DE2637369C2 - Verstärkeranordnung - Google Patents

Description

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Resonanzschaltung 3 extrahiert wird. Diese Trägerkomponente wird der Schaltung oder dem Schaltkreis 2 durch eine Trennstufe Q* Q₁₀ zugeführt In der Schaltung oder dem Schaltstromkreis 2 wird das Zwischenfrequenzsignal durch Schaltwirkung synchron demoduliert oder der Detektorwirkung unterzogen, wobei ein Videosignal und ein Tonzwischenfrequenzsignal mit der Trägerfrequenz 4,5 MHz am Ausgang des Schaltstromkreises erhalten werden.

Da das Zwischenfrequenzsignal durch das Schaltsignal in dem Schaltstromkreis 2 geschaltet wird, ist nicht notwendig, die nichtlineare Charakteristik des Transistors als Detektor zu verwenden, so daß sogar dann, wenn das Tonzwischenfrequenzsignal zusätzlich zum Videozwischenfrequenzsignal dem Schaltstromkreis zugeführt wird, das Schwebungssignal mit der Frequenz von 92OkHz in dem demodulierten bzw. in dem der Detektorwirkung unterworfenen Signal eliminiert wird. Darüber hinaus ist nicht notwendig, eine andere Detektorschaltung zu verwenden, um das Tonzwischenfrequenzsignal mit der Frequenz von 4,5 MHz zu erhalten.

Bei der Schaltung nach F i g. 1 sind jedoch zwei Signalbahnen zur Schaltung oder zum Schaltstromkreis 2 notwendig. Diese Bahnen sind: eine erste Signalbahn zur Verstärkung des Zwischenfrequenzsignals und zum Erhalt des verstärkten Zwischenfrequenzsignals und eine andere Signalbahn zum Erhalt der Trägerkomponente aus dem Zwischenfrequenzsignal. Die Schaltung hat infolgedessen viele Schaltungskomponenten, wobei es sehr schwierig ist, diese Schaltung in einer integrierten Schaltung zu erhalten. Die erfindungsgemäße Ausführungsform der Schaltung überwindet jedoch die vorerwähnten Nachteile der Schaltung nach dem Stand der Technik.

Gemäß F i g. 2 sind die Transistoren Qn, Q12 in einem Differentialverstärker 11 geschaltet bzw. an ihm angeschlossen, während ein Widerstand /?i als Konstantstromquelle zwischen einem gemeinsamen Verbindungspunkt der Emitter der Transistoren Qu, Qi₂ und Erde geschaltet ist Die Widerstände R₂ und R₃ sind an die Kollektoren der Transistoren Qn bzw. Qi₂ als BeIastungs- oder Richtwiderstände angeschlossen. Aus einer Vorstufe 1 werden ein Videozwischenfrequenzsignal und ein Tonzwischenfrequenzsignal differenziert den Basisteilen der Transistoren Q₁1 bzw. Qi 2 durch die Ein- «s gangsklemmen Γι bzw. T₂ zugeführt Ausgangssignale an den Kollektoren der Transistoren Qu und Qi₂ werden durch zwei Puffertransistoren oder Trenntransistoren Qi3 und Qu der Schaltung bzw. dem Schaltkreis 2 für einen Synchrondetektor zugeführt

Darüber hinaus sind die Emitter der beiden Transistoren Qi5 und Q16. welche in einer Form einer gemeinsamen Basis verbunden sind, wobei ihre Basisteile durch einen Kondensator oder Kapazitätsteil Q geerdet sind, mit den Widerständen Ri und R3 verbunden. Eine abgestimmte Schaltung 3, welche eine mittelangezapfte Spule parallel zu einem Kondensator aufweist und welche mit der Videozwischenfrequenz in Resonanz schwingt, sowie ein Widerstand Ra sind zwischen die Kollektoren der Transistoren Qi 5, Qie geschaltet Die Mittelanzapfung der Spule L\ ist an eine Netzanschlußklemme T₄ angeschlossen. Ausgangssignale an den Kollektoren Q15, Q16 werden durch Trenntransistoren oder Puffertransistoren Qt₇ und Qi₈ dem Schaltkreis 2 als Schaltsignal zugeführt.

Bei dieser Ausführungsform sind die Impedanzen der Transistoren Q15 und Q\t aus den Widerständen A₂ und Ri so klein, da sie Emittereingangsimpedanzen sind, daß

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65 die Wechselstrombelastungen der Transistoren Qn und Qi₂ hauptsächlich die Widerstände R< und R₃ sind. Das Zwischenfrequenzsignal wird in ein Stromsignal umgesetzt oder verwandelt und durch die Transistoren Qu und Q12 verstärkt, wobei dieses verstärkte Signal durch die Widerstände R₂ und A3 fließt Als Ergebnis werden Zwischenfrequenzspannungssignale, deren Amplituden von den Amplituden der Stromsignale und den Widerstandswerten der Widerstände A₂ und A₃ abhängen, an den Kollektoren der Transistoren Qu und Qi₂ erhalten. Diese Spann ungssignale werden dem Schaltkreis 2 durch die Trenntransistoren Qn und Qn zugeführt

Die Stromsignale, welche durch die Transistoren Q15 und Qie fließen, sind dieselben Stromsignale, wie jene, welche durch die Widerstände R₂ und R₃ fließen und sind ganz unabhängig von Widerstandswerten der Widerstände R₂ und R₃. Daher erscheinen die verstärkten Zwischenfrequenztonsignale an den Kollektoren der Transistoren Q15 und Qi₆. Nur eine Trägerkomponente des Videozwischenfrequenzsignals wird an den Kollektoren der Transistoren Qi5 und Qie durch die Resonanzschaltung 3 und den Widerstand 4 als Spannungssignal extrahiert, wobei dieses Spannungssignal dem Schaltkreis 2 durch zwei Trenntransistoren Qt; und Qie zugeführt wird.

Dementsprechend wird der Schaltung bzw. dem Schaltkreis 2 das Zwischenfrequenzsignal durch einen Schaltvorgang synchron demoduliert bzw. der Detektorwirkung unterzogen, wobei ein Videosignal und ein Tonzwischenfrequenzsignal (4,5 MHz) an der Anschlußklemme T₃ erhalten werden.

Wie zuvor beschrieben im Zusammenhang mit F i g. 2, werden sowohl das Zwischenfrequenzsignal und die Trägerkomponente gleichzeitig verstärkt, wobei weniger Schaltungskomponenten bei dieser Ausführungsform gegenüber der Schaltung gemäß F i g. 1 erforderlich sind, so daß es leichter ist, die Schaltung der F i g. 2 in Form einer integrierten Schaltung herzustellen.

Bei der Ausführungsform nach F i g. 2 sind sämtliche Schaltungen für Differentialarbeitsweise konstruiert F i g. 3 zeigt dieselbe Basisschaltung in Eintaktform.

Gemäß F i g. 3 ist der Emitter eines Transistors Q21 durch einen Kondensator 2 geerdet, während der Kollektor des Transistors an dem Emitter eines Transistors Q₂₂ durch einen Widerstand A₅ angschlossen ist Die Basis des Transistors Q₂₂ ist durch einen Kondensator C₃ geerdet, während der Kollektor dieses Transistors an eine Netzanschlußklemme T* durch eine Resonanzschaltung 3 und einen Widerstand R₄ angeschlossen ist Ein Zwischenfrequenzsignal aus einer Vorstufe 1 wird der Basis des Transistors Q₂) durch eine Eingangsklemme T\ zugeführt, während ein verstärktes Zwischenfrequenzsignal an dem Kollektor des Transistors Q21 erhalten und dem Schaltkreis 2 durch eine (nicht gezeigte) Trennstufe zugeführt wird. Ein verstärktes Trägerkomponentsignal ist am Kollektor des Transistors Q₂₂ erhalten und dem Schaltkreis 2 durch eine (nicht gezeigte) andere Trennstufe zugeführt wobei das synchrondemodulierte Signal bzw. das Signal, welches der Detektorwirkung unterzogen worden ist aus der Schaltung bzw. dem Schaltkreis 2 an der Ausgangsklemme T₃ erhalten wird. Die Schaltung gemäß Fig.3 kann ebenso sehr leicht als integrierte Schaltung hergestellt werden, und zwar infolge der Einfachheit der Schaltung.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Verstärkeranordnung mit zumindest einem Transistor in Emitterschaltung,

mit einer Eingangssignalquelle, die mit der B&.is des betreffenden Transistors verbunden ist,
mit einem Verstärker in Basisschaltung, umfassend zumindest einen Transistor in Basisschaltung, dessen Emitter mit dem Kollektor des in Emitterschaltung betriebenen Transistors verbunden ist,
mit einer ersten Kollektorlast, die mit einem Kollektor der in Basisschaltung betriebenen Transistorstufe verbunden ist, und

mit einem ersten Ausgangskreis, der mit dem Kollektor des in Basisschaltung betriebenen Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Kollektorlast (R2, A3; RS) zwischen einem Kollektor des in Emitterschaltung betriebenen Transistors CQIl, Q12; Q 21) und dem Emitter des in Basisschaltung betriebenen Transistors (Q 15, Q16; Q 22) angeschlossen ist, und daß mit dem Kollektor des in Emitterschaltung betriebenen Transistors (Q 11, Q12; Q 21) ein zweiter Ausgangskreis (Q 13, Q14) verbunden ist

2. Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Synchrondetektor (2) vorgesehen ist, dem an einem ersten Eingang ein Schaltsignal von dem ersten Ausgangskreis zugeführt wird und dem an einem weiteren Eingang ein einer Synchron- bzw. Produktdetektion zu unterziehendes Signal von dem zweiten Aasgangskreis zugeführt wird.

3. Verstärkeranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kollektorlast einen abgestimmten Parallel-LC-Kreis (3) aufweist, der auf die Frequenz des der Synchron- bzw. Produktdetektion zu unterziehenden Signals abgestimmt ist

4. Verstärkeranordnung nach Anspruch 2, wobei der zumindest eine in Emitterschaltung betriebene Transistor zu einem in einer Differenzschaltung liegenden Transistorpaar gehört, dessen Transistoren mit ihren Emittern gemeinsam verbunden sind, und wobei der in Basisschaltung betriebene Verstärker zwei in Basisschaltung betriebene Transistoren umfaßt, deren Emitter mit jeweils einem Transistor des die in Emitterschaltung betriebenen Transistoren umfassenden Transistorpaares verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Kollektorlast zwei Impedanzen (R 2, R 3) umfaßt, deren jede zwischen dem Emitter eines der in Basisschaltung betriebenen Transistoren (Q 15, Q16) und dem Kollektor eines entsprechenden Transistors der in Emitterschaltung betriebenen Transistoren des genannten Transistorpaares (Q 11, Q12) liegt

5. Verstärkeranordnun^ nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kollektorlast einen abgestimmten Parallelkreis (3) enthält, der zwischen den Kollektoren des in Basisschaltung betriebenen Transistorpaares liegt und dessen Induktivität (L 1) einen Mittenabgriff aufweist, der an einer Speisespannungsquelle (TA) angeschlossen ist und über den den in Basisschaltung und in Emitterschaltung betriebenen Transistoren (Q 15, Q16, QW, Q12) ein Strom zugeführt wird.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkeranordnung, wie sie im Oberbegriff des Anspruchs 1 augegeben ist

Es ist bereits eine Verstärkeranordnung bekannt (DE-CS 21 36 820), bei der zwei in einer Differenzschaltung liegende, mit ihren Emittern miteinander verbundene Transistoren vorgesehen sind, die mit zwei in Basisschaltung betriebenen Transistoren verbunden sind, deren Emitter direkt mit den Kollektoren der in Emitter-ίο schaltung betriebenen Transistoren verbunden sind. Das Ausgangssignal wird dabei direkt von einem Kollektor der in Basisschaltung betriebenen Transistoren abgenommen. Den in Emitterschaltung betriebenen Transistoren ist indessen keinerlei Kollektorlast zugeis hörig. Außerdem wird von keinem der Kollektorkreise der in Emitterschaltung betriebenen Transistoren ein Ausgangssignal abgenommen.

Es ist ferner ein Differenzverstärker bekannt (US-PS 31 78647), bei dem eine Transistorverstärkerstufe in Kollektorschaltung betrieben und an einem Minusspannungspol angeschlossen ist In den Emitterzweigen der betreffenden Transistoren liegen Emitterwiderstände; Kollektorlasten sind indessen nicht vorhanden. Die Basen einer zweiten Transistorstufe sind mit Vorspannungsnetzwerken versehen, womit in Basisschaltung betriebene Transistoren vorhanden sind.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen Weg zu zeigen, wie bei einer Verstärkeranordnung der eingangs genannten Art mit besonders einfachem Aufbau das Auftreten eines Interferenz-Störsignals im Ausgangssignal vermieden werden kann.

Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe durch dieimAnspruch !gekennzeichnetenMaßnahmen.

Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß mit insgesamt besonders geringem schaltungstechnischen Aufwand das Auftreten eines Interferenz-Störsignals eliminiert werden kann. Wenn das Eingangssignal beispielsweise ein ZF-Video- und ZF-Tonsignal ist, dann wird durch die Verstärkeranordnung gemäß der Erfindung das Auftreten eines Interferenz-Störsignals vermieden, welches beispielsweise mit 920 kHz auftritt

Zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend beispielsweise näher erläutert

F i g. 1 zeigt ein schematisches Schaltbild einer Synchrondetektorschaltung ohne die vorteilhafte Anwendung der vorliegenden Erfindung.

F i g. 2 zeigt ein schematisches Schaltbild der Verstärkeranordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.

F i g. 3 zeigt ein schematisches Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Verstärkeranordnung gemäß der Erfindung.

F i g. 1 zeigt eine Schaltungsanordnung nach dem Stand der Technik. Gemäß F i g. 1 werden ein Videozwischenfrequenzsignal und ein Tonzwischenfrequenzsignal einem Differenzverstärker bzw. einem Differentialverstärker zugeführt, der aus den Transistoren Q] und Q2 zusammengesetzt ist Ein verstärktes Ausgangssignal aus dem Differentialverstärker wird an einen Schaltstromkreis oder eine Schaltung 2 für den Synchrondetektor durch Emitterfolgertrenn- oder -pufferstufen Qj, Qt bzw. Qs, Qb geliefert. Das Zwischenfrequenzsignal am Ausgang der Trennstufe Q₃, Q₄ wird durch einen Differentialverstärker verstärkt der aus Transistoren Qt und Qs zusammengesetzt ist, wobei nur eine Trägerkomponente des Zwischenfrequenzsignals durch eine