DE2538471A1 - Optisches bauelement mit doppelheterostruktur - Google Patents
Optisches bauelement mit doppelheterostrukturInfo
- Publication number
- DE2538471A1 DE2538471A1 DE19752538471 DE2538471A DE2538471A1 DE 2538471 A1 DE2538471 A1 DE 2538471A1 DE 19752538471 DE19752538471 DE 19752538471 DE 2538471 A DE2538471 A DE 2538471A DE 2538471 A1 DE2538471 A1 DE 2538471A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- mask
- substrate
- taper
- band gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 23
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 2
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 4
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 3
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 2
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 2
- 230000003716 rejuvenation Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004720 fertilization Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 235000015097 nutrients Nutrition 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
- H01L21/02642—Mask materials other than SiO2 or SiN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/918—Single-crystal waveguide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER
ZWIRNER · HIRSCH
PATENTANWÄLTE !N MÜNCHEN UND WIESBADEN 9538471
Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 RadedcestraOe 43 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313
Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenbsrger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237
Western Electric Company, Incorporated Logan, R.A. 26-2-6-9
Broadway
New York, N.Y. 10007
Optisches Bauelement mit Doppelheterostruktur
Die Erfindung betrifft ein optisches Bauelement mit Doppelheterostruktur,
das eine erste und eine zweite Schicht mit großem Energie-Bandabstand sowie eine Zone mit kleinerem
Bandabstand aufweist, die sich dicht benachbart zwischen der ersten und zweiten Schicht befindet, und eine
Strahlungsausbreitung zulässt, sowie ein Verfahren und Vorrichtungen zur Herstellung solcher Bauelemente.
Ein wichtiger Schritt bei der Entwicklung monolithischer integrierter optischer Bauelemente ist die wirksame Lichtübertragung
von einer Wellenleiterschicht zu einer anderen, damit verschiedene Schaltungsbauteile, beispielsweise
Laser, Modulatoren und Detektoren optisch miteinander verbunden werden können. Ein Verfahren zur Ermöglichung
einer solchen Lichtübertragung unter Verwendung
609839/06A0
ORIGINAL INSPBCTED
sich verjüngender Koppler wurde von Tien et al vorgeschlagen und deren Zweckmäßigkeit in Organosilikon-Filmwellenleitern
gezeigt (vergleiche Applied Optics, Band 12, Seite 1909, 1973 und Applied Physics Letters, Band 24, Seite
547, 1974). In AlGaAs-Wellenleitern wurde diese Übertragung zwischen einem passiven Wellenleiter mit erhöhtem
Energie-Bandabstand und -breite durchgeführt, der in Reihe mit der aktiven Schicht eines Doppelheterostruktur-(DH)-Übergangslasers
oder -detektors mit verringertem Bandabstand liegt. (Vergleiche Deutsche Patentanmeldung P 25 27
179.8).
Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung verjüngt sich in einem Doppelheterostruktur-Übergangslaser die aktive
Zone innerhalb der Anordnung auf die Dicke Null. Die Verjüngung verläuft in Richtung der Lichtausbreitung, wodurch
eine Kopplung der in. der aktiven Zone erzeugten Strahlung in eine benachbarte, darunterliegende oder darüberliegende
passive Wellenleiterschicht bewirkt wird. Solche Bauelemente haben bei Herstellung im GaAs-AlGaAs-System hohe
Verjüngungs-Koppelwirkungsgrade und niedrige Laser-Schwellenwertstromdichten
gezeigt. Ein Vorteil dieses Typs von DH-Lasern besteht darin, daß die beispielsweise
in einer GaAs-Zone erzeugte Strahlung mit gutem Wirkungs-
G 0 9 8 :■* ü / Π R /.
.3- 2538^7 1
grad in eine AlGaAs-Wellenleiterschicht mit größerem Bandabstand
und demgemäß kleinerer Dämpfung eingekoppelt wird. Die Aussendung und Modulation innerhalb einer integrierten
Schaltung findet daher in der Schicht kleiner Dämpfung statt, und falls gewünscht, kann die Strahlung an verschiedenen
Punkten innerhalb der Schaltung zurück in eine GaAs-Schicht gekoppelt werden, beispielsweise zum Zwecke der Anzeige
oder Verstärkung.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die sich verjüngende aktive Zone kurz vor den Laser-Spiegeln
enden kann, wodurch die empfindliche aktive Zone gegen eine Vergiftung aus der Umgebung geschützt wird. Demgemäß verringert
sich die Notwendigkeit einer Passivierung. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die
Verjüngung im aktiven Bereich durch eine dünne Maske am Boden einer der Bohrungen einer LPE-Züchtungsapparatur
mit Schieber (siehe unten) erzeugt. Die Maske ist dem Substrat dicht benachbart und verhindert, daß Teile der
Nährlösung direkt oberhalb der Maske das Substrat berühren. Die seitlich benachbarten Teile der Schmelze berühren
jedoch das Substrat und bewirken das Wachsen einer Schicht, die eine Zone gleichmäßiger Dicke angrenzend
an eine sich verjüngende Zone besitzt, deren Dicke an den Kanten der Maske auf Null abnimmt. Die Länge der Ver-
609839/0640
Düngungen beträgt etwa 100 um, während die Zone gleichmäßiger
Dicke nur 0,5 Vim dick ist. Es wurden Verjüngungs-Kopp
elwirkungsgr ade von mehr als 70% zwischen einer sich verjüngenden GaAs-Schicht und einer darunterliegenden
AIq 15Ga0 gt-As-Schicht erreicht. Die sich verjüngenden
Schichten wurden unter Verwendung einer Saphir-Maske gezüchtet .
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher "beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 die schematische Ansicht eines DH-Lasers mit einer einzigen Verjüngung in der aktiven Zone
entsprechend einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 die schematische Seitenansicht eines DH-Lasers mit zwei Verjüngungen in der aktiven
Zone entsprechend einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 die schematische Seitenansicht einer monolithischen
Anordnung eines DH-Modulators und eines DH-Lasers entsprechend einem weiteren
Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 4A eine teilweise weggeschnittene perspektivische Querschnittsansicht einer LPE-Züchtungsapparatur
zur Herstellung von DH-Lasern;
609839/0640
Fig. 4B eine teilweise weggeschnittene perspektivische Ansicht von zwei Einheiten, die in der Apparatur
nach Fig. 4A zur Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Anordnung entsprechend einem
weiteren Merkmal der Erfindung benutzt werden.
