine Platte 425 mit einem Schlitz, durch den der Abtaststrahl durchgeht,
derart mechanisch angeordnet und befestigt, daß der Mittelpunkt der kürzeren Seite des Schlitzes mit
dem Mittelpunkt der Abtastebene der AbbiLdungslinse
414 zusammenfällt. Das zuvor erwähnte fluoreszierende·
TO Material ist um diesen Schlitz herum angeordnet. Durch
die Lichtemission des fluoreszierenden Materials auf der
Platte 425 kann die Position des Abtaststrahles auf der Platte 425 bestimmt werden.
Im folgenden soll in Verbindung mit Fig. 22 beschrieben werden, wie das vorliegende Gerät eine Figuren-
oder Zeicheninformation von einem Computer empfängt und die gewünschte Hartkopie herstellt. Die von einem
Computer 501 kommende Information wird in einem bestimmten Format direkt oder nach Aufzeichnung auf einem
Magnetband oder einer Magnetplatte an eine Schnittstelle 502 des Gerätes gelegt. Die verschiedenen
Befehle des Computers werden von einer Befehls-Ausführungseinheit
504 decodiert und ausgeführt. Die Daten werden in einem Datenspeicher 503 in einer bestimmten
Menge gespeichert. Im. Fall von Zeichen-Aufzeichnung
liegen die Daten in binärcod-ierter Form vor. Tm Fall
von Figuren-Aufzeichnung haben die Daten die Form einer
Einheit, die das- Bild der Figur aufbaut oder die Daten
30^ liegen in Form von Zeilen vor, die die Figur bilden
(sog. "Vektor-Daten"Ϊ. Diese Betriebsweisen werden vor den Daten ausgewählt. Die Befehls-Ausführungseinheit 504" steuert den Datenspeicher 503 und einen Zeilen-Datengenerator
506 so, daß sie die Daten entsprechend
35- der ausgewählten Betriebsweise verarbeiten. Der Zeilen-Datengenerator
506 erzeugt Enddaten entsprechend einer Abtastzeile.
030047/0789
30175Q9
- 37 - . DE 0413
] Liegen die Daten im Zeichencode vor, so werden Zeichenmuster aus einem Zeichengenerator 505 ausgelesen;
einer Zeile entsprechende Zeichenmuster werden hintereinander gesetzt und zwischengespeichert oder ein einer Zeile
c entsprechender Zeichencode zwischengespeichert und Zeichenmustern
nacheinander aus dem Zeichengenerator 505 ausgelesen, um hierdurch die Enddaten herzustellen, mit denen
das Laserlicht entsprechend einer Abtastzeile moduliert wird. Liegen die Daten als Abbildungsinformation vor,
•in werden die Daten in Abtastzeilen-Daten umgesetzt, um nacheinander
die Enddaten herzustellen, mit denen das Laserlicht entsprechend einer Abtastzeile moduliert wird.
Die einer Abtastzeile entsprechenden Daten werden entweder an einen ersten Zeilenzwischenspeicher 507 oder an
einen ,zweiten Zeilenzwischenspeicher 508 unter Steuerung durch einen Zwischenspeichersteuerschaltkreis 509 gelegt.
Jeder der Zeilenzwischenspeicher weist ein Schieberegister oder etwas ähnliches auf, das eine Stellenzahl
gleich der Zahl der Bildelemente in einer Abtastzeile hat.
Die Daten des ersten Zeilenzwischenspeichers 507 oder des zweiten Zeilenzwischenspeichers 508 werden nacheinander
durch ein einer Abtastzeile entsprechendes Ein-Bitsignal mit dem Strahlnaahweissignal der in Fig.
20 gezeigten St.rahlpositionsbestimmungseinrichtung 416 als Triggersignal ausgelesen und an eine Lasermodulationssteuerschaltung
511 angelegt. Während der Zeit, in der die reflektierende Oberfläche des Abtastspiegels
413 die photoempfindliche Trommel entlang einer Zeile senkrecht zu der Drehrichtung der Trommel abtastet,
wird ein Signal 511a' der Lasermodulations-Steuerschaltung 511 an ein Laserelement 500 über eine Laserversorgungs-
und Steuerschaltung 516 angelegt, die den Laserspeisestrom · steuert, und ein Helldunkelmuster
einer Abtastzeile wird auf die photoempfindliche Trommel 402 aufgebracht. Die Daten werden abwechselnd,
030047/0789
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gesteuert von dem Zwischenspeichersteuerschaltkreis 509, aus dem ersten und dem zweiten Zeilenzwischenspeicher
507 und5O8 ausgelesen. Wenn die Daten aus dem einen Zeilenzwischenspeicher ausgelesen werden, werden währenddessen
andere Dasten in den anderen Zeilenzwischenspeicher eingeschrieben. Aufgrund dieses Systems können
alle Daten an den Modulator angelegt werden, wenn das
Intervall zwischen dem ersten Abtasten und dein folgenden
Abtasten für den Abtastspiegel 412 sehr kurz ist, um
über'die photo empfindliche Trommel 402 abzutasten.
Während der Zeit, in der eine Zeile abgetastet wird, fährt die photoempfindliche Trommel 402 fort sich mit
einer konstanten'Geschwindigkeit zu drehen und bewegt
sich um einen bestimmten Abtastzeilenabstand.
Nachdem der Startbefehl· von der Befehls-Ausführungseinheit
504 empfangen worden ist, bewirkt ein Drucker^ steuerschaltkreis 512 zur Steuerung des Druckers 401 ,
daß der Drucker seinen.Betrieb aufnimmt. Ein Drucker-Fertigsignal·
512a und ein Abtast-Fertigsignal· 513a,
das von einem Abtaststeuerschaitkreis 513 zur Steuerung
■ des Abtastspiegels 413 erzeugt worden ist, wird zu der Befehis-Ausführungseinheit 504 zurückgegeben. Wird das
Signal· an das Laserel·ement 500 angelegt und die ersten
Daten der ersten Seite auf die photoempfindliehe Trommel· 402 geschrieben, so wird einfaches Aufzeichnungspäpier
406a durch den Papierführungsmechanismus 406 zu einer Zeit zugeführt, daß die aufgeschriebenen Daten/auf den
Kopfteil der Seite bei der' Biidubertragungsstation
übertragen werden. Somit werden die Zeichenoder Figureninformationen des Computers 501 ais
Hartkopie auf gewöhniichem Papier ausgegeben.
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Der Rückstrahl RB des Laserelements 500 wird von einer bereits beschriebenen Lichtmengenmeßschaltung
an die Laserversorgungs- und -Steuerschaltung 516 angelegt, wodurch die sog. APC-Regelung durchgeführt wird.
Im Falle der Halbleiterlaservorrichtung entsprechend dem in den Fig. 12 und 13 gezeigten Ausführungsbeispiel
sind ein Temperaturaufnehmer 521/beispielsweise
ein Thermistor vorgesehen. Im Falle der Hälbleiterlaservorrichtung
entsprechend der in den Fig. 15- bis 20 g-e-]Q
zeigten Ausführungsbeispiele ist ein optisches Filter 5 22, das die bereits beschriebene spektrale Empfindlichkeitscharakteristik
des photoempfindlichen Materials aufweist, zwischen dem Laserelement 500 und der Lichtmengenmeßschaltung
5 20 angeordnet.
Wie vorstehend beschrieben wurde, ist erfindungsgemäß eine Halbleiterlaservorrichtung geschaffen worden,
bei der der Rückstrahl nicht mit dem Frontstrahl gemischt wird, und bei der zudem eine hochgenaue Regelung des
Ausgangsstrahls möglich ist. Ferner ist es bei der erfindungsgemäßen
Halbleiterlaservorrichtung möglich, eine Veränderung der Empfindlichkeit des photoempfindlichen
Materials zu kompensieren, die von einer Verschiebung der Wellenlänge aufgrund einer Temperaturänderung
herrührt. Erfindungsgemäß wurde ferner ein Bildaufzeichnungsgerät
geschaffen, das diese Halbleiterlaservorrichtung verwendet. Dieses Gerät kann mit geringen
Kosten bei einem einfachen Aufbau realisiert werden.,
so daß die vorliegende Erfindung in der Praxis einen hohen Nutzen hat.
Claims (32)
10 Patentansprüche
Halbleiterlaservorrichtung, gekennzeichnet durch ein Halbleiterlaserelement (113; 201; 311; 500)
und durch einen Lichtempfänger (124; 133;' 205; 315; 520) zum Messen der Strahlintensität des Halbleiterlaserelementes,
wobei der Lichtempfänger geneigt zu der den Strahl aussendenden Fläche des Halbleiterlasereletnentes
eingebaut ist.
2. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtempfänger (124;
133; 205; 520) die Strahlintensität des Rückstrahles (116; L2; 311b; RB) des Halbleiterlaserelementes mißt.
3. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Abschnitt des Lichternpfängers,
der die maximale Strahlintensität empfängt, weiter entfernt von der strahlaussendenden Fläche als
die anderen Abschnitte des Lichtempfängers eingebaut
30 ist.
4. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Regeleinrichtung
aufweist, die die Intensität des Ausgangsstrahles des Laserelementes auf der Grundlage des Meß-Ausgangssi-
Mü/rs
030047/0789
Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070 Dresdner Bank (München) Kto. 3939844
Postscheck (München) Kto. 670-43-804
- 2 - DE 0413
gnals des Lichtempfängers mißt.
5. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Lichtempfängern
(124, 133), von denen jeder symmetrisch in bezug auf die Normale der strahlaussendenden Fläche angeordnet
ist. · .
6. Halbleiterlaservorrichtung, gekennzeichnet durch ein Halbleiterlaserelement (201), einen Lichtempfänger
(205) zum Messen der Intensität des Ausgangsstrahls des Halbleiterlaserelements, einen Temperaturaufnehmer
zum Messen der Temperatur nahe dem Halbleiterlaserelement, und durch eine Regeleinrichtung (203,
bis 209) zum Regeln der Intensität des Ausgangsstrahles des Halbleiterlaserelements mittels des Ausgangssignals
des Temperaturaufnehmers und des Ausgangssignales des Lichtempfängers.
7. Halbleiterlaservorrichtung nach,,Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtempfänger die Strahlintensität des Rückstrahles des Halbleiterlaserelements
mißt.
8. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Träger (202) aufweist,
der das Halbleiterlaserelement trägt, und an dem der Temperaturaufnehrner angebracht ist.
9. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturaufnehmer
(203) an dem Träger (202) mittels einer wärmeleitenden Substanz (204) angebracht ist.
10. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 6,
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dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturaufnehmer
(203) ein Thermistor ist, dessen Widerstandswert sich entsprechend der Temperaturänderung ändert.
11. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Festwiderstand (206) in
Serie mit dem Thermistor (203) geschaltet ist und eine willkürliche Konstante B des Thermistors durch Auswahl
des Widerstandswertes des Festwiderstandes erhältlich ist.
12. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Meß-Ausgangsspannung
des Lichtempfängers (205) an den verbundenen Festwiderstand und den Thermistor angelegt ist.
13. Bildaufzeichnungsgerät, gekennzeichnet durch ein Halbleiterlaserelement (408; 500), ein photoempfindliches
Material (402), das das Ausgangslicht des HaIbleiterlaserelements
empfängt, eine Einrichtung, die entsprechend dem Ausgangslicht ein elektrostatisches
latentes Bild auf dem photoempfindlichen Material bildet,
und ' eine Kompensiereinrichtung, die eine Änderung der Empfindlichkeit des photoempfindlichen
Materials kompensiert, die durch eine Verschiebung der Ausgangswellenlänge aufgrund einer Temperaturänderung
des Halbleiterlaserelements entsteht.
14. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 13, da-
ou durch gekennzeichnet, daß die Kompensiereinrichtung
einen Lichtempfänger, der die Intensität des Ausgangsstrahls
des Halbleiterlaserelements mißt, und ein optisches Filter aufweist das vor dem Lichtempfänger angeordnet
ist.
35
35
- 4 - DE 0413
15 . Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 14, dadurch
gekennzeichnet, daß das optische Filter eine Transmissionsfaktor-Verteilung hat, die der spektralen Empfindlichkeitsverteilung
des photoempfindlichen Materials entspricht.
16. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 14 oder
15, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtempfänger die
Intensität des Rückstrahles des Halbleiterlaserelementes mißt, und daß der Frontstrahl des Halbleiterlaserelementes
auf das photoempfindliche Material projizierbar ist.
17. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 16, da—
durch gekennzeichnet, daß der Lichtempfänger geneigt in bezug, auf die strahlaussendende Oberfläche des Halbleiterlaserelements
angeordnet ist.
18. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 15, dadurch
gekennzeichnet, daß das optische Filter einen dielektrischen Vielschicht-Film auf einem Substrat aufweist.
19. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 18, da-
durch gekennzeichnet, daß der dielektrische Vielschicht-Film
abwechselnd Zirkondioxid- und Magnesiumfluoridschichten aufweist.
20. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 14 oder
15, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Justiermechanismus
aufweist, durch den ein willkürlicher Winkel des optischen Filters in bezug auf die Austrittsrichtung des Lichtstrahles einstellbar ist.
030047/0789
DE 0413
21. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kompensiereinrichtung einen Ternperaturaufnehmer und einen Regelschaltkreis
zur Regelung des durch das Halbleiterlaserelement fließenden Stromes entsprechend der Ternperaturänderung
aufweist.
22. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 21, dadurch
gekennzeichnet, daß es eine Meßeinrichtung zum Messen der Intensität des Lichtes des Halbleiterlaserelementes
aufweist, wobei der Regelschaltkreis den durch das Halbleiterlaserelernent fließenden Strom aufgrund
der Ausgangssignale sowohl der Meßeinrichtung als auch des Temperaturaufnehmers regelt.
23. Bildaufzeichnungsgerät, gekennzeichnet durch ein photoempfindliches Material (402), eine Ladeeinrichtung
(405) zürn gleichförmigen Laden des photoempfindlichen
Materials, ein Halbleiterlaserelement (408), eine Moduliereinrichtung, die die Leistung des Ausgangsstrahls
des Halbleiterlaserelementes moduliert, eine Ablenkeinrichtung, die den Ausgangsstrahl ablenkt, um
ein latentes Bild auf dem photoempfindlichen Material mittels des durch die Moduliereinrichtung modulierten
■^5 Strahles zu entwerfen, eine Meßeinrichtung zum Messen
der Intensität des Ausgangsstrahles, eine Regeleinrichtung, die den Strom durch das Halbleiterlaserelement
entsprechend dem Meß-Ausgangssignal der Meßeinrichtung
regelt, und durch eine Kompensiereinrichtung, die eine on
ou Änderung der Empfindlichkeit des photoempfindlichen Materials aufgrund einer Verschiebung der Ausgangswellenlänge des Halbleiterlaserelenientes aufgrund einer Ternperaturänderung kompensiert.
ou Änderung der Empfindlichkeit des photoempfindlichen Materials aufgrund einer Verschiebung der Ausgangswellenlänge des Halbleiterlaserelenientes aufgrund einer Ternperaturänderung kompensiert.
030 0.4.7/,07 89
- 6 - DE 0413
24. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 23, dadurch-
gekennzeichnet , daß es eine Entwicklungseinrichtung (403) zum Entwickeln des latenten Bildes in ein
sichtbares Bild aufweist.
sichtbares Bild aufweist.
25. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß das photoempfindliche Material aus CdS gebildet ist.
26. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 25, dadurch
gekennzeichnet, daß das photoempfindliche Material durch Mischen von Verunreinigungen mit CdS sensibilisiert
ist.
27. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß das photoempfindliche Material ein photoempfindliches Dreischicht-Material ist,
das von der Oberfläche gesehen eine isolierende
Schicht, eine photoleitende Schicht und eine elektrisch leitende Schicht aufweist.
Schicht, eine photoleitende Schicht und eine elektrisch leitende Schicht aufweist.
28. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 27, dadurch
gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht aus Cadmiumsulfid und Verunreinigungen gebildet ist.
29. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ausgangswellenlänge des Laserstrahls im nahen Infrarotbereich liegt.
30. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 29, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kompensiereinrichtung ein optisches Filter ist, das zwischen der Meßeinrichtung
und dem Halbleiterlaserlement angebracht ist.
0300A7/0789
ORIGINAL INSPECTED
- 7 - · DE 0413
31. I-Ialbleiterlaserelement nach Anspruch 30, dadurch
gekennzeichnet, daß die Transmissionsfaktor-Verteilung
des optischen Filters im nahen Infrarotbereich der Enipfindlichkeitsverteilung des photoempfindlichen
Materials in diesem Bereich entspricht.
32. Bildaufzeichnungsgerät nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kompensiereinrichtung einen Temperaturaufnehmer zum Messen der Temperatur des
Halbleiterlaserelements und einen Regelschaltkreis zum Verändern des durch das Halbleiterlaserelernent fließenden
Stromes entsprechend dem Meß-Ausgangssignal des Temperaturaufnehmers aufweist.
ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5679479A JPS55148483A (en) | 1979-05-08 | 1979-05-08 | Semiconductor laser device |
JP668580A JPS56104485A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Semiconductor laser device |
JP668680A JPS56104486A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3017509A1 true DE3017509A1 (de) | 1980-11-20 |
DE3017509C2 DE3017509C2 (de) | 1996-08-01 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3017509A Expired - Lifetime DE3017509C2 (de) | 1979-05-08 | 1980-05-07 | Halbleiterlaservorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4375067A (de) |
DE (1) | DE3017509C2 (de) |
GB (2) | GB2052841B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0206661A2 (de) * | 1985-06-14 | 1986-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Halbleiterlaservorrichtung |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4375067A (en) * | 1979-05-08 | 1983-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
JPS58133081A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-08 | Canon Inc | 画像記録装置 |
JPS5910964A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-20 | Canon Inc | 画像記録装置 |
GB2130526A (en) * | 1982-08-23 | 1984-06-06 | Omal Group Limited | Improvements in and relating to security cards |
JPS59140418A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光または熱出力安定化装置 |
JPS59146069A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-21 | Canon Inc | 光源安定化装置 |
JPS59147366A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Canon Inc | 画像記録装置 |
FR2550023B1 (fr) * | 1983-07-25 | 1987-03-27 | Auffret Rene | Source lumineuse infrarouge comprenant un laser a semiconducteur associe a des moyens de selection de mode et d'asservissement en puissance |
US4641158A (en) * | 1984-02-13 | 1987-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus |
US4716285A (en) * | 1984-08-23 | 1987-12-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light amount correction method and apparatus for image output system |
US4710631A (en) * | 1984-08-28 | 1987-12-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Temperature compensation for a semiconductor light source used for exposure of light sensitive material |
JPS61284171A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Canon Inc | レ−ザ−ビ−ムプリンタ |
JPS627188A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
DE3534744A1 (de) * | 1985-09-28 | 1987-04-09 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Laservorrichtung mit stabilisierter ausgangsleistung |
US4792956A (en) * | 1986-05-13 | 1988-12-20 | Litton Systems, Inc. | Laser diode intensity and wavelength control |
JPH0621878B2 (ja) * | 1986-07-21 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 異物検査方法 |
US4842358A (en) * | 1987-02-20 | 1989-06-27 | Litton Systems, Inc. | Apparatus and method for optical signal source stabilization |
JP2663437B2 (ja) * | 1987-05-27 | 1997-10-15 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US4967284A (en) * | 1987-10-19 | 1990-10-30 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and method of controlling output of semiconductor laser |
GB2224352B (en) * | 1988-10-05 | 1992-09-16 | Hamamatsu Photonics Kk | Light waveform measuring apparatus |
JP2812441B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 光学的情報記録再生装置 |
US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
US6303916B1 (en) * | 1998-12-24 | 2001-10-16 | Mitutoyo Corporation | Systems and methods for generating reproducible illumination |
US6236667B1 (en) * | 1999-06-23 | 2001-05-22 | Agere Systems Inc. | Method for temperature compensating an optical filter |
US6515693B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-02-04 | Eastman Kodak Company | Calibration station for a printhead adapted to compensate for the wavelength sensitivity of an image recording material |
US7512161B2 (en) * | 2003-09-11 | 2009-03-31 | The Boeing Company | Device, method and system for generating an infrared image |
US7643174B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser drive control device |
US7403214B2 (en) * | 2006-02-21 | 2008-07-22 | Lexmark International, Inc. | Systems and methods for adjusting the dynamic range of a scanning laser beam |
JP7460349B2 (ja) * | 2019-10-08 | 2024-04-02 | シャープ株式会社 | 光走査装置および画像形成装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1377924A (en) * | 1972-03-22 | 1974-12-18 | Philco Ford Corp | Laser apparatus |
US4024341A (en) * | 1974-07-23 | 1977-05-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of picking out synchronizing light beam in light scanning systems |
DE2737345A1 (de) * | 1976-08-20 | 1978-03-09 | Canon Kk | Halbleiterlasermodul |
US4081604A (en) * | 1975-09-05 | 1978-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Superposition recording apparatus |
JPS5349974A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
US4092614A (en) * | 1974-09-21 | 1978-05-30 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device equipped with a silicon heat sink |
JPS5362992A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Fujitsu Ltd | Oscillation wavelength stabilization method of semiconductor laser |
US4125777A (en) * | 1977-08-17 | 1978-11-14 | Rca Corporation | Radiation emitter-detector package |
US4144539A (en) * | 1975-12-23 | 1979-03-13 | International Business Machines Corporation | Feedback control for laser discharge system |
JPS5437485A (en) * | 1977-08-29 | 1979-03-19 | Fujitsu Ltd | Output stabilizing method for semiconductor laser |
DE2741700A1 (de) * | 1977-09-16 | 1979-03-22 | Siemens Ag | Einrichtung zum ueberwachen der emission eines halbleiterstrahlers |
DE2916956A1 (de) * | 1978-04-28 | 1979-10-31 | Hitachi Ltd | Lichtemittierende halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1520281A (en) * | 1974-07-10 | 1978-08-02 | Canon Kk | Electrophotographic recording apparatus |
GB1482432A (en) * | 1974-11-28 | 1977-08-10 | Standard Telephones Cables Ltd | Frequency stabilised lasers |
US4175851A (en) * | 1975-02-03 | 1979-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording position adjuster |
GB1540867A (en) * | 1975-08-15 | 1979-02-14 | Xerox Corp | Laser |
US4122409A (en) * | 1976-03-10 | 1978-10-24 | Xerox Corporation | Method and apparatus for controlling the intensity of a laser output beam |
US4153364A (en) * | 1977-01-28 | 1979-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Exposure and development control apparatus for electrostatic copying machine |
GB1563944A (en) * | 1977-03-29 | 1980-04-02 | Post Office | Imjection lasers |
GB2007015B (en) * | 1977-10-26 | 1982-03-17 | Post Office | Control apparatus |
JPS54143109A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-08 | Hitachi Ltd | Optical information device |
US4237427A (en) * | 1978-06-16 | 1980-12-02 | International Telephone And Telegraph Corporation | Apparatus for stabilizing a laser |
JPS55148482A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
US4375067A (en) * | 1979-05-08 | 1983-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
-
1980
- 1980-05-06 US US06/147,174 patent/US4375067A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-05-07 DE DE3017509A patent/DE3017509C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1980-05-08 GB GB8015314A patent/GB2052841B/en not_active Expired
-
1982
- 1982-09-27 GB GB08227459A patent/GB2122022B/en not_active Expired
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1377924A (en) * | 1972-03-22 | 1974-12-18 | Philco Ford Corp | Laser apparatus |
US4024341A (en) * | 1974-07-23 | 1977-05-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of picking out synchronizing light beam in light scanning systems |
US4092614A (en) * | 1974-09-21 | 1978-05-30 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device equipped with a silicon heat sink |
US4081604A (en) * | 1975-09-05 | 1978-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Superposition recording apparatus |
US4144539A (en) * | 1975-12-23 | 1979-03-13 | International Business Machines Corporation | Feedback control for laser discharge system |
DE2737345A1 (de) * | 1976-08-20 | 1978-03-09 | Canon Kk | Halbleiterlasermodul |
JPS5349974A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
JPS5362992A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Fujitsu Ltd | Oscillation wavelength stabilization method of semiconductor laser |
US4125777A (en) * | 1977-08-17 | 1978-11-14 | Rca Corporation | Radiation emitter-detector package |
JPS5437485A (en) * | 1977-08-29 | 1979-03-19 | Fujitsu Ltd | Output stabilizing method for semiconductor laser |
DE2741700A1 (de) * | 1977-09-16 | 1979-03-22 | Siemens Ag | Einrichtung zum ueberwachen der emission eines halbleiterstrahlers |
DE2916956A1 (de) * | 1978-04-28 | 1979-10-31 | Hitachi Ltd | Lichtemittierende halbleitervorrichtung |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0206661A2 (de) * | 1985-06-14 | 1986-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Halbleiterlaservorrichtung |
EP0206661A3 (en) * | 1985-06-14 | 1988-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4375067A (en) | 1983-02-22 |
DE3017509C2 (de) | 1996-08-01 |
GB2122022A (en) | 1984-01-04 |
GB2122022B (en) | 1984-06-13 |
GB2052841B (en) | 1984-10-24 |
GB2052841A (en) | 1981-01-28 |
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