DE2828927C2 - Mechanisch abstimmbarer koaxialer Impatt-Oszillator - Google Patents
Mechanisch abstimmbarer koaxialer Impatt-OszillatorInfo
- Publication number
- DE2828927C2 DE2828927C2 DE2828927A DE2828927A DE2828927C2 DE 2828927 C2 DE2828927 C2 DE 2828927C2 DE 2828927 A DE2828927 A DE 2828927A DE 2828927 A DE2828927 A DE 2828927A DE 2828927 C2 DE2828927 C2 DE 2828927C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- impatt
- impedance
- oscillator
- inner conductor
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/143—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance using more than one solid state device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B2009/126—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices using impact ionization avalanche transit time [IMPATT] diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0074—Locking of an oscillator by injecting an input signal directly into the oscillator
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
dadurch gekennzeichnet,
— daß der erste der beiden Impedanztransformatoren mit der Impatt-Diode (40) eine Baueinheit
(40,48,54,55) bildet,
— daß der zweite Impedanztransformator (56) im
Bereich zwischen der Impatt-Diode (40) und der Auskoppelöffnung (70) angeordnet, mit dem
Innenleiter (44) fest verbunden und gegenüber dem Außenleiter (42) verschiebbar ist,
— und daß Einstellmittel (62,64) vorgesehen sind,
durch welche die Lage des zweiten Impedanztransformators (56) relativ zu dem ersten
Impedanztransformator und der Auskoppelöffnung veränderbar ist.
2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
— daß die Einstellmittel,
— eine becherförmige Metallhülse (48), die
mit einer Elektrode der Impatt-Diode (40) elektrisch verbunden und auf einem Ende
des Innenleiters (44) verschiebbar angeordnet ist,
— und ein in der Nähe des anderen Endes des Innenleiters, diesen umgebendes und mit
dem Außenleiter fest verbundenes und mit einem Innengewinde versehenes Teil (62)
umfassen, in welches das mit einem entsprechenden Außengewinde versehene Ende des Innenleiters (44) eingeschraubt
ist,
derart daß bei Drehen des Innenleiters (44) dieser und der mit ihm fest verbundene zweite
Impedanztransformator (56) relativ zu dem Außenleiter (42) axial verschoben werden,
— und daß das mit einem Innengewinde versehene Teil (62) einerseits mit einer nach außen
führenden Zuleitung (66) zur Zuführung der Vorspannung und andererseits über den Innenleiter
(44) und die Metallhülse (48) mit der Impatt-Diode (40) in elektrischer Verbindung
steht.
3. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich innerhalb der becherförmigen
Metallhülse (48) eine Feder (54) befindet, die sich einerseits gegen die Metallhülse (48) und andererseits
gegen die benachbarte Stirnfläche des Innenleiters (44) abstützt
Die Erfindung betrifft einen mechanisch abstimmbaren koaxialen Impatt-Oszillator der im Oberbegriff des
Patentanspruchs 1 beschriebenen Art
Ein solcher Impatt-Oszillator ist beispielsweise durch die Literaturstellen »Elektronics Letters«, Vol. 8 (1972),
No. 21, S. 513—514 und Hewlett Packard, Application
Note 935 (1972), S. 12-14 und 21-22 bekannt. Probleme ergeben sich bei Mehrfach-Oszillator-Anordnungen,
bei denen eine Mehrzahl von Impatt-Oszillatoren mit einem gemeinsamen Hohlraumresonator
zusammenwirkt, Anordnungen also, wie sie beispielsweise in den US-PS 36 28 171 und 39 31 587 beschrieben
sind. Solche Mehrfach-Oszillator-Anordnungen, die mit einem Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer zusammenwirken,
dienen zur Erzeugung von Hochfrequenzsignalen entsprechend hoher Leistung. Die hierbei
auftretenden Forderungen sind in dem Aufsatz »The Single Cavity Multiple Device Osidllator« IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, Band MTT-19, Nr. 10, Oktober 1971 beschrieben. Es
handelt sich im wesentlichen um Probleme der Anpassung der vergleichsweise niedrigen Impedanz der
Impatt-Diode an die vergleichsweise hohe Impedanz des Hohlraumresonators. Es zeigt sich, daß die in der
zuletzt genannten Literaturstelle vorgeschlagene Verwendung eines Impedanztransformators wegen der
Schmalbandigkeit zur Lösung dieser Probleme ungeeignet ist, da eine hinreichende Berücksichtigung der sich
nichtlinear mit der Hochfrequenzleistung und der Vorspannung ändernden Impedanz der Impatt-Diode in
der Praxis kaum möglich ist
Durch die Literaturstelle »Wiss. Ber. AEG-Telefunken50«
(1977) 1/2, S. 10-22 ist es bekannt, einen koaxialen Impatt-Oszillator mit Hilfe von λ/4-Impedanztransformatoren
an den Hohlraumresonator anzupassen. Eine solche Lösung ist extrem frequenzabhängig·
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Impatt-Oszillator der im Gattungsbegriff des Patentanspruch 1 beschriebenen Art zu schaffen, der eine individuelle und möglichst verlustarm arbeitende Einstellung der Anpassung der Impedanz der Impatt-Diode an den zugeordneten Hohlraumresonator ermöglicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Impatt-Oszillator der im Gattungsbegriff des Patentanspruch 1 beschriebenen Art zu schaffen, der eine individuelle und möglichst verlustarm arbeitende Einstellung der Anpassung der Impedanz der Impatt-Diode an den zugeordneten Hohlraumresonator ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch einen Impatt-Oszillator mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Erfindungsgemäß ist die in die Verbindung zwischen dem mit der Impatt-Diode unmittelbar zu einer
Baueinheit verbundenen ersten Impedanztransformator und der Auskoppelöffnung ein zweiter Impedanztransformator
eingefügt, dessen Position relativ zu dem ersten Impedanztransformator einstellbar ist Damit
lassen sich Impedanzabweichungen der Impatt-Dioden von ihrem Nennwert die zu einer entsprechenden
Impedanzänderung am Ausgang des ersten Impedanz-
transformators führen, durch eine relative Verschiebung
des zweiten Impedanztransformator kompensieren. Durch eine soiche Justierung wird die Eingangsimpedanz
des zweiten Impedanztransformator» geändert,
wodurch schließlich der geeignete Abgleich hergestellt wird.
Die im Patentanspruch 2 beschriebene Ausbildung der Mittel zur Verschiebung des zweiten Impedanztransformators
relativ zu dem ersten Impedanztransformator bringeo den Vorteil mit sich, daß der Außenleiter ι ο
des Impatt-Oszillators keine öffnungen aufzuweisen braucht, um Zugang zu dem zweiten Impedanztransformator
zu ermöglichen, Damit entfallen die durch eine solche Öffnung im Außenleiter verursachten Störungen
des elektrischen und magnetischen Feldes innerhalb des koaxialen Impatt-Oszillators.
Im folgenden sei die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert
F i g. 1 zeigt eine Schnittzeichnung einer koaxialen
Impatt-OsziUators gemäß der Erfindung.
F i g. 2 zeigt eine vereinfachte teilweise geschnittene perspektivische Ansicht eines Hochfrequenz-Leistungskombinierers,
bei welchem eine Mehrzahl der Impatt-Oszillatoren gemäß F i g. 1 mit einem gemeinsamen
kreiszylindrischen Hohlraumresonator gekoppelt sind.
Der in Fig. 1 dargestellte Impatt-Oszillator ist Bestandteil eines Senders gepulster Hochfrequenzsignale.
Aufbau und Wirkungsweise solcher Sender sind vom Grundsatz her bekannt und sollen daher hier nicht
näher beschrieben werden.
Der Impatt-Oszillator gemäß F i g. 1 enthält eine Impatt-Diode 40, die in einem ersten Endbereich eines
Koaxialleitungsabschnitts angeordnet ist. Der mit 42 bezeichnete Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts
wird von einer im wesentlichen zylindrischen Bohrung in einem Aluminiumblock gebildet. In dieser Bohrung ist
ein Innenleiter 44 gehalten. Die Impatt-Diode 40 befindet sich zwischen einer Wärmesenke 46 und einer
Metallhülse 48, die verschiebbar auf dem Innenleiter 44 angeordnet. Die Impatt-Diode 40 ist einerseits mit *o
einem leitfähigen Epoxyharz in einer Ausnehmung der Metallhülse 48 festgeklebt und andererseits in einer
öffnung der Wärmesenke 46 eingelötet und wird dadurch in ihrer Lage gehalten.