In Fig. 1 ist als Ausführungsbeispiel der Erfindung ein DH-Laser gezeigt, der im wesentlichen ein Substrat 10 aufweist,
auf dem die folgenden Schichten in der angegebenen Reihenfolge epitaktisch aufgebracht sind: Eine erste Schicht
12 mit großem Bandabstand, eine passive Wellenleiterschicht 14, eine aktive Zone 16 mit kleinem Bandabstand und eine
zweite Schicht 18 mit großem Bandabstand. Der Energie-Bandabstand der passiven Wellenleiterschicht 14 ist kleiner
als der der Schichten 12 und 18 mit großem Bandabstand, und der Bandabstand der aktiven Zone 16 ist kleiner als der
der Schichten 14 und 18. Im allgemeinen sind die passive Wellenleiterschicht 14 und die aktive Zone 16 vom gleichen
Leitfähigkeitstyp, während die Schichten 12 und 18 mit großem Bandabstand vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind.
Ein pn-übergang wird in der Schichtanordnung dadurch erzeugt, daß man in der Folge des Schichtenwachstums zuerst
6 0 9 ß 3 9 / Ü 6 A 0
2 5 3 8 t, 7Ί
Schichten gleichen Leitfähigkeitstyps wie das Substrat und dann Schichten des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps aufwachsen läßt. Beispielsweise läßt man nach dem
Aufbringen der aktiven Zone 16, die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die vorhergehenden Schichten 12, 14
und das Substrat hat, die Schicht 18 mit dem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufwachsen, wodurch sich ein
pn-übergang zwischen der Schicht 18 und denjenigen Bereichen der Schichten 14 und 16 bildet, die in Kontakt
mit der Schicht 18 sind.
Entsprechend einem Merkmal der Erfindung endet die aktive
Zone 16 innerhalb der Anordnung in einer glatten Verjüngung
16.1. Die Dicke der Verjüngung 16.1 nimmt in Richtung
der Strahlungsausbreitung (Pfeil 13) allmählich auf Null ab.
Auf der Schicht 18 und dem Substrat 10 sind Ohmsche Kontakte
20 und 22 gebildet. Durch Spalten erzeugte parallele Flächen 24 und 26 bilden die Spiegel des Laser-Resonators.
Bei einer Vorspannung in Durchlaßrichtung oberhalb des Laser-Schwellenwertes mit Hilfe der an die Kontakte 20
und 22 angeschlossenen Batterie 28 findet eine stimulierte Strahlungsemission in der aktiven Zone 16 statt. Für einen
608839/0640
_ 2 5 3 9 A 7 1
Dauerstrichbetrieb bei Raumtemperatur beträgt die Dicke der
aktiven Zone 16 vorzugsweise zwischen λ/2 und 1,0 um, wobei λ die Wellenlänge der Strahlung gemessen in der aktiven
Zone ist. Diese Strahlung wird entsprechend dem Pfeil 11 aus der aktiven Zone 16 über die Verjüngung 16.1 in die
darunterliegende passive Wellenleiterschicht 14 gekoppelt. Da die Schicht 14 einen größeren Bandabstand als die aktive
Zone 16 besitzt, wird die eingekoppelte Strahlung nur wenig gedämpft. Die auf diese Weise erzielte Verringerung
der optischen Dämpfung kann von besonderer Bedeutung sein, wenn die eingekoppelte Strahlung über lange Entfernungen
übertragen werden soll oder wenn sie in der Wellenleiterschicht 14 beeinflußt (beispielsweise moduliert) werden
soll.
Zur Verringerung der Strahldivergenz und der Energiedichte auf der Oberfläche 24 kann die passive Wellenleiterschicht
14 mit einer Zone 14.1 größerer Dicke nahe der Ausgangsfläche 24 versehen sein. Darüberhinaus kann die Oberfläche
26 mit einer reflektierenden Beschichtung (nicht gezeigt) versehen sein und/oder die Oberfläche 24 kann mit einer
reflektionsverringernden Beschichtung (nicht gezeigt) versehen werden, um die Abstrahlung durch die Fläche 24 zu
verbessern.
6098 3 9/0640
? R 1 R /.. 7 1
Bei dem Ausführungsbeispiel ist der DH-Laser gemäß Fig. 1 im GaAs-AlGaAs-System hergestellt. Das heißt, daß das
Substrat 10 aus n-GaAs besteht. Die Schichten 12 und 14 sind gebildet aus Al Ga1 R bzw. Al Ga,. R bei y
< x, wobei R wenigstens As und eventuell außerdem P enthält.
Die aktive Zone 16 ist gebildet aus Al2Ga1 R für OS z<y.
Die Schicht 18 enthält Al11Ga1 _rR für r
> ζ und y. In typischer Weise sind das Substrat 10 und die Schichten 12,
14 η-leitend, die Schicht 18 ist p-leitend und die aktive Zone kann entweder n-oder p-leitend oder beides sein
(wenn der pn-übergang sich innerhalb der aktiven Zone befindet. In diesem Fall umfasst der Kontakt 20 in typischer
Weise eine p+-GaAs-Schicht, die auf einer Al Ga1 R-Schicht
18 gebildet ist, um die Herstellung eines guten elektrischen Kontaktes zu erleichtern.
Generell sollten die zur Herstellung der Schichten verwendeten Stoffe eine gute GitterübereinStimmung besitzen,
um die Wahrscheinlichkeit für die Bildung von Fehlstellen (nicht strahlende Rekombinationszentren) in der aktiven
Zone 16 oder in den HeteroÜbergängen 15 und 17 zu verringern.
Im Hinblick darauf enthalten die Schichten zweckmäßig AlGaAsP.
609839/ÜS4Ö
9 „ 2 5 3 ο -'■■- / 1
Unter Verwendung einer LPE-Apparatur und der nachfolgend beschriebenen Verfahren wurde ein DH-Laser der in Fig. 1
gezeigten Art mit folgenden Bestandteilen hergestellt; Ein (100)-orientiertes GaAs-Substrat mit einer n-Dotierung
AQ ~Z
von etwa 2x10 /cm , eine Schicht 12 aus Aln OoGan 7OAs
u,έ.έ. u, /o
mit einer Dicke von etwa 3,3 *im und einer η-Dotierung mit
Sn bei etwa 3x10 /cm , eine Schicht 14 von Aln ^cGan ocAs
KJ f I ^ \J f O^
mit einer Dicke von etwa 0,4 um und η-dotiert mit Sn bei
17 ^
etwa 10 /cm , eine Schicht (aktive Zone 16) aus GaAs mit einer Dicke von etwa 0,5 Jim und einer unfreiwilligen
etwa 10 /cm , eine Schicht (aktive Zone 16) aus GaAs mit einer Dicke von etwa 0,5 Jim und einer unfreiwilligen
η-Dotierung durch normalerweise vorhandene Verunreinigungen
16 ^5
mit etwa 10 /cm und eine Schicht 18 von A1Q 22^a0 78^s mit einer Dicke von etwa 2,8pm und einer p-Dotierung mit Ge bei etwa 3x10 /cm . Auf der Schicht 18 wurde eine übliche Kontaktschicht (nicht gezeigt) von P+GaAs mit einer Zn-Hautdiffusion hergestellt. Die Kontakte 20 und 22 wurden aus Gold bzw. Zinn gebildet.
mit etwa 10 /cm und eine Schicht 18 von A1Q 22^a0 78^s mit einer Dicke von etwa 2,8pm und einer p-Dotierung mit Ge bei etwa 3x10 /cm . Auf der Schicht 18 wurde eine übliche Kontaktschicht (nicht gezeigt) von P+GaAs mit einer Zn-Hautdiffusion hergestellt. Die Kontakte 20 und 22 wurden aus Gold bzw. Zinn gebildet.
