DE2811207A1 - Temperaturgradient-zonenschmelzverfahren durch eine oxidschicht - Google Patents
Temperaturgradient-zonenschmelzverfahren durch eine oxidschichtInfo
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Description
Die Erfindung betrifft die Herstellung von Halbleiterelementen,
sie bezieht sich insbesondere auf ein Verfahren zum Dotieren von Körpern aus Halbleitermaterial
mittels eines Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahrens.
Bei der Herstellung von Halbleiterelementen ist es üblicherweise erforderlich, den Leitfähigkeitstyp eines
Körpers oder eines Teils eines Körpers aus Halbleitermaterial zu ändern oder anzupassen. Diese Änderung
wird dadurch bewirkt, daß Atome von die Leitfähigkeit verändernden Verunreinigungsstoffen in einem
ausgewählten Bereich oder in ausgewählten Bereichen des Körpermaterials verteilt werden. Zur Durchführung
einer derartigen Verteilung sind heute mehrere Verfahren
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weit verbreitet. Die Dotierung wird z.B. durch Legierung, durch Diffusion oder epitaxiales Wachsen oder dergleichen
durchgeführt. Die Wahl unter den verschiedenen Verfahren erfolgt auf der Basis von Kostenüberlegungen
und des Charakters des gewünschten Übergangs. Legierungsverfahren liefern z.B. sehr scharfe, aber schmale Übergänge.
Diffusion liefert einen tieferen Übergang, der jedoch weniger scharf verläuft.
Das Temperaturgradient-Zonenschmelzverfahren ist ein Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial, welches
sehr abrupt verlaufende Übergänge bei gleichzeitig hohen Dotierungskonzentrationen ermöglicht. Insbesondere
liefert das Temperaturgradient-Zonenschmelzverfahren dotierte Bereiche, die eine Dotierungskonzentration
bis zur Festlöslichkeitsgrenze des Dotierungsmaterials besitzen. Eine weitere Eigenschaft des Temperaturgradient
Zonenschmelzverfahrens besteht darin, daß Dotierungszonen mit ungewöhnlicher Gestalt erzeugt werden können.
Frühere Beschreibungen des Temperaturgradient-Zonenschmelzverfahrens
und einige der Anwendungen finden sich in der US-PS 2 813 048 und in dem Buch von W.G.Pfann,
mit dem Titel "Zone Melting1,1 1958, John Wiley and Sons,
Inc.
Obwohl das Temperaturgradienten-Zonenschmelzen als Verfahren zum Dotieren von Halbleitern schon sehr früh bei
der Halbleiterindustrie bekannt war? verhinderten bestimmte
Überlegungen die Anwendung als ein Standardwerkzeug des Halbleiterbauelemente-Entwurfsingenieurs. Ein
derartiges Bedenken ergab sich aus der Behandlung der Oberfläche, durch welche das Verunreinigungsmaterial
in den Körper aus Halbleitermaterial eintreten muß.
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Es waren dabei derartige Eigenschaften wie die Oberflächengleichförmigkeit
und Mittel zur Begrenzung der seitlichen Ausbreitung des Verunreinigungsstoffes auf
der Oberfläche vor Beginn der Wanderung oder Migration von Bedeutung, vgl. z.B. die US-Patente 3 897 277 und
3 899 362.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Temperaturgradient-Zonenschmelzverfahren
zu schaffen, welches die Anforderungen an die Oberflächenbehandlung verringert und vereinfacht.
Die Erfindung wird dadurch ausgeführt, daß auf einer Oxidschicht, die die Oberfläche eines Halbleiterkörpers
überzieht, ein Verunreinigungsstoff selektiv abgelagert wird. Es handelt sich bevorzugt entweder um ein Siliziumoder
ein Germaniumoxid. Der Verfahrensschritt, der die selektive Ablagerung umfaßt, kann, sofern erwünscht,
Unterschritte oder Abwandlungen enthalten, so z.B. eine schicht- oder deckenförmige Ablagerung von Verunreinigungsmaterial,
der ein selektives Entfernen, z.B. ein fotolιtographisches Ätzen oder dergleichen nachfolgt.
