DE2521404B2 - Frequenzteiler für hohe Frequenzen - Google Patents

Frequenzteiler für hohe Frequenzen

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DE2521404B2
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Wolfdietrich Georg Eindhoven Kasperkovitz (Niederlande)
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
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    • HELECTRICITY
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    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/002Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices

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Description

Die Erfindung bezieht !.ich auf einen Frequenzteiler für hohe Frequenzen mit einor «rsten und einer zweiten bistabilen Kippschaltung, die je zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren enthalten, wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der ersten Kippschaltung über eine erste Stromqulle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, und wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der zweiten Kippschaltung über eine zweite Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, während die erste und die zweite Stromquelle mit gegenphasigen Taktsignalen gesteuert werden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Kippschaltung über die Kollektor-Basis-Strecke eines Hilfstransistors mit einem Kollektor der Transistoren der zweiten Kippschaltung verbunden sind, und wobei die Emitter der Hilfstransistoren über ein strombestimmendes Element mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind.
Die obengenannte Art Teiler ist aus »Digest of Technical Papers. International Solidstate Circuit Conference, Februar 1968, S. 44 bis 45« bekannt und wird häufig in professionellen Messeinrichtungen verwendet. Bekannte Teiler der genannten Art weisen oft den Nachteil auf, daß durch die niedrige Ausbeute der sehr hochfrequenten Transistoren der Selbstkostenpreis eines fuktionierenden Teilers hoch ist.
Weiter haben die jetzigen Teiler die Neigung, immer kleiner zu werden, wobei integrierte Elemente benutzt werden. Diese Verkleinerung hat den Zweck, die Kosten herabzusetzen und die Betriebsgeschwindigkeit zu vergrößern.
Eine Schaltung für einen Frequenzteiler zum Teilen sehr hoher Frequenzen ist aus der DE-OS 20 02 578 bekannt. Diese Schaltung arbeitet ebenfalls mit stromgesteuerten Transistoren und Widerstandskopplung. Daraus wird jedoch eine multistabile Schaltung nach Art eines Ringzählers aufgebaut, bei der nicht in jeder Stufe zwei bistabile Kippschaltungen verwendet werden und andererseits für die Kopplung der einzelnen Transistoren eine sehr große Anzahl von einzelnen Widerständen notwendig ist, so daß sich diese Schaltung nicht leicht integrieren läßt.
Ferner ist aus der DE-AS 20 08 147 eine Schaltung zur Frequenzteilung bekannt, die für hohe Frequenzen
in dadurch geeignet sein soll, daß besondere Maßnahmen zum schnellen Umladen parasitärer Kapazitäten getroffen sind. Auch hier enthält die enzelne Teilerstufe keine zwei bistabilen Kippstufen, und über die bei deren Kopplung entstehenden Hrobleme ist nichts ausgesagt.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Frequenzteiler anzugeben, der sich leicht integrieren läßt und der durch hohe Ausbeute billiger ist als die bekannten Teiler. Diese Aufgabe löst die Erfindung dadurch, daß zwischen dem Kollektor und der Basis jedes der Hilfstransistoren ein Kopplungswiderstand angebracht ist
Ein Ausführungsbeispie! der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert
Der in der Zeichnung dargestellte Frequenzteiler für hohe Frequenzen enthält eine erste bistabile Kippschal tung I und eine zweite bistabile Kippschaltung II. Die Kippschaltung 1 enthält zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren Ti und T2. Die Kippschaltung II enthält zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren Tj und T+. Der gemeinsame Emitterkreis der
jo Transistoren Ti und T2 der ersten Kippschaltung I ist über eine erste durch den Transistor Tj und den Widerstand Rs gebildete Stromquelle mit einem Punkt — E konstanten Potentials verbunden. Der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren Tj und TJ der zweiten Kippschaltung II ist über eine zweite durch den Transistor TJ und den Widerstand R5 gebildete Stromquelle mit einem Punkt— Fkonstanten Potentials verbunden. Der Kollektor des Transistors Ti ist über die Kollektor-Basis-Strecke des Hilfstrpnsistors Ts mit dem Kollektor des Transistors Ά verbunden. Der Kollektor des Transistors Tj ist über die Kollektor-Basis-Strecke des Hilfstransistors T^ mit dem Kollektor des Transistors Ti verbunden. Die Kollektoren der Transistoren Tj und T} sind über die Widerstände Rj bzw. R4 mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Kollektoren der Transistoren Ti und T2 sind über die Widerstände R\ bzw. R2 mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden. Die Emitter der Transistoren T5 und Tb sind über den Widerstand Rt, mit einem
ν/ Punkt — E konstanten Potentials verbunden. Zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors T5 ist der Widerstand Ri und zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors T6 ist der Widerstand Ra angeordnet Das zu teilende Signal wird den Eingängen A und A zugeführt, wobei die diesen beiden Eingängen zugeführten Signale in bezug aufeinander invertiert sind.
Die Wirkungsweise des Frequenzteilers nach der Erfindung ist wie folgt: Der Teiler besteht tatsächlich
hfi aus zwei stromgesteuerten Kippschaltungen I und Il Und zwei durch die Transistoren (Ts, T6) bzw. (T1, Te) gebildeten Differenzverstärkern. Der durch die Transistoren T*s und Tf, gebildete Differenzverstärker wird für die Kollektorsteuerung der ersten Kippschaltung I
M verwendet. Der durch die Transistoren Tj und gebildete Differenzverstärker wird für die Emittersteuerung der zweiten Kippschaltung Il verwendet. Wenn die Eingangsspannung am Eingang A hoch ist, fließt der
Strom /ι durch den Transistor Ti des unteren Differenzverstärkers und erregt die Kippschaltung I- Die Kippschaltung I gelangt dadurch in den Meisterzustand M\. Über die Kopplungswiderstände Rj und Rt wird die Kippschaltung II in den Sklavenzustand Si geführt. Der durch die Transistoren Ts und Tt gebildete Differenzverstärker wird von der Kippschaltung Il derart gesteuert, daß er den Meisterzustand M\ der Kippschaltung I abschwächt (Gegenkopplung). Dies erfolgt mittels des Stromes h, der die Wirkung des Stromes l\ durch eine Verkleinerung der Differenzspannung der Kippschaltung I teilweise ausgleicht
Wenn die Eingangsspannung am Eingang A von hoch auf niedrig geschaltet wird, geht die Kippschaltung Il allmählich von dem Zustand Si in den Zustand M\ über, während die Kippschaltung I von dem Zustand M\ in den Zustand 5b übergeht Der nächste Übergang der Eingangsspannung von niedrig zu hoch bewirkt, daß die Kippschaltung I allmählich von dem Zustand So in den Zustand Mo und zugleich mittels der Kopplungswiderstände Ri und Rt die Kippschaltung II von dem Zustand M\ in den Zustand So geführt wird. Dies bedeutet, daß bei jedem Übergang des Eingangssignals an A von hoch zu niedrig die Kippschaltung I umklappt und bei jedem
Übergang der genannten Eingangsspannung von niedrig zu hoch der Frequenzteiler seinen ursprünglichen Zustand erreicht hat. Der Frequenzteiler teilt also durch zwei.
Zum Erreichen sehr hoher Frequenzen ist es
iü notwendig, die durch den Basiswiderstand der Transistoren herbeigeführte Verzögerung des durch die Transistoren T% und Ti gebildeten Differenzverstärkers teilweise auszugleichen. Dies erfolgt dadurch, daß die Phase der Eingangsspannung des Differenzverstärkers
Ii in bezug auf die Phasen der beiden Kippschaltungen I und Il mittels einer Aufspaltung der Kopplungswiderstände Rj und Rg gedreht wird, wie mit den gestrichelten Basislinien in der Figur angedeutet ist. Frequenzen von 1250 MHz können dann mit diesem Frequenzteiler verarbeitet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Frequenzteiler für hohe Frequenzen mit einer ersten und einer zweiten bistabilen Kippschaltung, die je zwei kreuzweise miteinander gekoppelte Transistoren enthalten, wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der ersten Kippschaltung über eine erste Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, und wobei der gemeinsame Emitterkreis der Transistoren der zweiten Kippschaltung über eine zweite Stromquelle mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden ist, während die erste und die zweite Stromquelle mit gegenphasigen Taktsignalen gesteuert werden, wobei die Kollektoren der Transistoren der ersten Kippschaltung je über die Kollektor-Basis-Strecke eines Hilfstransistors mit einem Kollektor der Transistoren der zweiten Kippschaltung verbunden sind, und wobei der Emitter der Hilfstransistorcn über ein sMrombestimmendes Element mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kollektor und der Basis jedes der Hilfstransistoren ein Kopplungswiderstand angeordnet ist
Z Frequenzteiler nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Elektroden der Hilfstransistoren an je einen Abgriff der genannten Kopplungswiderstände angeschlossen sind.
DE2521404A 1974-05-27 1975-05-14 Frequenzteiler für hohe Frequenzen Expired DE2521404C3 (de)

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GB (1) GB1463651A (de)
IT (1) IT1032971B (de)
NL (1) NL7407057A (de)

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