DE2915058C2 - Magnetblasen-Speicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetblasen-Speicheranordnung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 vorausgesetzten Art und ein Verfahren zu deren Herstellung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 7 vorausgesetzten Art

Eine Magnetblasen-Speicheranordnung hatte bisher z. B. einen solchen Aufbau, wie er in F i g. 1 dargestellt ist (Zur Erleichterung des vollen Verständnisses sind in F i g. 1 einige Teile, z. B. Verdrahtungen und ein nichtmagnetisches Substrat ausgelassen, die keinen direkten Zusammenhang mit der Erfindung haben.)

Gemäß F i g. 1 sind nacheinander in der beschriebenen Reihenfolge eine magnetische Schicht 1, die epitaktisch auf einem (nicht dargestellten) nichtmagnetischen Substrat aufgewachsen ist und Magnetblasen darin enthalten kann (allgemein wird eine magnetische Granateinkristallschicht als die magnetische Schicht 1 verwendet), eine Abstandslage 2 aus einem isolierenden Material, z. B. Silicumdioxid, Leitermuster 3, die zur Steuerung der Magnetblasen, wie der Erzeugung und Vernichtung der Magnetblasen, verwendet werden, eine z. B. aus Siliciumdioxid bestehende Isolierschicht 4, Weichmagnetwerkstoffmuster 5 und 5', die zui Erfassung oder zur Überführung von Magnetblasen verwendet werden, und eine Passivierschicht 6 übereinander geschichtet

Jedoch waren den herkömmlichen Magnetblasen-Speicheranordnungen mit diesem in F i g. 1 dargestellten Aufbau die folgenden Probleme eigen. Wie aus F i g. 1 ersichtlich ist ergibt sich der Höhenunterschied im Weichmagnetwerkstoffmuster 5, wenn sich ein Teil des Weichmagnetwerkstoffmusters 5 und das Leitermuster 3 überlappen, und daher kann das Weichmagnetwerkstoffmuster 5 nicht flach sein. Dies führt zu unerwünschten Problemen, wie z. B. der Senkung des Betriebsspielsraums des Magnetblasenspeichers. Außerdem wird der ungünstige Effekt aufgrund des erwähnten Niveauunterschiedes ausgeprägter, wenn der Durchmesser der Magnetblase zwecks Erhaltens einer hohen Speicherdichte geringer gemacht wird, was ein Hindernis für die Abmessungsverringerung der Magnetblasen darstellt

Darüber hinaus erfordert ein Magnetblasen-Speicheraufbau, wie er in F i g. 1 dargestellt ist, sowohl verschiedene Arten von Schichten als auch wiederholte Behandlungsschritte der Schichten durch Photolithographie. Dies führt zu einem sehr komplizierten Fertigungsverfahren sowie zu der Schwierigkeit der Bildung eines solchen Aufbaus mit hoher Genauigkeit

Es ist außerdem eine Magnetblasen-Speicheranordnung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 vorausgesetzten Art bekannt (»IEEE Transactions on Magnetics«, Vol. MAG-12, No. 6, Nov. 1976, S. 618-621), bei der das Weichmagnetwerkstoffmuster in Form einer Ni-Fe-Schicht eben gemacht wird, indem man nebeneinander eine Al-Cu-Schicht und eine durch ancdische Oxidation von Al-Cu erzeugte Oxidschicht gleicher Dicke unterhalb der Ni-Fe-Schicht vorsieht Die Herstellung einer solchen Anordnung erfordert aufwendige bzw. lästige Verfahrensschritte, nämlich Bildung einer SijNj-Maskenschicht Verdünnung eines freiliegenden Al-Cu-Schichtteils, anodische Oxidation und Entfernung der SijN^-Maskenschicht Außerdem müssen, um die Oberflächen der Al-Cu-Schicht und der anodisch erzeugten Oxidschicht eben zu machen, die Bedingungen bei der Al-Cu-Schichtverdünnung und der anodischen Oxidation genau festgelegt und eingehalten werden.

Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung einer Magnetblasen-Speicheranordnung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 7 vorausgesetzten Art bekannt (»IBM Technical Disclosure Bulletin«, VoI 18, No. 12,

Mai 1976, S, 42)2—4213), wonach zwischen der magnetischen Schicht und der Weichmagnetwerkstoffschicht kein Leitermuster ausgebildet wird, die Resistschicht beim Bestrahlen selbst eine Maske mit Mustern unterschiedlicher Dicke darstellt und das Ätzen durch Ionenschleifen erfolgt

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Magnetblasen-Speicheranordrung der eingangs vorausgesetzten Art zu entwickeln, die einfacher und verläßlicher als die bekannte herstellbar ist, und ein Verfahren der im Oberbegriff des Patentanspruchs 7 vorausgesetzten Art anzugeben, das an die Herstellung der erfindungsgemäßen Magnetblasen-Speicheranordnung angepaßt ist, ebenfalls mit einer einzigen Bestrahlung auskommt und die Fertigung der Magnetblasen-Speicheranordnung mit hoher Genauigkeit ermöglicht

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 bzw. des Patentanspruchs 7 gelöst

Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 6 bzw. 3 bis 9 gekennzeichnet

Die ausreichend bemessene Ausdehnung des Leitermusters unter dem gesamten Bereich des Weichmagnet-Werkstoffmusters bei Zwischenfügung einer Isolierschicht ermöglicht in einfacherer und verläßlicherer Weise als nach dem Stand der Technik, daß das Weichmagnetwerkstoffmuster in einer Ebene angeordnet ist und die damit verbundenen Vorteile aufweist Bei der Herstellung der Magnetblasen-Speicheranordnung ergibt sich durch Verwendung der Resistschicht und der Maske abgestuften Dickenmusters in einem Bestrahlungsschritt eine hohe Genauigkeit der Anordnung.

Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigt

F i g. 1 die Schnittdarstellung der schon erläuterten bekannten Magnetblasen-Speicheranordnung;

Fig.2 eine Schnittdarstellung einer Magnetblasen- *o Speicheranordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

F i g. 3A bis 3D Schnittdarstellungen zur Veranschaulichung eines Beispiels eines Verfahrens zur Herstellung der in Fig.2 dargestellten Magnetblasen-Speicheran-Ordnung;

F i g. 4 und 5 Schnittdarstellungen zur Veranschaulichung verschiedener Verfahren zur Herstellung von erfindungsgemäß verwendeten Masken und

F i g. 6 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung so zwischen der Menge von in einer Resistschicht implantierte! Ionen und der Lichtdurchlässigkeit der Resistschicht.

F i g. 2 zeigt im Schnitt eine Magnetblasen-Speicheranordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, die wie die in F i g. 1 dargestellte bekannte Anordnung einen solchen Aufbau aufweist, daß eine Abstandslage 12, Leitermuster 13 und 13', Isolierschichten 14 und 14', Weichmagnetwerkstoffmusier 15 und 15' und eine Passivierschicht 16 auf einer magnetischen Schicht 11 aus Galliumgadoliniumoxid od. dgl. zur Bildung eines Laminats übereinander geschichtet sind. Jedoch ist zu bemerken, wie aus F i g. 2 ersichtlich ist, daß die Leitermuster 13 und 13' zwangsläufig unter den Weichmagnetwerkstoffmustern 15 und 15' vorliegen, und die Isolierschichten 14 und 14' sind zwischen dem · Leitermuster 13 und den Weichmagnetwerkstoffmuster 15 bzw, zwischen dem Leitermuster 13' und dem Weichmagnetwerkstoffmuster 15' eingefügt So sind, wie an sich bekannt, die Weichmagnetwerkstoffmuster 15 und 15' in einer Ebene angeordnet, und es besteht keine Gefahr des Auftretens eines Niveauunterschieds in den Weichmagnetwerkstoffmustern. Wie ein Vergleich zwischen F i g. 1 und 2 zeigt, existiert bei der bekanntein Anordnung kein Leitermuster 3 notwendigerweise unter den Magnetwerkstoffmustern 5 und 5'. Dies verursacht den Niveauunterschied. Dagegen hat, wie an sich bekannt, da die Leitermuster 13 und 13' obligatorisch unter den Weichmagnetwerkstoffmustem 15 und 15' vorliegen, keines der Muster 15 und 15' irgendeinen Niveauunterschied und ist vielmehr flach.

