DE2757821C3 - Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung mit Druckkontakt - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung mit Druckkontakt

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
In der Druckschrift »PESC 75 RECORD, JEEE Power Electronics SPECIALISTS CONFERENCE-1975«, Seiten 274 bis 281 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung, die im Betrieb unter einem zwischen einer Anodenanschlußplatte und einer Kathodenanschlußplatte angelegten Druck eingesetzt wird. Dabei weist der Halbleiterkörper der Anordnung eine in eine Anzahl von Außenschichtabschnitten unterteilte Außenschicht auf. Zu-
nächst wird der Halbleiterkörper mit zwei Außenschichten hergestellt, von denen die obere in eme Anzahl von Außenschichtabschnitten unterteilt ist. Auf jedem Außenschichtabschnitt ist eine erste Elektrode vorgesehen. Die untere Außenschicht ist mit einer zweiten Elektrode versehen. An der so hergestellten Anordnung wird sodann eine Tragplatte derart angeordnet, daß die zweite Elektrode mit der einen Fläche der Tragplatte in Berührung gelangt An den ersten Elektroden wird eine Preßplatte angebracht, deren Breite nicht kleiner ist als die Entfernung von der Innenkante einer äußersten ersten Elektrode zur Innenkante der anderen gegenüberliegenden äußersten Elektrode.
Während der Anwendung der Halbleiteranordnung wird auf die Preßplatte und somit auch auf die ersten Elektroden ein Druck ausgeübt Dabei biegen sich die ersten Elektroden und die darunter befindlichen Außenschichtabschnitte nach unten. Im Falle einer über die äußersten Elektroden überstehenden Preßplatte besieht dabei die Möglichkeit daß die Enden der Preßplatte in einen elektrischen Kontakt mit den Anschlußdrähten der Gate-Elektroden gelangen.
Um ein solches Kurzschließen zu vermeiden, kann eine Preßplatte verwendet werden, die schmaler ist als die Entfernung zwischen den Außenkanten der äußersten ersten Elektroden. Ein Nachteil einer solchen schmaleren Preßplatte ergibt sich aber daraus, daß sich die äußersten ersten Elektroden und die darunter angeordneten Außenschichtabschnitte dadurch verfor-
men, daß jeweils nur ein Teil ihrer Oberfläche durch den auf die Preßplatte ausgeübten Druck verformt wird. Dadurch kann einerseits jeweils die Fläche der äußersten ersten Elektroden, die mit der Preßplatte in Berührung steht im Vergleich zur Fläche, die nicht mit
der Preßplatte in Berührung steht nach unten gedrückt werden. Dabei kann die äußersten ersten Elektroden bildendes Material herausgepeßt werden, so daß es längs der inneren Seitenwände der unter den äußersten ersten Elektroden befindlichen Außenschichtabschnitte herausquillt und dabei nach längerem Gebrauch einen Kurzschluß zur benachbarten Gate-Elektrode herstellt Andererseits wird die Fläche der mit der Preßplatte in Berührung stehenden äußersten ersten Elektroden verkleinert, so daß die Stromdichte im Kontaktbereich erhöht wird, was zu einem schädlichen Durchbruch führen kann.
In der DE-OS 15 64 185 ist eine Halbleiteranordnung vom Mesa-Typ beschrieben, deren Kathodenschicht aus einer Mehrzahl von Abschnitten gebildet ist Eine Preßplatte zum Anlegen eines äußeren Druckes ist jedoch nicht vorgesehen.
Aus der DE-AS 11 91 044 ist es im Zusammenhang mit einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen in anderem Zusammenhang bekannt eine Preßplatte zu verwenden, die breiter ist als die Halbleiterplatte der Halbleiteranordnung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung anzugeben, durch das vermieden wird, daß ein
über eine Preßplatte auf einzelne Außenschichtabschnitte mit darauf befindlichen ersten Elektroden während des Betriebs ausgeübter Druck eine Verformung der Außenschichtabschnitte und der ersten
Elektroden bewirkt.
Diese Aufgabe wird durch ein eingangs bereits erwähntes Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung gelöst, das durch die in dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 aufgeführten Merkmale gekennzeichnet ist
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der beigefügten Figuren näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen Schnitt durch eine Mesa-Halbleiteran-Ordnung wojei eine flache Platte aufgebracht ist,
Fig.2 die Anordnung nach der Fig. 1, auf die ein äußerer Druck Fausgeübt wird,
Fig.3 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem äußeren Druck F und der maximalen Abweichung der unter diesem Druck gekrümmten Konfiguration,
F i g. 4 eine vergrößerte Darstellung der gekrümmten Konfiguration,
F i g. 5 eine Anordnung nach der F ΐ g. 2, bei der die flache Platte entfernt wurde und dafür eine Preßplatte aufgebracht wurde und
Fig.6 und 7 eine weitere Ausführungsform des beanspruchten Verfahrens.
Im folgenden wird zunächst anhand der F i g. 1 ein Verfahren zur Herstellung der bekannten Mesa-Halbleiteranordnung, beispielsweise einer unter Druckanlegung arbeitender Thyristor-Anordnung, beschrieben. Zunächst wird nach einem an sich bekannten Verfahren, beispielsweise nach dem Fremdatom-Diffusionsverfahren, dem Epitaxialverfahren oder einem ähnlichen Verfahren, ein Halbleiterkörper aus drei Schichten 62, 64, 66 und einer weiteren, auf der Schicht 66 aufgebrachten Schicht gebildet Die P-Schicht 62, die N-Schicht 64, die P-Schicht 66 und die weitere N-Schicht dienen hierbei als Anoden-Außenschicht, als Zwischenschicht, als Gate-Schicht und als Kathoden-Außenschicht Die weitere als N-Kathoden-Außenschicht dienende Schicht ist in eine Anzahl von Mesa-Außenschichtabschnitten 68a, 686, 68c und 6&d unterteilt, die mit ersten Elektroden 70a, 70b, 70c bzw. 7Od aus z. B. Aluminium belegt wird, die als Kathoden dienen. Ebenso sind die P-Anoden-Außenschicht 62 und die P-Gate-Schicht 66 jeweils mit einer zweiten Elektrode 72, die als Anode dient bzw. mit einer Gate-Elektrode 74 aus z. B. Aluminium versehen. Die Gate-Elektrode 74 wird in an sich bekannter Weise, beispielsweise durch Hochfrequenz-Strahkchweißen mit dem einen Ende einer Gate-Zuleitung 76 verbunden. Seitenwände der P-Anoden-Außenschicht 62, der N-Zwischenschicht 64 und der P-Gate-Sichicht 66 sind mit einem Schutzfilm aus z. B. Silikongummi 78 bedeckt
Die beschriebene Anordnung wird an einer Tragplatte 80 so angebracht, daß die als Anode dienende zweite Elektrode 72 mit der Tragplatte 80 in Berührung steht
Gemäß der F i g. 1 wird hierauf auf die ersten Elektroden 70a bis 7Od eine beispielsweise aus Metall bestehende, flache Platte 86 mit einer Querbreite aufgebracht, welche zumindest dem Abstand von der Außenkante der äußersten ersten Elektrode 70a zur Außenkante der anderen gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode 7Od entspricht oder größer als dieser Abstand ist Die flache Platte 86 kann aber auch aus einem isolierendem Material oder aus einem Halbleitermaterial bestehen. Im Falle dieser Materialien muß sie jedoch vorzugsweise eine solche Festigkeit aufweisen, daß sie bei der Druckbeaufschlagung weder bricht noch einer Rißbildung oder Absplitterung unterworfen ist Gemäß F i g. 1 ist die Querbreite der flachen Platte 86 größer als der Abstand zwischen den Außenkanten der äußersten ersten Elektroden 70a und 7Od
Gemäß Fig.2 wird die Anordnung anschließend entlang der flachen Platte 86 in der durch die Pfeile angedeuteten Richtung mit einem Druck F beaufschlagt Wie aus der Fig.2 ersichtlich ist, wird die Halbleiteranordnung dadurch so venormt, daß ihr mittlerer Bereich nach unten durchgedrückt wird. Dies hat zur Folge, daß die Gesamtkonfiguration an der Oberseite konkav wird. Da hierbei als Kathoden dienende erste Elektroden 70a und 70i/mit dem äußeren Druck Füber eine flache Platte 86 beaufschlagt werden, die sich vollständig über diese ersten Elektroden nämlich von der Außenkante der einen äußersten ersten Elektrode 70a bis zur Außenkante der anderen gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode 7Od, erstreckt, werden die Außenschichtabschnitte 68a und 60c? ohne jede Verformung in demselben Maß durchgedrückt wie die Außenschichtabschnitte 686 und 68a Infolgedessen liegen die Oberflächen aller ersten Elektroden 70a bis 7Od in derselben Ebene. Obgleich in F i g. 2 jede erste Elektrode als nur auf dem Mittelteil des betreffenden Außenschichtabschnitts angeordnet dargestellt ist, bedeckt sie tatsächlich die gesamte Fläche dieses Außenschichtabschnitts. Aus den noch näher zu erläuternden Gründen muß der zu diesem Zeitpunkt angelegte äußere Druck F in jedem Fall höher sein als der Druck, dem die Anordnung im Gebrauch unterworfen wird. Üblicherweise ist die Lötmittelschicht 100 bis 200 μπι dick, wobei der äußere Druck F bei 350 bis 450 bar liegen sollte. Diese Beziehung geht deutlich aus der Kennlinie gemäß F i g. 3 hervor, die die Beziehung zwischen dem äußeren Druck F (bar) und der Abweichung (μηι) der Oberflächenebeile der ersten Elektroden der Thyristor-Anordnung (GTO-Anordnung) zeigt Die Kennlinie gemäß F i g. 3 wurde für eine Thyristor-Anordnung mit einer Lötschichtdicke von 100 bis 200 μΐη ermittelt, wobei die dünnen lotrechten Linien die Abweichungen (Toleranzen) in der Oberflächenebene der ersten Elektroden dieser Vorrichtung zeigen. Diese Abweichung entspricht Null, wenn die als Kathoden dienenden ersten Elektroden 70a bis 7Od in einer Linie bzw. in derselben Ebene liegen. Wie anhand der Kennlinie gemäß F i g. 3 ersichtlich ist, ist die Thyristor-Anordnung gemäß Fig.4 vor dem Anlegen des äußeren Drucks F tatsächlich an der Oberseite konvex (positive Seite ( + ) in Fig.3). In Fig.4 ist dieser Auslenk- bzw. Abweichzustand mehr oder weniger übertrieben stark dargestellt. Die für den beschriebenen Versuch verwendete Thyristor-Anordnung ist dann, wenn sie noch nicht mit dem äußeren Druck beaufschlagt worden ist, bis zu einer Erhöhung von etwa 13 μπι konvex, während sie praktisch die Abweich-Nullmarke erreicht, wenn sie einem äußeren Druck von etwa 225 bar unterworfen wird. Bei Beaufschlagung der Thyristor-Anordnung mit dem Druck F wird diese Vorrichtung eingedrückt bzw. konkav (negative (—) in F i g. 3). Bei Beaufschlagung mit einem äußeren Druck Fvon 300 bar oder höher wird die Verformung der Thyristor-Anordnung praktisch zur Sättigung gebracht
Die Thyristor-Anordnung wird mit dem auf sie einwirkenden äußeren Druck eingesetzt, um den thermischen Widerstand zu reduzieren. Sobald der Beaufschlagungsdruck eine feste Größe erreicht hat, ändert sich der thermische Widerstand kaun noch, auch
wenn der äußere Druck weiter erhöht wird. Bei einer Thyristor-Anordnung mit einer Lötmetalldicke von etwa 100 bis 200 μΐη liegt der äußere Druck, bei dem sich der thermische Druck einpegelt, bei 300 bar oder darüber, worauf sich der thermische Widerstand kaum noch ändert, auch wenn der Beaufschlagungsdruck auf 450 bar oder mehr erhöht wird. Infolgedessen sollte der bei der Fertigung ausgeübte äußere Druck vorzugsweise im Bereich von 350 bis 450 bar liegen.
In diesem Zusammenhang ist zu bemerken, daß die zweckmäßige Höhe des von außen angelegten Beaufschlagungsdrucks F hauptsächlich von der Dicke der Lötmetallschicht 82 abhängt.
!m nächsten Yerfahrensschritt wird die flache Platte 85 abgenommen und durch eine Preßplatte 88 ersetzt, die gemäß F i g. 5 auf den ersten Elektroden 70a bis 70b angeordnet wird. Dies Preßplatte 88 besitzt in Querrichtung keine sich voll über alle ersten Elektroden 70a bis 706 hinweg erstreckende Breite. Die Breite der Preßplatte 88 ist vielmehr kleiner als die Strecke von der Außenkante der äußersten ersten Elektrode 70a zur Außenkante der gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode 7Od Infolgedessen sind die äußersten ersten Elektroden 70a und 7Odnur teilweise von der Preßplatte 88 bedeckt
Im folgenden wird nunmehr der Grund dafür beschrieben, weshalb der während der Herstellung auf die Thyristor-Anordnung (GTO-Anordnung) ausgeübte Druck F höher sein sollte als der diese Anordnung im Betrieb beaufschlagende Druck.
Wenn nämlich der im Gebrauch bzw. im Betrieb auf die Anordnung einwirkende Druck höher wäre als der Beaufschlagungsdruck während der Fertigung, könnten sich die Außenschichtabschnitte 68a und 68c/möglicherweise verformen, da nämlich die Preßplatte 88 in Querrichtung nicht so breit ist, daß sie alle ersten Elektroden 70a bis 7Od voll bedeckt, sondern nur teilweise über die beiden äußersten Elektroden 70a und 7Od greift Dabei kommen die äußersten ersten Elektroden 70a und 7Od mit dem Randabschnitt der Preßplaite SS in Berührung. Wenn dann während des Betriebs ein über dem bei der Fertigung angewendeten Druck Fliegender Druck auf die Vorrichtung ausgeübt würde, könnten sich die ersten Elektroden 70a und 7Qd und die entsprechenden Außenschichtabschnitte in der im Zusammenhang mit dem Stand der Technik beschriebenen Weise plastisch verformen.
Bei der beschriebenen Ausführungsform wird die Lötmetallschicht 82 dadurch plastisch verformt ohne daß dies eine Verformung der mit den Randabschnitten der Preßplatte 88 in Berührung stehenden Außenschichtabschnitte 6Sa und 6Sd zur Folge hätte, daß die Vorrichtung während der Fertigung mittels der beschriebenen flachen Platte 86 vor der Anbringung der Preßplatte 88 mit einem äußeren Druck F beaufschlagt wird, der höher als der im Betrieb über die Preßplatte 88 ausgeübte Druck, so daß sich die Außenschichtabschnitte 68a und 68c/ im Betrieb auch dann nicht verformen, wenn der von außen her einwirkende Druck über eine Kathoden-Anschlußplatte und die Preßplatte 88 angelegt wird. Hierdurch wird infolgedessen die Möglichkeit für eine Erhöhung der Stromdichte an den als Kathode dienenden ersten Elektroden 70a und 70c/ ausgeschaltet die zu einem Durchbruch der Anordnung sowie zur Möglichkeit eines Kurzschlusses zwischen den äußersten ersten Elektroden 70a und 7Od einerseits und der Gate-Elektrode 74 andererseits führen könnte.
Gemäß der Fig.6 entspricht die Querbreite der flachen Platte 86 der Strecke von der Außenkante der äußersten ersten Elektrode 70a zur Außenkante der anderen äußersten ersten Elektrode 70d In diesem Fall wird dieselbe Wirkung erreicht wie bei der vorher beschriebenen Ausführungsform.
In F i g. 5 besitzt die Preßplatte 88 eine Querbreite, die kleiner ist als die Strecke von der Außenkante der äußersten ersten Elektrode 70a zur Außenkante der gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode 7Od Wie aus der F i g. 7 hervorgeht, kann jedoch die Querbreite der Preßplatte 88 genau der Entfernung zwischen der Außenkante der äußersten ersten Elektrode 70a zur Außenkante der gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode 7Odentsprechen.
Die Preßplatte £8 kann wahlweise auch eine solche Querbreite besitzen, daß sie die Oberflächen aller Außenschichtabschnitte 68a bis 68d überspannt d. h. daß sie sich von der Außenkante des Auüenschichtaö-Schnitts 68a zur Außenkante des Außenschichtabschnitts 68d erstreckt
Die als Kathoden dienenden ersten Außenschichtabschnitte 68a und 68dsind bei diesen Ausführungsformen ebenfalls keiner Verformung unterworfen, so daß diese Ausführungsformer, dieselbe Wirkung gewährleisten wie die Ausführungsformen gemäß F i g. 5.
Bei der letzten Ausführungsform erstreckt sich die Preßplatte 88 nur ein kleines Stück über die Außenkanten der äußersten ersten Elektrode 70a und 7Od hinaus, so daß nur eine sehr geringe Möglichkeit für die Entstehung eines Kurzschlusses mit der Gate-Zulei-•tung 76 besteht
Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch auf gewöhnliche Thyristoren, Transistoren, Dioden oder dergleichen anwendbar, sofern diese unter Druckbeaufschlagung arbeiten.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleiteranordnung, die im Betrieb unier einem zwischen einer Tragplatte (80) und einer Preßplatte (88) angelegten Druck eingesetzt wird und die einen Halbleiterkörper mit einer in eine Anzahl von Außenschichtabschnitten (68a, 6Sb, 68c, 6Sd) unterteilte Außenschicht aufweist, wobei zunächst ein Halbleiterkörper mit zwei Außenschichten (62, 66) hergestellt wird, von denen die eine in eine Anzahl von Außenschichtabschnitten (68a, 680, 68c; 6Sd) unterteilt ist, von denen jeder mit einer ersten Elektrode (70a, 706, 70c; 7OdJ versehen ist, während die andere Schicht (62) mit einer zweiten Elektrode (72) versehen ist, wobei sodann eine Tragplatte (SO) für d0s so hergestellte Gebilde derart angebracht wird, daß die zweite Elektrode (72) mit der einen Fläche der Tragplatte (80) in Berührung gelangt, während die andere Fläche der Tragplatte (80) unter Zwischenfügung einer Lötmittelschicht (82) mit einer Anschlußplatte (30) verbunden wird, wobei an den ersten Elektroden (70a, 70b, 70c, 7Od) eine Preßplatte angebracht wird, deren Breite nicht kleiner ist als die Entfernung von der Innenkante einer äußeren Elektrode (70a,) zur Innenkante der anderen gegenüberliegenden äußeren ersten Elektrode (7Od) und nicht größer ist als die Entfernung von der Außenkante der einen äußeren ersten Elektrode (70a,) zur Außenkante der anderen, gegenüberliegenden äußersten Elektroden (70$ dadurch gekennzeichnet, daß vor der Anbringung der Preßplatte (88) an den ersten Elektroden (70a bis 7Od) auf letztere eine flache Platte (86) mit einer solchen Breite aufgesetzt wird, die sich zumindest von der Außenkante der einen äußersten ersten Elektrode (7OaJ bis zur Außenkante der gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode (7Od) erstreckt, daß hierauf von außen her über die flache Platte (86) ein Druck, der im Bereich von 350 bis 450 bar liegt, auf den Halbleiterkörper ausgeübt wird, und daß anschließend die flache Platte (86) entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der flachen Platte (86) der Strecke von der Außenkante der einen äußersten ersten Elektrode (7OaJ bis zur Außenkante der anderen gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode (7Od) entspricht (F i g. 6).
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der flachen Platte (86) größer ist als die Entfernung von der Außenkante der einen äußersten ersten Elektrode (7OaJ bis zur Außenkante der anderen gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode (7Od) (F i g. 1).
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57181131A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Toshiba Corp Pressure-contact type semiconductor device
JPS594033A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Toshiba Corp 圧接型半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1191044B (de) * 1960-12-03 1965-04-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, wie Silizium-Flaechengleichrichter, -Transistoren oder Halbleiterstromtore
DE1564185B2 (de) * 1966-09-22 1972-11-23 International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. (V.St A.) Schaltungsanordnung fuer einen steuerbaren halbleitergleichrichter sowie steuerbare halbleitergleichrichter hierzu

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DE2757821A1 (de) 1978-06-29
DE2757821B2 (de) 1980-02-07

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