DE2849299C2 - Vorrichtung zur Zusammenführung der Leistungen einer Anzahl Signalquellen - Google Patents
Vorrichtung zur Zusammenführung der Leistungen einer Anzahl SignalquellenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Zusammenführung
der Leistungen einer Anzahl gleichartiger, mit Mikrowellen-Halbleiterbauelemcnten bestückter
Signalquellen nach den Merkmalen des Oberbegriffes des Anspruches 1.
Eine solche Vorrichtung ist aus der US-PS 35 82 813 bekannt. Bei dieser bekannten Vorrichtung sind Halbleiterdioden
jeweils an den Enden von zu einer koaxialen Übertragungsleitung radialen Bandleitungen angeschlossen,
die sich in einer zur Koaxialleitung senkrechten Ebene erstrecken. Diese radialen Bandleitungen
werden von einander gegenüberstehenden, metallisch leitenden Flächen gebildet welche sich in radialer Richtung
erstreckende, mit Dämpfungsmaterial gefüllte Nuten aufweisen. Dabei stehen sich die die radialen Bandleitungen
begrenzenden Bauteile an den äußeren Enden der Bandleitungen dicht gegenüber, so daß sie je einen
Kurzschluß für die Mikrowellenenergie bilden. Sie sind jedoch gegeneinander isoliert, so daß durch Anlegen
einer Spannung an diese beiden Bauteile die dazwischen angeordneten Mikrowellendioden unter Vorspannung
gesetzt werden können. Die notwendige Impedanzanpassung zwischen den Bandleitungen und der gemeinsamen,
koaxialen Übertragsleitung wird durch eine Änderung des Abstandes der die Bandleitungen bildenden
Leiter voneinander und durch eine Erweiterung der Bandleitungen im Bereich zwischen ihren Halbleiterdioden
und ihren kurzgeschlossenen Enden erzielt
Obwohl ein erheblicher Bedarf an Vorrichtungen besteht, welche das Zusammenführen der Leistungen von
gleichartigen, mit Mikrowellen-Halbleitei'bauelementen
bestückten Signalquellen auf eine gemeinsame Übertragungsleitung gestatten, hat die Vorrichtung
nach der US-PS 35 82 813 bisher keine praktische Bejo deutung erlangt. Der Grund hierfür besteht vermutlich
in den erheblichen Schwierigkeiten, die der plötzliche Übergang zwischen den Bandleitungen und der gemeinsamen
Koaxialleitung verursacht, sowie in den Schwierigkeiten der Anpassung und Abstimmung der Dioden
in solcher Weise, daß die von ihnen gelieferten Signale phasengleich zu einem optimalen Ausgangssignal addiert
werden.
Praktisch brauchbar waren bisher lediglich solche Vorrichtungen, bei denen die Mikrowellen-Halbleiterbauelemente
an einen Hohlraumresonator angekoppelt waren. Eine solche Vorrichtung, die sich in der Praxis
gut bewährt hat, ist aus der DE-OS 24 00 488 bekannt. Diese Vorrichtungen sind jedoch infolge der Verwendung
eines Resonators schmalbandig, so daß für Anwendungsfälle,
bei denen eine große Bandbreite gefordert wird, der Bedarf nach einer solchen Vorrichtung
besteht, die nicht nur ohne Resonatoren auskommt, damit sie breitbandig ist, sondern die auch möglichst kleine
Abmessungen hat, damit sie in einer Umgebung benutzt so werden kann, in der nur wenig Platz zur Verfügung
steht oder in der das Gewicht eine sehr große Rolle spielt, wie in Fahrzeugen, Flugzeugen und insbesondere
Satelliten.
Demgemäß liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so
auszubilden, daß sie optimale Möglichkeiten der Impedanzanpassung, der Versorgung der Halbleiterbauelemente
mit Vorspannungen, der Abstimmung und der Unterdrückung von unerwünschten Schwingungsforbo
men bietet, so daß sie bei kompakter Bauweise in einem möglichst breiten Frequenzband eine maximale Leistung
liefert.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des kennzeichnenden Teiles des Anspruches ! gelöst.
b5 Die Anordnung der einzelnen Bandleitungen auf einem Kegel hat nicht nur zur Folge, daß durch die Schrägstellung der Leitungsabschnitte der Durchmesser der Vorrichtung verkleinert wird, sondern es wird
b5 Die Anordnung der einzelnen Bandleitungen auf einem Kegel hat nicht nur zur Folge, daß durch die Schrägstellung der Leitungsabschnitte der Durchmesser der Vorrichtung verkleinert wird, sondern es wird
dadurch auch die Impedanzanpassung am Übergang von den Bandleitungen zur Koaxialleitung bedeutend
verbessert. Die Schrägstellung der Leitungen hat bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung auch nicht etwa
eine Vergrößerung der Bauhöhe zur Folge, weil dadurch auch die senkrecht zu den Leitungen angeordneten
Einrichtungen schräggestellt werden, welche die Bauhöhe bestimmen und die nun infolge der Schrägstellung
eine geringere Bauhöhe einnehmen. Weiterhin eröffnet die Schrägstellung die Möglichkeit, sowohl die in
Verlängerung der Leitungen als auch die senkrecht dazu angeordneten Einrichtungen von den Stirnflächen der
Vorrichtung her zugänglich zu machen, so daß sie auch dann noch justier! werden können, wenn eine solche
Vorrichtung eingebaut und von anderen Einrichtungen umgeben ist. Der Platz, der benötigt wird, um an die
Stirnflächen der Vorrichtung heranzukommen, ist sehr viel geringer als wenn die Vorrichtung längs ihres gesamten
Umfanges zugänglich sein müßte. Die Schrägstellung der Leitungen ist daher eine wichtige Voraussetzung
dafür, daß die Abstimmelemente zur Impedanzanpassung sinnvoll angewandt werden können und daß
es auch möglich ist, den einzelnen Mikrowellen-Halbleiterbauelementen
eigene Vorspannungen zuzuführen, was einerseits die Möglichkeit bietet, alle Dioden individuell
auf den optimalen Arbeitspunkt einzustellen, und andererseits auch eine bessere Abblockung von HF-Energie
gewährleistet als der bei der bekannten Vorrichtung vorhandene Spalt längs des gesamten Gehäuseumfanges.
Ein weiterer erheblicher Vorteil der Erfindung besteht darin, daß der Aufbau der Vorrichtung eine außerordentlich
dichte Packung der einzelnen Bauelemente und darüber hinaus die Verwendung von Bandleitungen
mit sehr kleiner Länge zwischen den Mikrowellen-Halbleiterbauelementen und der gemeinsamen koaxialen
Übertragungsleitung ermöglicht. Andererseits erstreckt sich das in den Nuten enthaltene Dämpfungsmaterial
infolge der Kegelstruktur der die Bandleitungen bildenden Anordnung über eine Distanz, die erheblich
größer ist als die Länge des eigentlichen Bandleitungsabschnittes, so daß diese Dämpfungsglieder bei der Unterdrückung
unerwünschter Schwingungsformen besonders wirksam sind. Daher wird durch die Erfindung
eine Vorrichtung geschaffen, die sich sowohl durch optimale Betriebseigenschaften als auch einen kompakten
Aufbau auszeichnen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfassen die Abstimmglieder für jedes Halbleiterbauelement
einen variablen Kurzschluß am Ende der Bandleitung und eine zwischen dem Halbleiterbauelement
und der Koaxialleitung im Gehäuseteil angeordnete Abstimmschraube. Der variable Kurzschluß,
der in Längsrichtung des Hohlleiters verstellbar und dicht hinter dem Halbleiterbauelement angeordnet ist,
ermöglicht die Einstellung der induktiven Abstimmung des Halbleiterbauelementes, wogegen die senkrecht zur
Bandleitung angeordnete Abstimmschraube die kapazitive Abstimmung des Halbleiterbauelementes einzustellen
gestattet.
Die Anschlüsse zum Anlegen der Vorspannung können vorteilhaft je ein H F-Filter umfassen, das in dem
Gehäuseteil zwischen jeweils einem Halbleiterbauelement und einem diesem Bauelement zugeordneten, zur
Zuführung einer Gleichspannung dienenden Leiter angeordnet ist. Auf diese Weise ist es möglich, jedes einzelne
Halbleiterbauelement individuell vorzuspannen, ohne daß die Gefahr bestehr, daß über die hierzu benötigten
Leitungen Mikrowellenenergie aus der Vorrichtung austritt.
Besonders zweckmäßig ist es, wenn die Kegelflächen mit der Koaxialleitung einen Winkel von 135° bilden,
also die Kegelflächen einen öffnungswinkel von 90° haben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher
beschrieben und erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine isometrische Darstellung «liner Vorrichtung
nach der Erfindung,
Fig.2 eine Draufsicht auf die Vorrichtung nach Fig.l,
Fig.3 eine isometrische Explosions-Darstellung der
Vorrichtung nach F i g. 1,
Fig.4 eine isometrische Darstellung des teilweise
aufgebrochenen kegelförmigen Gehäuseteiles der Vorrichtung nach Fig. 1,
F i g. 5 einen Querschnitt durch die Vorrichtung nach F i g. 1 längs der Linie V-V in F i g. 2,
F i g. 6 eine schematische Darstellung des Modenfilters der Anordnung nach F i g. 5 in vergrößertem Maßstab und
F i g. 6 eine schematische Darstellung des Modenfilters der Anordnung nach F i g. 5 in vergrößertem Maßstab und
F i g. 7 eine vergrößerte Darstellung der jedem Halbleiterbauelement
der Anordnung nach F i g. t zugeordneten Abstimmglieder und des elektrischen Äquivalent-Schaltbildes.
Wie insbesondere aus den F i g. 1 bis 3 ersichtlich, umfaßt die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Zusammenführung
der Leistung von Mikrowellen-Halbleiterbauelementen ein leitendes Tragteil 10 mit einer Kegelfläche,
das beispielsweise aus einer Tellur-Kupfer-Legierung hergestellt sein kann und so gestaltet ist, daß es
ein mittleres kegelförmiges Gehäuseteil 12 aufnehmen kann. Das mittlere Gehäuseteil 12 ist ebenfalls elektrisch
leitend und kann demgemäß ebenfalls aus einer Tellur-Kupfer-Legierung bestehen. Das Tragteil 10 und
das Gehäuseteil 12 haben einander mit Abstand gegenüberstehende Kegelflächen, die in den Fig.3, 4 und 5
erkennbar sind und Teile der noch zu beschreibenden Mikrowellen-Kreise der Vorrichtung sind.
Ein isolierendes Deckteil 14 hat eine zylindrische und eine abgeschrägte Außenfläche, die zu dem Tragteil 10
und dem Gehäuseteil 12 konzentrisch ist, und weist eine zentrale öffnung 16 auf, durch die sich eine Kegelfläche
18 des Gehäusetciles 12 erstreckt. Diese Kegelfläche 18 ist integraler Bestandteil des mittleren Gehäuseteiles 12
und umfaßt einen vertikalen, mit Gewinde versehenen Abschnitt 20, der im einzelnen in den Fig.3, 4 und 5
dargestellt ist. Ein Koaxialstecker 22 ist auf den Abschnitt 20 des mittleren Gehäuseteiles 12 aufgeschraubt.
Der Stecker weist eine zentrale öffnung 24 auf, in welcher der koaxiale Innenleiter 26 des Steckers gehalten
ist, wie es F i g. 3 zeigt. Der Koaxialstecker 22 der Vorrichtung ist zur Aufnahme eines Anpaßstiftes oder Zwischenteiles
28 eingerichtet, das einen oberen Abschnitt 30 hat, der in direkter Verbindung mit dem Innenleiter
26 des Koaxialsteckers 22 steht. Das Zwischenteil 28 umfaßt ferner einen unteren Schraubabschnitt 32, der
sich in die zentrale Gewindebohrung 34 des Mittelleibo ters 36 des G rundteiles 10 erstreckt.
Das isolierende Deckteil 14 enthält eine Vielzahl Vorspannungs-Anschlüsse
38, von denen jeder einen leitendet. Stift 40 umfaßt, der sich durch eine zentrale öffnung
einer Einstellschraube 42 der Vorspannungs-Anschlüsse b5 erstreckt. Die Einstellschraube 42 ist ihrerseits in eine
größere Außenschraube 44 eingedreht, die ihrerseits in eine öffnung des abgeschrägten Flächenabschnittes des
Deckteiles 14 eingeschraubt ist. Unmittelbar oberhalb
der Vorspannungs-Anschlüsse sind in dem Deckteil 14 Bohrungen 46 angeordnet, die Zugang zu einer Anzahl
kapazitiver Abstimmschrauben gewähren, die noch zu beschreiben sind.
Diese kapazitiven Abstimmschrauben sind jeweils in eine von vielen öffnungen im mittleren Gehäuseteil 12
eingeschraubt und ermöglichen das Einstellen einer Parallelkapazität
gegenüber dem Tragteil. Das isolierende Deckteil 14 umfaßt eine weitere Anzahl von Bohrungen
48, die in der dargestellten Weise zwischen den Vorspannungs-Anschlüssen 3Ji angeordnet sind und dazu
dienen, Spannbolzen 50 aufzunehmen, die sich vertikal durch die Bohrungen 48 in dem Deckteil 14 und durch
entsprechende Bohrungen in dem Gehäuseteil 12 erstrecken und in entsprechende Gewindebohrungen des
Tragteiles 10 eingedreht sind, um diese Teile fest miteinander zu verbinden, wie es F i g. 1 zeigt.