Bei diesem Beispiel nimmt die Dicke der Verjüngung 16.1 regelmäßig über eine Länge von etwa 100yum auf Null ab
und die Zone 14.1 war ebenfalls etwa 100 um lang.
Zur Durchführung von Messungen wurden aus einem einzigen
609839/0640
- ίο -
Blättchen sowohl Kontrollaser aus einheitlichen Abschnitten
(ohne die Zone 14.1 und die Verjüngung 16.1) als auch über eine Verjüngung gekoppelte Laser (TCL) der in Fig.
gezeigten Art geschnitten (abgespalten).
Alle Messungen erfolgten bei Raumtemperatur mit einer
Erregung durch Stromimpulse von 100 ns. Typische Kontrolllaser hatten aktive Zonen mit einer Dicke von etwa 0,5yum
und eine Resonatorlänge von etwa 0,5 mm. Für diese Kon-
trollaser betrug die Schwellenwert-Stromdichte J^j1- 2,6 kA/cm
und die differentiellen Quantenwirkungsgrade betrugen
η ^ 38%, wobei im Laser-Betrieb etwa 80% des Spiegels
beleuchtet waren. Die entsprechenden Werte für kürzere Kontrollaser mit Resonator längen von etwa 0,25 mm waren
^th = ^ k&/cm und 1J^- ^3% bei einer Spiegelausleuchtung
von 60%. Aus diesen Daten wurde ein interner Quantenwirkungsgrad 1] . - 80 - 20% bei einer typischen Dämpfungskonstante
0, —16 cm" abgeleitet.
Andererseits besaßen die über eine Verjüngung gekoppelten
Laser eine typische Länge der aktiven Zone von etwa 0,6 mm
und eine Dicke von etwa 0,5 Aim. Dies ergab d+i,— 2,6 kA/cm
und i) dC 28% bei einer typischen Spiegelausleuchtung von
60% im Laserbetrieb. Nimmt man an, daß keine Dämpfung
609 839/0640
in der Zone 14.1 der passiven Wellenleiterschicht auftritt,
so wurde ein Verjüngungs-Koppelwirkungsgrad t
von > 70% gefunden. Bei allen gemessenen, über eine Verjüngung
gekoppelten Lasern (TCL) ergab sich kein Hinweis auf ein Lasern rechtwinklig zum Verjüngungsgradienten.
Außerdem endeten die Verjüngungen sauber ohne irgendein Anzeichen von Streifen oder Überwachsen über den verjüngten
Abschnitt hinaus. Solche Erscheinungen traten gelegentlich vor Entwicklung des nachfolgend beschriebenen
Züchtungsverfahrens auf.
Der Kontakt 20 erstreckt sich gemäß Fig. 1 über die passive Zone 14.1, aber der Stromfluß ist in der Hauptsache
beschränkt auf die aktive Schicht 16 aufgrund der verringerten
Potentialsperre für eine Injektion in den HeteroÜbergang zwischen den Schichten 18 und 16 im Vergleich
zu der zwischen den Schichten 18 und 14.
Alle TCL-Bauelemente zeigten einen hohen Polarisierungsgrad
der Laserstrahlung mit TE-Moden mit Ausnahme der Bereiche nahe den Kanten des Bauteils. Das Vorhandensein
der Verjüngungen veränderte den Grad der Polarisierung nur wenig im Vergleich zu dem der Kontrollaser.
Die Polarisationserscheinung zeigen zusammen mit den
609839/06
oben beschriebenen kennzeichnenden Versuchen klar eine gute Steuerung für das Wachsen der Verjüngung, wodurch
eine monolithische Integration von optischen Wellenleiterbauteilen in kleinem Maßstab möglich wird. Dieses Koppelverfahren
ermöglicht außerdem eine völlige Trennung der aktiven Zone von Außenflächen, beispielsweise Spaltspiegeln,
wodurch eine Vergiftung der aktiven Zone durch die Umgebungsatmosphäre verringert wird.
Es wurde außerdem das Fernfeldmuster für ein TCL-Bauelement
gemessen. Für die aus der engen aktiven Zone 16 an der Oberfläche 26 (wo die Dicke der Zone etwa 0,5 yum beträgt)
austretende Strahlung betrug der Winkel für das Strahlungsfeld bis zur halben Leistung etwa 48 , während der
entsprechende Wert für die passive Wellenleiterschicht an der Oberfläche 24 (wo die Dicke etwa 1,5 p ist) etwa
29° betrug. Diese Werte stimmen gut mit den auf der Grundlage der Wellenleiterabmessungen und Brechungsindices
ermittelten Schätzwerten überein. Das Fernfeldmuster wurde bei verschiedenen Pumppegeln bis zu Strömen entsprechend
2J^j1 geprüft. Es wurde keine Änderung des Musters
über diesen großen Bereich an Stromdichten beobachtet. Der Moden-Auswahlmechanismus aufgrund der dünnen aktiven
Zone 16 und der passiven Wellenleiterschicht 14 war demgemäß
609839/0640
- 13 - 2533471
sehr wirksam. Der Versucht zeigte darüber hinaus, daß eine Moden-Umwandlung in der Zone 14.1 der passiven Wellenleiterschicht
14 vernachlässigbar ist, was sich durch den kleinen Halbenergie-Strahlungswinkel erweist.
Gemäß Fig. 2 wurde außerdem ein TCL-Bauelement hergestellt, in welchem die aktive GaAs-Schicht 16* (mit einer Dicke
von etwa 0,5 lim ) zwei Verjüngungen 16.1 und 16.2 besitzt,
derart, daß die Schicht 16' kurz vor den beiden Oberflächen (Spiegeln) 24' und 26' endet. In der aktiven
Zone 16' erzeugte Strahlung koppelt über beide Verjüngungen in eine passive AIq 15Ga0 gj-As-Wellenleiterschicht 14',
die eine einheitliche Dicke von etwa 0,5 Jtim besitzt. Die
Zone 14.1 gemäß Fig. 1 ist also weggefallen. Die restlichen Schichten sind im übrigen im wesentlichen identisch
mit denen in Fig. 1. Dieses TCL-Bauelement wurde bei /5 kA/cm und 11H ^ 14% zum Lasern gebracht.
