DE2449949C2 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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Description

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Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein wichtiges Problem bei einer Halbleitervorrichtung aus einem Halbleitersubstrat, wie beispielsweise aus Silizium, Germanium oder einer intermetallischen Verbindung (z. B. AniBv-Verbindung), liegt in einer guten Abfuhr der im Halbleitersubstrat während des Betriebs der Vorrichtung erzeugten Wärme. Bei unzureichender Wärmeabfuhr wird das Halbleitersubstrat über den zulässigen Grenzwert bis zu einer beträchtlich hohen Temperatur erwärmt, und die angestrebten Eigenschaften der Halbleitervorrichtung treten aufgrund vergrößerten Leckstromes, verringerter Schaltspannung usw. nicht auf.
Das oben angeführte Problem kann gelöst werden, wenn das Halbleitersubstrat auf einen Körper gebracht wird, der eine große Oberfläche aufweist und aus einem Metall wie beispielsweise Kupfer besteht, das elektrisch und thermisch gut leitet. Jedoch besteht ein großer Unterschied zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats und von Kupfer. Wenn daher diese Materialien zusammengebracht werden, kann eine mechanische Spannung auf die Verbindungsfläche aufgrund des großen Unterschiedes in den Wärmeausdehnungskoeffizienten übertragen werden, und das Halbleitersubstrat, das mechanisch schwach ist, wird aufgrund einer derartigen Spannung zerstört. Es ist deshalb üblich, eine Trägerelektrode in der Form einer Platte aus einem Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten herzustellen, der im wesentlichen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats entspricht, und diese Trägerelektrode auf einen Oberflächenteil oder auf gegenüberliegende Oberflächenteile des Halbleitersubstrats aufzubringen. Molybdän oder Wolfram werden gewöhnlich für die Herstellung der Trägerelektrode verwendet. Molybdän und Wolfram haben einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der im wesentlichen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Germanium entspricht, und diese Materialien haben auch relativ hohe elektrische Leitfähigkeiten und Wärmeleitfähigkeiten. Die Verwendung von Molybdän oder Wolfram für die Trägerelektrode ist vorteilhaft, da die im Halbleitersubstrat erzeugte Wärme gut abgeführt werden kann, um eine Zerstörung des Halbleitersubstrats zu vermeiden. Unter den Wärmeausdehnungskoeffizienten bei einer bestimmten Temperatur wird eine Größe verstanden, die erhalten wird, indem eine lineare Ausdehnung, die durch einen Temperaturanstieg von der Raumtemperatur auf diese Temperatur verursacht wird, durch die Differenz zwischen diesen Temperaturen dividiert wird. Auf diese Weise haben Molybdän und Wolfram die gewünschten Eigenschaften für die Trägerelektrode. Jedoch nehmen die Anforderungen an verbesserte Eigenschaften der Trägerelektrode ständig zu. Der technologische Fortschritt auf diesem Gebiet ist beträchtlich. Neue intermetallische Verbindungen wurden für die Verwendung als Halbleiter ermittelt. Weiterhin werden auch ständig die Herstellungsverfahren verbessert. Daher besteht ein ständig steigender Bedarf nach größeren Belastungen und kleineren Abmessungen von Halbleitervorrichtungen.
Es ist zur Verringerung der Schwierigkeiten, die durch die thermischen Wechselbeanspruchungen bei der Kontaktierung von Halbleitern auftreten, bekannt, zwischen dem Halbleitersubstrat und den massiven Metallelektroden eine Ausgleichsschicht aus einem Kupfergeflecht, das mit Lötmasse aufgefüllt ist, anzuordnen (IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 2, April 1960, Heft 6, S. 69). Die Anpassungsfähigkeit der Ausgleichsschicht an thermische Bewegungen ist jedoch begrenzt.
Es sind ferner Halbleiteranordnungen bekannt, bei denen zwischen dem Halbleiterkörper und dem metallischen Träger eine metallische Sinterplatte vorgesehen ist, deren stoffliche Zusammensetzung in Richtung Halbleiterkörper — Träger sich derart ändert, daß die dem Halbleiter zugewandte Seite einen mit dem Halbleiterkörper ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten besitzt und daß die dem Träger zugewandte Seite einen diesem ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten aufweist (DE-AS 1121 226). Die Sinterplatte weist jedoch keinen Zusatzstoff in Form von Fasern auf.
Es sind auch Träger für eine Halbleitervorrichtung bekannt, die aus einem Grundmaterial mit sehr guter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit bestehen, in das ein Material mit geringem Ausdehnungskoeffizienten, gegebenenfalls in Form von gitterförmig angeordneten Drähten, eingelagert ist (DE-OS 15 64 945). Im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung besteht das zur Verringerung der thermischen Ausdehnung eingebrachte Material nicht aus Fasern und die Drähte sind auch nicht in mehreren Ebenen angeordnet, deren Orientierung von Schicht zu Schicht leicht gegeneinander versetzt ist.
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine Halbleitervorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 anzugeben, die bei geringen äußeren Abmessungen eine hochbelastbare, korrosions- und alterungsbeständige Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat und der Trägerelektrode aufweist
Gelöst wird diese Aufgabe durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale.
Zweckmäßige Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 die Beziehung zwischen der Temperatur und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten eines Verbundwerkstoffes, bei dem Wolframfasern in eine Kupfer-Grundmasse eingebettet sind, und
F i g. 2 einen schematischen Schnitt durch ein Ausfiihrungsbeispiel der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung.
Wie bereits erläutert wurde, muß die Tärgerelektrode , ..eine große Wärme- und elektrische Leitfähigkeit aufweisen, damit die im Halbleitersubstrat erzeugte Wärme gut abgeführt werden kann. Diese Trägerelektrode muß auch einen Wärmeausdehnungskoeffizienten haben, der im wesentlichen gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats ist.
Mit der Erfindung kann ein Verbundwerkstoff so hergestellt werden, daß er einen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt, der im wesentlichen gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats ist, und daß er ausreichende Wärme- und elektrische Leitfähigkeiten aufweist. Der Wärmeausdehnungskoeffizient, die Wärmeleitfähigkeit und die elektrische Leitfähigkeit des Verbundwerkstoffes können durch Einstellung des Anteils oder Gehaltes an Fasern gesteuert werden. Während der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes mit zunehmendem Faseranteil verringert werden kann, nehmen die Wärme- und die .elektrische Leitfähigkeit entsprechend ab.
Zahlreiche Versuche haben ergeben, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes beträchtlich von der Ausrichtung der Fasern abhängt. Genauer ausgedrückt: Es wurde ermittelt, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes in Ausrichtung der Fasern einen Wert besitzt, der wesentlich dichter beim Wärmeausdehnungskoeffizienten der Fasern als der Wert liegt, der im allgemeinen vom Faseranteil her zu e.warten wäre. Weiterhin wurde ermittelt, daß der Verbundwerkstoff eine Wärmeleitfähigkeit und eine elektrische Leitfähigkeit aufweist, die im wesentlichen mit den Werten zusammenfallen, die im allgemeinen vom Faseranteil her erwartet werden. Weiterhin wurde ermittelt, daß sich die Wärmeleitfähigkeit und die elektrische Leitfähigkeit im wesentlichen rieht abhängig von der Ausrichtung der Fasern ändern.
Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes ist niemals kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient der Fasern. Es ist deshalb erforderlich, solche Fasern auszuwählen, die einen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen, der im wesentlichen gleich öder kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats ist, damit der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes so dicht wie möglich beim Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats liegt. Tatsächlich können eine oder mehrere Arten von Fasern mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der höher als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats ist. unter die verwendeten Fasern gemischt werden, vorausgesetzt, daß alle Fasern insgesamt einen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen, der im wesentlichen gleich oder kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient des HaJbleitersubstrats ist Andererseits sollten die Wärmeleitfähigkeit und die elektrische Leitfähigkeit des Verbundwerkstoffes so hoch wie möglich sein. Daher sollte die Grundmasse aus einem Material bestehen, das eine möglichst große Wärme- und elektrische Leitfähigkeit besitzt Damit der Verbundwerkstoff eine bessere Wärme- und elektrische Leitfähigkeit aufweist als eine herkömmliche Trägerelektrode, die lediglich aus Molybdän oder Wolfram besteht muß die Grundmasse aus einem Material hergestellt werden, das eine höhere Wärme- und elektrische
15. Leitfähigkeit als die Materialien der Fasern besitzt.
Der Anteil an Fasern im Verbundwerkstoff der in der Halbleitervorrichtung als Trägerelektrode für das Halbleitersubstrat vorgesehen ist, soll sich schrittweise in Richtung der Dicke so ändern, daß der Anteil im Elektrodenteil, der am Halbleitersubstrat anliegt, größer und im entgegengesetzten Elektrodenteil kleiner ist. Die so aufgebaute Trägerelektrode hat den Vorteil, daß ihr Wärmeausdehnungskoeffizient schrittweise in Richtung der Dicke geändert werden kann, so daß er in dem Elektrodenteil am kleinsten ist, der am Halbleitersubstrat anliegt.
Die Fasern sind parallel zur Oberfläche des Halblei-,tersubstrats ausgerichtet. Eine Hauptursache für die Zerstörung des Halbleitersubstrats liegt darin, daß das Halbleitersubstrat sich nicht ausdehnen kann, um der Ausdehnung der Trägerelektrode in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrats zu folgen. Aufgrund des oben erläuterten Problems ist es sehr wichtig, die Fasern parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrats anzuordnen, um die Ausdehnung der Trägerelektrode in der zur Substratoberfläche parallelen ,Richtung möglichst klein zu machen.
Erfindungsgemäß bilden die Fasern Netze, die über die Dicke der Trägerelektrode in mehreren Schichten verteilt sind mit von Schicht zu Schicht gegeneinander versetzter Orientierung.
Ein Leitungsdraht aus Kupfer oder eine Grundelektrode aus Kupfer sind im allgemeinen mit der Oberfläche der Trägerelektrode im Abstand von der Oberfläehe verlötet, mit der die Trägerelektrode am Halbleitersubstrat anliegt. In diesem Fall tritt häufig eine Korrosion an der Verbindungsstelle auf, wenn diese aus verschiedenen Metallen besteht. Erfindungsgemäß kann das Problem der Korrosion vermieden werden durch
so eine Trägerelektrode aus einem Verbundwerkstoff, bei dem das die Grundmasse bildende Material Kupfer ist. Die Verhinderung der Korrosion kann verbessert werden, wenn die Oberfläche des Verbundwerkstoffes mit einem dünnen Kupferfilm versehen wird. Dieser Kupferfilm kann einfach auf herkömmliche Weise hergestellt werden.
Es ist möglich, bei der Trägerelektrode Fasern aus einem Material mit dem gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitersubstrat in eine Grund:
masse aus Kupfer einzulagern. Durch Verwendung eines derartigen Materials kann der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes nahe zum Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats gemachi werden, und die thermische und die elektrische Leitfähigkeit hiervqn sind beträchtlich besser a.ls die Leitfähigkeiten des Halbleitersubstrats. Die Fasern können so verteilt werden, daß deren Anteil in dem am Halbleitersubstrat anliegenden Elektrodenteil erößer
ist als in dem entgegengesetzten Elektrodenteil, so daß der am Halbleitersubstrat anliegende Elektrodenteil einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der im wesentlichen gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleitersubstrats ist, und so daß der entgegengesetzte Elektrodenteil einen Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt, der im wesentlichen gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von Kupfer ist.
Wenn das Halbleitersubstrat aus Silizium oder Germanium besteht, ist es zweckmäßig, Fasern zu verwenden, die beispielsweise aus Molybdän, Wolfram, Graphit oder einer Legierung von Eisen, Nickel und Kobalt bestehen. Tatsächlich können auch andere geeignete Materialien verwendet werden, da für die Fasern deren Wärmeausdehnungskoeffizient lediglich im v/esentüchen gleich dem oder kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Halbleitersubstrats sein soll.
Versuche haben ergeben, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes entlang der Ausrichtung der Fasern sehr nahe beim Wärmeausdeh-, nungskoeffizientem der Fasern liegt, wenn der Fasergehalt größer als 20 Vol.-% ist. Beispielsweise beträgt bei einem Verbundwerkstoff, bei dem 20 Vol.-% Wolframfasern in eine Grundmasse aus Kupfer in eine Richtung ausgerichtet eingebettet sind, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient entlang der Richtung der Metallfasern bei Raumtemperatur 6,0 ■ 10-6/°C. Dieser Wert liegt nahe beim Wärmeausdehnungskoeffizienten von Wolfram, da der Wärmeausdehnungskoeffizient von Kupfer 16,5 · 10-6/°C und der Wärmeausdehnungskoeffizient von Wolfram 4,4 · 10-6/°C betragen. Daher soll der Faseranteil größer als 20 Vol.-°/o sein, wenn die Fasern einheitlich im Verbundwerkstoff verteilt sind.
Es wurde weiter ermittelt, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes entlang der Ausrichtung der Fasern sich weiter dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Fasern mit zunehmendem Faseranteil nähert, und er ist nahezu gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Fasern, wenn der Faseranteil auf 50 VoI.-% erhöht ist Daher soll sich der Faseranteil in Richtung der Dicke des Verbundwerkstoffes so ändern, daß der Faseranteil in dem am Halbleitersubstrat anliegenden Elektrodenteil 50 Vol.-% beträgt und schrittweise zürn entgegengesetzten, vorn Halbleitersubstrat beabstandeten Elektrodenteil abnimmt Der Faseranteil kann 0 VoL-% in dem zuletzt genannten Teil betragen, an dem der Leitungsdraht aus Kupfer oder die Basis- oder Grundelektrode aus Kupfer angebracht ist
Wird ein Verbundwerkstoff hergestellt, bei dem 30 Vol.-% Wolframfasern mit 0,1 mm Durchmesser in eine Kupfergrundmasse in einer Richtung ausgerichtet eingebettet sind, und wird der Wärmeausdehnungskoeffizient dieses Verbundwerkstoffes in einem Temperaturbereich von 1000C bis 9000C gemessen, wobei die Messung in der Ausrichtung A der Wolramfasern und in einer Richtung B senkrecht zur Ausrichtung A durchgeführt wird, so erhält man Werte, die in der F i g. 1 eingezeichnet sind, in der auf der Ordinate der Wärmeausdehnungskoeffizient und auf der Abszisse die Temperatur aufgetragen sind. Hier wird der Wärmeausdehnungskoeffizient, wie bereits erwähnt erhalten, indem eine lineare Ausdehnung, die auf einem Temperaturanstieg von der Raumtemperatur zu einer Temperatur beruht, bei der der Wärmeausdehnungskoeffizient ermittelt werden soll, durch die Differenz zwischen der Raumtemperatur und dieser Temperatur dividiert wird. Beispielsweise ist der Wärmeausdehnungskoeffizient ac bei 1000C gegeben durch:
Länge [bei 100°C]-Länge ["bei Raumtemperatur] 100° C— Raumtemperatur
Die F i g. 1 zeigt durch den Wärmeausdehnungskoeffizienten von Kupfer und Wolfram. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes in der Ausrichtung A der Wolframfasern ist etwas größer als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Wolfram, wenn bei einer Temperatur von 100°C gemessen wird. Jedoch wird bei einem Temperaturanstieg ein Einfluß aufgrund der Eigenschaften der Kupfer-Grundmasse bei einer linearen Ausdehnung verkleinert, und lediglich die Eigen' schaft der Wolframfasern tritt stark hervor. So kommt bei einer hohen Temperatur der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes in die Nähe des Wärmeausdehnungskoeffizienten von Wolfram und er wird bei 100°C, wie dies in der Fig. 1 dargestellt ist, nahezu gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von Wolfram.
Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes in der Richtung B senkrecht zur Ausrichtung A der Wolframfasern beträgt bei 1000C ungefähr 8,9 · 10-6/°C. Dieser Wert ist größer als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Wolfram bei 100° C, aber wesentlich kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Kupfer bei 1000C. Jedoch nimmt der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes in dieser Richtung B stark mit dem Temperaturanstieg zu und wird im wesentlichen gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von Kupfer, wenn eine Temperatur von 7000C erreicht ist.
Ausführungsbeispiel
In der Fig.2 ist ein Halbleitersubstrat I auf seinen entgegengesetzten Oberflächenteilen mit zwei Trägerelektroden 2 und 2a versehen, die jeweils die Form eines Verbundwerkstoffes aufweisen, der aus einer Grundmasse aus Kupfer und Wolframfasern besteht Die Trägerelektroden 2 und 2a sind mit dem Halbleitersubstrat 1 jeweils über dünne Lotfilme 3 und 3a verlötet. Weiterhin ist die Trägerelektrode 2 an einer Grundelektrode 5 über einen Lotfilm 4 befestigt, während die andere Trägerelektrode 2a mit einem Leitungsdraht 6 über einen Lotfilm 4a verbunden ist. Ein zylinderförmiges Glied 7 ist an seinem Ende mit der Grundelektrode 5 und an seinem anderen Ende mit einem Deckel 8 verbunden. Stickstoffgas ist in den abgeschlossenen Raum gefüllt, der durch die Grundelektrode 5, das zylindrische Glied 7 und den Deckel 8 festgelegt ist, um zu verhindern, daß das Halbleitersubstrat 1 nachteilig durch Feuchtigkeit beeinflußt wird.
Das Halbleitersubstrat 1 besteht aus Silizium. Die Trägerelektroden 2 und 2a sind in der weiter unten beschriebenen Weise hergestellt. Es werden Wolframfasern mit einem Durchmesser von 0,1 mm verwendet.
Der Verbundwerkstoff mit Wolframfasern, die netzförmig in einer Grundmasse aus Kupfer angeordnet sind, wird durch abwechselndes Beschichten mit mehreren gewirkten Netzen aus Wolframfasern und mehreren gewirkten Netzen aus Kupferfasern hergestellt, wobei das Laminat in ein Quarzrohr gebracht und im Vakuum erhitzt wird. Die Netze aus Wolframfasern werden in leicht zueinander versetzter Beziehung geschichtet, um Änderungen des Wärmeausdehnungskoeffizienten ab^ hängig von der Richtung auszuschließen. Sodann wird eine Platte mit 30 mm Durchmesser und einer Dicke von 2 mm aus diesem Verbundwerkstoff parallel zur
angeordneten Richtung der Wolframfasern geschnitten. Die Wolframfasern nehmen 50% des Gesamtvolumens des Verbundwerkstoffes ein, und der Wärmeausdehnungskoeffizient und die spezifische elektrische Leitfähigkeit in der Längsrichtung der Wolframfasern betragen jeweils ungefähr 5,2 ■ 10-6/°C und 63%. Dieser Verbundwerkstoff wird als Trägerelektrode verwendet, und ein Halbleitersubstrat aus Silizium wird zur Herstellung der Halbleitervorrichtung mit dem in der F i g. 2 gezeigten Aufbau benutzt. Der Wärmewiderstand dieser Vorrichtung kann im Vergleich zu einer Vorrichtung mit einer Trägerplatte aus reinem Molybdän um 30% verringert werden.
Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß die
Erfindung die Wärme gut vom Halbleitersubstrat ablei- 15 ;
tet und die auf das Halbleitersubstrat einwirkende mechanische Spannung steuerbar macht. Diese vorteilhaften Eigenschaften werden erzielt, da der Verbundwerkstoff, der die Trägerelektrode bildet, einen im wesentlichen gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitersubstrat und ebenfalls gute Wärme- und elektrische Leitfähigkeiten besitzt, da einerseits der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbundwerkstoffes im wesentlichen vom Wärmeausdehnungskoeffizienten der Fasern abhängt, und da andererseits die Wärme- und die elektrische Leitfähigkeit hiervon nicht von den Eigenschaften der Fasern abhängen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 30
35
40
45
50
CO
•5

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat, und wenigstens einer entlang einer Oberfläche damit verbundenen Trägerelektrode, die aus einem metallischen Grundmaterial besteht, in das parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrats verlaufende Elemente mit im Vergleich zu ihrem Querschnitt größerer Längserstreckung aus einem Material eingearbeitet sind, das eine kleinere elektrische und thermische Leitfähigkeit als das Grundmaterial und wenigstens zum Teil einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der kleiner ist als der des Halbleitersubstrats, dadurch gekennzeichnet, daß in das Grundmaterial Fasern eingebettet sind, die in mehreren über die Dicke der Trägerelektrode (2, 2a) verteilten Schichten Netze mit von Schicht zu Schicht gegeneinander versetzter Orientierung bilden.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die Fasern so angeordnet sind, daß ihr Anteil im Grundmaterial schrittweise vom am Halbleitersubstrat (1) anliegenden Teil des Grundmaterials zum vom Halbleitersubstrat entfernten Teil abnimmt.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Fasern höchstens 20 VoL-% beträgt.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Fasern im am Halbleitersubstrat (1) anliegenden Teil des Grundmaterials mehr als 50 Vol.-% beträgt.
5. Halbleitervorrichtung nach einem der vorstehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmaterial aus Kupfer und die Fasern aus Wolfram bestehen.
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