Anschließend an die Ablagerung wird das Verunreinigungsmaterial zum thermischen Wandern gebracht, zuerst durch
das Oxid zum darunterliegenden Halbleiterkörper, und dann in oder durch den Halbleiterkörper, wobei bekannte
Temperaturgradient-Zonenschmelzschritte verwendet werden. Das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem ein Hindurchwandern
durch ein Oxid erfolgt, ist sehr überraschend, da nach dem Stand der Technik eindeutig davon ausgegangen
werden mußte, daß die Oberfläche des Halbleiterkörpers ί mindestens dort, wo das Verunreinigungsmaterial
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eintritt, frei von Oxiden sein muß.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine isometrische Ansicht eines Halbleiterscheibchens oder -wafers mit einem geeigneten
Muster aus Verunreinigungs- oder Dotierungsmaterial, welches auf dem Scheibchen
angeordnet ist, um die Durchführung des Temperaturgradienten-Tonenschmelzens gemäß
der bekannten Art zu ermöglichen;
Fig. Z eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils des in Fig. 1 dargestellten Scheibchens in
einer umgekehrten Stellung;
Fig. 3 eine Schnittansicht, die derjenigen der Fig. ähnlich ist, für ein Halbleiterscheibchen
oder -wafer zur Verwendung bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens;
Fig. 4 eine Schnittansicht eines Halbleiterscheibchens mit vergrößertem Maßstab in der vertikalen
Richtung, um das Verständnis der Erfindung zu erleichtern;
Fig. 5 eine Schnittansicht des Scheibchens der Fig. 4 nach der anfänglichen Diffusion;
Fig. 6 eine Schnittansicht des Scheibchens der Fig. 4 und 5 nach einem weiteren Diffusionsschritt;
Fig. 7 eine Schnittansicht des Scheibchens der Fig. 6, das für den Thermowanderschritt
präpariert ist;
Fig. 8 eine Schnittansicht des Scheibchens der Fig. 7 nach der Thermowänderung oder -migration
;
Fig. 9 eine Schnittansicht des Scheibchens nach dem Ausbilden gewisser Umfangsgräben oder Nuten;
Fig. 10 fertige Thyristorscheibchen, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind;
und
Fig. 11 eine Ansicht eines vervollständigten Thyristorscheibchens,
das nach der erfindungsgemäßen Lehre hergestellt ist.
Temperaturgradient-Zonenschmelzen, wie es in der Halbleiterindustrie
ausgeübt wird, stellt ein Verfahren dar, bei dem eine kleine Menge an Verunreinigungsmaterial
oder Dotierungsmaterial auf einen Körper aus Halbleitermaterial aufgebracht wird, wobei dann diese Kombination
bei einer erhöhten Temperatur einem Temperaturgradienten ausgesetzt ist. Die Gesamttemperatur, bei welcher das
Verfahren ausgeführt wird, muß hinreichend groß sein, damit eine Schmelze, welche beide Materialien enthält,
sich bilden kann. Der Temperaturgradient kann von einigen Grad bis zu einigen hundert Grad längs des Körpers aus
Halbleitermaterial variieren. Unter diesen Bedingungen wandert die Schmelze direkt längs der Temperaturgradienten
linien von der niederen Temperatur zur höheren Temperatur
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und hinterläßt längs des Wegs eine rekristallisierte Zone aus Halbleitermaterial, welches das Dotierungsmaterial
mit einem Wert enthält, der gleich dem Festlöslichkeitsgrenzwert (solid solobility limit) des
Dotierungsmittels bei der erhöhten Temperatur ist.
Es wird zuerst auf die den Stand der Technik darstellenden Figuren 1 und 2 Bezug genommen, die einen Körper
21 aus Halbleitermaterial zeigen. Das Material 21 kann irgendein geeignetes Halbleitermaterial, z.B. Silizium,
Germanium, Siliziumcarbid oder Galliumarsenid sein. Aus Darstellungsgründen soll der Körper 21 als ein
Scheibchen eines η-Siliziums betrachtet werden, welches eine erste Hauptfläche 22 und eine zweite Hauptfläche
23 besitzt, vgl. Fig. 2. Es sei darauf hingewiesen, daß die Figur 2 in einer gegenüber der Figur 1 umgekehrten
Orientierung dargestellt ist. Das Scheibchen ist deshalb umgedreht dargestellt, da es sich normalerweise in
dieser umgedrehten Stellung während der thermischen Wanderung oder Migration befindet.
Normalerweise besitzt das Scheibchen 21 eine breite Verteilung von Atomen eines Dotierungsmaterials, welches
im Silizium einen gegebenen Leitfähigkeitstyp hervorruft. Im allgemeinen wird dieser gegebene Leitfähigkeitstyp dem Leitfähigkeitstyp des Dotierungsmaterials entgegengesetzt
sein, welches thermisch durch das Scheibchen 21 hindurchwandern soll«
Der bekannte thermische Wanderungsprozeß umfaßt das
Ablagern einer gewissen Menge eines Dotierungsmaterials,
welches dem Silizium einen gewählten Leitfähigkeitstyp
verleihen wird, in einem vorgewählten Muster auf der Oberfläche 22. Ein Beispiel eines Dotierungsmaterials,
welches bei Silizium günstige Eigenschaften besitzt, stellt Aluminium dar. Es sei an dieser Stelle darauf
hingewiesen, daß das vorgegebene Muster aus irgendeinem beliebigen gewünschten Muster bestehen kann. Gemäß der
Darstellung nach Fig. 1 umfaßt das vorgegebene Muster z.B. eine Vielzahl von sich orthogonal schneidenden
linearen Bereichen 24 und 25, welche das Scheibchen 21 in ein Netz unterteilen. Eine derart gemusterte Anordnung
des Dotierungsmaterials kann z.B. auf die Oberfläche 22 des Halbleiterscheibchens in Form einer Vielzahl
von Aluminiumdrähten 24 aufgebracht werden, welche die Oberfläche 23 kontaktieren.
Das Scheibchen oder Wafer ist bevorzugt derart ausgebildet, daß die Oberflächen 22 und 23 in der kristallographischen
£ 11ΊJ -Ebene liegen. Unter diesen Bedingungen
sollen die linearen Aluminiumdrähte 24 in der <110> -Orientierung angeordnet sein. Andere
exemplarische Bedingungen, die zu einer vorbestimmten Wanderung mit gewünschter Stabilität führen, sind in der
folgenden Tabelle enthalten;
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/in
Scheib chen ebene |
Wanderungs- richtung |
a) | Stabile Draht- Richtungen |
Stabile Draht abmessungen |
■Cioo) | -C100 >■ | b) | 4 011 7 * | <100 Mikron |
< θΤΐ 7 * | <100 Mikron | |||
<110 7 | < 1TO7^ | < 150 Mikron | ||
{111} | < 111 > + | .< 01?7 < 10T^ < 1107 |
< 500 Mikron | |
< 112*7 * < 2*11 7 * |
<500 Mikron | |||
c) jede beliebige*"
andere Richtung.' 500 Mikron in der {in} -
Ebene
* Die Stabilität des Wanderungsdrahts ist abhängig von der Ausrichtung des thermischen Gradienten mit
der < 100> < 110>
bzw. <111^ - Achse.
+ Die Gruppe a) ist stabiler als die Gruppe b)„ die
stabiler ist als die Gruppe c).
Es wird nun nur auf Fig. 2 Bezug genommen, und es sei
darauf hingewiesen, daß die Drähte 24 und 25 gemäß dem Stand der Technik in Nuten oder Rillen 26 auf der Oberfläche
24 liegen. Außerdem sind beim Stand der Technik die Drähte 24 und 25 häufig mit den ausgenommenen Oberflächen
des Scheibchens 21 legiert, \jeiche die Gräben
26 definieren.
Es xfird nun auf Figo 3 Bezug genommen^ die ein Scheibchen
21A mit zwei Hauptflächen 22A und 23A zeigt, wobei auf mindestens einer dieser Oberflächen eine Oxidschicht
27 liegt ο Das Scheibchen kann aus irgendeinem geeigneten
i 918 3 i / 0 S 3 ©
Halbleitermaterial, z.B. Silizium, Germanium, Siliziumcarbid oder Galliumarsenid bestehen, und das Oxid besteht
entweder aus einem Silizium- oder einem Germaniumoxid und kann durch irgendein geeignetes Verfahren, z.B.
durch thermisches Aufwachsen, Abscheiden oder dergleichen hergestellt werden. Nach der erfindungsgemäßen
Lehre werden die Metalldrähte 24A und 25A, bevorzugt aus Aluminium oderGallium, selektiv direkt auf die äußere
Oberfläche der Oxidschicht aufgebracht.
Es hat sich in überraschender Weise gezeigt, daß die Drähte durch das Oxid hindurchwandern und dann in und
durch das Scheibchen hindurchwandern, wenn die üblichen Wärmebedingungen des Temperaturgradienten-Zonenschmelzen
durchgeführt werden. Typische Temperaturen, Zeiten und Gradienten sind bekannt und lassen sich der US-PS
4 001 047 entnehmen.
Bevorzugt besitzt das Oxid eine Dicke im Bereich von mindestens 6000 Angström, was einen minimalen Wert zur
Herstellung einer guten Oberflächengleichförmigkeit darstellt, bis zu etwa 25000 Angström. Obwohl dickere
Oxide längere thermische Wanderungszeiten erfordern, sind dickere Oxide für die Stabilität wünschenswert,
wenn die Aluminiumdicke erhöht wird. Ausgezeichnete Ergebnisse wurden mit der Wanderung durch eine 12000
Angström dicke Oxidschicht erzielt.
Die selektive Ablagerung des Dotierungsmaterials kann eine Schicht- oder deckenförmige Ablagerung, z.B. aus
Aluminium sein, der ein fotolitographischer Ätzprozeß nachfolgt. Ein Beispiel einer geeigneten Ätze,, welche
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Aluminium entfernt, das darunterliegende Siliziumoxid dagegen ungestört läßt, ist die "Pan-Ätze", die aus
folgenden Bestandteilen besteht:
Orthophosphorsäure 76 %
Essigsäure 6 %
Salpetersäure 3 %
Wasser 15 %, wobei alle genannten
Säurekonstituenten eine gesättigte Konzentration besitzen.
Im folgenden wird ein Beispiel einer Anwendung der erfindungsgemäßen Lehre beschrieben:
Fig. 4 zeigt ein Scheibchen 30 aus Halbleitermaterial, welches zwei Hauptoberflächen 31 und 32 besitzt- Das
Scheibchen oder Wafer kann irgendwelche bequemen Abmessungen besitzen, wie sie üblicherweise bei der Herstellung
von Halbleiterbauelementen verwendet werden. Z.B. kann das Scheibchen eine Dicke von ungefähr 0,04
cm (16 mils) und einen Durchmesser von etwa 5,1 cm (2 Zoll) besitzen. Nur ein Teil des Scheibchens 30 ist
in Figur 4 dargestellt, um die Übersichtlichkeit der Figuren zu wahren.
Das Scheibchen 30 enthält einen ersten Verunreinigungstyp,
der dem Scheibchen einen Leitfähigkeitstyp gibt. Es wird nachfolgend aus Erläuterungsgründen angenommen„
daß das Scheibchen 30 aus Silizium besteht, und daßder eine Leitfähigkeitstyp vom N-Typ ist. Der erste
Typ des Yerunreinigungsmaterials stellt also ein Verunreinigungsmaterial dar, welches einen N-Leitfähigkeits-
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typ verleiht, z.B. also Arsen oder Phosphor.
Es wird nun auf Fig. 5 Bezug genommen, in der eine einem anschließenden Verfahrensschritt folgende Schnittdarstellung
des Scheibchens 30 dargestellt ist. Ein zweiter Typ eines Verunreinigungsmaterials, der dem
Scheibchen eine entgegengesetzte oder P-Leitfähigkeit verleiht, wird von jeder der Hauptoberflächen eindiffundiert.
Der zweite Typ des Verunreinigungsmaterials kann z.B. Gallium oder Bor sein. Das Scheibchen 30 besitzt
dann drei übereinander gestapelte Schichten oder Zonen, wobei die beiden äußeren Zonen 33 und 34 vom P-Typ sind
und die innere Zone 35 vom N-Typ ist. In dem Beispiel, auf welches Bezug genommen wird, und bei dem ein 0,04
cm(i6 mil) dickes Scheibchen verwendet wird, besitzen
die Zonen 33 und 34 bevorzugt eine Dicke von etwa 7 Am (3 mil). Die 7 yqm-Dicke wird nach einer Diffusions-
' ο
zeit von ungefähr 45 Stunden bei 1250 C erreicht. Derartige Diffusionszyklen sind innerhalb des Stands der
Technik bekannt.
Es wird nun auf Fig. 6 Bezug genommen, welche das Scheibchen der Fig. 5 mit beabstandeten Kathoden-Emitterzonen
36 zeigt, die teilweise durch die Zone 33 hindurchdiffundiert sind. Die Kathoden-Emitterzonen sind
vom N-Typ und lassen sich durch Diffusion eines Verunreinigungsmaterials vom ersten Typ bei 12500C während
ungefähr 10 bis 15 Stunden bilden. Derartige Diffusionszyklen sind, wie auch die vorausgegangenen Fotoresist-Maskenschritte,
wohl bekannt. Die Kathodenemitterbereiche können ebenfalls durch eine andere herkömmliche
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-yi-
Technik, z.B. durch Legieren, ausgebildet werden.
Es wird nun auf Fig. 7 Bezug genommen, die das Scheibchen 30 der Fig. 6 für das Temperaturgradienten-Zonenschmelzen
oder den Thermomigrations-oder -wanderschritt vorbereitet zeigt. Längliche Körper 37s in Fig„ 7 im
Schnitt dargestellt, des Verunreinigungsmaterials vom zweiten Typ, z.B. Aluminium, werden auf einer Oxidschicht
40 angeordnet, welche über der Hauptoberfläche 31 liegt. (Aus Ubersichtlichkeitsgründen ist die Oxidschicht
40 in den folgenden Figuren 6 bis 10 nicht dargestellt). Die länglichen Körper laufen senkrecht zur
Zeichenebene, ihre Abmessungen lassen sich daher aus Fig. 8 nicht vollständig ersehen.
In Fig. 8 ist das Scheibchen 30 der Fig. 7 im Anschluß an den Thermowanderungsschritt gezeigt. Die länglichen
Materialkörper 37 wanderten zuerst durch die Oxidschicht 40 und dann durch das Scheibchen 30 von
der Hauptoberfläche 31 zur Hauptoberfläche 32„ Diese
vertikale Wanderung jedes Körpers 37 läßt in ihrem Pfad eine Isolationszone 38 des entgegengesetzten, P-Leitfähigkeitstyps
zurück, wobei diese Zone 38 als eine Isolationszone dienen kann. Die derart ausgebildeten
Isolationszonen stellen Zonen aus Silizium dar, welches gleichförmig bis zur festen Löslichkeitsgrenze des
Aluminiums in Silizium bei der Wanderungstemperatur dotiert sind. Die starkdotierten Isolationszonen erstrecken
sich tatsächlich vollständig von einer Hauptoberflache
zur anderen9 wie durch die Kombination der
durchgehenden und gebrochenen Linien an der Stelle A für die Mittenzone gezeigt ist. Die Grenze der Isolations-
-JfS-
zone, die durch die gebrochenen Linien an der Stelle A in Fig. 8 dargestellt ist, wurde bei den anderen Isolationszonen
38 der Fig. 8 und den anschließenden Figuren aus Übersichtlichkeitsgründen weggelassen, da die Zonen
33 und 3^ P-Zonen sind und daher kein P/N-Übergang zwischen ihnen und den Zonen 38 existiert.
Das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren wird erfindungsgemäß dadurch durchgeführt, daß das Scheibchen
30 einem Temperaturgradienten ausgesetzt wird,
während das gesamte Scheibchen einer erhöhten Temperatur ausgesetzt ist. Wenn die Temperatur des Scheibchens
über ungefähr 8000C oder 9000C liegt, verursacht ein
Temperaturgradient von einigen Grad bis zu einigen 100 , daß das Aluminium durch das Scheibchen von der kalten
zur heißen Stelle läuft und längs seiner zurückgelegten Strecke eine rekristallisierte Zone zurückläßt, die
mit dem festen Löslichkeitswert des Aluminiums (solid solubility limit) im Silizium bei der Wandertemperatur
dotiert' ist. Als ein Beispiel für die Zeitdauer, die bei dem Wanderungsprozeß benötigt wird, sei angegeben, daß
bei einer Temperatur von ungefähr 12000C und einem Temperaturgradienten von ungefähr 5° über das Scheibchen
hinweg die Wanderung in ungefähr 5 bis 10 Minuten abläuft.
Fig. 8 zeigt zwei Zonen des Elements, die voneinander durch den mittleren Isolationsbereich 38, an der Stelle
A, getrennt sind, und die von ihren Nachbarbereichen durch weitere Isolationszonen 38 getrennt sind. Jede
Zone des Halbleiterelements besteht aus einer inneren Zone 35 mit N-Leitfähigkeit, die vollständig von einem
Halbleitermaterial mit P-Leitfähigkeit umgeben ist. Es
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sei darauf hingewiesen, daß das gesamte Scheibchen üblicherweise eine Vielzahl derartiger getrennter Halbleiterelemente-Zonen
aufweist. Es sei ferner darauf hingewiesen, daß die Isolationszonen 38 in Form eines
Gittermusters ausgebildet werden und sich daher um die gesamte Peripherie jeder Halbleiterelement-Zone erstrecken
und daher jede Halbleiterelement-Zone von den Nachbarzonen wirksam trennen.
In Fig. 9 ist eine Schnittansicht des Scheibchens 30 dargestellt, welches periphere Gräben 39 aufweist, die
in der äußeren Zone 33 ausgebildet sind und sich in die innere Zone 35 erstrecken. Die Gräben 39 werden
mittels eines herkömmlichen photolitographischen Masken- und Ätzverfahrens hergestellt und erstrecken sich längs
jeder der Isolationszonen, wie in Fig. 11 dargestellt ist. Eine Untersuchung der Fig. 9 ergibt, daß die Teile
B der Zone 33 innerhalb des peripheren Grabens 39 aufgrund der Rücken- an Rücken-PN-Übergänge 41 und 42 von
der Zone 34 isoliert sind. Wenn die Gräben daher mit einem Passivierungsmaterial 43 versehen sind, wie am
besten in Fig. 10 ersichtlich ist, sind die beiden Halbleiterübergänge 41 und 42 vollständig mit einem
einzigen Graben und der Anwendung des Passivierungsmaterials 43 vollständig passiviert. Das Passivierungsmaterial
43 kann aus Glas bestehen, welches in bekannter Weise verwendet wird. Es sei jedoch bemerkt,
daß auch andere Passivierungsmaterialien verwendet werden. So läßt sich z.B. ein Oxid oder ein anderes geeignetes
organisches Passivierungsmaterial vorteilhaft verwenden.
809839/0830
1S
Wenn das Scheibchen 30 durch die Isolationszonen 38
unterteilt wird, vgl. Fig. 10, werden einzelne Scheibchen oder Pellets 44 gebildet, von denen jedes ein
vollständig individuelles Halbleiterelement-Pellet darstellt. Die Fachleute werden die Pellets 44 als Thyristor-Pellets erkennen. Schließlich werden Metallkontakte 45t ^6 und 47 in herkömmlicher Weise aufgebracht. Eine Aufsicht auf ein Pellet 44 ist in Fig. 11 gezeigt.
unterteilt wird, vgl. Fig. 10, werden einzelne Scheibchen oder Pellets 44 gebildet, von denen jedes ein
vollständig individuelles Halbleiterelement-Pellet darstellt. Die Fachleute werden die Pellets 44 als Thyristor-Pellets erkennen. Schließlich werden Metallkontakte 45t ^6 und 47 in herkömmlicher Weise aufgebracht. Eine Aufsicht auf ein Pellet 44 ist in Fig. 11 gezeigt.
809839/0830
Le
e r s e i t e
Claims (8)
- i\62'5- jt-:T- 1026General Electric CompanyPatentansprüche:m Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen,dadurch gekennzeichnet, daß ein Körper aus Halbleitermaterial vorgesehen wird, das eine Oxidschicht auf mindestens einem ausgewählten Teil mindestens einer Oberfläche des Körpers aufgebracht wird, daß das Oxid der Oxidschicht aus der Gruppe bestehend aus Siliziumoxid und Germaniumoxid ausgewählt wird, daß ein Verunreinigungsmaterial selektiv auf der Oxidschicht abgelagert wird, daß der Körper einer erhöhten Temperatur und einem thermischen Wanderungs-Temperaturgradienten durch den Körper und die Oxidschicht ausgesetzt wird, wodurch das Verunreinigungsmaterial thermisch durch das Oxid und den Halbleiterkörper hindurchwandert.SQ9839/Ö838ORIGINAL INSPECTED
- 2. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zum Vorsehen der Oxidschicht einen Unterschritt enthält, bei dem die Oxidschicht auf der einen Oberfläche aufgebracht wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus der Gruppe bestehend aus Silizium, Germanium, Siliziumcarbid und Galliumarsenid ausgewählt ist.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zum Vorsehen oder Herstellen der Oxidschicht einen Unterschritt enthält, bei dem die Oxidschicht in situ auf dem Körper thermisch aufgewachsen wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß das Verunreinigungsmaterial aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium und Gallium ausgewählt wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5,dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt, in dem das Verunreinigungsmaterial selektiv abgelagert wird, eine schichtförmige oder Bedeckungsablagerung und selektive photolitographische Entfern-Unterschritte umfaßt.8Q983S/Ö830
- 7. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidschicht eine Dicke besitzt, die größer als etwa 6000 Angström ist.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet,daß der Körper als Scheibchen oder Wafer ausgebildet ist.809839/08
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Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=25114609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782811207 Withdrawn DE2811207A1 (de) | 1977-03-18 | 1978-03-15 | Temperaturgradient-zonenschmelzverfahren durch eine oxidschicht |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS53124965A (de) |
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US6333245B1 (en) | 1999-12-21 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for introducing dopants into semiconductor devices using a germanium oxide sacrificial layer |
US6403407B1 (en) * | 2000-06-02 | 2002-06-11 | International Business Machines Corporation | Method of forming fully self-aligned TFT with improved process window |
US11005446B2 (en) | 2019-05-07 | 2021-05-11 | Fox Enterprises, Inc. | Resonators and devices with a pixel electrode operating across a gap |
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US3899362A (en) * | 1973-10-30 | 1975-08-12 | Gen Electric | Thermomigration of metal-rich liquid wires through semiconductor materials |
US3897277A (en) * | 1973-10-30 | 1975-07-29 | Gen Electric | High aspect ratio P-N junctions by the thermal gradient zone melting technique |
US4042448A (en) * | 1975-11-26 | 1977-08-16 | General Electric Company | Post TGZM surface etch |
US3998662A (en) * | 1975-12-31 | 1976-12-21 | General Electric Company | Migration of fine lines for bodies of semiconductor materials having a (100) planar orientation of a major surface |
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-
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JPS53124965A (en) | 1978-10-31 |
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