Um zu zeigen, daß integrierte Schaltungen unter Verwendung von TCL-Bauelementen sich leicht herstellen lassen,
wurde die monolithische Laser-Modulatorkombination gemäß Fig. 3 gebaut. Die Zusammensetzung der Schichten ist im
wesentlichen identisch mit den vorher beschriebenen. Die aktive GaAs-Zone 16'' des TCL-Lasers war etwa 0,5 Aim
609839/06 U 0
dick und hatte eine einzige Verjüngung 16.1'·, die die
Zone 16'· im Inneren der Anordnung enden läßt. Die passive AIq -icGaQ gt-As-Wellenleiterschicht 14'' hatte eine gleichmäßige
Dicke von etwa 0,5 um. Vor Bildung der metallischen
elektrischen Kontake wurde die zweite Schicht 18' ' mit
großem Bandabstand, wie AIq £2^a0 78As en"thäl"t;>
maskiert und dann selektiv mit einer Lösung von Ip und KI gelöst
in Wasser geätzt, um eine V-förmige Rinne 19 zu bilden, die nach unten bis zur Schicht 18" ' führt. Die Rinne 19
dient zur elektrischen Isolierung des TCL-Lasers vom Abschnitt 21, der bei einer Vorspannung in Sperrichtung
durch die Batterie 23 zur Modulation der in die passive Wellenleiterschicht 14'' eingekoppelten Strahlung dient.
Die Modulation erfolgt entsprechend der Information aus der Quelle 25. Der Modulator war ein DH-Modulator. Die
Rinne 19 kann mit einem elektrischen Isolator, beispielsweise einem Oxyd gefüllt werden, oder anstelle einer
Ätzung kann gleich zu Anfang eine Isolation durch einen Protonenbeschuß erzielt werden.
Die Bauelemente gemäß Fig. 1 bis 3 wurden durch epitaktisches Aufwachsen aus der flüssigen Phase (LPE von liquid phase
epitaxy) unter Verwendung einer herkömmlichen, in Fig. 4A
609839/06 £ 0
dargestellten Züchungsapparatur 50 mit einem Schiffchen
und einem Schieber hergestellt. Die Anordnung enthält ein KohleSchiffchen 52 mit einer Vielzahl von Bohrungen
oder Gruben 54 (zur Erläuterung sind nur vier dargestellt),
die von der Oberseite des Schiffchens in einen Kanal führen, in welchem ein Kohleschieber 56 verschiebbar gelagert
ist. Der Schieber, der den Boden der Gruben bildet, weist zwei Ausnehmungen auf seiner Oberseite auf, in die
ein Substrat 57 und Sättigungskeime 59 eingebracht sind. Der Abstand zwischen den Keimen und dem Substrat ist
gleich dem Abstand zwischen benachbarten Gruben, und die Keime 59 gehen dem Substrat 57 unter jeder Grube voraus.
Der Schieber wird von links nach rechts mit Hilfe eines Quarzstabes 58 bewegt, der in eine Bohrung 60 eingesetzt
ist, welche im Boden des Schiffchens 92 verläuft. Im Stab 58 ist ein Thermoelement 62 angeordnet, um die
Temperatur des Schiffchens zu messen.
Auswechselbare dünnwandige (Wandstärke beispielsweise 0,5 mm) Kohlekästchen 1, 2, 3, 4 ohne Boden passen sauber
in jede Grube. In die Gruben, d.h., in das Innere der Kästchen sind Züchtungslösungen 64 eingebracht. Die gesamte
Apparatur befindet sich in einem Quarzrohr 66,
609839/0640
das innerhalb eines Ofens angeordnet ist. In dem Quarzrohr wird eine reine Hp-Umgebung aufrecht erhalten.
Zum Züchten der Schichten beispielsweise gemäß Fig. 1 war das Substrat 57 (100)-orientiertes η-leitendes GaAs.
Die Kästchen 1, 2 und 4 enthielten Al, Ga, As und Dotierstoffe mit entsprechenden Anteilen zur Züchtung der Schichten
12, 14 und 18, die zusammengesetzt sind aus
0>220>78As, n-AlQf15GaOf85As bzw. pzusammengesetzt
sind. Das Kästchen 3 enthielt Ga und As zum Züchten der aktiven Zone 16 aus n-GaAs, das unabsichtlich
durch normalerweise vorhandene Verunreinigungen dotiert ist. Die Schichten wurden durch Aufheizen der
Lösungen bis zur Sättigung und dann sequentielles Verschieben des Substrats 57 unter die Lösungen gezüchtet,
wobei der Ofen von 8500C mit 0,20C/min abgekühlt wurde.
Man beachte, daß Dotierstoffe und überschüssiges GaAs zu Jeder Züchtungslösung erst nach einem vorhergehenden
Ausheizen bei 8000C für 16 Stunden mit Zugriff zum Quarzrohr
66 durch eine Durchströmungsöffnung hinzugegeben wurden, um das ausgeheizte Ga nicht wieder zu oxidieren.
Die Sättigung am Boden der Lösungen wurde durch die Sättigungskeime 59 sichergestellt.
609839/0640
Zur Herstellung der Zone 14.1 der passiven Wellenleiterschicht in Fig. 1 wurde das Kästchen 2 abgeändert. Wie
in Fig. 4B gezeigt, enthält das Kästchen 2 eine Trennwand 68 aus Kohle, die die Grube in zwei Teile teilt. Die Trennwand
68, die eine Dicke von 100 um besaß und nach unten auf 25yum verjüngt war, wurde so angeordnet, daß ein
schmaler Spalt zwischen ihrer Unterseite und der Oberseite des Substrats verblieb. Die Aufwachsgeschwindigkeit unter
der Trennwand ist eine Funktion der Größe des Spaltes
/O
und nimmt ab von etwa 35 um/ C bei einem Spalt von etwa
30 um auf 4 um/°C bei einem Spalt von 70/um.
Identische Lösungen wurden auf beiden Seiten der Trennwand 68 eingebracht, so daß die passive Wellenleiterschicht
14 eine einheitliche Zusammensetzung von
hatte. Da die Kohle-Trennwand als Kühl0 50 oc-
fläche wirkt, ist die Wachstumsgeschwindigkeit direkt unter der Trennwand größer als in benachbarten Bereichen,
so daß die ursprünglich gewachsene Schicht 14 zwei flache Bereiche verbunden durch eine dickere Zone in Form eines
symmetrischen Höckers besitzt, dessen Breite etwa gleich der der Trennwand ist. Man beachte, daß die Anordnung
gemäß Fig. 1 nur eine der flachen Zonen 14.2 zeigt, da das Plättchen zur Bildung der Zone 14.1 an der Spitze
609839/0640
des Höckers gespalten worden ist.
Entsprechend einem weiteren Merkmal der Erfindung wird
ein LPF-Wachstum von Schichten mit kontinuierlichen Verjüngungen entsprechend beispielsweise der GaAs-Schicht
16 in Fig. 1 durch Abänderung des Kästchens 3 erzielt, derart, daß es eine Saphir-Maske 70 mit einer Dicke von
0,25 mm und einer Breite von 1,1 mm enthält, die zur gleichen Achse 55 wie die Trennwand 68 des Kästchens 2
zentriert ist. Der Abstand zwischen dem Substrat und der Maske betrug 70 um. Die Maske 70 wurde durch Einkerbungen
(nicht gezeigt) auf der Unterseite des Kästchens 3 gehalten. Es ergeben sich zwei Verjüngungen, die der Kante
70.1 bzw. 70.2 der Maske 70 benachbart sind. Die aufwachsenden Schichten haben eine Zone einheitlicher Dicke und eine
Verjüngung nahe der Maske, die gleichmäßig über eine Länge von 100 bis 150 um auf die Dicke Null abnimmt, wobei die
Punkte mit der Dicke Null nahe den Kanten 70.1 und 70.2 liegen. Die Verjüngungen hatten einen Abstand von 1,1 mm
entsprechend annähernd der Breite der Maske. Man beachte wiederum, daß nur eine Verjüngung in Fig. 1 gezeigt ist,
und zwar wegen der Art und Weise, in welcher das Plättchen gespalten wurde.
609839/06^0
Es wurde außerdem gefunden, daß die Verwendung einer Kohlemaske anstelle einer Saphir-Maske unzweckmäßig ist,
weil eine Kohlemaske einen thermischen Gradienten bewirkt, der das Aufwachsen nahe den Kanten 70.1 und 70.2
verstärkt und bewirkt, daß die Schicht (Verjüngung) mit einem plötzlichen Wall endet, statt gleichmäßig in ihrer
Dicke abzunehmen. Allgemein ausgedrückt sollte das Material für die Maske die folgenden Eigenschaften besitzen:
Inert gegen Reaktionen mit den Züchtungslösungen, maschinell bearbeitbar oder formbar und mit genügend kleiner
thermischer Leitfähigkeit, so daß sich keine merkbare örtliche Abkühlung der Schmelze ergibt, die ein örtliches
Aufwachsen begünstigt. Zu solchen Materialien zählen beispielsweise weitere Oxyde (Quarz) und Bohrnitrid.
Es sei darauf hingewiesen, daß die oben beschriebenen Anordnungen lediglich Beispiele für viele mögliche Abwandlungen
im Rahmen der Erfindung sind. Insbesondere ermöglicht das bei der Schichtenzüchtung verwendete Verfahren
mit den Kästchen große Variationen für die Züchtungsverfahren, wobei diese Variationen für das Züchten von monolithischen
integrierten optischen Bauteilen zweckmäßig sind, ohne daß für jede gewünschte Folge von epitaktischen
Schichten ein völlig neues Züchtungsschiffchen entwickelt
werden muß. Darüber hinaus beeinflußt die Variation der
609839/06/, 0
2 5 3 8 4 7 Ί
Eigenschaften einer Schicht, die unter Verwendung eines geeignet ausgebildeten Kästchens erzielt worden sind, die
Wachstumsbedingungen der benachbarten Schichten nicht. Die Verwendung der Maske 70 ermöglicht zwar das Aufwachsen
von Schichtabschnitten mit verjüngten Kanten, aber dieses Verfahren kann auch benutzt werden, um einen
Bereich des Wellenleiters freizulassen, beispielsweise in Form der Grube 19 in Fig. 3. Der auf diese Weise gebildete
passive Einzel-Heterostruktur-Wellenleiterabschnitt kann eine elektrische Isolierung zwischen benachbarten Bauteilen
bewirken, und an dem freiliegenden Wellenleiter kann man verschiedene Verarbeitungsoperationen bekannter
Art zur Herstellung von Bauteilen durchführen, beispielsweise verteilten Bragg-Reflektoren, Durchlaßfiltern,
rippenförmigen Wellenleitern zur Verbesserung der Moden-Steuerung für seitlich passive Wellenleiter und weitere
Bauelemente, deren Betriebsweise kein Wiederaufwachsen von ummantelnden Schichten erfordert. Die Möglichkeit
einer unabhängigen Beeinflußung des Divergenz-Winkels über die Zone 14.1 ermöglicht eine Optimierung für die
Ankopplung des Lasers an optische Fasern. Darüber hinaus kann eine Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) ebenfalls zum
Züchten von Schichten mit Verjüngungen benutzt werden. Sowohl das LPE- als auch das MBE-Verfahren sind in bekannter
Weise generell zum Züchten von Schichten der Gruppe-IIl(a)-V(a)-Verbindungen geeignet.
609839/0640
253847Ί
Mit Hilfe einer Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) wurden extrem gleichmässige und graduelle Verjüngungen mit hohem
Kopplungswirkungsgrad hergestellt. Die Anordnung enthielt ein GaAs-Substrat, auf dem drei Schichten aufgewachsen
wurden: AIq ^Gsq gAs, AIq -jGaQ gAs und GaAs. Die GaAs-Schicht
war verjüngt. Die beiden AlGaAs-Schichten wurden mit Hilfe bekannte MBE-Verfahren gezüchtet, die in der
USA-Patentschrift 3 615 931 und in einem Aufsatz von Cho in J. Vac. Sc. and Tech, Band 8, Seite 531, 1971 beschrieben
sind. Das Substrat wurde auf einer Temperatur von etwa +6000C gehalten und die Wachstumsgeschwindigkeiten
betrugen etwa 1 um/h. Vor Beginn des Auf Wachsens der GaAs-Schicht wurde eine 0,25 mm dicke scharfkantige Maske aus
Tantal in ihre Lage etwa 1,4 mm oberhalb der Fläche des Substrats gekippt, wodurch ein Teil des Substrats gegen
die etwa 60 mm von der Maske entfernten Ga-und As-Quellen abgedeckt wurde. Es wuchs dann die GaAs-Schicht auf den
unmaskierten Bereichen auf, begrenzt durch lineare Verjüngungen mit einer Breite von etwa 200 um im Halbschattenbereich
der Maskenkanten. Diese Verjüngungen waren außerordentlich regelmäßig mit Ausnahme eines 20 um breiten Streifens
nahe ihrer Kante mit der Dicke Null. Die optische Durchlässigkeit dieser Verjüngung betrug etwa 84% nahe dem
GaAs-Bandabstand (A=O,93 Aim) und nahezu 100% bei 1,06 Aim
609839/0640
unter Verwendung einer Laserquelle. Eine optische Prüfung der Oberfläche zeigte, daß die Hauptverluste auf einer
Streuung aus der Verjüngung in dem rauhen, 20 Aim breiten
Streifen herrührten, die mit abnehmender Wellenlänge zunahmen .