Die Metallhülse 48 ist gegenüber dem Außenleiter 42 *5
und der Wärmesenke 46 durch eine IsoHerstoffhülse 50 isoliert. Die Wärmesenke 46 wird durch einen
Schraubeinsatz 52 in ihrer Lage gehalten. Zwischen der Metallhülse 48 und dem Innenleiter 44 befindet sich eine
Feder 54. An die Impatt-Diode 40 schließt sich ein aus der Metallhülse 48, der Isolierstoffhülse 50 und einer
Hülse 55 aus Berylliumkupfer bestehender erster Impedanztransformator an, der auf diese Weise eine
Baueinheit mit der Impatt-Diode 40 bildet. E'n zweiter Impedanztransformator, der aus einer Hülse 5b aus
geeignetem dielektrischen Werkstoff besteht, die mit dem Innenleiter 44 fest verbunden und gegenüber dem
Außenleiter 42 verschiebbar ist, befindet sich zwischen dem die Impatt-Diode 40 tragenden Enden des
Koaxialleitungsabschnitts und einer zu einem kreiszylindrischen Hohlraumresonator 70 führenden Auskoppelöffnung.
In dem anderen (in der Zeichnung links liegenden) Endbereich des Koaxialleitungsabschnitts befindet sich
ein Wellensumpf 58, der 'als konisches Bauteil ausgebildet ist und aus einem geeigneten Werkstoff,
z. B. dem unter dem Handelsnamen »ECCOSORB« bekannten Material besteht. Der Wellensumpf 58 wird
von einem becherförmigen Element aus Irolierwerkstoff
gegen eine Schulter der den Außenleiter 42 bildenden Bohrung gedrückt, wobei das Element 60
durch ein mit einem Muttergewinde versehenes Teil 62 gegenüber dem Wellensumpf 58 gespannt werden kann.
Das Teil 62 ist auf den mit einem entsprechenden Außengewinde versehenen Endbereich des Innenleiters
44 aufgeschraubt Der Innenleiter 44 endet in einem Ansatz, auf den ein aus Isolierstoff bestehendes
Einstellelement 64 aufgesteckt ist
Ein Leiter 66 zur Zuführung einer elektrischen Vorspannung für die Impatt-Diode 40 verläuft durch
eine in einer Öffnung des Außenleiters 40 angebrachte aus Isolierstoff bestehende Durchführung 63 zu dem
Teil 62 und ist mit diesem, z. B. durch Löten, elektrisch verbunden.
Die elektrische Vorspannung, die beispielsweise von einem Modulator geliefert wird, gelangt über das Teil
62, den Innenleiter 44, die Feder 54 und die Metallhülse 48 zu einer Elektrode der Impatt-Diode 40. Diese
elektrische Vorspannung besteht aus einer Sockelspannung in Form einer konstanten Gleichspannung, durch
welche die Impatt-Diode 40 auf einen Pegel vorgespannt wird, der knapp unterhalb des für den
Lawinendurchbruch erforderlichen Spannungswertes liegt. Dieser Sockelspannung überlagern sich Impulse
mit vorgegebener Wiederholfrequenz, so daß die an der Impatt-Diode 40 anliegende Spannung periodisch über
die Durchbruchsspannung angehoben wird. Für eine bekannte Impatt-Diode liegt die Sockelspannung
typisch in der Größenordnung von 125 Volt, während die überlagerten Impulse eine Amplitude etwa 25 Volt
und eine Impulsdauer von 100 bis 1000 Nanosekunden haben. Es sind Vorkehrungen getroffen, durch die die
Frequenzänderungen aufgrund der Erwärmungen, die impulsweise bei jedem Lawinendurchbruch der Impatt-Diode
40 auftreten, kompensiert werden. Da die spektrale Reinheit des erzeugten Hochfrequenzsignals
von der Form der Anstiegs- und Abfallflanken der Impulse abhängt, sind ferner Vorkehrungen zur
Einstellung der Impulsanstiegs- und -abfallzeit getroffen.
Die oben beschriebenen Impedanztransformatoren dienen zur Anpassung der vergleichsweise niedrigen
Impedanz der Impatt-Diode 40 an die relativ hohe Impedanz des Hohlraumresonators 70. Die Gesichtspunkte,
die für eine derartige Impedanzanpassung maßgebend sind, sind der eingangs genannten Literaturstelle
»The Single Cavity...« zu entnehmen.
Der in F i g. 1 dargestellte Impatt-Oszillator ermöglicht nun eine Impedanzabstimmung, indem das
Einstellelement 64 verdreht wird, wodurch sich der Abstand zwischen der den zweiten Impedanztransformator
bildenden Hülse 56 und der einen Bestandteil des ersten Impedanztransformators bildenden Hülse 55
verändert. Eine derartige Abstimmung dient einerseits zur Erfüllung der in der zuletzt genannten Literaturstelle
aufgeführten Schwingbedingungen und andererseits zur Berücksichtigung der aufgrund von Exemplarstreuungen
sich ergebenden unterschiedlichen elektrischen Parameter der einzelnen Impatt-Dioden.
Da die Impatt-Diode 40 und der erste Impedanztransformator eine Baueinheit bilden, die in den Impatt-Oszillator
als Ganzes eingesetzt wird, ermöglicht die relative Verschiebung des zweiten Impedanztransformators 56
die gewünschte Einstellung, wenn die Ausgangsimpedanz des ersten Impedanztransformators infolge von
Abweichungen der Dioden-Impedanz vom Nennwert
von dem für die Anpassung an den Hohlraumresonator 70 geeigneten Wert abweicht. Da die Einstellung der
Lage der den zweiten Impedanztransformator bildenden Hülse 56 in einfacher Weise durch des Einstellelements
64 erfolgt, brauchen in den den Außenleiter 42 bildenden Aluminiumblock keine Zugangsöffnungen im
Bereich der Hülse 56 angebracht zu werden. Dadurch sind nicht nur Feldstörungen innerhalb des koaxialen
Oszillatorkreises vermieden, es ist auch ein bequemer Abgleich gewährleistet, wenn eine Vielzahl gleichartiger
koaxialer Oszillatoren gemäß F i g. 1 an einen gemeinsamen kreiszylindrischen Hohlraumresonator
angekoppelt werden.
F i g. 2 zeigt eine derartige Mehrfach-Oszillator-Anordnung.
Der gemeinsame kreiszylindrische Hohlraum- ,5 resonator 70 ist dadurch gebildet, daß ein oberer
blockförmiger Körper 71 und ein unterer blockförmiger Körper 73 zusammengeflanscht werden. Den Boden des
Hohlraumresonators 70 bildet derjenige Teil des unteren Körpers 73, der von einer zentrischen
Senkbohrung des oberen Körpers 71 begrenzt ist. Diese Bohrung ist so bemessen, daß sich bei der gewünschten
Betriebsfrequenz der Eoio-Schwingungstyp ausbilden kann.
Auf einem zu den Längsachsen der Körper 71 und 73 konzentrischen Teilkreis C dessen Radius mit dem der
den Hohlraumresonator 70 bildenden Senkbohrung übereinstimmt, befinden sich parallel zu den genannten
Längsachsen gerichtete Bohrungen, deren Innenwandungen die Außenleiter der einzelnen Impatt-Oszillatoren
bilden, die im übrigen vollständig dem in Fig. 1 dargestellten Impatt-Oszillator entsprechen.
Der untere Körper 72 ist in Höhe der Impatt-Dioden 40 von einem ringförmigen Gehäuse 75 umgeben, in
dem eine Ringkammer 75 gebildet ist, durch die ein Kühlmittel zirkulieren kann. Sie besitzt einen Einlaß 77
und einen Auslaß 79, die mit der Druck- bzw. Saugseite einer Pumpe verbunden sind. Der Innenleiter 44 des
koaxialen Impatt-Oszillator und die Wärmesenke 46 sind vorzugsweise aus sauerstofffreiem Kupfer hergestellt,
das besonders widerstandsfähig gegen Wärmerisse ist.
Entlang der Längsachse des Körpers 71 erstreckt sich eine Sonden- und Abstimmeinrichtung 80. die aus einem
Sondenteil 82 und einem Abstimmteil 84 besteht. Letztere können einzeln oder gemeinsam in entsprechenden
Schraubgewinden verstellt werden.
Über die Koaxialleitung 83 der Einrichtung 80 ist ein Signal in den Hohlraumresonator 70 einkoppel- und
auskoppelbar.
Der Hohlraumresonator 70 und die an ihn angekoppelten Impatt-Oszillatoren verfügen über drei Einstellmöglichkeiten,
die sämtlich von der Oberseite her zugänglich sind, so daß selbst bei beengten Einbauverhältnissen
bequeme Justiermöglichkeit gegeben ist.
Claims (1)
1. Mechanisch abstimmbarer koaxialer lmpatt-Diodenoszillator,
insbesondere für Mehrfach-Oszillator-Anordnungen,
— mit einer in einem Endbereich eines Koaxialleitungsabschnitts
zwischen dessen Innenleiter und Außenleiter geschalteten und über den Innenleiter elektrisch vorgespannten Impatt-Diode,
— mit einem in dem anderen Endbereich des Koaxialleitungsabschnitts zwischen dessen Innenleiter
und Außenleiter angeordneten Wellensumpf,
— mit einer zwischen der Impatt-Diode und dem Wellensumpf im Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts
angebrachten mit einem Hohlraumresonator verbindbaren Auskoppelöffnung
— sowie mit zwei Impedanztransformatoren zur Anpassung der Impedanz der Impatt-Diode an
die Impedanz des Hohlraumresonators,
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/814,745 US4097817A (en) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | Cylindrical cavity power combiner for plurality of coaxial oscillators |
US05/814,741 US4097821A (en) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | Coaxial line IMPATT diode oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2828927A1 DE2828927A1 (de) | 1979-01-18 |
DE2828927C2 true DE2828927C2 (de) | 1983-10-20 |
Family
ID=27123879
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2828928A Expired DE2828928C2 (de) | 1977-06-30 | 1978-06-30 | Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer für eine Mehrfach-Oszillator-Anordnung |
DE2828927A Expired DE2828927C2 (de) | 1977-06-30 | 1978-06-30 | Mechanisch abstimmbarer koaxialer Impatt-Oszillator |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2828928A Expired DE2828928C2 (de) | 1977-06-30 | 1978-06-30 | Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer für eine Mehrfach-Oszillator-Anordnung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4097821A (de) |
JP (2) | JPS5413754A (de) |
CA (2) | CA1095130A (de) |
DE (2) | DE2828928C2 (de) |
FR (2) | FR2396451A1 (de) |
GB (2) | GB1570873A (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4189684A (en) * | 1978-11-02 | 1980-02-19 | Raytheon Company | Microwave power combiner |
JPS5610926A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Hitachi Ltd | Electron beam drawing device |
US4429287A (en) * | 1981-06-11 | 1984-01-31 | Hughes Aircraft Company | Coaxially coupled tunable oscillator using a ridge waveguide |
US4453139A (en) * | 1981-11-12 | 1984-06-05 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Frequency offset multiple cavity power combiner |
US4468633A (en) * | 1982-04-28 | 1984-08-28 | The Bendix Corporation | Adjustable microwave power combiner for a plurality of coaxially mounted impatt diodes |
US4491806A (en) * | 1982-10-06 | 1985-01-01 | Motorola, Inc. | Resonant cavity with integrated microphonic suppression means |
US4583058A (en) * | 1983-11-21 | 1986-04-15 | Raytheon Company | Broadband power combiner |
US4588963A (en) * | 1983-12-20 | 1986-05-13 | Hughes Aircraft Company | Microwave power combiner with alternating diode modules |
US4799035A (en) * | 1987-11-06 | 1989-01-17 | Allied-Signal Inc. | Microwave diode tuning circuit |
US7511583B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-03-31 | Searete Llc | Photonic diode |
US7348858B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-03-25 | Hyde Roderick A | Photonic diode |
US7994868B2 (en) * | 2005-12-30 | 2011-08-09 | The Invention Science Fund I, Llc | Photonic diode |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2038491A5 (de) * | 1969-03-17 | 1971-01-08 | Radiotechnique Compelec | |
US3423701A (en) * | 1966-08-11 | 1969-01-21 | Patelhold Patentverwertung | Cavity resonators for microwaves coupled together by variable capacitance diode |
US3621463A (en) * | 1970-04-27 | 1971-11-16 | Bell Telephone Labor Inc | Negative resistance diode coaxial oscillator with resistive spurious frequency suppressor |
US3628171A (en) * | 1970-08-07 | 1971-12-14 | Bell Telephone Labor Inc | Microwave power combining oscillator circuits |
US3931587A (en) * | 1973-01-19 | 1976-01-06 | Hughes Aircraft Company | Microwave power accumulator |
US3842370A (en) * | 1973-02-22 | 1974-10-15 | Hughes Aircraft Co | Coaxial trapatt oscillator operable at a fixed frequency and at a high efficiency |
US3873934A (en) * | 1974-05-13 | 1975-03-25 | Hughes Aircraft Co | Devices for coupling microwave diode oscillators and amplifiers to power accumulation structures |
FR2292370A1 (fr) * | 1974-11-21 | 1976-06-18 | Thomson Csf | Generateur hyperfrequence de puissance a diodes a resistance negative et emetteur comportant un tel generateur |
US4034314A (en) * | 1976-06-24 | 1977-07-05 | Motorola, Inc. | Microwave diode coaxial circuit oscillator improvement |
-
1977
- 1977-06-30 US US05/814,741 patent/US4097821A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-06-30 US US05/814,745 patent/US4097817A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-04-26 CA CA302,008A patent/CA1095130A/en not_active Expired
- 1978-05-01 CA CA302,363A patent/CA1074408A/en not_active Expired
- 1978-05-22 GB GB21020/78A patent/GB1570873A/en not_active Expired
- 1978-05-22 GB GB21018/78A patent/GB1577822A/en not_active Expired
- 1978-06-14 FR FR7817824A patent/FR2396451A1/fr active Granted
- 1978-06-20 FR FR7818433A patent/FR2396431A1/fr active Granted
- 1978-06-29 JP JP7917878A patent/JPS5413754A/ja active Granted
- 1978-06-29 JP JP53079179A patent/JPS5928283B2/ja not_active Expired
- 1978-06-30 DE DE2828928A patent/DE2828928C2/de not_active Expired
- 1978-06-30 DE DE2828927A patent/DE2828927C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2396431A1 (fr) | 1979-01-26 |
DE2828928A1 (de) | 1979-01-18 |
JPS5928283B2 (ja) | 1984-07-12 |
GB1577822A (en) | 1980-10-29 |
FR2396451A1 (fr) | 1979-01-26 |
DE2828927A1 (de) | 1979-01-18 |
FR2396451B1 (de) | 1984-10-26 |
JPS5413755A (en) | 1979-02-01 |
CA1095130A (en) | 1981-02-03 |
JPS6111002B2 (de) | 1986-04-01 |
CA1074408A (en) | 1980-03-25 |
US4097821A (en) | 1978-06-27 |
GB1570873A (en) | 1980-07-09 |
JPS5413754A (en) | 1979-02-01 |
FR2396431B1 (de) | 1984-11-16 |
US4097817A (en) | 1978-06-27 |
DE2828928C2 (de) | 1985-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2828927C2 (de) | Mechanisch abstimmbarer koaxialer Impatt-Oszillator | |
DE2849299C2 (de) | Vorrichtung zur Zusammenführung der Leistungen einer Anzahl Signalquellen | |
DE3731394C2 (de) | Hochfrequenz-Entstörfilter für eine an eine Leitung anzuschließende Schaltung, insbesondere für Zweidraht-Sensoren | |
DE1903518B2 (de) | Hochfrequenzoszillator | |
DE1766965A1 (de) | Festkoerpervorrichtung,die bei Hochfrequenz negativen Widerstand zeigt | |
DE2828874C2 (de) | Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer für eine Mehrfach-Oszillator-Anordnung | |
DE3436673C2 (de) | ||
DE2253710A1 (de) | Festkoerper-mikrowellenoszillator | |
DE2032595A1 (de) | Mikrowellenoszillator für Halbleiter vorrichtungen mit negativem Widerstand | |
DE3833696C2 (de) | Signalverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Ausdehnen des flachen Frequenzgangs einer Komponente | |
DE1286585B (de) | Frequenzvervielfacher mit mindestens einem ein nichtlineares Element enthaltenden Leitungskreis | |
DE2724550A1 (de) | Mikrowellenoszillator | |
DE2015579C3 (de) | Halterung und Anschlußvorrichtung fur einen Halbleiter Mikrowellenoszil lator | |
EP0101612B1 (de) | Oszillator mit einem Zweipol als aktivem Element | |
DE1137775B (de) | Parametrische Einrichtung | |
DE3850404T2 (de) | Abstimmvorrichtung für eine mikrowellendiode. | |
DE2240565C3 (de) | Mikrowellenanordnung | |
DE2907238C2 (de) | Abstimmbare Hochfrequenz-Detektorsonde | |
DE1541579C3 (de) | Mikrowellenbauteil mit Abgleichschrauben | |
DE1591164B1 (de) | Elektrischer Hochfrequenz-Schwingungskreis,Bandfilter und deren Verwendung in einem Transistorverstaerker | |
EP0103207A2 (de) | In Flossenleitungstechnik realisierter Oszillator | |
DE1945631C3 (de) | Verstärker mit einem Element mit negativer Widerstandscharakteristik | |
DE1949141C3 (de) | Zylinderkondensator veränderbarer Kapazität für gedruckte Schaltungen | |
DE977671C (de) | Elektrischer Zweipol in einer Schaltung fuer Frequenzmodulation, Frequenznachstellung oder den Abgleich von Messbrueckenanordnungen | |
DE1956812C (de) | Abgleichbarer Anpassungs-Speiseleitungs-Abschnitt für die Übertragung von Ultrakurz- oder Mikrowellen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |