DE1952636C3 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt

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DE1952636C3 DE19691952636 DE1952636A DE1952636C3 DE 1952636 C3 DE1952636 C3 DE 1952636C3 DE 19691952636 DE19691952636 DE 19691952636 DE 1952636 A DE1952636 A DE 1952636A DE 1952636 C3 DE1952636 C3 DE 1952636C3
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Dipl.-Phys. Dr. Richard 7103 Schwaigern Epple
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt, insbesondere Schottky-Diode, deren Metallektrode mit ihrem Rand auf einer Oxidschicht aufliegt, die in den Halbleiterkörper eingebettet ist und zusammen mit der Halbleiteroberfläche eine ebene Auflage für die Metallelektrode bildet.
Ein derartiges Verfahren ist aus der BE-PS 7 04 674 bekannt. Bei diesem bekannten Verfahren wird die Oxidschicht durch lokale Oxydation in den Halbleiterkörper versenkt, um ein planares Halbleiterbauelement zu erzielen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt anzugeben, welches durch einfache Oxydation eine sich zur Erzielung besonders guter Sperreigenschaften relativ tief in den Halbleiterkörper erstreckende, lokal begrenzte Oxidschicht ergibt, die relativ dünn ausgebildet werden kann. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst
Durch eine entsprechende Ausbildung der Vertiefung wird bei dem Verfahren nach der Erfindung erreicht, daß bei höheren Spannungen tiefer liegende Raumladungszonen, die vom Schottky-Kontakt ausgehen, seitlich an die in der Vertiefung befindliche Oxidschicht anstoßen und dadurch von der Oxidschicht begrenzt werden. Wenn hier von einer Vertiefung im Halbleiterkörper die Rede ist, so ist darunter keine Mesaätzung zu verstehen, bei der — wie bei der US-PS 32 94 600 — sämtliches Halbleitermaterial, welches sich seitlich vom Mesaberg befindet, bis zum Rand des Halbleiterkörpers weggeätzt wird.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung erläutert
Die Figur zeigt eine Schottky-Diode mit einem Halbleiterkörper 1, der beispielsweise aus Silizium besteht. Auf die eine Seite des Halbleiterkörpers 1 ist eine Metallschicht 3 aufgebracht, die zusammen mit dem Halbleiterkörper 1 einen Schottky-Kontakt bildet Der Halbleiterkörper 1 weist eine außerhalb des Bereiches der Metallschicht 3 befindliche Ätzvertiefung 7 auf. Oxydiert man bei einem Halbleiterkörper aus Silizium diese Vertiefung sowie einen parallel zur Halbleiteroberfläche verlaufenden Teil des Halbleiterkörpers, der sich von der Metallschicht 3 bis in die Vertiefung 7 erstreckt, so entsteht eine Oxidschicht 2 mit einem parallel zur Halbleiteroberfläche verlaufenden Teil 8 der zusammen mit dem Halbleiteroberflächenteil 9 als ebene Auflage für die Metallschicht 3 dient, sowie ein in der Vertiefung 7 befindlicher Oxidschichtteil. Dieser Oxidschichtteil gewährleistet bei entsprechender Anbringung der Vertiefung 7, daß die Vorderfront 5 der raumladungsfreien Zone 4 des Schottky-Kontaktes auch dann einen oberen Verlauf beibehält, wenn sich die raumladungsfreie Zone 4 relativ tief in den Halbleiterkörper 1 erstreckt.
Die Oxidschicht 2 wird vorzugsweise durch lokale Oxydatior. des Halbleiterkörpers 1 hergestellt. Um zu gewährleisten, daß der Halbleiterkörper 1 nur an derjenigen Stelle oxydiert wird, an der die Oxidschicht 2 vorgesehen ist, wird der übrige Teil des Halbleiterkörpers 1 mit einer Maske bedeckt, die eine Oxydation des Halbleiterkörpers an den unerwünschten Stellen verhindert. Als Material für eine solche Oxydationsmaske eignet sich beispielsweise Siliziumnitrid.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt, insbesondere Schottky-Diode, deren Metallelektrode mit ihrem Rand auf einer Oxidschicht aufliegt, die in den Halbleiterkörper eingebettet ist und zusammen mit der Halbleiteroberfläche eine ebene Auflage für die Metallelektrode bildet, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper außerhalb des Bereiches der später aufzubringenden Metallelektrode mit einer Vertiefung versehen wird und daß die Oberfläche dieser Vertiefung sowie ein parallel zur Halbleiteroberfläche verlaufender und sich unter die später aufzubringende Metallelektrode erstreckender Teil des Halbleiterkörpers oxydiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidschicht lokal unter Verwendung einer Maske hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske aus Siliziumnitrid besteht.
DE19691952636 1969-10-18 1969-10-18 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Schottky-Kontakt Expired DE1952636C3 (de)

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