Zur Verringerung des Bereichs schlechten GaAs-Wachstums an der Kante der Verjüngung wurde eine schlitzförmige
Öffnung von 6,1 mm vor die Ga-Kanone mit einem Durchmesser von 9j5 mm gesetzt, wodurch die Quelle auf einen Bereich
verhältnismäßig gleicher Flußdichte gebracht und die Innenwände der Kanone ausgeschaltet wurden, die eine kleinere
Flußdichte erzeugen. Es ergab sich eine wesentliche Verbesserung. Das in einem Interferenz-Mikroskop betrachtete
Profil war von merklich besserer Linearität, der rauhe Bereich war auf nur einige wenige Mikrometer
verringert und der Kopplungswirkungsgrad stieg auf im wesentlichen 100% bei allen Wellenlängen an. Die Verjüngungen
waren außerdem etwas kurzer, ihre Länge betrug etwa 160 um. Die verbesserte Güte brachte einen verringerten
Bereich mit langsamem Wachstum ( ^.0,1 um/h) an der
Kante der Verjüngung mit der Dicke Null mit sich, die auf der Apertur der Kanone beruhte.
609839/0640
Claims (17)
- BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMERPATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADENPostadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Pateniconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237Western Electric Company, Incorporated Logan, R.A. 26-2-6-ζBroadwayNew York, N.Y. 10007 U.S.A.Patentansprüche/ 1.J Optisches Bauelement mit Doppelheterostruktur, das eine erste und eine zweite Schicht mit großem Energie-Bandabstand sowie eine Zone mit kleinerem Bandabstand aufweist, die sich dicht benachbart zwischen der ersten und zweiten Schicht befindet und eine Strahlungsausbreitung zulässt,dadurch gekennzeichnet, daß die Zone eine passive optische Wellenleiterschicht mit einem Energie-Bandabstand kleiner als der der ersten und zweiten Schicht und eine an die Wellenleiterschicht angrenzende aktive Schicht enthält, deren Energie-Bandabstand kleiner als der der Wellenleiterschicht ist,daß die aktive Schicht an einem Ende innerhalb des Bauelementes mit einer gleichmäßigen Verjüngung ausläuft, die in der Lage ist, Strahlung aus der aktiven609839/0640Schicht in die Wellenleiterschicht zu koppeln, und daß sich die Verjüngung in Richtung der Strahlung sausbreitung erstreckt.
- 2. Bauelement nach Anspruch 1, mit einer Ausgangsfläche, von der Strahlung ausgeht,dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiterschicht angrenzend an die Ausgangsfläche einen Bereich größerer Dicke als der übrige Teil der Wellenleiterschicht aufweist und daß die Dicke dieses Bereiches langsam von der Ausgangsfläche in Richtung auf das Innere des Bauelementes abnimmt.
- 3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das andere Ende der aktiven Schicht in einer zweiten Verjüngung innerhalb des Bauelementes endet und daß sich beide Verjüngungen in Richtung der Strahlungsausbreitung, aber entgegengesetzt zueinander erstrecken.
- 4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,609839/0 6 40-25- 25 3 8daß die erste und zweite Schicht Al Ga,. R und AlGa1 R beinhalten, wobei R wenigstens As enthält und χ > 0, y > 0 sind, daß die Wellenleiterschicht Al-Ga1 R bei 0 < ζ <x und y aufweist und daß die aktive Schicht Al Ga^_rAs bei 0<r<z enthält.
- 5. Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß r = 0 ist und die aktive Schicht GaAs enthält.
- 6. Bauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß R sowohl P als auch As enthält.
- 7. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Schicht vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind, und daß die Wellenleiterschicht und die aktive Schicht den gleichen Leitfähigkeitstyp haben.
- 8. Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung vorgesehen ist, um das Bauelement in Vorwärtsrichtung vorzuspannen und einen Strom oberhalb des Laser-Schwellenwertes der aktiven Schicht zu609839/064 0liefern, wodurch eine Laser-Strahlung in der aktiven Schicht erzeugt wird.
- 9. Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat, die eine Verjüngung angrenzend an eine Zone gleichmäßiger Dicke besitzt, mit Hilfe einer Epitaxie aus der flüssigen Phase, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maske in dichtem Abstand über einem Teil des Substrats angeordnet wird,daß eine gesättigte Quellenlösung in Kontakt mit dem Substrat gebracht wird, während ein gesteuertes Abkühlprogramm für eine Zeitdauer aufrechterhalten wird, die zu einem Wachsen der Schicht bis zu der gewünschten Dicke führt, und daß die Verjüngung angrenzend an die Kanten der Maske gebildet wird.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9»
dadurch gekennzeichnet, daß die Quellenlösungen Ga enthalten und die Maske Saphir aufweist. - 11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die gesättigte Quellenlösung Ga und As enthält.609839/0640-27- 2533^71 - 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung aus Bestandteilen zusammengesetzt ist, die zum Aufwachsen einer Schicht führen, welche eine Verbindung der Form Al„Ga^ _Jt für 0 <x aufweist und wobei R wenigstens As enthält.
- 13. Verfahren nach einem der Anspruch 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß R außerdem P enthält, und daß die Schicht AlxGa1^As1 P für y > 0 aufweist.
- 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13,dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar vor dem Aufwachsen der verjüngten Schicht eine erste Schicht mit einem größeren Energie-Bandabstand als die verjüngte Schicht gezüchtet wird, daß dann die Maske in dichtem Abstand von der ersten Schicht angebracht und unmittelbar nach dem Aufwachsen der verjüngten Schicht eine zweite Schicht mit einem größeren Energie-Bandabstand als die verjüngte Schicht gezüchtet wird.609839/0640
- 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar vor dem Aufwachsen der verjüngten Schicht eine erste Schicht mit einem größeren Energie-Bandabstand als die verjüngte Schicht gezüchtet wird, daß dann die Maske in dichtem Abstand zu der ersten Schicht angebracht wird und Verarbeitungsoperationen auf demjenigen Teil der ersten Schicht durchgeführt werden, welcher sich unter der Maske befand.
- 16. Vorrichtung zur Herstellung des Bauelementes nach Anspruch 1 mit einem Halter für die Quellenlösung, der wenigstens eine Bohrung für eine Quellenlösung enthält, und mit einem Substrathalter, der eine Ausnehmung zur Aufnahme eines Substrats besitzt, wobei der Quellenlösungshalter und der Substrathalter relativ zueinander beweglich sind, um die Lösung und das Substrat in Kontakt miteinander zu bringen, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung eine dünne flache Maske enthält, die am Boden der Bohrung in dichtem Abstand von dem Substrat angeordnet ist, daß die Maske den unter ihr befindlichen Teil des Substrats gegen die Quellenlösung abschirmt und daß die Verjüngung an der Kante der Maske gebildet wird.609839/0640
- 17. Vorrichtung nach Anspruch 16,dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung ein entfernbares hohles Modul enthält, das sauber in die wenigstens eine Bohrung passt, daß das Modul am Boden und der Oberseite offen ist, um die Aufnahme der Lösung und einen Kontakt mit dem Substrat zu ermöglichen, und daß die Maske quer über dem offenen Boden des Moduls befestigt ist.609839/0640
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/557,250 US3978426A (en) | 1975-03-11 | 1975-03-11 | Heterostructure devices including tapered optical couplers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2538471A1 true DE2538471A1 (de) | 1976-09-23 |
DE2538471C2 DE2538471C2 (de) | 1990-04-26 |
Family
ID=24224637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752538471 Granted DE2538471A1 (de) | 1975-03-11 | 1975-08-29 | Optisches bauelement mit doppelheterostruktur |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3978426A (de) |
JP (1) | JPS5856990B2 (de) |
BE (1) | BE832985A (de) |
CA (1) | CA1044356A (de) |
DE (1) | DE2538471A1 (de) |
ES (2) | ES440764A1 (de) |
FR (1) | FR2313779A1 (de) |
GB (2) | GB1530801A (de) |
IT (1) | IT1047165B (de) |
NL (1) | NL183746C (de) |
SE (1) | SE403011B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3738053A1 (de) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Siemens Ag | Laseranordnung mit mindestens einem laserresonator und einem damit verkoppelten passiven resonator |
DE3836802A1 (de) * | 1988-10-28 | 1990-05-03 | Siemens Ag | Halbleiterlaseranordnung fuer hohe ausgangsleistungen im lateralen grundmodus |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4028146A (en) * | 1975-03-11 | 1977-06-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | LPE Technique for fabricating tapered optical couplers |
US4093345A (en) * | 1976-05-27 | 1978-06-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor rib waveguide optical modulator with heterojunction control electrode cladding |
GB1572874A (en) * | 1977-02-22 | 1980-08-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical waveguides |
US4124270A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-07 | United Technologies Corporation | Monolithic, three-dimensional infrared waveguide for high power lasers |
US4136928A (en) * | 1977-05-06 | 1979-01-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical integrated circuit including junction laser with oblique mirror |
US4190813A (en) * | 1977-12-28 | 1980-02-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Strip buried heterostructure laser |
US4185256A (en) * | 1978-01-13 | 1980-01-22 | Xerox Corporation | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication |
US4159452A (en) * | 1978-01-13 | 1979-06-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Dual beam double cavity heterostructure laser with branching output waveguides |
JPS5562792A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-12 | Nec Corp | Injection type semiconductor laser element |
JPS56112786A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser |
JPS56112785A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Nec Corp | Semiconductor laser |
JPS56112782A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Nec Corp | Semiconductor laser |
JPS56112784A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Nec Corp | Semiconductor laser |
JPS5898996A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-13 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 注入形レ−ザ |
US4464211A (en) * | 1982-05-26 | 1984-08-07 | At&T Bell Laboratories | Method for selective area growth by liquid phase epitaxy |
US4488307A (en) * | 1982-06-07 | 1984-12-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Three-mirror active-passive semiconductor laser |
JPS5940592A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
US4523316A (en) * | 1982-10-29 | 1985-06-11 | Rca Corporation | Semiconductor laser with non-absorbing mirror facet |
US4523317A (en) * | 1982-10-29 | 1985-06-11 | Rca Corporation | Semiconductor laser with reduced absorption at a mirror facet |
JPS59188988A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Nec Corp | 半導体レ−ザおよびその駆動方法 |
US4577933A (en) * | 1983-12-15 | 1986-03-25 | Xerox Corporation | Gap modulator for high speed scanners |
US4581742A (en) * | 1984-04-10 | 1986-04-08 | Rca Corporation | Semiconductor laser having a non-absorbing passive region with beam guiding |
US4631730A (en) * | 1984-09-28 | 1986-12-23 | Bell Communications Research, Inc. | Low noise injection laser structure |
JPH0632339B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1994-04-27 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ |
DE3587249D1 (de) * | 1985-01-07 | 1993-05-13 | Siemens Ag | Monolithisch integrierter wdm-demultiplexmodul und ein verfahren zur herstellung eines solchen moduls. |
JPH0626276B2 (ja) * | 1985-01-14 | 1994-04-06 | 日本電気株式会社 | レ−ザ光直接周波数変調方法 |
US4709371A (en) * | 1985-10-18 | 1987-11-24 | West Fred D | Variable wavelength laser diode |
US4745607A (en) * | 1986-10-08 | 1988-05-17 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Interlayer directional coupling in antiresonant reflecting optical waveguides |
CA2020246C (en) * | 1989-08-03 | 1994-02-01 | Thomas L. Koch | Tapered semiconductor waveguides and method of making same |
US4944838A (en) * | 1989-08-03 | 1990-07-31 | At&T Bell Laboratories | Method of making tapered semiconductor waveguides |
US4932032A (en) * | 1989-08-03 | 1990-06-05 | At&T Bell Laboratories | Tapered semiconductor waveguides |
EP0498170B1 (de) * | 1991-02-08 | 1997-08-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Integriert optisches Bauelement für die Kopplung zwischen unterschiedlich dimensionierten Wellenleitern |
US5109464A (en) * | 1991-05-24 | 1992-04-28 | Amoco Corporation | Rib waveguide optimized for low loss coupling to optical fibers and method of determining same |
FR2684823B1 (fr) * | 1991-12-04 | 1994-01-21 | Alcatel Alsthom Cie Gle Electric | Composant optique semi-conducteur a mode de sortie elargi et son procede de fabrication. |
US5216727A (en) * | 1992-05-08 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Integrated nonlinear waveguide spectrometer |
US5577141A (en) * | 1995-03-10 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Two-dimensional segmentation mode tapering for integrated optic waveguides |
US6052397A (en) | 1997-12-05 | 2000-04-18 | Sdl, Inc. | Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam |
JP2003519438A (ja) | 1999-04-27 | 2003-06-17 | シュラムバーガー ホールディングス リミテッド | 放射源 |
US6341189B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-01-22 | Sparkolor Corporation | Lenticular structure for integrated waveguides |
US6293688B1 (en) | 1999-11-12 | 2001-09-25 | Sparkolor Corporation | Tapered optical waveguide coupler |
US7088756B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-08-08 | Imra America, Inc. | Polarization maintaining dispersion controlled fiber laser source of ultrashort pulses |
KR100431084B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2004-05-12 | 한국전자통신연구원 | 광도파로 및 그의 제조 방법 |
US20040211972A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-28 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode |
EP3821505A4 (de) * | 2018-07-13 | 2022-07-06 | The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy | Hochstabile halbleiterlaser und sensoren für iii-v- und silicium-photonische integrierte schaltungen |
US11131806B2 (en) | 2020-01-15 | 2021-09-28 | Quintessent Inc. | System comprising an integrated waveguide-coupled optically active device and method of formation |
US11631967B2 (en) | 2020-01-15 | 2023-04-18 | Quintessent Inc. | System comprising an integrated waveguide-coupled optically active device and method of formation |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3428845A (en) * | 1966-11-21 | 1969-02-18 | Rca Corp | Light-emitting semiconductor having relatively heavy outer layers for heat-sinking |
CH449799A (de) * | 1967-03-07 | 1968-01-15 | Inst Angewandte Physik | Diodenlaser |
DE1812199C3 (de) * | 1968-12-02 | 1980-07-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Integrierte, optisch-elektronische Festkörper-Schaltungsanordnung |
GB1383549A (en) * | 1972-07-28 | 1974-02-12 | Post Office | Optical communications systems |
US3883888A (en) * | 1973-11-12 | 1975-05-13 | Rca Corp | Efficiency light emitting diode |
-
1975
- 1975-03-11 US US05/557,250 patent/US3978426A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-08-29 DE DE19752538471 patent/DE2538471A1/de active Granted
- 1975-09-02 BE BE159669A patent/BE832985A/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-09-02 SE SE7509739A patent/SE403011B/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-09-05 ES ES440764A patent/ES440764A1/es not_active Expired
- 1975-09-05 GB GB36603/75A patent/GB1530801A/en not_active Expired
- 1975-09-05 NL NLAANVRAGE7510493,A patent/NL183746C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-09-05 GB GB20209/78A patent/GB1530802A/en not_active Expired
- 1975-09-05 IT IT69232/75A patent/IT1047165B/it active
- 1975-09-05 FR FR7527320A patent/FR2313779A1/fr active Granted
- 1975-09-06 JP JP50107589A patent/JPS5856990B2/ja not_active Expired
- 1975-10-09 CA CA237,315A patent/CA1044356A/en not_active Expired
-
1976
- 1976-01-22 ES ES444528A patent/ES444528A1/es not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
Non-Patent Citations (12)
Title |
---|
Applied Optics, Vol. 10, 1971, Nr. 11, S. 2395-2413 * |
Applied Optics, Vol. 12, 1973, Nr. 8, S.1909-1916 * |
Applied Physics Letters, Vol. 24, 1974, Nr. 11, S. 547-549 * |
Applied Physics Letters, Vol. 25, 1974, Nr. 10, S. 622-624 * |
Applied Physics Letters, Vol. 26, 1975, Nr. 6, S. 337-340/Veröff.: 15. März 1975 * |
In Betracht gezogene älter Anmeldung: DE 25 27 179 A1, Ant.: 18.6.75 * |
J. Appl. Phys., Vol. 43, 1972, Nr. 2, S. 561-567 * |
J. Appl. Phys., Vol. 45, 1974, Nr. 1, S. 322-333 * |
J. Appl. Phys., Vol.43, 1972, Nr. 6, S. 2817-2826 * |
J. Vac. Sci. Techn., Vol. 8, 1971, Nr. 5, S. S31-S38 * |
KITTEL,C.: Einführung in die Festkörperphysik, 2. Aufl., München, R. Oldenburg-Verl., 1969, S. 243 * |
Optics an Laser Technology, 1972, S. 273-280 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3738053A1 (de) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Siemens Ag | Laseranordnung mit mindestens einem laserresonator und einem damit verkoppelten passiven resonator |
US5070511A (en) * | 1987-11-09 | 1991-12-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Laser arrangement having at least one laser resonator and a passive resonator coupled thereto |
DE3836802A1 (de) * | 1988-10-28 | 1990-05-03 | Siemens Ag | Halbleiterlaseranordnung fuer hohe ausgangsleistungen im lateralen grundmodus |
US4977567A (en) * | 1988-10-28 | 1990-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor laser arrangement for high output powers in the lateral fundamental mode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS51104843A (de) | 1976-09-17 |
ES444528A1 (es) | 1977-06-16 |
CA1044356A (en) | 1978-12-12 |
FR2313779B1 (de) | 1978-06-23 |
JPS5856990B2 (ja) | 1983-12-17 |
SE7509739L (sv) | 1976-09-13 |
NL183746C (nl) | 1989-01-02 |
BE832985A (fr) | 1975-12-31 |
DE2538471C2 (de) | 1990-04-26 |
IT1047165B (it) | 1980-09-10 |
NL7510493A (nl) | 1976-09-14 |
GB1530802A (en) | 1978-11-01 |
SE403011B (sv) | 1978-07-24 |
FR2313779A1 (fr) | 1976-12-31 |
GB1530801A (en) | 1978-11-01 |
NL183746B (nl) | 1988-08-01 |
ES440764A1 (es) | 1977-04-01 |
US3978426A (en) | 1976-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2538471A1 (de) | Optisches bauelement mit doppelheterostruktur | |
DE2527179A1 (de) | Halbleiterbauelement mit heterostruktur sowie herstellungsverfahren hierfuer | |
DE69115596T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung | |
DE3689067T2 (de) | Verfahren zur herstellung von optischen halbleiterstrukturen. | |
DE69406049T2 (de) | Lichtmittierende Halbleitervorrichtung mit einer dritten Begrenzungsschicht | |
DE2643503C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Injektionslasers | |
DE3007809C2 (de) | Halbleiterlichtausstrahlungselement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69033518T2 (de) | Im transversalen Mode schwingender Halbleiterlaser | |
DE69027368T2 (de) | Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2819843A1 (de) | Lichtemittierende diode mit streifengeometrie sowie herstellungsverfahren hierfuer | |
DE2710813A1 (de) | Heterostruktur-halbleiterlaser | |
DE3685755T2 (de) | Streifenlaser mit transversalem uebergang. | |
DE3220214A1 (de) | Lichtemittierende vorrichtung | |
DE69407354T2 (de) | Vielfachhalbleiterlaser mit reduzierten Nebensprechkomponenten und Herstellungsverfahren | |
DE69220303T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit verteilter Rückkoppelung | |
DE3586934T2 (de) | Halbleiterlaser. | |
DE2653382A1 (de) | Wellungsgekoppelter doppelwellenleiter-laser | |
DE69707390T2 (de) | Strahlungsemittierende halbleiterdiode und deren herstellungsverfahren | |
DE69430524T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines p-leitenden ohmschen Kontakts mit variabler Zusammensetzung für p-Typ II-VI Halbleiter | |
DE69521556T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine optische Halbleitervorrichtung | |
DE2747371A1 (de) | Halbleiterlaser | |
DE68914980T2 (de) | Lichtausstrahlende anordnung und verfahren zur herstellung. | |
DE3855551T2 (de) | Halbleiter-Laservorrichtung und deren Herstellungsverfahren | |
DE2834922C2 (de) | Wellenleitungs-Halbleiter-Diodenlaser | |
DE3736497A1 (de) | Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W. |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |