DE2554615C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Verstärker-Schaltungsanordnung entsprechend dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 2.

Durch die US-PS 35 34 279 ist eine Verstärker-Schaltungsanordnung bekannt, wie sie in Fig. 1 der Zeichnung veranschaulicht ist und noch im einzelnen näher erläutert wird.

Aus der Praxis ist weiterhin eine Verstärker-Schaltungsanordnung (gemäß dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 2) bekannt, wie sie in Fig. 2 der Zeichnung dargestellt ist und gleichfalls noch im einzelnen erläutert wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verstärker-Schaltungsanordnung entsprechend dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 2 so auszubilden, daß die Änderung der Kollektorströme bei einer Änderung des Stromverstärkungsfaktors h _FE des Vorspannungstransistors auf einem Minimum gehalten wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale der nebengeordneten Ansprüche 1 und 2 gelöst.

Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 3 und 4.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Fig. 1 bis 5 näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 und 2 Schaltbilder bekannter Verstärker-Schaltungsanordnungen,

Fig. 3 ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispieles der erfindungsgemäßen Verstärker-Schaltungsanordnung,

Fig. 4 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispieles der erfindungsgemäßen Verstärker-Schaltungsanordnung,

Fig. 5 ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Verstärker-Schaltungsanordnung.

Bei der bekannten, in Fig. 1 gezeigten Schaltungsanordnung können, wenn die Basis-Emitter-Spannung V _BE und der Stromverstärkungsfaktor h _FE des Vorspannungstransistors Q₂ gleich denjenigen eines Verstärkungstransistors Q₁ sind, dessen Basis mit der Vorspannung versorgt wird, die Werte der Kollektorgleichströme beider Transistoren und deren Verhältnis auf einen bestimmten Wert festgelegt werden, selbst wenn sich der Faktor h _FE ändert.

Solch ein Vorspannungskreis wird nachstehend anhand der Fig. 1 beschrieben. Ein Verstärkungstransistor Q₁ hat einen Emitter, der über einen Widerstand 1 geerdet ist, einen Kollektor, der über einen Lastwiderstand 3 mit einer Spannungsquelle B⁺ verbunden ist, und eine Basis, die über einen Kondensator 11 mit einem Signaleingangsanschluß t₁ verbunden ist. Ein Ausgangsanschluß t₂ steht an einem Kondensator 12 zur Verfügung, der mit dem Kollektor des Transistors Q₁ verbunden ist.

Ein Vorspannungskreis BK, bestehend aus einem Transistor Q₂ und Widerständen 4, 5 und 6 liefert eine Vorspannung an die Basis des Transistors Q₁. Der Emitter des Transistors Q₂ ist über einen Widerstand 4 geerdet und sein Kollektor ist über einen Widerstand 6 mit der Spannungsquelle B⁺ verbunden. Ein Widerstand 5 bildet einen Vorspannungskreis zwischen Kollektor und Basis und der Kollektor ist über einen Widerstand 2 mit der Basis des Transistors Q₁ verbunden. Die Widerstandswerte der Widerstände 1 bis 6 werden im folgenden mit R₁ bis R₆ bezeichnet, die Spannungen zwischen den Basen und Emittern der Transistoren Q₁ und Q₂ mit V _{BE 1} und V _{BE 2}, die Vorspannungsgleichströme der Transistoren Q₁ und Q₂ mit I _{B 1} und I _{B 2}, ihre Kollektorgleichströme mit I _{C 1} und I _{C 2} und ihre Emittergleichströme mit I _{E 1} und I _{E 2}.

Die Gleichung für die Spannung an dem Kollektor des Transistors Q₂ lautet wie folgt:

I _{E 1} R₁ + V _{BE 1} + I _{B 1} R₂ = I _{E 2} R₄ + V _{BE 2} + I _{B 2} R₅ (1)

Wenn in der Gleichung (1) angenommen wird, daß V _{BE 1} = V _{BE 2} und der Faktor h _FE eines jeden Transistors Q₁ und Q₂ gleich ist, ergibt sich die folgende Gleichung (2):

Wenn die folgende Gleichung (3) erfüllt ist:

I _{C 1} = k I _{C 2} (3)

wobei k eine Konstante ist, und wenn die Gleichung (2) neu geordnet wird, erhält man die folgende Gleichung (4):

Die Bedingung, um die Gleichung (4) unabhängig von Änderungen von h _FE zu erfüllen, ist folgende:

k R₁ = R₄ (5)
k R₂ = R₅ (6)

Wenn die Widerstände R₁, R₂, R₄ und R₅ so gewählt werden, daß sie die Gleichungen (5) und (6) erfüllen, ergibt sich die folgende Gleichung durch Einsetzen der Gleichungen (5) und (6) in die Gleichung (2):

Es ist bekannt, daß der Gleichstrom I _{C 1} temperaturstabilisiert ist, wenn die Gleichung (3) erfüllt ist, und dies bedeutet, daß sich der Strom I _{C 1} aus dem folgenden Grund nicht mit der Temperatur ändert:

Wenn daher die Gleichung (3) erfüllt ist, ist I _{C 1} und damit I _{C 2} unabhängig von Änderungen von h _FE konstant.

Ein Beispiel, bei dem die Basen der beiden Transistoren Q₁ und Q₃ durch einen Vorspannungstransistor Q₂, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, vorgespannt sind, wird nun anhand der Fig. 2 beschrieben, in der entsprechende Elemente wie in Fig. 1 mit den gleichen Bezugsziffern versehen sind.

In Fig. 2 ist Q₃ ein Verstärkungstransistor, der einen Transistorverstärker bildet und der in die Ausgangsstufe des Transistors Q₁ geschaltet ist. Der Emitter des Transistors Q₃ ist über einen Widerstand 7 geerdet. Sein Kollektor ist über einen Lastwiderstand 9 mit der Spannungsquelle B⁺ verbunden und ein Ausgangsanschluß 3 ist mit dem Kollektor verbunden. Die Basis des Transistors Q₃ ist über einen Kondensator 12 mit dem Kollektor des Transistors Q₁ verbunden. Der Kollektor des Transistors Q₂ des Vorspannungskreises BK ist über einen Widerstand 8 mit der Basis des Transistors Q₃ verbunden. Ein Kondensator 13 ist zwischen den Kollektor des Transistors Q₂ und Erde geschaltet und verhindert, daß ein Eingangssignal an der Basis des Transistors Q₃ zu der Basis des Transistors Q₁ über die Widerstände 8 und 2 rückgekoppelt wird.

Die Widerstandswerte der Widerstände 7 bis 9 sind mit R₇ bis R₉ bezeichnet, die Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q₃ ist mit V _{BE 3}, sein Basisgleichstrom mit I _{B 3}, sein Kollektorgleichstrom mit I _{C 3} und sein Emittergleichstrom mit I _{E 3} bezeichnet. Wenn die Transistoren Q₁ und Q₃ z. B. in einem einzigen Halbleiter als integrierter Kreis ausgebildet sind, haben die Transistoren Q₁ und Q₃ im wesentlichen die gleichen Kennlinien. Es ist daher erwünscht, die Kollektorgleichströme I _{C 1} und I _{C 3} im wesentlichen auf den gleichen Wert zu stabilisieren, da die günstigsten Arbeitsgleichströme beider Transistoren im wesentlichen gleich sind.

Bei der Ausführungsform der Fig. 2 können Gleichungen aufgestellt werden, die den Gleichungen (1) bis (4) im Falle der Fig. 1 gleich sind, und wenn die Widerstandwerte R₄, R₅, R₇ und R₈ so gewählt werden, daß sie die folgenden Gleichungen (7) und (8) erfüllen; unter der Annahme, daß V _{BE 2} = V _{BE 3}, wird die folgende Gleichung (9) erfüllt:

k R₇ = R₄ (7)
k R₈ = R₅ (8)
I _{C 3} = k I _{C 2} (9)

Durch Erfüllen der Gleichungen (5), (6), (7) und (8) können daher beide Gleichungen (3) und (9) erfüllt werden, und beide Transistoren Q₁ und Q₃ werden bezüglich der Umgebungstemperatur unter der Bedingung gleicher Kollektorströme stabilisiert.

Wenn der Transistor Q₁ als ein Dämpfungsglied mit einer Verstärkung kleiner als 1 verwendet wird, wird, um den dynamischen Bereich des Transistors Q₁ ausreichend breit zu machen, der Widerstandswert R₁ groß gewählt. Es kann zweckmäßig erscheinen, einen Transistorverstärker mit einer Verstärkung kleiner als 1 in Kombination mit einem weiteren Transistorverstärker mit einer hohen Verstärkung (sehr viel größer als 1) zu verwenden. Solch eine Schaltungskonstruktion wird oft verwendet, um die gesamte Verstärkung von zwei in Kaskade geschalteten Transistorverstärkern zu steuern. Üblicherweise ist der vorausgehende Verstärker, der als Dämpfungsglied arbeitet, ein verstärkungsgesteuerter Verstärker, jedoch zeigt der zugehörige Kreis der Fig. 3 der Einfachheit halber keine Verstärkungssteuereinrichtung.

Fig. 4 zeigt einen weiteren Fall, bei dem die Transistoren Q₁ und Q₃ eine Verstärkung größer als 1 haben und der nachfolgende Transistor Q₃ einen weiteren dynamischen Bereich als der vorangehende Transistor Q₁ hat.

Wenn Q₁ als Dämpfungsglied verwendet wird und die Verstärkung des Transistors Q₁ konstant gehalten wird, ist es notwendig, den Widerstandswert R₃ im Verhältnis zu dem Widerstandswert R₁ groß zu machen. Es ist auch notwendig, den Kollektorstrom I _{C 1} konstant zu machen und die Widerstandswerte R₂, R₄ und R₅ müssen im Verhältnis zu dem Widerstand R₁ groß sein.

Wenn es möglich ist, die Widerstandswerte R₇, R₈ und R₉ im Verhältnis zu dem Widerstandswert R₁ groß zu machen, tritt keine Schwierigkeit auf. Es kann jedoch der Fall eintreten, daß der Widerstandswert R₉ nicht ausreichend groß gemacht werden kann. Der Grund dafür ist folgender:
Da der Widerstandswert R₉ die Eingangsimpedanz der folgenden Stufe einschließt, nämlich des Verstärkerkreises, der dem Transistor Q₃ zugeordnet ist, der eine niedrige Eingangsimpedanz erfordert, kann R₉ nicht ausreichend groß gemacht werden.

Wenn daher die Widerstandswerte R₇ und R₈ im Verhältnis zu R₁ und R₂ groß gewählt werden, um den Kollektorgleichstrom I _{C 3} konstant zu machen, wird die Wechselstromverstärkung klein, die durch das Verhältnis R₉/R₇ bestimmt wird.

Wenn der Widerstandswert R₇ zu groß wird, kann ein starkes thermisches Rauschen auftreten. Es ist daher nicht erwünscht, den Widerstandswert R₇ groß zu machen. Um den dynamischen Bereich des Verstärkerkreises der ersten Stufe weit genug zu machen, muß daher der Widerstandswert R₁ unabhängig von dem thermischen Rauschen groß gewählt werden.

Es gibt einen weiteren Fall, bei dem der Widerstandswert R₁ klein sein muß, während der Widerstandswert R₄ groß sein muß, um die Verstärkung des Transistors Q₁ ausreichend hoch und den dynamischen Bereich des Transistors Q₃ ausreichend weit zu machen. Wenn die Widerstandswerte R₄ und R₅ des Vorspannungskreises BK und die Widerstandswerte R₁ und R₂ so gewählt werden, daß der Transistor Q₁ bei dem günstigsten Kollektorstrom stabilisiert wird, kann der Transistor Q₃ nicht bei dem gleichen Kollektorstrom stabilisiert werden. Wenn dagegen die Widerstandswerte R₄ und R₅ des Vorspannungskreises BK und die Widerstandswerte R₇ und R₈ so gewählt werden, daß der Transistor Q₃ bei dem günstigsten Kollektorstrom stabilisiert wird, kann der Transistor Q₁ bei dem gleichen Kollektorstrom stabilisiert werden.

Im Hinblick auf die Nachteile des Standes der Technik schafft die Erfindung einen einzigen Vorspannungskreis zur Vorspannung der Basen der beiden Transistoren unabhängig von der Differenz der Widerstandswerte, die oben erwähnt wurde.

Außerdem schafft die Erfindung einen Vorspannungskreis, bei dem die Kollektorgleichströme der jeweiligen Transistoren unabhängig von Änderungen des Faktors h _FE durch unabhängige Wahl der Emitterwiderstände der jeweiligen Transistoren auf einem gewünschten konstanten Wert gehalten werden können.

Bei der Ausführungsform der Erfindung, die in Fig. 3 gezeigt ist, sind Elemente, die denjenigen in den Fig. 1 und 2 entsprechen, mit den gleichen Bezugsziffern und -buchstaben versehen und ihre Beschreibung unterbleibt der Einfachheit halber.

In Fig. 3 ist ein Widerstand 10 mit einem Widerstandswert R₁₀ zwischen den Verbindungspunkt der Widerstände 2 und 6 und den Kollektor des Transistors Q₂ geschaltet. Die übrigen Schaltungselemente sind im wesentlichen die gleichen wie in Fig. 2.

Wenn bei der Ausführungsform der Fig. 3 die Widerstandswerte R₄, R₅, R₇ und R₈ so gewählt werden, daß sie die obigen Gleichungen (7) und (8) erfüllen, kann die Gleichung (9) erfüllt werden. Hierbei wird angenommen, daß die Faktoren h _FE der Transistoren Q₁, Q₂ und Q₃ gleich sind (was bedeutet, daß, wenn sie geändert werden, sie sich gleich ändern) und daß die Gleichung V _{BE 1} = V _{BE 2} = V _{BE 3} erfüllt ist.

Wenn der durch den Widerstand 10 fließende Strom mit I₁₀ bezeichnet wird, kann die folgende Gleichung aufgestellt werden:

I₁₀ = I _{E 2} + I _{B 3}

Die Gleichspannung an dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen 2 und 6 wird durch die folgende Gleichung ausgedrückt:

I _{E 1} R₁ + V _{BE 1} + I _{B 1} R₂ = I _{E 2} R₄ + V _{BE 2} + I _{B 2} R₅ + I₁₀R₁₀ (11)

Da V _{BE 1} = V _{BE 2}, kann die Gleichung (11) wie folgt neu geschrieben werden:

Wenn die Gleichung (10) in die rechte Seite der Gleichung (12) eingesetzt wird, kann die rechte Seite wie folgt ausgedrückt werden:

Da das dritte Glied des Ausdrucks (13) ausreichend klein im Vergleich zum ersten Glied ist, kann das dritte Glied vernachlässigt werden, und der Ausdruck (13) bzw. die rechte Seite der Gleichung (12) kann wie folgt geschrieben werden:

Wenn daher die rechte Seite der Gleichung (12) durch den Ausdruck (14) ersetzt wird und die Gleichung I _{C 1} = k I _{C 2} eingesetzt wird, kann die Gleichung (12) wie folgt neu geschrieben werden:

Die Bedingung zur Erfüllung der Gleichung (15) unabhängig von Änderungen des Faktors h _FE ist folgende:

k R₁ = R₄ + R₁₀ (16)
k R₂ = R₅ (17)

Wenn daher die Widerstandswerte R₁, R₂, R₄, R₅, R₇, R₈ und R₁₀ so gewählt werden, daß sie die Gleichungen (7), (8), (16) und (17) erfüllen, wird die Gleichung I _{C 1} = I _{C 3} = k I _{C 2} erfüllt und beide Transistoren Q₁ und Q₃ werden unter der Bedingung R₁ < R₇ bei dem günstigsten Kollektorstrom stabilisiert.

Wenn in der Schaltung der Fig. 2 R₁ = 50 Ohm, R₂ = 5 kOhm, R₃ = 0 Ohm, R₄ = 150 Ohm, R₅ = 15 kOhm, R₆ = 9,1 kOhm, R₇ = 30 Ohm, R₈ = 9,1 kOhm, R₉ = 0 Ohm und die Kondensatoren 12 und 13 entfernt werden, beträgt der Änderungsfaktor des Stroms I _{C 1}, wenn der Faktor h _FE von 200 bis 100 geändert wird, 0,00114 und der derjenige des Stroms I _{C 3} 0,14223.

Wenn dagegen in der Schaltung der Erfindung, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, R₁ = 50 Ohm, R₂ = 5 kOhm, R₃ = 0 Ohm, R₄ = 90 Ohm, R₅ = 15 kOhm, R₆ = 9,1 kOhm, R₇ = 30 Ohm, R₈ = 5 kOhm, R₉ = 9 Ohm, R₁₀ = 60 Ohm und die Kondensatoren 12 und 13 entfernt werden, beträgt der Änderungsfaktor des Stroms I _{C 1}, wenn der Faktor h _FE von 200 bis 100 geändert wird, 0,00415 und derjenige des Stroms I _{C 3} 0,01687.

Wenn der Emitterwiderstand 1 des vorangehenden Transistors Q₁ klein und der Emitterwiderstand 7 des folgenden Transistors Q₃ groß sein soll, um die Verstärkung des vorangehenden Transistors Q₁ ausreichend hoch und den dynamischen Bereich des Transistors Q₃ ausreichend breit zu machen, wird die in Fig. 4 gezeigte Schaltung anstelle der Schaltung der Fig. 3 verwendet. Der einzige physikalische Unterschied der Schaltung der Fig. 4 im Vergleich zur Fig. 3 besteht darin, daß die Basisvorspannungsanschlüsse für die Transistoren Q₁ und Q₃ vertauscht sind.

Die Transistoren Q₁ und Q₃ der Fig. 4 arbeiten daher in der gleichen Weise wie die Transistoren Q₃ und Q₁ der Fig. 3, und die Transistoren Q₁ und Q₃ der Fig. 4 sind unter der Bedingung I _{C 1} = I _{C 3} = k I _{C 2} und R₁ < R₇ stabilisiert. Daher unterbleibt eine detaillierte Erläuterung.

Aus der Erläuterung der Fig. 3 und 4 ist ersichtlich, daß die zweiten Transistoren Q₁ und Q₃ gemeinsam von einem einzigen Vorspannungskreis BK vorgespannt und unter der Bedingung I _{C 1} = I _{C 3} = k I _{C 2} und R₁ R₇ stabilisiert werden.

Die Anordnung der Fig. 3 zeigt den Fall, der weniger oft als die Anordnung der Fig. 4 angewandt wird. In Fig. 3 ist die Verstärkung von Q₁ kleiner als 1 und die Verstärkung von Q₃ größer als 1. Dabei ist R₁ größer als R₇. In der Schaltung der Fig. 4 dagegen ist die Verstärkung von Q₁ größer als 1 ebenso wie die Verstärkung von Q₃ größer als 1 ist. In der Anordnung der Fig. 4 ist daher R₇ größer als R₁. Dies ist die allgemeinere Anordnung, d. h., beide Transistoren Q₁ und Q₃ sind Verstärkungstransistoren.

Wie zuvor angegeben wurde, ist der einzige Unterschied zwischen den Fig. 4 und 3 derjenige, daß in Fig. 3 der Basiskreis von Q₃ ohne den Widerstand R₁₀ mit dem Kollektor Q₂ und der Kollektorkreis des Transistors Q₁ mit dem Kollektorkreis Q₂ über den Widerstand R₁₀ verbunden ist. Dagegen ist in Fig. 4 der Kollektorkreis von Q₃ mit dem Kollektor von Q₂ über den Widerstand R₁₀ verbunden, während der Kollektorkreis von Q₁ ohne den Widerstand R₁₀ mit dem Kollektor des Transistors Q₂ verbunden ist.

Claims (6)

1. Verstärker-Schaltungsanordnung mit einer Arbeitspunktstabilisierung, enthaltend

• a) einen ersten Verstärkungstransistor (Q₁), einen zweiten Verstärkungstransistor (Q₃) sowie einen Vorspannungstransistor (Q₂), wobei die beiden Verstärkungstransistoren (Q₁, Q₃) gleiche Kennlinien aufweisen,
• b) eine Widerstandsverbindung zwischen einem ersten Spannungsanschluß (B+) und dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂),
• c) je eine Kollektorlast (Widerstände mit den Widerstandswerten R₃ bzw. R₉) zwischen dem ersten Spannungsanschluß (B+) und dem Kollektor des ersten bzw. zweiten Verstärkungstransistors (Q₁, Q₃),
• d) Widerstände (Widerstandswerte R 1 bzw. R 7) zwischen einem zweiten Spannungsanschluß (Masse) und dem Emitter des ersten bzw. zweiten Verstärkungstransistors (Q₁ bzw. Q₃),
• e) einen Widerstand (Widerstandswert R 4) zwischen dem Emitter des Vorspannungstransistors (Q₂) und dem zweiten Spannungsanschluß (Masse),
• f) eine gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor und der Basis des Vorspannungstransistors (Q₂),
• g) eine gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des ersten Verstärkungstransistors (Q₁),
• h) eine gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des zweiten Verstärkungstransistors (Q₃),

gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

• i) die Widerstandsverbindung zwischen dem ersten Spannungsanschluß (B+) und dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) wird durch zwei in Reihe geschaltete Widerstände (Widerstandswerte R 6 und R 10) gebildet, wobei die Basis des zweiten Verstärkungstransistors (Q₃) über die gleichstromleitende Verbindung mit dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und dem einen Anschluß des Widerstands R 10 verbunden ist und wobei die Basis des ersten Verstärkungstransistors (Q₁) über die gleichstromleitende Verbindung mit dem anderen Anschluß des Widerstandes R 10 sowie einem Anschluß des Widerstandes R 6 verbunden ist,
• k) die Widerstandswerte R 1, R 4, R 7 und R 10 werden so gewählt, daß das die Stromverstärkung zwischen dem ersten Verstärkungstransistor (Q₁) und dem Vorspannungstransistor (Q₂) bestimmende Verhältnis (R 4 + R 10) /R 1 und das die Stromverstärkung zwischen dem zweiten Verstärkungstransistor (Q₃) und dem Vorspannungstransistor (Q₂) bestimmende Verhältnis R 4 /R 7 konstant ist.

2. Verstärker-Schaltungsanordnung mit einer Arbeitspunktstabilisierung, enthaltend

• a) einen ersten Verstärkungstransistor (Q₁), einen zweiten Verstärkungstransistor (Q₃) sowie einen Vorspannungstransistor (Q₂), wobei die beiden Verstärkungstransistoren (Q₁, Q₃) gleiche Kennlinien aufweisen,
• b) eine Widerstandsverbindung zwischen einem ersten Spannungsanschluß (B+) und dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂),
• c) je eine Kollektorlast (Widerstände mit den Widerstandswerten R 3 bzw. R 9) zwischen dem ersten Spannungsanschluß (B+) und dem Kollektor des ersten bzw. zweiten Verstärkungstransistors (Q₁, Q₃),
• d) Widerstände (Widerstandswerte R 1 bzw. R 7) zwischen einem zweiten Spannungsanschluß (Masse) und dem Emitter des ersten bzw. zweiten Verstärkungstransistors (Q₁ bzw. Q₃),
• e) einen Widerstand (Widerstandswert R 4) zwischen dem Emitter des Vorspannungstransistors (Q₂) und dem zweiten Spannungsanschluß (Masse),
• f) eine gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor und der Basis des Vorspannungstransistors (Q₂),
• g) eine gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des ersten Verstärkungstransistors (Q₁),
• h) eine gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des zweiten Verstärkungstransistors (Q₃),

gekennzeichnet durch folgende Merkmale:

• i) die Widerstandsverbindung zwischen dem ersten Spannungsanschluß (B+) und dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) wird durch zwei in Reihe geschaltete Widerstände (Widerstandswerte R 6 und R 10) gebildet, wobei die Basis des ersten Verstärkungstransistors (Q₁) über die gleichstromleitende Verbindung mit dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und dem einen Anschluß des Widerstands R 10 verbunden ist und wobei die Basis des zweiten Verstärkungstransistors (Q₃) über die gleichstromleitende Verbindung mit dem anderen Anschluß des Widerstandes R 10 sowie einem Anschluß des Widerstandes R 6 verbunden ist.
• k) die Widerstandswerte R 1, R 4, R 7 und R 10 werden so gewählt, daß das die Stromverstärkung zwischen dem ersten Verstärkungstransistor (Q₁) und dem Vorspannungstransistor (Q₂) bestimmende Verhältnis (R 4 + R 10) /R 1 und das die Stromverstärkung zwischen dem zweiten Verstärkungstransistor (Q₃) und dem Vorspannungstransistor (Q₂) bestimmende Verhältnis R 4/R 7 konstant ist.

3. Verstärker-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

• a) die gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor und der Basis des Vorspannungstransistors (Q₂) einen Widerstand (Widerstandswert R 5) enthält,
• b) die gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des ersten Verstärkungstransistors (Q₁) zwei in Reihe geschaltete Widerstände (Widerstandswerte R 2 und R 10) enthält,
• c) die gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des zweiten Verstärkungstransistors (Q₃) einen Widerstand (Widerstandswert R 8) enthält
• d) und daß die Widerstandswerte R 2, R 5 und R 8 so gewählt sind, daß sie die Bedingung erfüllen: kR 2 = kR 8 = R 5.

4. Verstärker-Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß

• a) die gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor und der Basis des Vorspannungstransistors (Q₂) einen Widerstand (Widerstandswert R 5) enthält,
• b) die gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des ersten Verstärkungstransistors (Q₁) einen Widerstand (Widerstandswert R 2) enthält,
• c) die gleichstromleitende Verbindung zwischen dem Kollektor des Vorspannungstransistors (Q₂) und der Basis des zweiten Verstärkungstransistors (Q₃) zwei in Reihe geschaltete Widerstände (Widerstandswerte R 8 und R 10) enthält,
• d) und daß die Widerstandswerte R 2, R 5 und R 8 so gewählt sind, daß sie die Bedingung erfüllen: kR 2 = kR 8 = R 5.