DE2105475C3 - Integrierte Halbleiterschaltung - Google Patents
Integrierte HalbleiterschaltungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltung entsprechend dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1.
In einer allgemein bekannten Ausführungsform einer
In einer allgemein bekannten Ausführungsform einer
ίο integrierten Halbleiterschaltung ist eine Anzahl von
Inseln in einer epitaktischen Schicht vom ersten Leitungstyp, meistens vom N-Leitungstyp vorhanden,
die auf einem Substrat aus einem Material vom entgegengesetzten Leitungstyp (P-Leitungstyp) mit
einem hohen spezifischen Widerstand angebracht ist Die Inseln werden in der epitaktischen Schicht durch
Gebiete mit niedrigere spezifischem Widerstand aus einem Material von dem gleichen Leitungstyp wie das
Substrat definiert, welche Gebiete sich durch die epitaktische Schicht hindurch von der Oberfläche bis zu
dem Substrat erstrecken. Diese Gebiete werden durch Diffusion erhalten und werden gewöhnlich als Isolierzonen
bezeichnet Halbleiterschaltungselemente befinden sich in den Inseln und werden durch Diffusion von
•>5 Verunreinigungen in die Oberflächenteile der Inseln
durch öffnungen in einer schützenden isolierenden Maskierungsschicht auf der Oberfläche der epitaktischen
Schicht gebildet.
Die Verbindungen zwischen den unterschiedlichen Schalungselementen in den Inseln werden durch Teile
einer Metallschicht, die einen Kontakt mit Oberflächenteilen der unterschiedlichen Schaltungselemente bilden
und sich weiter über die schützende Isolierschicht erstrecken, hergestellt. Die elektrische Trennung
zwischen den einzelnen Schaltungselementen in verschiedenen Inseln wird dadurch erhalten, daß die
PN-Übergänge zwischen den (N-leitenden) Inseln und den (P-leitenden) Isolierzonen des Substrats in der
Sperrichtung vorgespannt werden.
•«ο Wenn ein Schaltungselement ein Bipolartransistor,
z. B. ein NPN-Transistor mit diffundierten Emitter- und
Basisgebieten ist, wird das Kollektorgebiet des Transistors durch das ursprüngliche Material einer N-leitenden
Insel in einer N-leitenden epitaktischen Schicht gebildet. Ein Kondensator oder eine Diode kann in einer
integrierten Schaltung durch einen PN-Übergang zwischen einer Insel aus einem Material vom ersten
Leitungstyp (z. B. N-Leitungstyp) und einem Gebiet vom entgegengesetzten Leitungstyp (P-Leitungstyp) in
dieser Insel gebildet werden.
Bei den Entwicklungen von Schaltungsanordnungen in Form integrierter Halbleiterschaltungen der obenerwähnten
Art hat sich gezeigt, daß unerwünschte Rückkopplungseffekte erzeugende Störsignale von
einem Transistor in einer Insel zu einem Transistor in einer anderen Insel über eine aus den Kapazitäten
zwischen dem Kollektorgebiet jedes Transistors und dem Substrat bestehende Bahn und durch Leitung über
das Substrat übergehen können. Es hat sich herausgestellt, daß eine derartige störende Verbindungsbahn, die
falsche Signale veranlaßt, insbesondere in einer integrierten Schaltung auftritt, die einen Verstärker mit
einem Hochleistungs- und Hochfrequenztransistor enthält. Es hat sich weiter herausgestellt, daß unerwünschte
Rückkopplungseffekte erzeugende Störsignaauf gleiche Weise zwischen den Schaltungselementen
(somit nicht notwendigerweise Transistoren) passieren können, die in verschiedenen Inseln liegen und Gebiete
aufweisen, die mit dem Substrat einen PN-Übergang bilden.
Aus der DE-AS 12 93 903 ist eine integrierte Schaltung bekannt- bei der eine tCopplung zwischen
Schalungselementen durch eine Schicht iioher Impedanz
vermieden wird. Es handelt sich dabei um einen Verstärker mit zwei in Gegentakt geschalteten Eingangstransistoren.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Halbleiterschaltung der eingangs genanmen
Art so auszubilden, daß Rückkopplungseffekte nahezu vollständig unterdrückt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale gelöst
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die integrierte Schaltung kann z. B. drei Inseln bzw. Gebiete enthalten, die durch Isolierwände begrenzt
werden und je ein Schaltungselement enthalten, wobei zwei dieser Schaltungselemente in Gegentakt geschaltet
sind und z. B. eine Ausgangsstufe eines Verstärkers bilden. Das dritte Gebiet ist derart in der integrierten
Schaltung angebracht, daß dieses Gebiet am Knotenpunkt eines elektrischen Potentialmusters liegt, das im
Halbleiterkörper infolge Störsignale gebildet werden kann, die von jedem Schaltungselement des in
Gegentakt geschalteten Paares zu dem Schaltungselement im dritten Gebiet laufen.
Die an den erwähnten Gebieten der in Gegentakt geschalteten Elemente auftretenden Spannungen wurden
gegenphasig sein, so daß von diesen Gebieten zu dem am Knotenpunkt liegenden Gebiet laufende
Slörsignale an diesem Knotenpunkt beseitigt werden, wodurch der Rückkopplungseffekt der Störsignale auf
das Schaltungselement im dritten Gebiet vermieden wird.
Bei einer praktischen Ausführungsform der Erfindung kann eine weiteres Gebiet mit einem darin gebildeten
Schaltungselement, von dem ein Teil einen PN-Obergang mit dem Halbleiterkörper bildet, derart in der
integrierten Schaltung angebracht werden, daß das Gebiet dieses Schaltungselementes an einem Knotenpunkt
des elektrischen Potentialmusters liegt, so daß der Rückkopplungseffekt der erwähnten Störsignale auch
bei dem Schaltungselement in dem weiteren Gebiet vermieden wird.
Umgekehrt kann, z. B. falls das Schaltungselement des
dritten Gebietes zu der Ausgangsstufe eines Verstärkers gehört, der Rückkopplungseffekt von Störsignalen,
die von diesem Schaltungselement zu den beiden Schaltungselementen in den beiden anderen Gebieten
laufen, dadurch vermieden werden, daß die beiden Schaltungselemente in Gegentakt miteinander verbunden
werden und ihre Verbindung derart in der integrierten Schaltung angebracht wird, daß die Gebiete
dieser beiden Schaltungselemente an Punkten gleichen Potentials des Potentialmusters liegen, das infolge der
von dem Schaltungselement des dritten Gebietes herrührenden Störsignale auftreten kann.
Bei einer praktischen Ausführungsform der Erfindung können die Gebiete mindestens eines weiteren Paares in
Gegentakt geschalteter Elemente, die einen PN-Übergang mit dem Halbleiterkörper der integrierten
Schaltung bilden, auf gleiche Weise angebracht werden, so daß auch bei diesen Schaltungselementen der
Rückkopplungseffekt der Stör;ignale beseitigt wird.
in gewissen Fällen ist es zweckmäßig, die Schaltung bei einem Transistorverstärker mit einer Gsgentaktausgangsstufe
zu verwenden. Auch kann in gewissen Fällen der Eingang oder die Zwischenstufe eines Verstärkers
als eine Gegentaktstufe ausgebildet werden. Es ist bekannt, daß in jedem dieser Fälle Spannungen gleicher
Größe, aber auch entgegengesetzter Phasen an den Kollektoren der Gegentakttransistoren beim Betrieb
des Verstärkers auftreten werden. Auch können zwei Schaltungselemente von einem anderen Typ, z. B.
Kondensatoren, einer Schaltung in Gegentakt angeordnet werden, wobei gegenphasige Spannungen gleicher
Größe an einer der Elektroden beim Betrieb der Schaltung auftreten werden.
Die vorliegende Erfindung kann also im allgemeinen bei integrierten Schaltungen mit einem Paar in
Gegentakt geschalteter Elemente Anwendung finden, wenn ein durch Störsignale herbeigeführter Rückkopplungseffekt
vermieden werden muß. Insbesondere läßt sich die Erfindung in integrierten Schaltungen eines
Hochfrequenz- und Hochleistungstransistorverstärkers verwenden, der mit einer Gegentakt-Ausgangsstufe
versehen ist.
Bei der praktischen Anwendung der Erfindung, bei der Störsignale von den in Gegentakt geschalteten
Elementen zu dem dritten Gebiet laufen, hängt das Potentialmuster von der Anordnung der beiden
Gebiete, in denen zwei Transistoren oder andere Schaltungselemente das Paar in Gegentakt geschalteter
Elemente bilden, und auch von der Form des vollständigen Isolierungsdiffusionsmusters der integrierten
Schaltung ab. Bei einer symmetrischen Anordnung läßt sich erreichen, daß Knotenpunkte an
der Mittellinie der integrierten Schaltung auftreten. Es ist möglich, daß keine Symmetrie erhalten werden kann,
die Knotenpunkte liegen dann nicht auf der Mittellinie der integrierten Schaltung. Die Lagen der Knotenpunkte
können dann aber durch Lösung der LaplaceGleichungen (ν2Φ = 0) gefunden werden, wobei Φ das
elektrische Potential darstellt. Dies kann unter Verwendung eines elektrolytischen Troganalogons oder mittels
Kippschwingungsverfahren mit einer digitalen Rechenanlage durchgeführt werden.
Bei der praktischen Anwendung der Erfindung, bei der Störsignale von dem dritten Gebiet zu den in
Gegentakt geschalteten Elemente laufen, treffen selbstverständlich die gleichen Erwägungen zu; in diesem
Falle müssen aber Punkte gleichen Potentials (keine Knotenpunkte) des Potentialmusters bestimmt werden.
Bei einer praktischen Ausführungsform eines Hochfrequenz- und Hochleistungs-Mehrstufentransistorverstärkers
in Form einer integrierten Schaltung kann eine Gegentakt-Ausgangsstufe mit zwei Transistoren in
entsprechenden Gebieten der Schaltung verwendet werden, wobei ein oder mehrere Transistoren einer
oder mehrerer vorangehender Stufen, vorzugsweise wenigstens die Eingangsstufe, in einem anderen Gebiet
oder in anderen Gebieten gebildet werden, das bzw. die, wie oben erwähnt, an dem (den) Knotenpunkten) des
Potentialmusters in dem Halbleiterkörper der integrierten Schaltung liegt (liegen). Auch kann die Eingangsstufe
und/oder mindestens eine Zwischenstufe des Verstärkers durch ein in Gegentakt geschaltetes
Transistorenpaar gebildet werden, dessen Transistoren in gesonderten Gebieten liegen, die an Punkten gleichen
Potentials des Potentialmusters irr. Halbleiterkörper liegen, dadurch, daß die Ausgangsstufe des Verstärkers
in einem anderen Gebiet gebildet ist.
Die Erfindung läßt sich außerdem zur Beseitigung des
Rückkopplungseffektes von Störsignalen zwischen Transistoren oder anderen Schaltungselementen verschiedenartiger
in derselben integrierten Schaltung vorhandener Anordnungen verwenden.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung im folgenden näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Querschnitt durch eine integrierte Schaltung mit zwei darin gebildeten Transistoren;
F i g. 2 schematisch die Rückkopplungsbahn zwischen den Kollektorgebieten der beiden Transistoren in der
integrierten Schaltung nach Fig. 1;
F i g. 3 schematisch die Anordnung der Gebiete in einer integrierten Schaltung;
F i g. 4 schematisch die Rückkopplungsbahn zwischen den Kollektorgebieten der Transistoren in der Schaltung
nach F i g. 3;
Fig. 5 schematisch die Anordnung von Gebieten in einer anderen integrierten Schaltung; und
F i g. 6 schematisch die Rückkopplungsbahnen zwischen den Kollektorgebieten der Transistoren in der
Schaltung nach F i g. 5.
Die integrierte Halbleiterschaltung nach Fig. 1 enthält zwei Gebiete 1 und 2, die einen PN-Übergang
mit dem Bereich 4 des Halbleiterkörpers bilden. Die Gebiete 1, 2 sind als Inseln in einer N-Ieitenden
epitaktischen Schicht 3 angebracht, die auf einem den Bereich 4 bildenden Substrat aus P-Ieitendem Material
mit einem hohen spezifischen Widerstand liegt. Die Gebiete 1 und 2 werden in der epitaktischen Schicht 3
durch Isolierwände 5,6 und 7 aus P-leitendem Material
mit einem niedrigen spezifischen Widerstand begrenzt, die sich von der Oberfläche der epitaktischen Schicht 3
bis zu dem Substrat erstrecken. Die Isolierwände 5, 6 und 7 werden durch Diffusion erhalten. In jeder der
Gebiete t und 2 wird ein Bipolartransistor durch Diffusion einer Verunreinigung in die Oberflächenteile
der Gebiete 1 und 2 durch öffnungen in einer schützenden isolierenden (nicht dargestellten) Maskierungsschicht
auf der Oberfläche der epitaktischen Schicht 3 angebracht. In jedem der Gebiete 1 und 2
bildet das N-Ieitende Material den Kollektor eines Transistors, während die Basis dieses Transistors durch
eine Zone 8 (oder 9) aus P-leitendem Material innerhalb der Gebiete und der Emitter des Transistors durch eine
N-Ieitende Zone 10 (oder 11) aus N-!eitendem Material höherer Leitfähigkeit innerhalb der Basiszone 8 oder 9
gebildet wird. Eine N+ -Zone 12 oder 13 aus N-leitendem Material höherer Leitfähigkeit bildet die
Verbindung mit den Kollektoren der Transistoren.
Die Verbindungen mit den beiden Transistoren und die Verbindungen zwischen diesen Transistoren können
durch Teile einer Metallschicht m, die mit den Oberflächenteilen der Transistoren einen Kontakt
bilden, erhalten werden.
Die elektrische Isolierung zwischen den beiden Transistoren in den beiden Gebieten wird dadurch
erhalten, daß die PN-Obergänge zwischen den N-leitenden Gebieten 1 und 2 und dem P-leitenden Substrat 4 in
der Sperrichtung polarisiert und die Isolierwände 5, 6 und 7 vorgesehen werden. Eine starke Quelle möglicher
Rückkopplung ergibt sich aber längs einer Bahn durch das Substrat infolge der Kapazitäten zwischen den
Kollektorgebieten und dem Substrat der beiden Transistoren. Diese Rückkopplungsbahn ist schematisch
in Fi g. 2 dargestellt, in der die beiden Transistoren mit
14 und 15 bezeichnet sind, während ihre Kapazitäten zwischen den Kollektorgebieten und dem Substrat bei
16 und 17 angedeutet sind; die Leitfähigkeit des Substratkörpers 4 wird durch das Widerstandsnetzwerk
18 dargestellt.
Wenn einer der beiden Transistoren durch zwei in voneinander getrennten Gebieten liegende Transistoren
ersetzt wird, bildet sich eine Rückkopplungsbahn zwischen den Kollektoren jedes der beiden Transistoren
und dem Kollektor des anderen Transistors. Dies ist
ίο schematisch in F i g. 3 angegeben, die ein Substrat 19 mit
Gebieten 20, 21 und 22 zeigt, wobei Transistoren 23, 24 bzw. 25 in diesen Gebieten gebildet sind. Die
Kapazitäten zwischen den Kollektorgebieten der Transistoren und dem Substrat sind durch Kondensatoren
26, 27 bzw. 28 dargestellt, während die durch die Leitung des Substratkörpers 19 gebildeten Widerstandsbahnen
durch das Widerstandsnetzwerk 29 dargestellt werden. Fig. 4 zeigt schematisch die
Symmetrie des Widerstandsnetzwerkes 29, die erhalten wird, wenn die Insel 20 symmetrisch zu den Inseln 21
und 22 auf der Mittellinie der integrierten Schaltung angebracht wird. Durch die Gegentaktschaltung der
beiden Transistoren 24 und 25 sind die Kollektorspannungen dieser Transistoren gegenphasig, so daß
etwaige Rückkopplungsspannungen am Kollektor des Transistors 23 von den Kollektoren der Transistoren 24
und 25 an über die Rückkopplungsbahnen die gleiche Größe, aber entgegengesetzte Phasen aufweisen werden,
wodurch sie sich am Kollektor des Transistors 23
so ausgleichen.
Bei dieser symmetrischen Anordnung wird angenommen, daß die Knotenpunkte des elektrischen Potentials
infolge der Rückkopplungsspannungen auf der Mittellinie der integrierten Schaltung liegen. Die Laplace-Gleichung
kann auf obenbeschriebene Weise zur Bestimmung von Nullpotentialpunkten zum Anbringen des
Transistors verwendet werden, für den die Effekte der Rückkopplungsspannungen unterdrückt werden müssen,
und zwar in denjenigen Fällen, in denen keine
4(i symmetrische Anordnung erhalten werden kann.
In F i g. 5 und 6 wird eine Anwendung der Erfindung zur Beseitigung der Wirkung der Rückkopplungsspannungen
von einer Transistorstufe zu zwei oder mehr weiteren Transistoren oder Transistorstufen in den
entsprechenden Gebieten einer integrierten Schaltung dargestellt. Nach Fig. 5 wird die erwähnte Transistorstufe
durch eine Gegentaktstufe mit zwei Transistoren 30 und 31 in Gebieten 32 und 33 gebildet, während jede
der zwei oder mehreren weiteren Gebiete 34 und 35 eine Transistorstufe enthält, welche Stufen aus je einem
Transistor 36 bzw. 37 bestehen. Die Transistoren 36 und 37 können z. B. gleichfalls in Geaentakt geschaltet sein.
Ein Gebiet 38 stellt ein hypothetisches Isolierungsdiffusionsmuster im Substrat 39 der integrierten Schaltung
dar. Widerstände 40 stellen die Leitung des Substratkörpers 39 und Kondensatoren 41—44 stellen die
betreffenden Kapazitäten zwischen den Kollektorgebieten der Transistoren 30, 31, 36 und 37 und dem
Substrat dar. Durch Anbringung jeder der Inseln 34 und
ω 35 an einem Knotenpunkt des Potentialmusters, das im
Substrat 39 infolge Störsignale, die vom Kollektor jedes der in Gegentakt geschalteten Transistoren 30 und 31
herrühren, auftreten kann, wird eine symmetrische Rückkopplungsschaltungsanordnung nach F i g. 6 erhal
ten. Der Rückkopplungseffekt der Störsignale wird
dadurch in jeder der Inseln 34 und 35 beseitigt
Claims (6)
1. Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Halbleiterkörper, von dem ein Bereich einen ersten
Leitungstyp aufweist, wobei an diesen Bereich mindestens ein erstes, ein zweites und ein drittes
Gebiet grenzen, welche Gebiete gegeneinander isoliert sind, je bis zu einer Oberfläche des
Halbleiterkörpers reichen, je mit dem Bereich vom ersten Leitungstyp einen PN-Übergang bilden und
je ein Schaltungselement enthalten, wobei das Schaltungselement des ersten Gebietes und das
Schaltungselement des zweiten Gebietes in Gegentakt geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß die Impedanz des Schaltungsteiles, der den PN-Übergang zwischen dem ersten Gebiet (21,
32) und dem Bereich, den Widerstand in dem zwischen dem ersten und dem dritten (20,34) Gebiet
gelegenen Teil des Bereiches und den PN-Übergang zwischen dem Bereich und dem dritten Gebiet
umfaßt, praktisch gleich der Impedanz des Schaltungsteiles ist, der den PN-Übergang zwischen dem
zweiten (22, 33) Gebiet und dem Bereich, den Widerstand in dem zwischen dem zweiten und dem
dritten Gebiet gelegenen Teil des Bereiches und den PN-Übergang zwischen dem Bereich und dem
dritten Gebiet umfaßt.
2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß an den Bereich ein viertes Gebiet (35) grenzt, das gegen das erste (32),
das zweite (33) und das dritte Gebiet (34) isoliert ist, bis zu der Oberfläche des Haibleiterkörpers reicht,
mit dem Bereich einen PN-Übergang bildet und ein Schaltungselement (37) enthält, wobei die Impedanz
des Schaltungsteiles, der den PN-Übergang zwischen dem vierten Gebiet (35) und dem Bereich, den
Widerstand im Bereich zwischen dem vierten Gebiet (35) und dem ersten Gebiet (32) und den
PN-Übergang zwischen dem Bereich und dem ersten Gebiet (32) enthält, praktisch gleich der
Impedanz des Schaltungsteiles ist, der den PN-Übergang zwischen dem vierten Gebiet (35) und dem
Bereich, den Widerstand im Bereich zwischen dem vierten Gebiet (35) und dem zweiten Gebiet (33) und
den PN-Übergang zwischen dem Bereich und dem zweiten Gebiet (33) enthält.
3. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente des dritten Gebietes (34) und des vierten
Gebietes (35) in Gegentakt geschaltet sind.
4. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß sie einen Transistorverstärker enthält, dessen Ausgangsstufe durch die in Gegentakt geschalteten
und aus Transistoren bestehenden Schaltungselemente des ersten (32) und des zweiten (33) Gebietes
gebildet wird, wobei dis dritte Gebiet (34) einen Transistor einer der vorangehenden Stufen des
Verstärkers enthält.
5. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltungselement
des dritten Gebietes (34) zu der Eingangsstufe des Verstärkers gehört.
6. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das dritte (34) und das vierte (35) Gebiet symmetrisch zu dem ersten (32) und dem zweiten
(33) Gebiet angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB580870 | 1970-02-06 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2105475A1 DE2105475A1 (de) | 1971-08-12 |
DE2105475B2 DE2105475B2 (de) | 1981-04-16 |
DE2105475C3 true DE2105475C3 (de) | 1982-01-21 |
Family
ID=9803001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2105475A Expired DE2105475C3 (de) | 1970-02-06 | 1971-02-05 | Integrierte Halbleiterschaltung |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3697784A (de) |
JP (1) | JPS4945196B1 (de) |
CA (1) | CA939827A (de) |
DE (1) | DE2105475C3 (de) |
ES (1) | ES387993A1 (de) |
FR (1) | FR2080964B3 (de) |
GB (1) | GB1232946A (de) |
NL (1) | NL7101395A (de) |
SE (1) | SE358051B (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7313452A (nl) * | 1973-10-01 | 1975-04-03 | Philips Nv | Absoluut nauwkeurige geintegreerde impedantie. |
JPS5997827U (ja) * | 1982-12-18 | 1984-07-03 | トヨタ自動車株式会社 | ダイスアダプタ |
US5438297A (en) * | 1992-12-30 | 1995-08-01 | Intel Corporation | Electrical trace having a closed loop configuration |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL294700A (de) * | 1962-09-07 | 1900-01-01 | ||
US3421026A (en) * | 1964-06-29 | 1969-01-07 | Gen Electric | Memory flip-flop |
NL6705024A (de) * | 1967-04-08 | 1968-10-09 | ||
US3531655A (en) * | 1968-02-02 | 1970-09-29 | Motorola Inc | Electrical signal comparator |
US3560866A (en) * | 1968-08-20 | 1971-02-02 | Sprague Electric Co | If amplifier with compensated transistor unit |
-
1970
- 1970-02-06 GB GB580870A patent/GB1232946A/en not_active Expired
-
1971
- 1971-02-03 NL NL7101395A patent/NL7101395A/xx unknown
- 1971-02-04 US US112623A patent/US3697784A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-02-05 DE DE2105475A patent/DE2105475C3/de not_active Expired
- 1971-02-05 ES ES387993A patent/ES387993A1/es not_active Expired
- 1971-02-05 SE SE01478/71A patent/SE358051B/xx unknown
- 1971-02-05 CA CA104,552A patent/CA939827A/en not_active Expired
- 1971-02-06 JP JP46004650A patent/JPS4945196B1/ja active Pending
- 1971-02-08 FR FR7104083A patent/FR2080964B3/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2080964A7 (de) | 1971-11-26 |
ES387993A1 (es) | 1973-06-01 |
JPS4945196B1 (de) | 1974-12-03 |
DE2105475A1 (de) | 1971-08-12 |
NL7101395A (de) | 1971-08-10 |
SE358051B (de) | 1973-07-16 |
US3697784A (en) | 1972-10-10 |
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FR2080964B3 (de) | 1973-10-19 |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |