DE2719902A1 - Verfahren zum entfernen isolierter materialbereiche von einer unterlage - Google Patents

Verfahren zum entfernen isolierter materialbereiche von einer unterlage

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Jun Joseph Mitchell
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    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

Dn.-Ing. Reimar König · Dipl.-lncj. Klaus
Cecilienallee 76 A Düsseldorf 3O Telefon 45SOOB Patentanwälte
3. Mai 1977 31 452 B
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)
"Verfahren zum Entfernen isolierter Materialbereiche von einer Unterlage"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen abgegrenzter, isolierter Materialbereiche von einer Unterlage mit unerwünschten, zu entfernenden Bereichen und erwünschten, nicht zu entfernenden Bereichen desselben Materials. Vorzugsweise betrifft die Erfindung Fotomasken, wie sie bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen benutzt werden, und befaßt sich mit einem Verfahren zum Ausbessern schadhafter Fotomasken und Fadennetzmuster durch Entfernen von im Überschuß vorhandenem Chrom- oder Chromoxid. Außerdem ist das Verfahren zum Herstellen von Fotomasken aus mit Chrom oder Chromoxid bedeckten Unterlagen vorgesehen.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden Fotomasken benutzt, um Bereiche von lichtempfindlichem Material, zum Beispiel sogenanntes Photoresist-Material, abzugrenzen. Diese Bereiche werden dann belichtet, um darunterliegende Bereiche des Halbleitermaterials zum Zwecke des Ätzens, Diffundierens, der Ionen-Implantation oder ähnliches freizulegen. Derzeit hierbei verwendete Fotomasken werden ausgehend von einer Matrize (Kopierschablone) fotografisch hergestellt. Diese Vorlage wird im folgenden auch als "Fadennetz" bezeichnet. Dieses wird benutzt, um die eigentliche Fotomaske, die
bei der Herstellung der Halbleiterbauelemente verwendet wird, zu belichten. Die Abbildung auf dem Fadennetz ist im allgemeinen wesentlich größer als das Bild auf der Fotomaske. Auf dieser sind im allgemeinen hunderte von Bildern zusammengefaßt, die durch Vervielfältigung des Fadennetzbildes mit Hilfe einer Kopierkamera erzeugt werden. Es ist wichtig, daß die Fadennetze fotografisch exakt sind und sauber gehalten werden, damit durch das Fadennetz keine Fehler auf die Fotomasken übertragen werden. Fadennetze werden im allgemeinen aus hartem Material, wie Chrom (Cr), mit einer Dicke von ungefähr 800 Ä auf einer durchsichtigen Glasunterlage hergestellt. Die Chromschicht kann mit einer Schicht Chromoxid (Cr2O,) bedeckt sein, welche eine Dicke von ungefähr 200 8 haben kann. Fadennetze oder Fotomasken, die nur aus auf einer Unterlage aufgebrachtem Chrom bestehen, werden im folgenden als Chrommasken bezeichnet, während Fadennetze oder Fotomasken, die eine Chromoxidschicht auf der Chromschicht aufweisen, im folgenden ohne Rücksicht auf eventuell darunterliegendes Chrom als Chromoxid-Masken bezeichnet werden.
Die zum Herstellen von Fotomasken verwendeten Fadennetze sollen möglichst frei von Defekten sein, damit letztere auf den damit hergestellten Fotomasken nicht wiedergegeben werden. Einen solchen zu beseitigenden Defekt stellt ein unerwünscht mit Chrom oder Chromoxid bedeckter Bereich im Fadennetz dar. Die Überschußmenge an Chrom oder Chromoxid führt nämlich zu einem lichtundurchlässigen Bereich auf dem Fadennetz an einer Stelle, an der ein durchsichtiger Bereich erwünscht ist.
Bisher werden zum Beseitigen von unerwünscht mit Chrom oder Chromoxid bedeckten Bereichen in Fadennetzen Laserstrahlen benutzt. Dabei richtet man den Laserstrahl auf einen zu entfernenden bzw. unerwünschten Bereich und schaltet ihn ein, um das Material zu entfernen. Letzteres wird dabei geschmolzen und
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durch die Oberflächenspannung des angrenzenden Materials von diesem aufgesogen. Ein Nachteil dieses Verfahrens ist es, daß dabei die darunterliegende Unterlage etwas geschmolzen und verletzt werden kann. Eine solche Beschädigung der Unterlage kann nämlich fotolithografisch wiedergegeben werden. Ein weiterer Nachteil des Laser-Verfahrens ist in dem erheblichen Zeitaufwand begründet, der erforderlich ist, um den Laserstrahl über ausgedehnte Flächen zu führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art zum Reparieren schadhafter Fadennetze bzw. Fotomasken und zum Herstellen solcher Fadennetze oder Fotomasken zu schaffen, wobei die Nachteile bisheriger Verfahren vermieden werden sollen. Insbesondere soll das erfindungsgemäße Verfahren bei einfachster Ausführbarkeit geeignet sein, ein Fadennetz bzw. eine Fotomaske zu reparieren oder herzustellen, ohne daß beim Entfernen unerwünschter Bereiche die erwünschten Bereiche oder die Unterlage in einer den späteren Gebrauch störenden Weise verletzt werden. Beim Herstellen neuer Masken soll insbesondere das Verfahren dahingehend vereinfacht werden, daß die Anfertigung groß dimensionierter und anschließend fotografisch zu verkleinernder Muster entfallen kann.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, daß von der Unterlage zu entfernende Bereiche aus lichtundurchlässigem, zur Gruppe Chrom und Chromoxid gehörendem Material mit Hilfe einer nach Berührung des letzteren mit einer Sonde gegenüber dem Material ätzend wirkenden Säure weggeätzt werden, daß eine aus einem die Ätzreaktion der Säure gegenüber dem Material erst auslösenden Metall bestehende Sonde verwendet wird und daß die Säure zumindest in die Nähe der aus zu entfernendem Material bestehenden Bereiche gebracht wird.
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Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Entfernen abgegrenzter isolierter Materialbereiche von einer Unterlage mit unerwünschten, zu entfernenden und erwünschten, nicht zu entfernenden, also verbleibenden Bereichen des gleichen Materials wird zunächst eine Unterlage mit darauf aufgebrachtem, lichtundurchlässigem Chrom und/oder Chromoxid ausgewählt. Alsdann wird zumindest in die Nähe des zu beseitigenden Materials eine Säure gebracht, die als Ätzmittel gegenüber dem Material wirkt, wenn das Material gleichzeitig mit einer metallischen Sonde berührt wird, deren Metall die Ätzreaktion der Säure erst auslöst. Da die Ätzreaktion nur gegenüber den Materialbereichen ausgelöst wird, die mit dem Metall der Sonde berührt werden, schadet es nichts, wenn außerdem auch erwünschte, also nicht zu entfernende Materialbereiche mit der Säure in Berührung kommen. Im übrigen muß die Säure auch nicht unmittelbar auf die zu entfernenden Materialbereiche aufgebracht werden,es genügt vielmehr, wenn die Säure in die unmittelbare Nähe eines von der Sonde bereits berührten Materialbereichs gelangt. Die Ätzreaktion wird dann dadurch eingeleitet, daß die Säure zu der Sonde fließt.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß bei Berührung nur der unerwünschten Bereiche mit der metallischen Sonde das Ätzen genau dieser Bereiche durch die von der Sonde ausgelöste Ätzwirkung der Säure in Gang gesetzt wird und diese Bereiche dadurch von der Unterlage durch Ätzen entfernt werden. Beim Auftragen der Säure braucht dabei keine besondere Vorsichtsmaßnahme ergriffen zu werden, insbesondere können auch die erwünschten, also nicht zu entfernenden Materialbereiche mit der Säure in Berührung kommen, wenn nur Sorge getragen wird, daß nicht auch die Sonde mit diesen Bereichen kontaktiert wird. Eine Ätzung der erwünschten Bereiche oder eine sonstige Verletzung dieser Bereiche ist dann nicht zu befürchten.
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Erfindungsgemäß können bereits isolierte, unerwünschte Bereiche ohne weiteres entfernt werden. Hängen die Bereiche jedoch mit erwünschten Bereichen zusammen, so ist vorher eine Trennung der beiden Bereiche vorzunehmen. Eine solche kann beispielsweise mit Hilfe eines Laserstrahls erzielt werden, in-dem dieser auf die vorgesehene Trennungslinie gerichtet und längs dieser geführt wird. Das geschmolzene, zu entfernende Material wird dabei von den benachbarten Bereichen aufgrund der Oberflächenspannung angezogen, so daß eine saubere Abgrenzung bzw. Isolierung zwischen den beiden benachbarten Bereichen entsteht. Auf diese Weise können erfindungsgemäß auch auf einer gleichmäßig mit dem fraglichen lichtundurchlässigen Material beschichteten Unterlage neue Muster hergestellt werden, in-dem man den Laserstrahl auf die gewünschte Umrißlinie richtet und diese Linie entlang fahren läßt. Der Laserstrahl kann dabei von einem programmierten Digitalrechner gesteuert werden.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann Salzsäure, Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure verwendet werden. Als Material der metallischen Sonde haben sich Metalle der Gruppe Zink, Eisen, Aluminium und Kupfer bewährt, insbesondere dann, wenn eine Säure der vorgenannten Gruppe zum Wegätzen von Chrom und/oder Chromoxid benutzt werden soll. Um eine Schädigung der Unterlage bzw. des darauf aufgebrachten Musters zu vermeiden, ist es günstig, die Säure nach dem erfolgten Wegätzen der unerwünschten Bereiche abzuspülen.
Anhand der schematischen Zeichnung von Ausführungsbeispielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Fotomaske mit einem isolierten Defekt;
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Fig. 2 eine Draufsicht auf die Fotomaske gemäß Fig. 1, aus der der Defekt entfernt worden ist;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Fotomaske mit nicht isolierten Defekten, die also mit erwünschten Bereichen zusammenhängen;
eine Draufsicht auf die Fotomaske gemäß Fig. 3 nach der Abtrennung der unerwünschten Bereiche;
eine Draufsicht auf die Fotomaske gemäß Fig. 3 und nach Beseitigung der unerwünschten Bereiche;
eine Draufsicht auf eine ein mit Hilfe eines Laserstrahls hergestelltes Muster aufweisende Unterlage;
Fig. 7 eine Draufsicht auf die Unterlage gemäß Fig. 6 nach Entfernung der die erwünschten Bereiche umgebenden lichtundurchlässigen Bereiche; und
Fig. 8 eine Draufsicht auf die Unterlage gemäß Fig. 6 und 7 nach dem Entfernen der von den erwünschten Bereichen umgebenden lichtundurchlässigen Bereiche.
In Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine Fotomaske 10 dargestellt. Die Bezeichnung "Fotomaske" wird im folgenden auch verwendet, wenn die eingangs genannte Matrize oder Schablone , das sog. Fadennetz (reticle), gemeint ist. Die Fotomaske 10 besteht aus einer Unterlage aus lichtdurchlässigem Material, zum Beispiel aus Glas, auf der sich verschiedene erwünschte Bereiche 14 und ein schadhafter, unerwünschter Bereich 16 befinden. Die erwünschten und unerwünschten Bereiche 14 und 16 bestehen aus lichtundurchlässigem Material. Solche Materialien werden beim Belichten von Fotoresisten (durch die Fotomaske 10 hindurch)
709867/084I.
benutzt. Es können zwar viele Stoffe zur Bildung lichtundurchlässiger Bereiche auf der Fotomaske 10 verwendet werden, das erfindungsgemäße Verfahren bezieht sich jedoch speziell auf die Ausbesserung von Defekten auf Fotomasken mit aus Chrom oder Chromoxid bestehenden lichtundurchlässigen Bereichen.
Mit dem Ausdruck "Defekt" werden hier Überschußmengen an lichtundurchlässigem Material auf einer Fotomaske bezeichnet. Der Ausdruck wird immer benutzt unabhängig davon, ob es sich um Uberschußmengen handelt, die Folge eines Fehlers der ursprünglichen Zeichnung bzw. unzureichender Beseitigung des Materials sind oder aus Material bestehen, das bei der Herstellung einer Fotomaske noch zu entfernen ist.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 soll der bereits von den erwünschten Bereichen 14 des Musters isolierte defekte Bereich von der Fotomaske 10 entfernt werden. Wenn der defekte Bereich 16 aus Chrom oder Chromoxid besteht, kann dieser isolierte Defekt ohne Einwirkung auf die angrenzenden erwünschten Bereiche 14 durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens beseitigt werden.
Erfindungsgemäß wird dabei eine der in Tabelle I genannten Säuren auf die Oberfläche der Fotomaske 10 so aufgebracht, daß die Säure wenigstens den defekten Bereich 16 bedeckt. Die Säure kann sich außerdem auf den erwünschten Bereichen befinden. Solange nur die Säure allein die Böreiche 14 und berührt, tritt keine Reaktion ein. Als nächstes wird eine Metallsonde mit dem defekten Bereich 16 in Berührung gebracht. Es muß dabei dafür Sorge getragen werden, daß die Metallsonde nur den unerwünschten Bereich 16 nicht aber die benachbarten erwünschten, ebenfalls mit Säure bedeckten Bereiche 14, die verbleiben sollen, berührt. Die Sonde soll aus einem aus Tabelle I in Abhängigkeit von dem jeweils zu
■' 0 ci R /, 7 / ι) Β 4 .
entfernenden Material und der benutzten Säure ausgewählten Metall bestehen. Sofort, nachdem die Sonde mit dem unerwünschten Bereich 16 in Kontakt gekommen ist, wird eine Reaktion ausgelöst bzw„ in Gang gesetzt, die bewirkt, daß nur die unerwünschten Bereiche 16 - und zwar vollständig - weggeätzt werden. Unerwarteter Weise setzt sich der Ätzvorgang auch fort, wenn die Metallsonde sofort nach dem Kontakt mit dem unerwünschten Bereich wieder zurückgezogen wird. Demgegenüber bleiben die erwünschten Bereiche 14 unbeeinflußt durch die sie gegebenenfalls bedeckende Säure, wenn nur diese Bereiche nicht mit der Metallsonde in Kontakt kommen.
Tabelle 1
zu beseitigendes
Material
Saure Sonden-Metall
Cr HCl Zn, Fe, Al, Cu
Cr H2SO4 Zn, Fe, Al
Cr H3PO4 Zn
Cr+Cr20, HCl Zn, Fe, Al
Cr+C^O-x H2SO4 Zn
Bisweilen kann es schwierig sein, eine Metallsonde auf einen sehr kleinen unerwünschten, bereits mit der Säure bedeckten Bereich 16 abzusenken, weil die Oberflächenspannung der Säure die Metallsonde manchmal ablenkt. Dadurch kann die Sonde einen benachbarten erwünschten Bereich 14 berühren, so daß dieser Bereich entfeint wird. Um derartige Schwierigkeiten zu vermeiden,
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kann das vorbeschriebene Verfahren dahingehend etwas abgeändert werden, daß die Metallsonde auf einen unerwünschten Bereich 16 gesetzt wird, ohne vorher Säure auf diesen Bereich zu geben. Danach kann ein Tropfen der Säure in unmittelbare Nähe der Metallsonde gebracht werden, ohne jedoch gegebenenfalls den unerwünschten Bereich 16 oder die Sonde zu berühren. Die Säure schlägt sich dann an der Metallsonde nieder und fließt längs der Sonde auf den kleinen unerwünschten Bereich 16. Nur dieser Bereich wird daraufhin (vollständig) weggeätzt. Im Anschluß an die Beseitigung des unerwünschten Bereichs 16 sollte die Fotomaske 10 gespült werden, um Säurerückstände vollständig abzuwaschen. In Fig. 2 ist eine Fotomaske 10 gezeigt, bei der der unerwünschte Bereich 16 entfernt worden ist.
Falls ein Defekt der Fotomaske nicht von einem erwünschten Bereich getrennt bzw. isoliert ist, wird der Defekt zunächst als solcher isoliert, das heißt zum angrenzenden erwünschten Bereich hin räumlich abgegrenzt. Fig. 3 zeigt eine Fotomaske mit einer Unterlage 22, auf der voneinander getrennte lichtundurchlässige Bereiche 24, 26 und 28 aus Chrom oder Chromoxid angeordnet sind. Jeder dieser Bereiche besteht sowohl aus erwünschten als auch aus unerwünschten Flächenteilen. Es ist daher nötig, jeden der unerwünschten Bereiche vor seiner eigentlichen Beseitigung zu isolieren.
Diese Isolierung oder Abtrennung der unerwünschten Bereiche kann mit Hilfe eines enggebündelten Laserstrahls bewirkt werden. Eine hierzu geeignete Laseranordnung wird von der Florod Corporation unter der Bezeichnung Modell MT hergestellt. Der Laserstrahl hat bei dem Modell MT einen Durchmesser von etwa 2 Mikrometern. Mit Hilfe des Laserstrahls wird das überschüssige
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ΛΧ
Chrom oder Chromoxid an der Grenze zwischen den erwünschten und den unerwünschten Bereichen geschmolzen,, Das geschmolzene Material wird durch die Oberflächenspannung des benachbarten Materials sofort weggesaugt.
In Figg 4 ist angenommen, daß der Bereich 24 aus einem erwünschten Bereich 30 und einem unerwünschten Bereich 32 besteht. Der lichtundurchlässige Bereich 26 soll aus zwei erwünschten Bereichen 34 und 36 und einem unerwünschten Bereich 38 zusammengesetzt sein. Zu dem Bereich 28 gehört ein erwünschter Bereich 40 und ein unerwünschter Bereich 42. Die freien Streifen zwischen den jeweiligen erwünschten Bereichen einerseits und den unerwünschten Bereichen andererseits sind mit Hilfe des Laserstrahls erzeugt worden.
Im Anschluß an die räumliche und elektrische Trennung der Defekte 32, 38 und 42 auf der Oberfläche der Fotomaske 20 wird diese mit einer aus Tabelle I ausgewählten Säure behandelt, so daß wenigstens die unerwünschten Bereiche 32, 38 und 42 bedeckt sind. Es wird dann eine Sonde ausgewählt, die aus einem der in Tabelle I genannten und dem zu entfernenden Material sowie der benutzten Säure entsprechenden Metalle besteht und einen so kleinen Durchmesser aufweist, daß sie die erwünschten Bereiche 30, 34, 36 und 40 nicht berührt, wenn sie mit den mit der Säure bedeckten Defekten 32, 38 und 42 in Kontakt gebracht wird. Nachdem die Sonde jeden der Defekte berührt hat, beginnt - jeweils sofort nach dem Kontakt - der Ätzvorgang an den Defekten und hält so lange an, bis der jeweilige unerwünschte Bereich ganz beseitigt worden ist. Es entsteht dabei eine Fotomaske, die nur erwünschte Musterteile gemäß Fig. 5 aufweist.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zum Beseitigen uner-
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wünschter Bereiche angewendet werden, die wesentlich größer als die erwünschten Bereiche sind. Letztere können sogar von unerwünschten Bereichen umgeben sein. Das erfindungsgemäße Verfahren kann daher zum Herstellen von Fotomasken benutzt werden.
In Fig. 6 ist eine Fotomaske 50 bei der erfindungsgemäßen Herstellung dargestellt. Die Fotomaske 50 besteht aus einer Unterlage 52 aus durchsichtigem Material, zum Beispiel aus Glas, welche auf einer Fläche entweder mit Chrom oder mit Chromoxid beschichtet ist.
Auf der beschichteten Oberfläche der Unterlage 52 wird ein Muster aus erwünschten Bereichen 54 mit Hilfe eines Laser erzeugt. Mit dem Laserstrahl werden die die erwünschten Bereiche 54 umgebende Streifen aus lichtundurchlässigem Material zum Zwecke des Entfernens behandelt. Dadurch wird jeder erwünschte Bereich 54 von dem ihn umgebenden unerwünschten Bereich 56 abgegrenzt bzw. von diesem isoliert. Außerdem kann umgekehrt jeder von einem erwünschten Bereich 54 umgebene unerwünschte Bereich 58 unter Zuhilfenahme eines Laserstrahls von diesem isoliert bzw. getrennt werden.
Nach dieser elektrischen Isolierung aller erwünschten Bereiche 54 von allen unerwünschten Bereichen 56 und 58 wird die Fotomaske 50 in eine Lösung einer aus Tabelle I ausgewählten Säure gesetzt, und die unerwünschten Bereiche 56 und 58 werden mit einer Sonde, die aus einem aus Tabelle I ausgewählten Metall besteht, berührt. Durch das Kontaktieren irgendeines Teiles des lichtundurchlässigen, mit der Säure bedeckten Bereiches werden alle mit der Säure bedeckten Teile dieses Bereiches weggeätzt. Die Bereiche 54 und 58 bleiben bei diesem Beseitigen des Bereiches 56 unbeeinflußt, obwohl auch die Bereiche und 58 in die Säure eingetaucht sind. Nach diesem Verfahrens-
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schritt sind gemäß Fig. 7 nur noch die Bereiche 54 und 58 auf der Unterlage 52 vorhanden. Die metallische Sonde wird dann auf den Bereich 58 aufgesetzt, so daß auch dieser Bereich vollständig weggeätzt wird und das gewünschte Muster der Fotomaske gemäß Fig. 8 übrig bleibt.
Bei der Herstellung von Fotomasken verwendet man derzeit durch programmierte Digitalrechner gesteuerte Kurvenschreiber (plotter), die das als Fotomaske zu verwendende Muster in sehr großem Maßstab zeichnen. Das stark vergrößerte Muster wird dann fotografisch auf eine Größe verkleinert, die zum Herstellen der Fotomasken geeignet ist. Unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens jedoch ist es möglich, bzw. beabsichtigt, einen programmierten Digitalrechner, wie er früher zur Betätigung des Kurvenschreibers benutzt worden ist, zum Steuern der Bewegung eines auf eine mit Chrom oder Chromoxid bedeckte Unterlage gerichteten Laserstrahls zu verwenden. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es dann entsprechend Fig. 6 bis 8 und Tabelle I möglich, eine Fotomaske in einem einzigen Schritt herzustellen und dabei die Schritte der fotografischen Reproduktion bzw. Verkleinerung zu sparen.
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Claims (7)

  1. RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
    New York, N.Y., 10020 (V.St.A.)
    Patentansprüche;
    C I.jverfahren zum Entfernen abgegrenzter, isolierter Materialbereiche von einer Unterlage mit unerwünschten, zu entfernenden Bereichen und erwünschten, nicht zu entfernenden Bereichen des gleichen Materials, dadurch gekennzeichnet , daß von der Unterlage (12) zu entfernende Bereiche (16) aus lichtundurchlässigem, zur Gruppe Chrom und Chromoxid gehörendem Material mit Hilfe einer nach Berührung des letzteren mit einer Sonde gegenüber dem Material ätzend wirkenden Säure weggeätzt werden, daß eine aus einem die Ätzreaktion der Säure gegenüber dem Material erst auslösendem Metall bestehende Sonde verwendet wird und daß die Säure zumindest in die Nähe der aus zu entfernendem Material bestehenden Bereiche (16) gebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Salzsäure, Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine aus Zink, Eisen, Aluminium und/oder Kupfer bestehende Sonde verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure nach dem Wegätzen der unerwünschten Bereiche abgespült wird.
    709847/0?U
    ORIGINAL INSPECTED
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erwünschten Eereiche (14) und die unerwünschten Bereiche (16) vor dem In-Berührung-Bringen mit der Sonde elektrisch gegeneinander isoliert werden.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß das Trennen oder gegenseitige Isolieren der Bereiche mit Hilfe eines Laserstrahls durch Schmelzen des dabei zu entfernenden Materials bewirkt wird.
    Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure direkt auf die unerwünschten Bereiche (16) aufgebracht wird.
  7. 7 09847/084 »
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SE (1) SE7705053L (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2536549A1 (fr) * 1982-11-24 1984-05-25 Western Electric Co Procede pour former un motif dans une matiere sur un substrat

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4350564A (en) * 1980-10-27 1982-09-21 General Electric Company Method of etching metallic materials including a major percentage of chromium
JPS57104141A (en) * 1980-12-22 1982-06-29 Dainippon Printing Co Ltd Photomask and photomask substrate
JPS59501199A (ja) * 1982-08-23 1984-07-12 グレイヴュア、アソウシエイシャン、アヴ、アメリカ、インコ−パレイテイド グラビア・シリンダにグラビア凹点を形成する方法及び装置
US4569695A (en) * 1983-04-21 1986-02-11 Nec Corporation Method of cleaning a photo-mask
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4713518A (en) * 1984-06-08 1987-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device manufacturing methods
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
WO1993006949A1 (en) 1991-10-04 1993-04-15 Cfm Technologies, Inc. Ultracleaning of involuted microparts
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US6165649A (en) * 1997-01-21 2000-12-26 International Business Machines Corporation Methods for repair of photomasks
US6843929B1 (en) * 2000-02-28 2005-01-18 International Business Machines Corporation Accelerated etching of chromium

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539408A (en) * 1967-08-11 1970-11-10 Western Electric Co Methods of etching chromium patterns and photolithographic masks so produced
US3673018A (en) * 1969-05-08 1972-06-27 Rca Corp Method of fabrication of photomasks
US3947801A (en) * 1975-01-23 1976-03-30 Rca Corporation Laser-trimmed resistor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2536549A1 (fr) * 1982-11-24 1984-05-25 Western Electric Co Procede pour former un motif dans une matiere sur un substrat

Also Published As

Publication number Publication date
SE7705053L (sv) 1977-11-11
PL197962A1 (pl) 1978-01-02
GB1530978A (en) 1978-11-01
JPS5310975A (en) 1978-01-31
PL112654B1 (en) 1980-10-31
US4105468A (en) 1978-08-08
JPS5337707B2 (de) 1978-10-11

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