DE2625989A1

DE2625989A1 - Halbleiterelement

Info

Publication number: DE2625989A1
Application number: DE19762625989
Authority: DE
Inventors: Sergio Dr Ing Palara
Original assignee: ATES Componenti Elettronici SpA
Current assignee: STMicroelectronics SRL
Priority date: 1975-06-10
Filing date: 1976-06-10
Publication date: 1976-12-16
Also published as: US4072979A; JPS5234676A; FR2314582A1; FR2314582B1; JPS5441469B2; IT1038800B; DE7618399U1; GB1530168A

Description

PATENTANWÄLTE

Dr. phil. G. B. HAGEN
Dipl.-Phys. W. KALKOFF

MÜNChin >i (Soiln)

Franz-Hals-Straße 21
Tel. (089)796213,795431

ACE 3601 München, 9. Juni 1976

K./ek

SGS-ATES Componenti

Elettronici S.p.A.

Via C. Olivetti 2

20041 Agrate Brianza (Milano)

Italien

Halbleiterelement

Priorität; 10. Juni 1975; Italien; Nr. 24160A/75

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterelement mit mindestens einem Hochleistungstransistor vom Epitaxial-Planar-Typ.

Bekanntlich sind die wesentlichen Anforderungen an einen guten Hochleistungstransistor die folgenden:

a) höhere Stromverstärkung auch bei hohen Stromwerten

b) niedrige Sättigungsspannung

c) keine sekundären Durchbrucherscheinungen

d) kleinstmögliche Größe.

Um der Anforderung zu Punkt a) zu genügen, muß bekannterweise der Transistor so ausgelegt werden, daß sein Emitterbereich so groß wie möglich ist und daß die Stromdichte des Emitters unter dem Emitter selbst bei jedem Stromwert gleichmäßig verteilt ist.

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Bayerische Vereinsbank 823101 Postscheck 54782-809

Um gemäß Punkt b) die Sättigungsspannung möglichst gering zu halten, die wesentlich vom Kollektorserienwiderstand abhängt, muß man verschiedene Maßnahmen vorsehen, nämlich u.a. die Konzipierung von untereinander verbundenen Kollektorstrukturen zur Verringerung des Weges des Stromes durch Emitter und Kollektor.

Bezüglich der sekundären Brucherscheinungen gemäß Punkt c) besteht eine Lösung, die besonders bei aus verschiedenen parallelgeschalteten Einzeltransistoren bestehenden Hochleistungstransistoren angewendet wird, darin, daß die Emitter mit Widerständen in Reihe geschaltet werden, die die Ströme ausgleichen.

Um schließlich gemäß Punkt d) die Gesamtgröße des Halbleiterelements so gering wie möglich zu halten, muß der Transistor so ausgelegt werden," daß alle Bestandteile in optimaler Weise aktiviert v/erden.

Eine bekannte Lösung für den Bau eines Transistors mit einem großen Emitterbereich und einer gleichmäßigen Stromdichte des Emitters besteht darin, daß man auf dem gleichen Halbleiterplättchen mit den herkömmlichen Photoätz- und Diffusionstechniken gleichzeitig viele Einzeltransistoren baut und sie dann durch geeignete Metallisierungs-Streifenmuster parallelschaltet. Eine bekannte Maßnahme zur Erzielung einer besseren Kompaktheit des Gesamttransistors und auch zur Verringerung der Länge der Metallstreifen und somit der relativen Widerstände, die sich negativ auf die gleichmäßige Verteilung des Emitterstromes auswirken, besteht darin, die Einzeltransistoren in zwei oder mehreren parallelen Gruppen anzuordnen.

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Um bestmögliche Ergebnisse sowohl im Hinblick auf die Verstärkung als auch auf die optimale Raumnutzung zu erhalten, muß natürlich jeder einzelne Transistor unter Berücksichtigung der oben genannten Anforderungen ausgelegt werden. So hat ein Transistor bekannten Typs, der die Notwendigkeit berücksichtigt, die Sättigungsspannung auf ein Mindestmaß zu reduzieren und die Ströme auszugleichen, einen Emitterbereich, der sich zusammensetzt aus einer Kontaktzone und zwei aktiven Zonen, von denen jede durch einen verengten Abschnitt des Emitterbereichs mit der Kontaktzone verbunden ist. Dank der besonderen Geometrie des Emitters erhält man bei einem solchen Transistor gute Stromverstärkungseigenschaften bei hohen Stromwerten, aber das Problem der maximalen Oberflächennutzung des Plättchens und das der optimalen Verteilung der Stromdichte unter dem Emitter wird nicht gelöst.

Es ist eine Anwendung des vorstehend beschriebenen Einzeltransistors in einem aus mehreren Transistorgruppen bestehenden System bekannt, wobei jede Gruppe mehrere Einzeltransistoren umfaßt, die parallelgeschaltet sind. Darin gibt es jedoch zwischen verschiedenen Einzeltransistoren und zwischen den verschiedenen Gruppen Stromungleichgewichte, weshalb keine gleichmäßige Aktivierung der Einzelkomponenten des Hochleistungssystems erreicht werden kann und deshalb auch keine maximale Nutzung des Plättchens möglich ist. Bei hohen Stromwerten kann es darüber hinaus lokal zu hohen Temperaturen kommen, die das Auftreten von Sekundärdurchbrüchen mit sich bringen.

Bei der Erfindung wird angestrebt, ein Halbleiterelement vom Planar-Epitaxial-Typ zu schaffen, mit mindestens einem Hochleistungstransistor, der aus mindestens einer Gruppe von Einzeltransistoren besteht, die untereinander durch drei verschiedene metallische Leiterbahnen parallelgeschaltet sind, die die jeweiligen Emitter-Basis- und Kollektorströme der Einzeltransistoren zusammenführen, wobei jeder Einzeltransistor einen

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Emitterbereich hat, der eine Emitterkontaktzone, mindestens eine aktive Emitterzone und eine Verbindungszone zwischen der Kontakt- und der Aktivzone aufweist, wobei Stromungleichgewichte vermieden werden sollen, und zwar unter jeder Betriebsbedingung.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Verbindungszonen der Emitterbereiche in der Parallelschaltung der sukzessiven Einzeltransistoren eine progressiv sich verändernde Breite haben.

Wenn der in dem Halbleiterelement enthaltene Hochleistungstransistor durch mehr als eine Einzeltransistorgruppe der oben genannten Art gebildet wird, lassen sich die verschiedenen Gruppen erfindungsgemäß so kompensieren, daß für jede Gruppe gleiche Arbeitsbedingungen für die Emitter bestehen.

Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterelement weist jeder Einzeltransistor nicht nur eine große Stromverstärkung bei hohen Stromwerten auf, sondern ermöglicht auch eine maximale Nutzung des Halbleiterplättchens.

Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels im Zusammenhang mit den Zeichnungen hervor. In den Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 einen Teil des Layouts eines bekannten

Hochleistungstransistors in starker Vergrößerung;

Fig. 2 das elektrische Schaltbild eines Einzeltransistors, der in dem Hochleistungstransistor von Fig. 1 enthalten ist;

Fig. 3 das Layout eines Hochleistungstransistors gemäß der Erfindung;

Fig. 4 einen Teil des Layouts des Hochleistungstransistors von Fig. 3 mit der gleichen Vergrößerung wie in Fig. 1; und

Fig. 5 das elektrische Schaltbild des Hochleistungstransistors gemäß der Erfindung.

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In r.'i_e. 1 wird ein Teil des Layouts ei ir»«? bekannten Hochleistungstransistors gezeigt. Er enthält zwei Einzeltransistoren, deren Emitterbereiche jeweils in zwei aktive Zonen 1, eine Kontaktzone 2 und zwei Verbindungszonen 3 unterteilt werden können, wobei die Verbindungszonen 3 die beiden aktiven Zonen 1 mit der Kontaktzone 2 verbinden. Die Kontaktzone 2 ist mit einem metallischen Emitterkontaktstreifen 4 bedeckt, der mit der Emitterklemme des Hochleistungstransistors verbunden ist. Außerhalb des Emitterbereichs sind Basiskontaktpunkte 5 gezeigt, die untereinander durch einen nicht dargestellten metallischen Kontaktstreifen verbunden sind, der die Verbindung zwischen den Basen eines jeden Einzeltransistors und der Basisklemme des Hochleistungstransistors darstellt. Der metallische Kollektorkontaktstreifen ist nicht dargestellt, da er für den hier beschriebenen Gegenstand nicht von Interesse ist.

Um die baulichen und wirkungsmäßigen Eigenschaften eines Einzeltransistors der in Fig. 1 dargestellten Art besser aufzuzeigen, wird nachstehend auf das äquivalente Schaltbild gemäß Fig. 2 eingegangen, in der die Emitteij-Basis- und Kollektorklemmen jeweils mit E bzw. B bzw. C bezeichnet sind. Der Einzeltransistor besteht aus der Kombination eines ersten Transistors T mit doppeltem Emitter, der dem Teil entspricht, der die beiden aktiven Zonen 1 des Emitters zeigt,und eines zweiten Transistors T¹, der der Mittelzone oder Kontaktzone 2 entspricht. Die Basis des Transistors T ist direkt mit der Basisklemme B des Transistors verbunden und durch einen Widerstand R, mit der Basis von T¹. R^ steht für den äquivalenten Serienwiderstand der Basis zwischen den Basiskontaktpunkten 5 und der Emitterkontaktzone 2. Die beiden Transistoren haben einen gemeinsamen Kollektor, der an die Kollektorklemme C des Transistors angeschlossen ist. Der Emitter von T¹ ist direkt an die Emitterklemme E angeschlossen, und die beiden Emitter von T, die das Vorhandensein von zwei gleichen aktiven Emitterzonen anzeigen, sind an die Emitterklemme E über zwei gleiche Widerstände R™ angeschlossen, die die Anpassungswiderstände gebildet durch die Verbindungszonen 3 darstellen.

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Wie bereits ausgeführt wurde, besteht die übliche Art, einen Hochleistungstransistor zu konstruieren, darin, daß man durch eine Parallelschaltung verschiedene Einzeltransistoren zusammenfaßt. Die Verbindung zwischen solchen Einzeltransistoren erfolgt durch Metallstreifen, die zwar eine gute Leitfähigkeit aufweisen, deren Widerstand jedoch nicht immer vernachlässigt werden darf, wenn man ein gleichmäßiges Funktionieren der Einzeltransistoren der Gruppe erreichen will. Insbesondere führen die Widerstände der die Emitter verbindenden Metallstreifen zu Spannungsabfällen, die wiederum die Basis-Emitter-Spannungen der benachbarten Einzeltransistoren allmählich verringern. Um die Wirkung eines solchen Vorganges zu mindern, sieht die bekannte Anordnung, von der ein Teil in Fig. 1 dargestellt ist, die Parallelschaltung verschiedener Einzeltransistorgruppen in der Weise vor, daß die Strecke der metallischen Verbindungsstreifen so gering wie möglich gehalten wird, und ferner sieht die bekannte Anordnung einen für alle Einzeltransistoren gleichen Widerstand R- vor, der groß genug ist, um die Spannungsabfälle entlang der metallischen Streifen vernachlässigen zu können.

Diese letztgenannte Maßnahme führt in der Praxis dazu, daß die Länge A der Verbindungszone 3 sehr groß ausgelegt werden muß, wofür ein großer Bereich der Oberfläche des Halbleiterplättchens benötigt wird und eine für die Polarisierung des Hochleistungstransistors sehr hohe Basis-Emitter-Spannung erforderlich ist. In der bekannten Anordnung bleibt die Länge A konstant, und somit bleibt auch der entsprechende Widerstand R-p konstant.

Es wird nun auf Fig. 3 eingegangen, in der das Layout eines erfindungsgemäßen Hochleistungstransistors gezeigt wird. Wie man sieht, ist der Hochleistungstransistor in drei Gruppen 10, 11, 12 unterteilt, wobei jede Gruppe eine bestimmte Anzahl von Einzeltransistoren umfaßt, die durch Metallstreifen

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untereinander parallelgeschaltet sind, welche zu den Kontaktzonen des Emitters, der Basis und des Kollektors führen. In Fig. 3 sieht man auch drei eindiffundierte Widerstände R₁, R_?, R-2, von denen jeder mit der Basis des ersten Einzeltransistors der Gruppe 10 bzw./bzw. 12 verbunden ist.

Ein Einzeltransistor 13 ist in Fig. 4 vergrößert dargestellt. Wie bei dem bekannten Einzeltransistor gemäß Fig. 1 ist auch hier der Emitterbereich in zwei aktive Zonen 17 unterteilt, sowie in eine Kontaktzone 18 und in zwei Verbindungszonen 19, die die beiden Zonen 17 mit der Kontaktzone 18 verbinden. Innerhalb der Kontaktzone 18 befindet sich der Emitterkontakt 20, und außerhalb des Eraitterbereichs befinden sich Basiskontakte 21. Im Interesse einer deutlichen Darstellung wurden die Metallstreifen weggelassen. Das äquivalente Schaltbild des Transistors 13 ist gleich dem des bekannten Transistors der Fig. 1, d. h. gleich dem in Fig. 2 dargestellten.

In Fig. 3 ist es wichtig, daß die mit D bezeichnete Breite der Verbindungszonen 19 der Emitterbereiche der verschiedenen Einzeltransistoren nicht wie bei dem oben erwähnten bekannten Transistor konstant ist, sondern in Jeder Gruppe gemäß Fig. 3 von unten nach oben langsam zunimmt. Dies bedeutet, daß die Verbindungszonen 19 der Transistoren an dem den Widerständen R^ , Rp, R, nächstgelegenen Ende breiter sind als die am .entgegengesetzten Ende.

Fig. 5 stellt das Schaltbild für den erfindungsgemäßen Hochleistungstransistor dar. Der Hochleistungstransistor ist in drei Gruppen 10, 11 und 12 unterteilt, und seine Basis-Emitter- und Kollektorklemmen sind mit B bzw. E bzw. C bezeichnet. Die Basisklemme B ist mit den Basen der ersten Einzeltransistoren der Gruppen 10, 11 und 12 durch die Widerstände R^z, Rp bzw. R^ verbunden. Die Kollektoren aller Einzeltransistoren sind mit der Kollektorklemme C verbunden.

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ACE 3601 - 8 -

Die Basen der Eirizeltransistoren der Gruppe 12 sind untereinander verbunden durch die Widerstände Rt₃₂' ^Rb5 ^{und R}b4' die Basen der Einzeltransistoren der Gruppe 11 sind untereinander verbunden durch die Widerstände R^g, R^, ... R^₁₀; die Basen der Einzeltransistoren der Gruppe 10 sind untereinander verbunden durch die Widerstände R-u^p* ^Rb1V *** ^Rbi6* ^Diese

Widerstände R-, stellen die Widerstände der Strecken der bn

Metallstreifen dar, die die Basiskontakte 21 (Fig. 4) miteinander verbinden. Die Emitter der Einzeltransistoren T^, T₂» T,, T. der Gruppe 12 sind an die Emitterklemme E über ein Serienwiderstandsnetz angeschlossen, wobei der Emitter von T₁ über R_E1, R^ , R^, R^, R^ angeschlossen ist, der Emitter von T₂ über R_E2» ^RM?* ^RMV ^RM4 ^anS^escnlossen ist, der Emitter T, durch Rj,,, R^-,, R^ angeschlossen ist und der Emitter T_z über R-ρΛ» R^a angeschlossen ist. Die Widerstände R-p stellen die Widerstände der Verbindungszone 19 (Fig. 4) der Einzeltransistoren dar und die Widerstände R,, stellen die Widerstände der Metallstreifen dar, die die Emitterkontakte 20 der Einzeltransistoren miteinander verbinden. Man beachte, daß für die Emitterwiderstände R~ die Relation gilt:

^REn>^RE(n+1)

Diese Relation beruht auf der fortschreitenden Veränderung der jeweiligen Breite D der Verbindungszone 19 der verschiedenen Einzeltransistoren in der Gruppe.

Die Emitter der Einzeltransistoren der Gruppen 11 und 10 sind an die Emitterklemme E durch Widerstandsnetze geschaltet, die der von Gruppe 12 analog sind mit Ausnahme der Tatsache, daß zwischen dem letzten Widerstand R^ und der Emitterklemme E ein weiterer Widerstandszweig eingeschaltet ist,

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ACE 3601 ·- 9 -

Dieser weitere Widerstandszweig wird für uie Gruppe 11 von dem Widerstand R^! ₂ gebildet und für die Gruppe 10 von der Widerstandsserie R¹-, und R^: _o. Diese beiden Widerstände stellen die Widerstände der Metallstreifen dar, die die Gruppen 11 und 10 mit der Emitterklemme E verbinden.

Nachfolgend wird erörtert, wie in dem Ausführungsbeispiel des in Figuren 4 und 5 dargestellten Halbleitersystems eine gleichmäßige Aktivierung der verschiedenen den Transistor bildenden Gruppen und der jede Gruppe bildenden Einzeltransistoren erreicht wird, d. h. wie eine vollständige Ausbalancierung des Hochleistungstransistors dadurch erzielt wird, daß die Emitterwiderstände R- und die drei eindiffundierten Widerstände R-j, Rp» R^ geeignet dimensioniert werden. Eine Bedingung, die zur Ausbalancierung der Gruppen eingehalten werden muß, ist:

η _ η + 1

Η T

η η + 1

ist/
Dabei-Ί der Gesamtemitterstrom einer Gruppe und N die

Emitteranzahl in einer Gruppe.

In der Anordnung von Fig. 5 besteht noch eine zweite notwendige Bedingung für die Ausbalancierung, nämlich daß die Summe der Spannungsabfälle an den Serienwiderständen in je der Gruppe für jede Gruppe gleich ist; man erhält dann:

(2) R₁I₁₃₁ + R^I₁ = R₂I_b2 + R^₀I₂ + R'_?_ (I₂ + I₃) =

β^τ3 ⁺ ^Rf3^I3 ^{+ Rt}2 ^(I2 ⁺ V

Für das gezeigte Beispiel gemäß Fig. 5 erhält man aus Glei chung (1):

(3) I_{1 =} I_{2 =} I3

ίγ τ~ T

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Wenn man einen Verstärkungswert lip™ für tinen bestimmten Emitterstrom ansetzt, kann man die Ströme I,,., Lp ¹¹¹¹U-I, -, bestimmen, und wenn man Kriterien anwendet, die auf Überlegungen bezüglich der thermischen und elektrischen Stabilität beruhen, erhält man den Wert eines der drei Widerstände R^, Rp und R,. Wenn die Gleichungen (2) und (3) kombiniert, erhält man, da die Widerstände

und Rjyj-ig bekannt sind, wenn man den Abstand zwischen aufeinanderfolgenden Emitterkontakten und die Dicke der Metallisierungsschicht kennt, die Werte der anderen beiden Widerstände .

Eine Bedingung für die Ausbalancierung der Einzeltransistoren ist:

^VBEn ^{+ (R}En ^{+ 2i}W ¹En ^{= V}BEn+1 ^{+ R}b(n₊1) · ^{+ R}E(n+1) *

= Basis-Emitterspannung am betreffenden pn-übergang des Einzeltransistors n;

^VBE(n+1) ⁼ Basis-Emitterspannung ^an* betreffenden pn-übergang des Einzeltransistors n+1;

Rjj_n = Serienwiderstand des Emitters des Einzeltransistors n; Rjyr = Widerstand des Metallstreifens zwischen dem Emitterkontakt des Transistors η und dem des nachfolgenden Transistors; ^Rb(n+1} ⁼ Widerstand des Metallstreifens zwischen dem Basiskontakt des Transistors η und dem des nachfolgenden; ^RE(n+1) ^{= Serienwiders}'^t:an(i des Emitters des Transistors

Lg = Emitterstrom des Transistors n;

I-g/ -j\ = Emitterstrom des Transistors n+1; Lw 1) = Basisstrom, der den Emitter des Transistors n+1 speist.

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Man kann leicht zeigen, daß zunächst einmal die Wirkung der Widerstände R^ im Vergleich zu den Widerständen R_E außer acht gelassen werden kann. Wenn man dann also gleiche Arbeitsbedingungen in den verschiedenen Transistoren der Gruppe erhalten will, d. h. die Spannungen V„-g einander gleich sein sollen, ergibt sich aus der Gleichung (4):

(4·) (R_En +

Gemäß Gleichung (4¹) ergibt sich also, daß der Unterschied zwischen dem Spannungsabfall auf den Widerständen R_E von zwei aufeinanderfolgenden Transistoren gleich dem doppelten Spannungsabfall entlang dem Metallstreifenwiderstand R„ ist, der die Emitterkontakte der Einzeltransistoren miteinander verbindet.

Eine weitere Bedingung für die Egalisierung der Arbeitsbedingungen der Einzeltransistoren ist:

¹En ₌ ^An

A = aktiver Emitterbereich des Transistors n; = aktiver Emitterbereich des Transistors n+1.

Für einen gegebenen Wert von Iw, und einen gegebenen Wert des Emitterstroms des Gesamttransistors kann man, wenn man die aktiven Bereiche des Emitters kennt, alle Parameter der Gleichungen (4) und (5) erhalten mit Ausnahme der Serienwiderstände R_En der verschiedenen Emitter. Es reicht jedoch aus, einen dieser Widerstände festzulegen, um alle anderen zu bestimmen, indem man die Gleichungen (4) und (5) kombiniert,

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Dies ist möglich aufgrund einer Analyse der physikalischen und elektrischen Eigenschaften eines Einzeltransistors. Besonders bei der Bestimmung von Rg muß man die Bedingungen für die thermische Stabilität berücksichtigen, um zu vermeiden, daß die Kontaktzone des Emitterbereichs zu aktiv wird im Vergleich zu den anderen Zonen des Emitters; ebenso müssen die notwendigen Bedingungen zur Ausschaltung des sogenannten Crowding-Phänomens, d. h. das Auftreten eines deutlichen Stromgradienten in der aktiven Zone des Emitterbereichs, beachtet werden.

Mit diesen an sich bekannten Konstruktionskriterien und den oben beschriebenen erfindungsgemäßen Maßnahmen erhält man einen Hochleistungstransistor bestehend aus mehreren in Gruppen zusammengefaßten Einzeltransistoren, der die Nachteile der bekannten Anordnungen nicht aufweist, wobei diese Nachteile auf einer Ungleichmäßigkeit der Emitter-Arbeitsbedingungen in den verschiedenen Einzeltransistoren der Gruppen beruhen. Es wird durch die Erfindung insgesamt gesehen eine bessere Nutzung des Halbleiterplättchens ermöglicht.

Patentansprüche

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Claims

η s _p r *i c h

Γ 1. ^Halbleiterelement vom Planar-Epitaxial-Typ mit mindestens einem Hochleistungstransistor, der aus mindestens einer Gruppe von Einzeltransistoren besteht, die durch drei metallische Leiterbahnen parallelgeschaltet sind, die die Jeweiligen Emitter-, Basis- und Kollektorströme der Einzeltransistoren zusammenführen, wobei jeder Einzeltransistor einen Emitterbereich hat, der eine Emitterkontaktzone, mindestens eine aktive Emitterzone und eine Verbindungszone zwischen der Kontaktzone und der Aktivzone aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungszonen (19) der Emitterbereiche in der Parallelschaltung der aufeinanderfolgenden Einzeltransistoren eine progressiv sich verändernde Breite (D) aufweisen.
2. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daiB die Verbindungszonen (19) der Emitterbereiche der Einzeltransistoren so ausgelegt sind, daß bei jedem Kollektorstromwert des Hochleistungstransistors die Differenz der Spannungsabfälle entlang der elektrischen Widerstände der Verbindungszonen (19) von jeweils zwei Einzeltransistoren, die in der Parallelschaltung aufeinanderfolgen, im wesentlichen gleich ist dem Spannungsabfall am Widerstand der metallischen Leiterbahn, welche die Emitterkontakte (20) der beiden aufeinanderfolgenden Einzeltransistoren miteinander verbindet.
3. Halbleiterelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Hochleistungstransistor sich aus mindestens zwei parallelgeschalteten Einzeltransistorgruppen zusammensetzt, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Einzeltransistor einer jeder Gruppe (12, 11, 10) durch einen in das Halbleiterplättchen eindiffundierten Widerstand (R^, Rp, R^) mit seiner Basis mit einer metallischen Leiterbahn verbunden ist, die zur Basisklemme (B) des Hochleistungstransistors führt.

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