Erfindungsgemäß wird nur ein Muster 13 der Leitermuster 13 und 13' zur Steuerung der Magnetblasen verwendet, während das andere Muster 13' keine Beziehung zur Steuerung der Magnetblasen aufweist und nur zum Bringen des Weichmagnetwerkstoffmusters 15' auf die gleiche Ebene wie die des Weichmagnetwerkstoffmusters 15 verwendet wird. Daher wird der Betrieb der Magnetblasen-Speicheranordnung nur wenig durch obigen Aufbau beeinflußt, uei dem alle Leitermuster stets völlig unter allen Weichmagnetwerkstoffmustern existieren. Wie oben beschrieben, wird erfindungsgemäß nur ein Leitermuster 13 zur Steuerung der Magrretblasen verwendet, und das andere Leitermuster 13' hat mit der Steuerung der Magnetblasen nichts zu tun. Das zum Steuern der Magnetblasen verwendete Leitermuster sollte die Eigenschaft haben, daß sein elektrischer Widerstand niedrig ist und Electromigration darin nur mit Schwierigkeit erzeugt wird. Demgemäß wird das Leitermuster dieser Art allgemein aus Aluminium oder verschiedenen Arten von Aluminiumlegierungen, wie z. B. einer Aluminium-Kupfer-Legierung hergestellt Weiter wurde vorgeschlagen, Gold, Silber, Kupfer und Molybdän als das Leitermuster zu verwenden. Andererseits kann das von der Steuerung der Magrietblasen nicht betroffene Leitermuster aus irgendeinem Werkstoff besteben, sofern es die gleiche Dicke wie das Leitermuster zur Steuerung der Magp<;tblasen aufweist, und braucht daher nicht stets aus dem gleichen Material wie das Muster zur Steuerung der Magnetblasen hergestellt zu sein. Weiter braucht das von der Magnetblasensteuerung nicht betroffene Muster, da ihm kein elektrischer Strom zugeführt wird, nicht stets ein Leiter zu sein. Jedoch ist es sehr zu bevorzugen, daß das Leitermuster 13 zur Steuerung der Magnetblasen und das Leitermuster 13' zur Verhinderung des Niveauunterschieds beide aus dem gleichen Material bestehen, da beide Muster 13 und 13' gleichzeitig ausgebildet werden können.

Übrigens sind die Abstandslage 12 und die Isolierschichten 14 und 14' für die Magnetblasen-Speicheranordaung nicht immer unerläßtlich, und daher können Magnetblasen-Speicheranordnungen ohne Verwendung beider oder einer dieser beiden Schichten, d. h. der Abstandslage und der isolierenden Schicht, hergestellt werden.

Zusätzlich wird "ine Schicht zum Unterdrücken harter Blasen, die allgemein aus Permalloy hergestellt wird, zwischen der magnetischen Schicht 11 zum Enthalten der Magnetblasen und der Abstsndslage 12 in vielen Fällen eingefügt, obwohl sie in Fig.2 nicht dargestellt ist.

Es soll nun eine E läuterung eines Verfahrens zur Herstellung der erwähnten Magnetblasen-Speicheranordnung gemäß der Erfindung gegeben werden.

Wie Fig.3A zeiet. werden nacheinander auf einem

(nicht dargestellten) nichtmagnetischen Substrat in der beschriebenen Reihenfolge eine zum Enthalten von Magnetblasen geeignete magnetische Schicht 26, eine (nicht dargestellte) Permalloyschicht zum Unterdrücken harter Blasen, eine aus Siliciumdioxid bestehende Abstandslage 27, eine aus einer Aluminium-Kupfer-Legierung bestehende Leiterschicht 28, eine aus Siliciumdioxid bestehende Isolierende Schicht 29 und eine Weichmagnetwerlcstoffschicht 30 aus Permalloy übereinander geschichtet. Weiter wird eine Photoresistschicht 31 auf die ganze Oberfläche aufgebracht. Die Photoresistschicht 31 wird mit Licht 21 durch eine Maske 24 bestrahlt, in der semitransparente Muster 22 und undurchsichtige Muster 23 auf einem transparenten Substrat 20 vorgesehen sind. So wird die Photoresistschicht 31 der Lichtbestrahlung in der Weise unterworfen, daß die Menge einfallenden Lichts auf verschiedenen Teilen der Photoresistschicht unterschiedlich ist.

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ti/.:— — l—_«.... u den dicken Teil des Musters 31' zu entfernen, die Schichten 30,29 und 28 direkt unter dem dicken Teil des Musters 31' ungeätzt. Weiter werden, da ein mit dem dünnen Teil des Musters 3Γ überzogener Bereich geätzt wird, nachdem der obige dünne Teil entfernt ist, nur die zwei Schichten, d. h. die Weichmagnetwerkstoffschicht 30 und die Isolierschicht 29 entfernt, und die Leiterschicht 28 bleibt hier ungeätzt. Dann wird eine Isolierschicht 46 zur Passivierung auf die ganze Oberfläche aufgebracht. So läßt sich die Anordnung mit dem in Fig. 3D dargestellten Aufbau erhalten. Es braucht nicht erwähnt zu werden, daß der in Fig. 3D dargestellte Aufbau völlig der gleiche wie der in F i g. 2 dargestellte ist.

Neben sichtbaren Strahlen und ultravioletten Strahlen können auch Röntgenstrahlen und ein Elektronenstrahl zur Bestrahlung der Resistschicht verwendet werden. In diesen Fällen werden ein Röntgenstrahlen-- ···♦ W-ViK Min ETIoL* tmnenet^aklAnpACict ale D «icic I

len, lassen sich außer dem erwähnten Verfahren verschiedene andere Verfahren anwenden. Beispielsweise können die Lichtstärke und die Belichtungszeit von Bereich zu Bereich der Photoresistschicht variiert werden, oder die Belichtung kann an gewünschten Bereichen wiederholt werden.

Das obige Verfahren, das eine mit einer Mehrzahl von Mustern unterschiedlicher Durchlässigkeit versehene Maske verwendet, hat Vorteile insofern, als der Vorgang rasch durchgeführt werden kann, da eine einzige Belichtung bereits genug ist, und als dabei kein Fehler aufgrund einer Maskenausrichrung auftritt und die gewünschte Behandlung wegen der Verwendung nur einer einzigen Maske mit hoher Genauigkeit durchführbar ist. Daher ist das obige Verfahren vom praktischen Gesichtspunkt her zu bevorzugen.

Wenn die Photoresistschicht 31 mit Licht durch die Maske 24 beleuchtet wird, wird Licht durch den Teil der Maske, der nicht mit den Mustern 22 und 23 versehen ist, durchgelassen. Dementsprechend wird die Photoresistschicht direkt unter diesem Teil der Maske 24 einer erheblichen Photozersetzung unterworfen. Andererseits erleidet, da das Muster 23, wie oben erwähnt, undurchsichtig ist, die Photoresistschicht direkt unter dem Muster 23 überhaupt keine Photozersetzung. Weiter wird, da das Muster 22 semitransparent ist, die Photoresistschicht direkt unter dem Muster 22 mit Licht einer Zwischenstärke bestrahlt und einer mittleren Photozersetzung unterworfen. Durch die Belichtung der Photoresistschicht in dieser Weise, wie sie in Fig.3A veranschaulicht ist, wird also eine Mehrzahl von Bereichen, die sich voneinander im Grad der Photorzersetzung unterscheiden, in der Photoresistschicht 31 gebildet Eine Mehrzahl von Mustern 3t', die aus den Photoresistschichtteilen unterschiedlicher Dicken bestehen, wird durch die Entwicklung der belichteten Photoresistschicht gebildet wie in Fig.3B gezeigt ist Anschließend werden die Schichten 28,29 und 30 nach bekannten Ätztechniken, z. B. durch lonenschleifen, geätzt wobei die Muster 3 Γ als Masken verwendet werden. Dann wird, wie F i g. 3C zeigt eine Mehrzahl von Mustern gebildet die verschiedene Arten von Schichten enthalten. Im einzelnen werden, da ein Bereich, der mit Oberhaupt keinem Muster ZV überzogen ist für eine lange Zeit geätzt wird, alle drei Schichten, d.h. die Weichmagnetwerkstoffschicht 30, die Isolierschicht 29 und die Leiterschicht 28 entfernt und die Oberfläche der Abstandslage 27 wird freigelegt Andererseits bleiben, da es eine lange Zeit erfordert, um verwendet, und eine Röntgenstrahlenmaske bzw. eine Elektronenstrahlenmaske werden als Maske verwendet. Weiter wird es, da die erfindungsgemäß verwendete Maske eine Mehrzahl von Mustern mit unterschiedlichen Durchlässigkeiten derart aufweisen soll, daß diese

Muster korrekt und genau an gewünschten Stellen

angeordnet sind, vom praktischen Gesichtspunkt aus am meisten bevorzugt die Maske durch Elektronenstrahl-

Belichtu; ^techniken zu bilden. Es soll nun ein Beispiel eines Verfahrens zur

Herstellung einer Magnetblasen-Speicheranordnung gemäß der Erfindung¹ erläutert werden.

Erfindungsgemäß wird die Fliotoresistschicht mit Licht durch die Maske mit einer Mehrzahl von Mustern mit untereinander unterschiedlichen Durchlässigkeiten belichtet Die obige Maske kann beispielsweise durch Photoätztechniken in der folgenden Weise hergestellt werden. Wie Fig.4 zeigt, werden aus einer Chromschicht hergestellte Chrommuster 32 auf einem transparenten Substrat 20 nach bekannten Techniken ausgebildet, und dann werden eine Permalloyschicht 42 (z. B. 81% Ni, 19% Fe) mit einer Dicke von etwa 7 nm und eine Photoresistschicht 33 nacheinander aufgebracht Nach Bestrahlung mit Licht durch eine Photomaske 34 wird die Photoresistschicht 33 entwik-

⁴S kelt um Bereiche mit einer hohen Löslichkeit zu entfernen. Freigelegte Teile der Permalloyschicht 42 werden durch eine wässerige Lösung des Phosphorsäure-Salpetersäure-Systems weggeätzt und dann wird die verbleibende Photoresistschicht 33 entfernt So wird die mit einer Mehrzahl von Mustern mit unterschiedlichen

Durchlässigkeiten, wie F i g. 3A zeigt, versehene Maske

24 gebildet da die Permalloyschicht semitransparent ist und die Chromschicht 32 undurchsichtig ist

Die obige Maske kann auch durch Elektronenstrahl-

lithographie in der folgenden Weise gebildet werden. Wie F i g. 5 zeigt werden Gold-Bezugsmarkierungen 36 an gewünschten Stellen auf einer Glasplatte 35 durch Photolithographie gebildet und weiter werden eine Chromschicht 37 mit einer Dicke von etwa 8 nm und eine Elektronenstrahlresistschicht 38 nacheinander auf die ganze Oberfläche aufgebracht Die Elektronenstrahlresistschicht 38 und die Chromschicht 37 werden imittels gut bekannter Elektronenstrahllithographieitechniken behandelt so daß Chrommuster zur Verwendung bei der Herstellung der vorher erwähnten Weichmagnetwerkstoffmuster in bestimmten Lagen bezüglich der Bezugsmarkierungen 36 gebildet werden. iPermallovmuster, die bei der Herstellung der Leitermu-

in

ster verwendet werden, können auch in einer gleichartigen Weise ausgebildet werden.

Im Vorstehenden wurden verschiedene Beispiele des Verfahrens zur Her: teilung der Maske beschrieben, die erfindungsgemäß verwendet wird. Es soll nun auf das Beispiel des Verfahrens zur Herstellung einer Magnetblasen-Speicheranordnung gemäß der Erfindung weiter eingegangen werden.

Gemäß Fig. 3A bis 3D werden auf einer magnetischen Granatschicht 26, die auf einem (nicht dargestellten) nichtmagnetischen, einkristallinen Substrat abgeschieden ist und darin Magnetblasen enthalten kann, eine (nicht dargestellte) 7 nm dicke Permalloyschicht zur Unterdrückung harter Blasen, eine 400 nm dicke Siliciumoxidschicht 27, eine 400 ηm dicke Kupferlegie- η rungsschicht 28. eine 300 nm dicke Siliciumdioxidschicht 29 und eine 350 nm dicke Permalloyschicht 30 zur Bildung eines Laminats übereinander geschichtet. Eine Phntnresistschicht 31 mit einer Dicke von 1,3 μπι wird auf die gesamte Oberfläche aufgebracht und mit Licht durch eine Maske, z. B. 24, die nach einem der erwähnten Verfahren hergestellt wird, für 10 min durch einen Maskenausrichter belichtet. Die Photoresistschicht 31 wird mit der 50%igen Lösung des Entwicklers zur Bildung von Resistmustern 31' entwickelt. Die so erhaltenen Resistmuster 31' sind 0,5 bzw. 1,2 μπι dick an solchen Stellen, die dem Leitermuster und dem Weichmagnetwerkstoffmuster entsprechen. Dann wird das lonenschleifen durchgeführt, bis die Aluminium-Kupfer-Legierungsschicht 28 an den Teilen entfernt ist, wo keir > Photoresistschicht zurückgeblieben ist, und die Oberfläche der Permalloyschicht wird freigelegt. Das obige lonenschleifen wird durch das »Mikroätzsystem« unter den folgenden Bedingungen vorgenommen:

30 Beschleunigungsspannung von 600 V, Argondruck von 6,5 · ΙΟ"⁵ mbar, lonenstromdichte von 0,5 mA/cm² und Einfallwinkel des Ionenstrahl von 30°. Die Magnetblasen-Speichereinrichtung eines solchen wie dem in F i g. 3C gezeigten Aufbaus wird durch das lonenschleifen erhalten, das 20 min unter den erwähnten Bedingungen durchgeführt wird.

Wie oben beschrieben, wird die erfindungsgemäß verwendete Maske mit einer Mehrzahl von Mustern versehen, die von unterschiedlicher Durchlässigkeit für eine bei der Belichtung verwendete Bestrahlung, wie z. B. Lichtstrahlen, Elektronenstrahlen und Röntgenstrahlen, sind. Das Muster, das für die Lichtstrahlen undurchlässig ist, kann aus vielen Werkstoffen, wie z. B. Chrom und Eisenoxid hergestellt werden. Außer der obigen Permalloyschicht kann auch eine Photoresistschicht, die mit Ionen implantiert ist, als semitransparentes Muster verwendet werden. Ein solches Photoresistmuster nutzt die Tatsache, daß die Durchlässigkeit der Photoresistschicht von der Menge der Ionen abhängt, die in die Schicht implantiert sind, und liefert eine gewünschte Durchlässigkeit mit hoher Genauigkeit. Weiter wird das Photoresistmuster als das Mustermodell, wie es ist, verwendet, was das genaue Ätzen der Weichmagnetwerkstoffschicht u.dgl. und das einfach anwendbare Verfahren ermöglicht.

Fig.6 zeigt die Beziehung zwischen der Menge von implantierten Ionen und der Durchlässigkeit in dem Fall, wo Ionen mit einer Beschleunigungsspannung von l20keV in eine Photoresistschicht mit einer Dicke von 0,4 μηι implantiert sind. Es ist aus F i g. 6 ersichtlich, daß sich die Durchlässigkeit der Photoresistschicht durch die Menge der implantierten Ionen genau steuern läßt.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Magnetblasen-Speicheranordnung mit einem nichtmagnetischen, einkristallinen Substrat, einer zum Enthalten von Magnetblasen geeigneten s magnetischen Schicht, einem Leitermuster und einem in einer Ebene angeordneten Weichmagnetwerkstoffmuster, dadurch gekennzeichnet, daß der gesamte Bereich des Weichmagnetwerkstoffmusters (15,15'; 30) auf dem Leitermuster (13, 13'; 28) unter Zwischenfügung einer Isolierschicht (14; 29) abgeschieden ist

2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolierschicht (12; 27) zwischen der magnetischen Schicht (11; 26) und dem Leiiermuster (13,13'; 28) eingefügt ist

3. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitermuster (13, 13'; 28) aus einem Metall der Gruppe Aluminium, Alurniniumlegierungen, Gold, Silber, Kupfer und Molybdän besteht

4. Speicheranordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Weichmagnetwerkstoffmuster (15, 15';30) aus Permalloy besteht

5. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Oberfläche der magnetischen Schicht (11; 26) mit einer Magnetschicht zur Unterdrückung harter Blasen Oberzogen ist

6. Speicheranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetische Schicht zur Unterdrückung harter Blasen aus Permalloy besteht

7. Verfahren zur Hersteilung einer Magnetblasen-Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem man auf der Oberfläcne eines nichtmagnetischen, einkristallinen Substrats eine magnetische Schicht zum Enthalten von Magnetblasen, eine als Abstandslage verwendete Isolierschicht, eine Weichmagnetwerkstoffschicht und eine Resistschicht aufbringt die Resistschicht bestrahlt und die Laminatoberfläche ätzt, dadurch gekennzeichnet, *o daß man zwischen der als Abstandslage verwendeten Isolierschicht und der Weichmagnetwerkstoffschicht ein den gesamten Bereich der Weichmagnetwerkstoffschicht aufnehmendes Leitermuster und eine zusätzliche Isolierschicht aufbringt, die Resi- « stschicht nicht als Maske ausbildet und die Resistschicht durch eine mit einer Mehrzahl von Mustern unterschiedlicher Dicke versehenen Maske bestrahlt, bevor das Ätzen der Laminatoberfläche durch die Resistmuster erfolgt

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß man die Maske mit ersten und zweiten Mustern versieht und das erste Muster aus einem Stoff der Gruppe Chrom und Eisenoxid und das zweite Muster aus einem Stoff der Gruppe Permalloy und Resistschicht, die einer Ionenimplantation unterworfen wurde, herstellt

9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet daß man das Ätzen durch Ionenschleifen vornimmt.