Wie aus F i g. 3 ersichtlich, umfaßt das Tragteil 10 einen äußeren, ringplattenförmigen Abschnitt 52 mit einer
zentralen Öffnung 541, sowie einen mittleren kegelförmigen Abschnitt 56, der mit dem ringscheibenförmigen
Abschnitt 52 einteilig ausgebildet ist. Der Scheitel 58 des kegelförmigen Abschnittes 56 geht in den vertikalen
Mittelleiter 36 über. Dieser Mittelleiter 36 bildet einen Teil der Ausgangs-Koaxialleitung der Vorrichtung.
An der Oberfläche des kegelförmigen Abschnittes 56 befindet sich eine Anzahl von Halbleiterbauelementen
60, beispielsweise IM PATT-Dioden, die an vorbestimmten
Plätzen angeordnet sind. In den kegelförmigen Abschnitt 56 ist eine Anzahl halbzylindrischer öffnungen
62 eingearbeitet, die zur Aufnahme einer entsprechenden Anzahl induktiver Abstimmschrauben
oder Kurzschlüsse 64 bestimmt sind, welche später beschrieben werden.
Auch das mittlere Gehäuseteil 12 umfaßt einen äußeren, ringscheibenförmigen Abschnitt 66, in dem sich eine
Anzahl Bohrungen 68 zur Aufnahme der Spannbolzen 50 befindet Ein kegelförmiger Gehäuseabschnitt 70 erstreckt
sich von dem ringscheibenförmigen Abschnitt 66 nach oben. Die Innenfläche des Gehäuseabschnittes 70
ist in der aus F i g. 4 ersichtlichen Weise so ausgebildet, daß Bandleitungen für die Vielzahl der Halbleiterbauelemente
60 entstehen. Der kegelförmige Gehäuseabschnitt 70 umfaßt auch Bohrungen 72 und 74 zur Aufnahme
der obenerwähnten kapazitiven Abstimmschrauben 76 und von zylindrischen HF-Filter-Isoliergliedern
78 und 80, die einen Teil der Vorspannungs-Anschlüsse für die einzelnen Halbleiterbauelemente 60 der
Vorrichtung bilden. Eine Schraubendruckfeder 82 ist zwischen einem Ende des HF-Filtergliedes 78 und einem
Ende des Leiiers 40, 42 angeordnet und wird von
dem zylindrischen Isolierglied 80 umgeben. Die vorstehend beschriebenen Glieder sind mehr im einzelnen in
F i g. 5 dargestellt
Die Unterseite oder innere geometrische Gestalt des mittleren Gehäuseteiles 12 ist im einzelnen aus Fig.4
ersichtlich. Der kegelförmige Gehäuseabschnitt 70 umfaßt einen geschlitzten Kegelabschnitt 84, der sich in der
dargestellten Weise nach unten erstreckt und eine Vielzahl radialer Schlitze 86 aufweist, die nach der Montage
elektrisch mit den Bandleitungen gekoppelt sind, mit denen die einzelnen Halbleiterbauelemente 60 gekoppelt
sind. Die Schlitze 86 enthalten Ferritelemente 88, die sich nur im äußeren Abschnitt jedes Schlitzes befinden.
Diese Ferrit-Elemente 88 bilden HF-Absorber, die dazu dienen, diejenige HF-Energie zu unterdrücken, die
in Form unerwünschter höherer Wellentypen in den Bandleitungen erzeugt wird, die den einzelnen Halbleiterbauelementen
60, insbesondere IM PATT-Dioden, zugeordnet sind. Jeder der Schlitze 86 umfaßt einen vorderen,
offenen Abschnitt 90, der einen Kopplungsbereich zwischen jedem HF-Absorber 88 und jeder der
Halbleiterbauelemente bildet, das sich am anderen Ende jedes der einzelnen Mikrowellenkreise innerhalb der
Vorrichtung befindet. Diese Mikrowellenkreise werden später im einzelnen anhand F i g. 5 erläutert. Die sich
verjüngenden Abschnitte 92 des sich nach unten erstreckenden Kegelabschnittes 84 enthalten die oben angegebenen
Bohrungen 74 und 72 zur Aufnahme des Vorspannungs-Anschlusses bzw. des kapazitiven Abstimmelemcntes
eines jeden Mikrowellenkreises. Die Vielzahl der inneren vertikalen Wandflächen 93 und 95,
!5 die vollkommen den koaxialen Innenleiter 36 umgeben, bilden den Außenleiter der koaxialen Ausgangsleitung
der Vorrichtung.
Wie aus F i g. 5 ersichtlich, bei der es sich um einen Querschnitt längs der Linie V-V durch die Vorrichtung
nach F i g. 2 handelt, begrenzen die Oberfläche des kegelförmigen Abschnittes 56 des Tragteiles 10 und die ihr
gegenüberstehenden, kegelförmigen Abschnitte oder Bereiche 88,90 und 92 die einzelnen, jeweils ein Halbleiterbauelement
in Form einer IMPATT-Diode enthaltenden Bandleitungen, jede dieser Bandleitungen dient
dazu die Impedanz des Halbleiterbauelementes 60 an die Ausgangs-Koaxialleitung anzupassen, die von dem
koaxialen Innenleiter 36 und den Wandabschnitten 93, 95 des mittleren Gehäuseteiles 12 gebildet wird. Wenn
es sich bei den Halbleiterbauelementen 60 um IMPATT-Dioden handelt, können sie in Vertiefungen an
der Kegelfläche 56 des Tragteiles 10 eingelötet oder eingeschraubt sein. Diese IMPATT-Dioden 60 und die
Vertiefungen, in denen sie befestigt sind, sind auf die Vorspannungs-Anschlüsse 38 und die ihnen zugeordneten,
oben beschriebenen Glieder ausgerichtet. Die Vorspannungs-Anschlüsse 38 bilden zusammen mit der
Schraubendruckfeder 97 innerhalb der Isolierhülse 80 und dem HF-Filterglied 78 eine Gleichstromverbindung
zwischen jedem Halbleiterbauelement 60 und einer Gieichspannungsqueile, die zum Anlegen einer Vorspannung
an diese Avalanche-Dioden (Lawinen-Dioden) dient.
Wie in F i g. 6 dargestellt, ist das HF-Dämpfungsmaterial 88 im äußersten Bereich der Schlitze 86 in bezug auf die Halbleiterbauelemente unter einem bestimmten Winkel θ angeordnet, so daß es einen großen Winkel θ von etwa 90° in bezug auf die zugeordneten IMPATT-Dioden 60 überspannt Der Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß jedes Halbleiterbauelement 60 in einem maximalen Ausmaß elektromagnetisch mit jedem der Dämpfungselemente 88 gekoppelt ist, um auf diese Weise eine maximale Unterdrückung unerwünschter höherer Wellentypen in den einzelnen Mikrowellenkreisen zu erzielen, die den einzelnen Halbleiterbauelementen 60 zugeordnet sind- Gleichzeitig ist jedoch der elektrische Abstand zwischen jedem Halbleiterbauelement 60 (einschließlich dem zugeordneten Mikrowellenkreis) und der Ausgangs-Koaxialleitung auf ein Minimum reduziert Beide Merkmale tragen zur Erhöhung der Betriebswirksamkeit der Vorrichtung und dem Erzielen einer hohen Packungsdichte bei.
Wie in F i g. 6 dargestellt, ist das HF-Dämpfungsmaterial 88 im äußersten Bereich der Schlitze 86 in bezug auf die Halbleiterbauelemente unter einem bestimmten Winkel θ angeordnet, so daß es einen großen Winkel θ von etwa 90° in bezug auf die zugeordneten IMPATT-Dioden 60 überspannt Der Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß jedes Halbleiterbauelement 60 in einem maximalen Ausmaß elektromagnetisch mit jedem der Dämpfungselemente 88 gekoppelt ist, um auf diese Weise eine maximale Unterdrückung unerwünschter höherer Wellentypen in den einzelnen Mikrowellenkreisen zu erzielen, die den einzelnen Halbleiterbauelementen 60 zugeordnet sind- Gleichzeitig ist jedoch der elektrische Abstand zwischen jedem Halbleiterbauelement 60 (einschließlich dem zugeordneten Mikrowellenkreis) und der Ausgangs-Koaxialleitung auf ein Minimum reduziert Beide Merkmale tragen zur Erhöhung der Betriebswirksamkeit der Vorrichtung und dem Erzielen einer hohen Packungsdichte bei.
Wie aus F i g. 7 ersichtlich, bilden die Abschnitte 100 der von den einander gegenüberstehenden kegelförmigen
Flächen 56 und 92 begrenzten Bandleitungen je eine Serieninduktivität Weiterhin besteht eine variable Parallel-Kapazität
102 zwischen dem Ende 77 der kapazitiven Abstimmschraube 76 und dem gegenüberliegenden
Abschnitt der Kegelfläche 56. Die einen verstellbaren
Kurzschluß bildende induktive Abstimmschraube 64 bildet eine variable Parallel-Induktivität zu der in Fig.7
dargestellten IMPATT-Diode 60, so daß durch richtige Wahl des Wertes der Serieninduktivität 100 und durch
Verstellen der kapazitiven und induktiven Parallelimpedanzen 102 bzw. 64 die Impedanz des in F i g. 7 dargestellten
Äquivalentschaltbildes an die Lastimpedanz zum Zweck einer maximalen Leistungsübertragung angepaßt
werden kann. Typischerweise wird die in F i g. 7 dargestellte Schaltungsanordnung dazu benutzt, die relative
Impedanz einer IMPATT-Diode, die etwa 2 Ohm beträgt, an die sehr viel höhere, beispielsweise 50 Ohm
betragende Impedanz der koaxialen Ausgangsleitung anzupassen. Weiterhin kann die veränderliche Induktivität
64 auch dazu dienen, die Frequenz des Ausgangssignales der Vorrichtung genau einzustellen, da sie dazu
dient, die Impedanz der in F i g. 7 dargestellten Äquivalenzschaltung einzustellen.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Das dargestellte Ausführungsbeispiel kann in mancher Hinsicht abgewandelt werden, ohne den Rahmen
der Erfindung zu verlassen. Beispielsweise kann die Ausbildung und Anordnung jeder Komponente, die ei-
<s nen Teil jedes einzelnen Mikrowellenkreises bildet, sowohl
hinsichtlich seiner Gestalt als auch seiner Stellung innerhalb der kegelförmigen Gehäusestruktur geändert
werden, um dadurch die Vorrichtung an spezielle Forderungen anzupassen. Weiterhin kann der Abstand zwisehen
den Strukturen des Tragteiles und des Gehäuseteiles, welche die einzelnen Mikrowellen-Koppelbereiche
begrenzen, und die spezielle Größe und Form der Ausgangs-Koaxialleitung ebenfalls gemäß den speziellen
Bedürfnissen bei der Anwendung einer solchen Vor- !5 richtung geändert werden. In gleicher Weise kann die
Größe und die Form der Schlitze, welche die Dämpfungsglieder für höhere Wellentypen aufnehmen, geändert
und so gewählt werden, daß gewissen Vorschriften genügt wird. Tatsächlich können diese Schlitze entwe-
Der spezielle Aufbau der erfindungsgemäßen Vor- 20 der gegenüber den einzelnen Bandleitungen versetzt
richtung mit dem in den F i g. 5 und 7 dargestellten Auf- sein, mit denen sie gekoppelt sind, wie es bei dem dargebau
der Bandleitungen führt zu vielfältigen und gleich- stellten Ausführungsbeispiel der Fall ist, oder aber in
zeitigen Funktionen und Vorteilen bei der Zusammen- dem kegelförmigen Gehäuseteil so angeordnet sein, daß
führung der von den einzelnen Halbleiterbauelementen sie unmittelbar auf jede eine IMPATT-Diode enthaltengelieferten
Ausgangssignale. Der kegelförmige Aufbau 25 de Bandleitung ausgerichtet sind, mit denen sie gekopder
Bandleitungen ermöglicht allein schon eine Vermin- pelt sind.
derung des elektrischen Abstandes zwischen den Si-
gnalquellen bildenden Halbleiterbauelementen und der koaxialen Ausgangsleitung, während gleichzeitig die beschriebene,
optimale Anordnung zur Unterdrückung unerwünschter höherer Schwingungstypen für jede
Bandleitung erzielt wird. Demgemäß wird durch eine solche Anordnung ein maximaler Raum zur Unterbringung
der Moden-Dämpfungsglieder 88 erhalten und deren Wirksamkeit verbessert Zugleich begrenzen die
Kegelflächen 56 und 92 des Tragteiles und des Gehäuseteiles nicht nur die Bereiche, in denen die Wellenausbreitung
stattfindet, sondern es dienen diese Flächen auch zur Unterbringung der einzelnen in F i g. 7 dargestellten
Komponenten, welche die variablen Parameter der Bandleitungen bilden, die erforderlich sind, um die
Impedanz jedes einzelnen Halbleiterbauelementes an die gemeinsame koaxiale Ausgangsleitung anzupassen.
Dabei wird eine sehr hohe Packungsdichte erzielt.
Obwohl das Äquivalentschaltbild nach F i g. 7 nur den Mikrowellenkreis für eine einzige IMPATT-Diode wiedergibt,
versteht es sich, da ein vollständiges, jedoch nicht dargestelltes Äquivalentschaltbild einer fertigmontierten
Vorrichtung eine Vielzahl der Äquivalenzschaltungen nach F i g. 7 umfaßt, die an den Ausgangsklemmen
iö4 und iC6 parallel geschäliei sind. Diese
Ausgangsklemmen 104 und 106 sind natürlich elektrisch mit der koaxialen Ausgangsleitung 36, 93 nach F i g. 5
verbunden, so daß alle lMPATT-Dioden 60 zu der gemeinsamen koaxialen Ausgangsleitung elektrisch paral-IeI
geschaltet sind.
Zusätzlich zu den vorstehend behandelten Vorteilen der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird durch deren
Aufbau der plötzliche Übergang von der Koaxialleitung zu einer radialen Bandleitung vermieden, wie er bei der w>
Vorrichtung nach der US-PS 35 82 813 vorhanden ist. Statt dessen schneidet bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
die vertikale koaxiale Ausgangsleitung jede Bandleitung unter einem stumpfen Winkel, der bei dem
dargestellten Ausführungsbeispiel 135° beträgt Hier- es
durch wird ein relativ sanfter Übergang zwischen den einzelnen Bandleitungen mit ihren Halbleiterbauelementen
und der Ausgangs-Koaxialleitung erzielt
Claims (4)
1. Vorrichtung zur Zusammenführung der Leistungen einer Anzahl gleichartiger, mit Mikrowellen-Halbleiterbauelementen
bestückter Signalquellen auf eine gemeinsame koaxiale Übertragungsleitung bestehend aus einem zylindrischen Metallgehäuse,
in das ein Ende der koaxialen Übertragungsleitung konzentrisch hineingeführt ist und das aus
zwei durch Trennung in einer radialen Ebene erhaltenen Gehäuseteilen besteht, von denen wenigstens
eines an der Trennfläche mit einer einen konzentrischen Hohlraum freilassenden Ausnehmung versehen
ist- von denen weiterhin das eine mit dem Außenleiter und das andere mit dem den Hohlraum
zentrisch durchsetzenden Innenleiter der koaxialen Übertragungsleitung kontaktierend verbunden und
eines an seiner den Hohlraum begrenzenden Wand mit sich in radialer Richtung erstreckenden, mit
Dämpfungsmaterial gefüllten Nuten versehen ist, die den Hohlraum in eine Anzahl gleicher Sektoren
unterteilen, die in ihrer Wirkung an einem Ende kurzgeschlossene und am anderen, offenen Ende mit
der koaxialen Übertragungsleitung gekoppelte Bandleilungen mit impedanztransformierendem
Charakter darstellen, innerhalb der die Mikrowellen-Halbleiterbauelemente der Signalquellen jeweils
im Bereich vor der Kurzschlußwand angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die den
Hohlraum begrenzenden Wände der Gehäuseteile (10, 12) zueinander parallele Kegelflächen (56, 92)
bilden, von denen die eine Kugelfläche (56) mit ihrem Scheitel an den Innenleiter (36) der Koaxialleitung
anschließt, und daß in Aussparungen der Gehäuseteile (10, 12), die sich in Verlängerung der Bandleitungen
bzw. senkrecht dazu erstrecken, die einzelnen Halbleiterbauelemente (60) zusammen mit je einem
Anschluß (38) zum Anlegen einer Vorspannung sowie zugeordnete Abstimmgliedcr (64, 76) angeordnet
sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstimmglieder (64, 76) für jedes
Halbleiterbauelement (60) am Ende jeder Bandleitung einen variablen Kurzschluß (64) und zwischen
dem Halbleiterbauelement (60) und der Koaxialleitung eine im Gehäuseteil (12) angeordnete Abstimmschraube
(76) umfassen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlüsse (38) zum Anlegen
der Vorspannung je ein HF-Filter (78) umfassen, das in dem Gehäuseteil (12) zwischen jeweils einem
Halbleiterbauelement (60) und einem diesem Bauelement zugeordneten, zur Zuführung einer Gleichspannung
dienenden Leiter (40,42) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kegelflächen
(56,92) mit de; Koaxialleitung einen Winkel von etwa 135° bilden.
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US05/855,054 US4188590A (en) | 1977-11-25 | 1977-11-25 | Conical power combiner |
Publications (2)
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GB (1) | GB2008880B (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4453139A (en) * | 1981-11-12 | 1984-06-05 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Frequency offset multiple cavity power combiner |
JPS6018007A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Fujitsu Ltd | マイクロ波電力増幅装置 |
JPH0646681B2 (ja) * | 1984-12-11 | 1994-06-15 | 日本放送協会 | マイクロ波電力合成器 |
JPH0448119Y2 (de) * | 1985-05-11 | 1992-11-12 | ||
JPS62119140U (de) * | 1986-01-20 | 1987-07-29 | ||
JPS62198835U (de) * | 1986-06-04 | 1987-12-17 | ||
GB2226201B (en) * | 1988-12-01 | 1992-09-30 | Ferranti Int Signal | Microwave power amplifying arrangement |
JPH03106858U (de) * | 1990-02-20 | 1991-11-05 | ||
DE19626214A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-02 | Bosch Gmbh Robert | Mikrowellenoszillator |
US5978738A (en) | 1997-02-13 | 1999-11-02 | Anthony Brown | Severe weather detector and alarm |
US6919776B1 (en) | 2002-04-23 | 2005-07-19 | Calabazas Creek Research, Inc. | Traveling wave device for combining or splitting symmetric and asymmetric waves |
US8508313B1 (en) | 2009-02-12 | 2013-08-13 | Comtech Xicom Technology Inc. | Multiconductor transmission line power combiner/divider |
RU2636265C2 (ru) * | 2013-02-01 | 2017-11-21 | Общество с ограниченной отвественностью "Сименс" | Радиочастотный объединитель мощности |
USD791602S1 (en) | 2015-03-06 | 2017-07-11 | Diageo North America, Inc. | Bottle |
US9947986B1 (en) | 2015-03-30 | 2018-04-17 | David B. Aster | Reactive power combiners and dividers including nested coaxial conductors |
US9793593B1 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-17 | David B. Aster | Power combiners and dividers including cylindrical conductors and capable of receiving and retaining a gas |
US9960469B1 (en) | 2015-03-30 | 2018-05-01 | David B. Aster | Broadband reactive power combiners and dividers including nested coaxial conductors |
US9812756B1 (en) | 2015-03-30 | 2017-11-07 | David B. Aster | Systems and methods for combining or dividing microwave power using satellite conductors and capable of receiving and retaining a gas |
US9673503B1 (en) | 2015-03-30 | 2017-06-06 | David B. Aster | Systems and methods for combining or dividing microwave power |
US10312565B1 (en) | 2015-03-30 | 2019-06-04 | David B. Aster | Microwave power divider/combiner devices, microwave power divider/combiner bandpass filters, and methods of thermally cooling a cable run |
US9917343B2 (en) * | 2016-03-16 | 2018-03-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Waveguide to coaxial line transition having rigid hollow cone portions |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3378789A (en) * | 1966-11-16 | 1968-04-16 | Army Usa | Solid state oscillator having plural resonating cavities and tunnel diodes |
US3582813A (en) * | 1969-06-19 | 1971-06-01 | Microwave Ass | Negative-resistance multiple-element combiner |
US3628171A (en) * | 1970-08-07 | 1971-12-14 | Bell Telephone Labor Inc | Microwave power combining oscillator circuits |
US3662285A (en) * | 1970-12-01 | 1972-05-09 | Sperry Rand Corp | Microwave transducer and coupling network |
US3931587A (en) * | 1973-01-19 | 1976-01-06 | Hughes Aircraft Company | Microwave power accumulator |
IL43866A (en) * | 1973-01-19 | 1976-06-30 | Hughes Aircraft Co | Microwave power accumulator |
US3873934A (en) * | 1974-05-13 | 1975-03-25 | Hughes Aircraft Co | Devices for coupling microwave diode oscillators and amplifiers to power accumulation structures |
US4075578A (en) * | 1977-04-21 | 1978-02-21 | Motorola, Inc. | Accumulating cavity microwave oscillator |
-
1977
- 1977-11-25 US US05/855,054 patent/US4188590A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-11-08 JP JP53136870A patent/JPS6028442B2/ja not_active Expired
- 1978-11-09 GB GB7843806A patent/GB2008880B/en not_active Expired
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Also Published As
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GB2008880B (en) | 1982-04-28 |
JPS5479540A (en) | 1979-06-25 |
GB2008880A (en) | 1979-06-06 |
JPS6028442B2 (ja) | 1985-07-04 |
US4188590A (en) | 1980-02-12 |
FR2410374B1 (de) | 1984-10-19 |
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