DE2745247C3

DE2745247C3 - Verfahren und Vorrichtung zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern

Info

Publication number: DE2745247C3
Application number: DE2745247A
Authority: DE
Inventors: Bernhard Dipl.-Phys. Authier; Roland Ing.(Grad.) 8261 Emmerting Luptovits; Leonhard 8261 Tittmoning Schmiedhammer; Helmut Dipl.-Ing. Zauhar
Original assignee: Wacker Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 1977-10-07
Filing date: 1977-10-07
Publication date: 1980-03-13
Also published as: US4175610A; JPS5454977A; DE2745247B2; DE2745247A1; JPS5721515B2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur semikontinuieriichen Herstellung von Siliciumformkörpern mit einer Kolumnarstruktur aus einkristallinen Kristallbezirken mit kristallographischer Vorzugsorientierung.

Aufgrund der zunehmenden Verknappung und Verteuerung fossiler Energieträger gewinnen Solarzellen aus Silicium, welche die direkte Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie gestatten, steigende Bedeutung. Während diese Art der Energieerzeugung mit Solarzellen aus einkristallinem Silicium im Bereich der Satellitentechnik heute schon die beherrschende Form ist, sind derartige Siliciumsolarzellen für ein terrestrische Anwendung viel zu teuer. Aus der DE-AS 25 08 803 sind neuartige polykristalline Siliciumformkörper und ein Verfahren zu ihrer Herstellung bekannt geworden, welche nach entsprechender Dotierung als Grundmaterial für Solarzeilen eingesetzt werden können, welche mit einem Wirkungsgrad um 10% zwar den Wirkungsgrad von Solarzellen aus bestem einkristallinem Silicium nicht ganz erreichen, aber in der Herstellung ungleich billiger sind und somit den Ansatzpunkt für eine wirtschaftliche Nutzung der Sonnenenergie darstellen. Zur Erreichung eines wirklich konkurrenzfähigen Energiepreises ist es jedoch zwingend notwendig, die Herstellung derartigen polykristallinen Siliciums nach einem optimierten Verfahren in einer für die Massenproduktion geeigneten Anlage billig herzustellen.

Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, ein derartig optimiertes Herstellungsverfahren und eine Vorrichtung zu seiner Durchführung zu finden.

Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern mit Kolumnarstruktur durch Eingießen einer Siliciumschmelze in eine Form und Erstarrenlassen der Schmelze, wobei man die Kontaktfläche der Gießform mit der einen der beiden größten, einander gegenüberliegenden Begrenzungsflächen der Schmelze auf einer Temperatur von maximal 1200° C hält und die gegenüberliegende Begrenzungsfläche der Schmelze einer 200 bis 1000° C darüberliegenden, aber unterhalb des Schmelzpunktes von Silicium liegenden Temperatur aussetzt und anschließendes Abkühlen der Form, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man den mit Silicium gefüllten Tiegel in einen evakuierbaren Raum (Nachchargierkammer) einführt, diesen luftfrei macht und darin einen Inertgasdruck von 0,1 bis 150mbar einstellt und dann den Tiegel in einen vakuumdichten Raum (Gießstation) bringt, der den gleichen Inertgasdruck aufweist und offen mit einem Transportraum verbunden ist, anschließend bei Vorgabe von festem Silicium dieses aufschmilzt und in die zuvor aus dem Transportraum in die Gießstation eingebrachte Form ausgießt und in dem eingestellten Temperaturgefälle erstarren läßt, dann den geleerten Tiegel über die Nachchargierkammer ausfährt und nach dem Erstarren des Siliciums in der Form diese über den Transportraum in eine vakuumdichte Abkühlkammer überführt.

Die Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens besteht aus vakuumdichten Kammern mit Zu- und Ableitungen für Gase, mit bewegbaren Schmelztiegeln und Gießformen und ist gekennzeichnet durch eine mit Aufnahmeeinrichtungen für Schmelzgefäße versehene vakuumdichte Nachchargierkammer mit einem vakuumdichten Absperrorgan gegenüber dem Außenraum, einer mit der Nachchargierkammer über ein vakuumdichtes Absperrorgan verbundenen Gießstation mit ein Temperaturgefälle festlegenden Heizeinrichtungen sowie einer Halterung zur Aufnahme und Bewegung einer Gießform und einem darüber angeordneten, zur Freigabe von schmelzflüssigem Silicium entsprechend geformten und gehalterten, gegenüber Silicium weitgehend resistenten Gefäß, einem mit der Gießstation verbundenen Transportraum mit Einrichtungen zum Bewegen der Form, in die Gießstation und den

Transportraum einmündende Zu- und Ableitungen für Gase, mit dem Transportraum über vakuumdichte Absperrorgane verbundene Abkühlkammern mit Zu- und Ableitungen für Gase, sowie Halterungen für die Gießformen und gegenüber dem Außenraum vakuumdichten Absperrorganen.

Anhand der Abbildung wird Verfahren und Vorrichtung im nachstehenden detailliert beschrieben.

Die Abbildung stellt schematisch eine mögliche Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung dar.

In die Nachchargierkammer 1 wird auf einer horizontal verschiebbaren wassergekühlten Platte 2 ein an einem Haltebügel 3 in Form einer schmalbauenden Rahmenkonstruktion aus beispielsweise Graphit um eine horizontale Achse schwenkbar gehalterter Tiegel 4 aus beispielsweise ebenfalls Graphit, in welchen ein Schmelzgefäß 5 aus beispielsweise Quarz oder Siliciumnitrid eingepaßt ist und welches mit festem Silicium in kompakten Stücken gefüllt ist, durch ein vakuumdichtes Absperrorgan 6 in Form einer Türe oder Klappe eingeführt Nach dem Schließen des vakuumdichten Absperrorgans 6 wird die Nachchargierkammer 1 durch die Gaszu- und -ableitungen 7 und 8 luftfrei gepumpt und mit Inertgas gefüllt Der Druck in der Nachchargierkammer 1 wird dabei auf den Arbeitsdruck in der Gießstation 9, welcher gleich dem Druck in dem mit der Gießstation offen verbundenen Arbeitsraum 10 ist und 0,1 bis 150mbar, vorzugsweise etwa 1 bis 15mbar beträgt, eingestellt Anschließend wird vermittels der um die Längsachse drehbaren und in vertikaler Richtung bewegbaren Welle 11, welche an ihrer Unterseite einen Haken 12 aufweist, der in den Schlitz 13 an der Oberseite des Haltebügels 3 eingerastet werden kann, der Tiegel 4 mit dem Schmelzgefäß 5 durch ein vakuumdichtes Absperrorgan 14 in Form beispielsweise eines wassergekühlten Vakuumschiebers in die Gießstation 9 abgesenkt und auf entsprechenden Halterungen, beispielsweise in Form eines entsprechend geformten, in der Gießstation eingepaßten Graphitrohres 15, abgestellt. Die Gießstation wird durch eine beispielsweise an ihrem oberen Rand ringförmig umlaufende Gaszuführung 16 ständig mit einem Inertgas, beispielsweise Argon, beschickt, welches zusammen mit entstehenden Abgasen durch eine Ableitung 17 beispielsweise im Boden des Tranportraumes abgepumpt wird. Der Mengendurchsatz von Argon bzw. die Intensität der Absaugung werden dabei so eingestellt, daß sich im Transportraum 10 und Gießraum 9 der gewünschte Arbeitsdruck einstellt. Durch die bevorzugte Zuführung von Inertgas am oberen Rand der Gießstation 5 wird insbesondere das Festsetzen von entstehendem Siliciummonoxid verhindert. Durch das ständige Absaugen, welches bevorzugt im Transportraum 10, und zwar noch in der Nähe der Gießstation 9 durchgeführt wird, wird gewährleistet, daß der Mechanismus für den Formentransport nicht durch Staubpartikel beeinträchtigt wird.

Durch eine geeignete Heizeinrichtung, beispielsweise eine den oberen Teil der Gießstation 9 außen in mehreren Windungen umschließende Induktionsheizspule 18, welche ein innerhalb der Gießstation 9 umlaufendes Graphitheizrohr 15 induktiv aufheizt, wird die Wärme erzeugt, die zum Aufschmelzen des im Schmelztiegel 5 befindlichen festen Siliciums erforderlich ist. Anstelle dieser induktiven Heizung kann natürlich gleichermaßen ein anderes Heizungssystem, beispielsweise eine Widerstandsheizung, eingesetzt werden. Die Heizleistung der jeweils verwendeten Heizung wird dabei bevorzugt so eingestellt, daß das Silicium nach dem Aufschmelzen eine Temperatur von etwa 1450 bis 1600° C aufweist, außerdem ist es zweckmäßig, die Heizung ständig laufen zu lassen, um die Gießstation 9 auf Temperatur zu halten, wodurch beim Aufschmelzen einer nächsten Charge Silicium wertvolle Zeit gespart werden kann.

Unterhalb des Schmelzgefäßes 5 mit dem nunmehr aufgeschmolzenen Silicium befindet sich eine Form 19, beispielsweise aus Graphit, welche auf einer drehbaren, in vertikaler Richtung bewegbaren wassergekühlten Welle 20 aufsteht Auch diese Form kann durch eine geeignete Heizeinrichtung beheizt werden. Vorzugsweise erfolgt dies durch eine auf der Höhe dieser Form, den unteren Teil der Gießstation 9 außen umschließende zweite, mehrwindige Induktionsheizspule 21. Durch diese Induktionsheizspule 21 wird ein auf der gleichen Höhe im Inneren befindliches zweites Graphitheizrohr 22, welches über beispielsweise Kohlestifte 23 mit dem oberen Graphitheizrohr 15 verbunden ist, aufgeheizt Nach unten ist dieses Graphitheizrohr beispielsweise über einen Quarzring 24, auf welchem es aufsteht, gegenüber dem Metallflansch 25, über welchen die Gießstation mit dem Arbeitsraum 10 verbunden ist, isoliert.

Nachdem das gesamte feste Silicium in dem Schmelztiegel 5 durch die Wärmestrahlung des über die Induktionsheizspsile 18 induktiv aufgeheizten Graphitrohres 15 aufgeschmolzen ist, wird der Schmelztiegel 5 beispielsweise vermittels des an der Welle 11 befindlichen Hakens 12 um eine horizontale Achse gekippt, so daß das schmelzflüssige Silicium in die darunterstehende und vermittels der Welle 20 um ihre zentrale Längsachse gedrehte Form 19 ausfließt. Diese Form 19 wird dabei vor dem Eingießen der Siliciuinschmelze durch die Strahlungswärme des Graphitrohres 22, welches induktiv durch die Induktionsheizspule 21 aufgeheizt wurde, auf eine Mindesttemperatur von etwa 500 bis 1200⁰C aufgeheizt Bei Beginn des Eingießens der Schmelze kann diese Heizung abgeschaltet werden. Das Temperat.urgefälle von 200 bis 1000⁰C wird durch eine intensive Kühlung des Bodens der Form eingestellt. Diese Intensivkühlung erfolgt vorzugsweise über die am oberen Ende der Welle 20 angebrachte Wärmeaustauscherfläche 26 aus beispielsweise Kupfer, welche von Kühlwasser durchströmt wird. Der obere Teil oer Form sowie die Oberfläche des eingegossenen Siliciums wird an zu schnellem Erstarren durch die Wärmeabstrahlung des darüber befindlichen heißen Kohletiegels 4 sowie durch die Wärmeabstrahlung des oberen Graphitrohres 15 gehindert. Um den Abkühlprozeß zusätzlich zu steuern, kann die Form 19 auch von der Welle 20 abgesetzt werden. Dies erfolgt durch eine vorzugsweise zusätzlich eingebaute, in vertikaler Richtung bewegbare und kühlbare, zweite Welle 27, welche beispielsweise über einen oberen ringförmigen Stützrahmen 28 die Form 19 außen abstützt so daß die Welle 20 nach unten so weit zurückgenommen werden kann, daß die Kühlfläche 26 nicht mehr mit dem Boden der Form 19 in Kontakt ist.

Wenn sämtliches Silicium aus dem Schmelzgefäß 5 ausgegossen ist, wobei die Schmeizmenge abhängig von de- Dimensionierung dieses Tiegels bzw. der Dimensionierung der unterstehenden Form 19 für das Füllen einer oder mehrerer dieser Formen ausreichend sein kann, so wird der nach dem Absenken des Schmelzgefäßes 5 aus dem Nachchargierrezipienten 1 geschlossene

vakuumdichte Schieber 14 nach Einstellung eines dem Gasdruck in der GieBstation entsprechenden Gasdrukkes in der Nachchargierkamrier 1 in diese vermittels der vertikal bewegbaren Welle 11 über den in den Schlitz 13 einrastenden Haken 12 hochgezogen und auf eine horizontal verschiebbare, wassergekühlte Platte 2 abgestellt. Nach einer bevorzugten Ausführungsform befindet sich im Nachchargierrezipienten 1 gegenüber einer verschiebbaren Platte 2 eine weitere derartige wassergekühlte, horizontal verschiebbare Platte, welche in einem Winkel von 90° zur ersteren angeordnet und über eine weitere vakuumdichte Türe oder Klappe aus dem Nachchargierrezipienten 1 ausgefahren werden kann. Zweckmäßig wird auf dieser zweiten Schiebedurcnführung bereits ein weiteres mit Silicium gefülltes Schmelzgefäß bereitgestellt, welches, wenn das leere Schmelzgefäß aus der Gießstation hochgefahren und auf der ersten Schiebedurchführung abgestellt und zur Seite gezogen ist, in die Mitte des Nachchargierrezipienten 1 nachgefahren, von dem Haken 12 der vertikal bewegbaren Welle 11 aufgenommen und in die Gießstation 9 abgesenkt wird. Nach dem Zurückfahren der Welle 11 wird der vakuumdichte Schieber 14 geschlossen und der Inertgasdruck im Nachchargierrezipienten erhöht und eine Umwälzgaskühlung in Gang gesetzt, so daß der leere Tiegel, der sich auf der ersteren, verschiebbaren Platte 2 noch im Nachchargierrezipienten befindet, schnell auf eine niedrige Temperatur abgekühlt werden kann. Nachdem der leere Tiegel etwa Raumtemperatur erreicht hat, wird die vakuumdichte Türe oder Klappe 6 geöffnet, die verschiebbare Platte 2 ganz herausgefahren und der leere Tiegel durch einen neuen mit Silicium gefüllten ersetzt. Anschließend wird dieser gefüllte Tiegel in den Nachchargierrezipienten 1 wieder eingefahren und die vakuumdichte Türe 6 verschlossen.

Nach dem Erstarren des in die Form 19 in der Gießstation eingegossenen Siliciums wird diese vermittels der vertikal bewegbaren Welle 20 in den Transportraum 10 abgesenkt und vermittels einer, am vorderen Ende eines im Transportraum 10 horizontal beweglichen Transportschlittens 29 ausgebildeten Haltegabel von dieser Welle abgenommen und unter eine der Abkühlstationen, beispielsweise 30 oder 31, gefördert. Bevor die Form 19 nun von diesem Schlitten 29 durch die entsprechenden, wassergekühlten, vertikal bewegbaren Wellen 32 bzw. 33 von dem Schlitten 29 wieder abgenommen und nach öffnung der entsprechenden vakuumdichten Absperrorgane 34 bzw. 35 in die Abkühlstationen 30 oder 31 eingefahren wird, werden diese über die Gaseinlaß- bzw. -ablaßstutzen 36 und 37 bzw. 38 und 39 mit Inertgas, insbesondere Argon, beschickt und ein Arbeitsdruck in diesen Abkühlstationen eingestellt, der dem Arbeitsdruck im Transportraum 10 entspricht Durch horizontal bewegbare Schiebegabeln 40 bzw. 41 wird in den Abkühlstationen die mit erstarrtem Silicium gefüllte heiße Form 19 von den Wellen 32 bzw. 33 abgenommen. Nach dem Zurückfahren der vertikal beweglichen Wellen 32 bzw. 33 werden die Vakuumschieber 34 bzw. 35 geschlossen und die Abkühlstation, in welcher sich die heiße Form 19 befindet, von einem Kühlgas, beispielsweise Argon, durchströmt Um den Abkühlprozeß zu beschleunigen, wird das Kühlgas zweckmäßig unter Oberdruck, vorteilhaft bei Drücken bis 2 bar durch die Abkühlstation gepumpt Nachdem die siliciumgefüllten Formen völlig erkaltet sind, werden sie manuell durch Öffnen der vakuumdichten Absperrorgane, beispielsweise einer am Kopf befindlichen Klappe 42 oder einer seitwärts zi öffnenden Türe 43 der Kühlstation entnommen Zweckmäßig werden diese Abkühlstationen aucl· gleichzeitig als Beschickungsstationen für leere Former eingesetzt. In diesem Fall wird nach Entnahme dei gefüllten abgekühlten Form eine leere Form auf der Schieber 40 bzw. 41 abgestellt, die Absperrorgane 4i bzw. 43 wieder vakuumdicht verschlossen, ein Inertgas druck entsprechend dem Arbeitsdruck im Transport raum 10 eingestellt, der Vakuumschieber 34 bzw. 3J geöffnet, die leere Form durch Hochfahren der vertika beweglichen Wellen 32 oder 33 von dem Schieber 4C bzw. 41 abgenommen und durch Absenken der Weller 32 bzw. 33 in den Transportraum 10 eingefahren und die Vakuumschieber 34 bzw. 35 wieder geschlossen. Durch den horizontal beweglichen Schlitten 29 wird die leere Form 19 von der jeweiligen Welle 32 oder 33 abgenommen und über die wassergekühlte drehbare Welle 20 unter die Gießstation gefördert. Durch ι Hochfahren der Welle 20 wird die leere Form sodann ir die Gießstation 9 eingefahren.

Dieser Ablauf wird zweckmäßig so gesteuert, daC nach Abnahme einer gefüllten Form von der Welle 2C durch den Schlitten 29 und Aufsetzen dieser Form au]

> beispielsweise die Welle 32, welche die gefüllte Form ir die Abkühlstation 30 befördert, der horizontal bewegliche Schlitten 29 sofort weiterfährt und eine, vermitteh der vertikal beweglichen Welle 33 aus der Abkühlsta tion 31 bereits in den Transportraum 10 eingefahrene

■ leere Form aufnimmt, unter die Gießstation 9 beförder und vermittels der vertikal beweglichen Welle 20 in die Gießstation zur Aufnahme einer neuen Charge Siliciun einfährt.

Bei größeren Anlagen, wie beispielsweise einen

> ringförmig geschlossenen oder einem gestreckter Transportraum mit mehreren Gießstationen, einei Vielzahl von Abkühlstationen und ggf. hiervon separa ten Beschickungsstationen, ist es natürlich zweckmäßig im Transportraum mit mehreren horizontal verschieb

■ baren Schlitten zu arbeiten, um nach Ausfahren einei gefüllten Form aus der jeweiligen Gießstalion sofor eine leere Form auf die, die Formen in die Gießstationei transportierenden Wellen setzen zu können.

Der horizontale Formen- oder Kokillentransport in

> Transportraum erfolgt zweckmäßig mit Schlitten mi einseitig oder doppelseitig beladbaren Drehgabeln, di( von einem elektronisch gesteuerten Schrittmotoran trieb in die entsprechenden Positionen unterhalb dei Abkühl-, Beschickungs- oder Gießstationen gefahrei

) werden. Anstelle eines Schrittmotorantriebs sind aucl Antriebe der Schütten mit konventionellen Motorei denkbar, wobei die Positionen durch elektrisch! Kontakte abgegriffen werden. Zweckmäßig werdei allgemein alle Transportbewegungen über Induktivköp

> fe gegen Kollisionen abgesichert Die Information, öl angewählte Positionen bereits mit Formen besetzt sind kann beispielsweise über Lichtschranken gegebei werden. Die genaue Zentrierung der Formen über dei einzelnen Wellen erfolgt zweckmäßig über Indexbolzen

ι also an der Spitze konisch ausgeführte Bolzen, an de: Oberseite der Wellen, welche in passend koniscl ausgeführte Vertiefungen in den Formen einrasten.

Anstelle der hier beschriebenen Ausführungsform mi einer Nachchargierkammer und einer Aufschmelzein

> richtung von festem Silicium in der Gießstation läßt siel Verfahren und Vorrichtung auch dahingehend variierer daß das Silicium schmelzflüssig aus Reinigungsvorrich tungen, wie sie beispielsweise in den Deutsche:

.Offenlegungsschriften 27 22 783, 27 22 784 oder 27 29 464 beschrieben sind, chargenweise abgezapft und in der Gießstation in die einem Temperaturgefälle ausgesetzte Form vergossen wird.

Es ist außerdem möglich, das Verfahren dahingehend zu variieren, daß die Formen, insbesondere bei großen Formen, nicht in einem Guß gefüllt werden, sondern mehrere Chargen nacheinander eingegossen werden, wobei zweckmäßig jeweils dann nachgegossen wird, wenn die vorherig eingegossene Schmelzmenge erstarrt ist.

Das beschriebene Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens erlaubt die Massenfertigung von Siliciumformkörpern

und Gußblöcken mit nahezu beliebigem Querschnitt und in prinzipiell nicht beschränkter Größe in weitgehend kontinuierlicher Arbeitsweise. Bei der Weiterverarbeitung zu Solarzellen sind Gußblöcke mit quadratischer Querschnittsfläche mit 100 bis 1000 cm² und abgerundeten Ecken sowie einer Länge von 25 bis 100 cm am vorteilhaftesten. Nach dem Zersägen in einzelne Plättchen, beispielsweise nach dem multiplen Läpptrennverfahren, wie es in der DE-OS 27 22 782 beschrieben ist, und nach entsprechender Dotierung und Kontaktierung werden billige Solarzellen mit einem Wirkungsgrad über 10% erhalten, die auf vielen Gebieten heute schon wirtschaftlich einsetzbar sind.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur semikontinuierlichen Herstellung von Siliciumformkörpern mit Kolumnarstruktur durch Eingießen einer Siliciumschmelze in eine Form und Erstarrenlassen der Schmelze, wobei man die Kontaktfläche der Gießform mit der einen der beiden größten, einander gegenüberliegenden Begrenzungsflächen der Schmelze auf einer Temperatur von maximal 1200⁰C hält und die gegenüberliegende Begrenzungsfläche der Schmelze einer 200 bis 1000⁰C darüberliegenden, aber unterhalb des Schmelzpunktes von Silicium liegenden Temperatur aussetzt und anschließendes Abkühlen der Form, dadurch gekennzeichnet, daß man den mit Silicium gefüllten Tiegel in einen evakuierbaren Raum (Nachchargierkammer) einführt, diesen luftfi ei macht und darin einen Inertgasdruck von 0,1 bis 150mbar einstellt und dann den Tiegel in einen vakuumdichten Raum (Gießstation) bringt, der den gleichen Inertgasdruck aufweist und offen mit einem Transportraum verbunden ist, anschließend bei Vorgabe von festem Silicium dieses aufschmilzt und in die zuvor aus dem Transportraum in die Gießstation eingebrachte Form ausgießt und in dem eingestellten Temperaturgefälle erstarren läßt, dann den geleerten Tiegel über die Nachchargierkammer ausfährt und nach dem Erstarren des Siliciums in der Form diese über den Transportraum in eine vakuumdichte Abkühlkammer überführt.

2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus vakuumdichten Kammern mit Zu- und Ableitungen für Gase und mit bewegbaren Schmelztiegeln und Gießformen, gekennzeichnet durch eine mit Aufnahmeeinrichtungen für Schmelzgefäße versehene vakuumdichte Nachchargierkammer (1) mit einem vakuumdichten Absperrorgan (6) gegenüber dem Außenraum, einer mit der Nachchargierkammer über ein vakuumdichtes Absperrorgan (14) verbundenen Gießstation (9) mit ein Temperaturgefälle festlegenden Heizeinrichtungen (18) (21) sowie einer Halterung zur Aufnahme und Bewegung einer Gießform und einem darüber angeordneten, zur Freigabe von schmelzflüssigem Silicium entsprechend geformten und gehalterten, gegenüber Silicium weitgehend resistenten Gefäß, einem der Gießstation verbundenen Transportraum (10) mit Einrichtungen zum Bewegen der Form, in die Gießstation und den Transportraum einmündende Zu- und Ableitungen für Gase, mit dem Transportraum über vakuumdichte Absperrorgane (34) (35) verbundene Abkühlkammern (30) (31) mit Zu- und Ableitungen für Gase, sowie Halterungen für die Gießformen und gegenüber dem Außenraum vakuumdichten Absperrorganen.