DE2355661C3 - Magnetempfindliches Dünnschichthalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Magnetempfindliches Dünnschichthalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein magnetempfindliches Dünnschichthalbleiterbauelement mit einer dünnen Halbleiterschicht bestimmter Form und Dicke, deren Boden und Seitenflächen von einem an ihr anhaftenden Isolierüberzug umgehen sind, der auf einer aus einem Material hoher magnetischer Permeabilität bestehenden Unterlage diese bedeckend angeordnet ist, bei dem die Oberseite der Halbleiter-
jo dünnschicht angenähert auf einem Niveau mit der ■ Oberfläche des Isolierüberzugs liegt, und auf ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Bekannte magnetempfindliche Dünnschichthalbleiterbauelemente, wie z. B. Hall-Elemente, haben einen Aufbau, bei dem eine dünne Halbleiterschicht bestimmter Form auf die Oberfläche einer Unterlage mit einer hohen magnetischen Permeabilität fest aufgebracht wird, wobei die Unterlage, falls erforderlich, zunächst mit einem Isolierüberzu& bedeckt wird. Dabei erhebt sich die dünne Halbleiterschicht über die Unterlage. Wenn daher bei einem nachfolgenden Schritt ein weiteres Bauteil auf die dünne Halbleiterschicht aufgebracht wird, hat der zu diesem Anbringen erforderliche Druck die ungünstige Wirkung auf das erhaltene Halbleiterbauelement, daß die Eigenschaften dieses Bauelements verschlechtert werden. Beispielsweise hat ein Hall-Effektmagnetkopf normalerweise den Aufbau, bei dem Polstücke an dem Hall-Halbleiterelement unter Druck befestigt werden.
so Der mechanische Druck, mit dem die Polstücke befestigt werden, wirkt auf das Halbleiterbauelement ein, und so ergeben sich solche ungünstigen Auswirkungen, daß das Halbleiterbauelement mechanisch zerbricht oder ein Störpegelanstieg durch den Piezoeffekt auftritt.
Bei dem bekannten magnetempfindlichen Dünnschichthalbleiterbauelement der eingangs genannten Art (AT-PS 197917), besteht die Unterlage aus einem Ferrit, die mit einem Isolierüberzug aus Kunstharz bedeckt ist. Die darauf aufgebrachte dünne Halbleiterschicht besteht beispielsweise aus InSb. Auch hierbei kann das relativ weiche Kunstharz die Halbleiterschicht nicht ausreichend vor mechanischen Drücken schützen.
Magnetempfindliche Dünnschichthalbleiterbauelemente wurden auch hergestellt, indem man die Oberfläche einer auf einer Unterlage mittels Vakuumaufdampfung (H. Weis: »Physik und Anwendung
gajvanomagnetischer Bauelemente«, Braunschweig 1969, S. 68471) ^abgeschiedener^ Halbleiterdünnschicht abschliff, bis eine bestimmte ^Dicfce erreicht war, und dann mittels Phötoätzens ibder dergleichen ein bestimmtes Muster ausbildete. Diese-bekannte Arbeitsweise bringt Schwierigkeiten beimiErhalten der vakuumaufgedämpften Halbleiterdünnschicht mit gleichmäßiger Dicke, und daher wiesen diese Bauelemente bisher eirrs große Streubreite der elektrischen Eigenschaften auf;;
Der Erfindung liegt dieAüfgabezugrunde, ein maenetempflridBches^Dünnschichthalbleiterbauelement der eingangsgenarinten Art derart zu-verbessern, daß ein auf die Halbleiterdunnschicht einwirkender mechanischer Druck keine ungünstigen Wirkungen auf das Halbleiterbauelement ausübt, und ein zur Herstellung dieses Dürinschichthalbleiterbaüelements geeignetes und leicht durchführbares Verfahren zu entwickeln, bei dem die Dicke der Halbleiterdünnschicht gleichmäßiger ausgebildet werden kann:
Diese Aufgabe wird erßndungsgeniäS dadurch gelöst, daß das Material des Isolierüberzugs lärter als das Material der Halbleiterdünnschicht ist.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist durch die folgenden Verfahrensschritte gekennzeichnet:
(1) Bildung von Kanälen bestimmter Form und Tiefe in der Oberseite des Isolierüberzuges;
(2) Abscheidung der Halbleiterdünnschicht durch Vakuumauf dampfung auf der gesamten Oberflächedes Isolierüberzuges mit den Kanälen; und
(3) Entfernung des über dem Oberflächenniveau des Isolierüberzuges abgeschiedenen Anteils der Halbleiterdünnschicht durch Läppen bis zum Verbleib nur deren innerhalb der Kanäle abgeschiedenen Anteils.
Zweckmäßig ist die Halbleiterdünnschicht polykristallin.
Vorzugsweise besteht die Halbleiterdünnschicht aus einer Verbindung, insbesondere InSb.
Die Unterlage besteht vorzugsweise aus einem Ferrit.
In Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß Elektroden oder Verdrahtungen auf der Oberfläche der Halbleiterdünnschicht so angeordnet sind, daß keine große Niveauunterschiede entstehen.
Vorzugsweise ist das Dünnschichthalbleiterbauelement mit einer InSb-Halbleiterdünnschicht und einer Ferritunterlage so aufgebaut, daß eine auf einer Oberfläche der Unterlage angeordnete erste SiO2-Schicht vorgesehen ist, wovon ein erster Teil relativ dünn, ein zweiter, den ersten Teil umgebender Teil dagegen relativ dick ist, daß die InSb-Schicht gänzlich auf dem ersten Teil der ersten SiO2-Schicht und in Berührung mit dem Seitenbereich deren zweiten Teils angeordnet ist, daß die Dicke der InSb-Schicht so bemessen ist, daß ihre Oberseite angenähert auf einem Niveau mit der Oberfläche des zweiten Teils der ersten SiO2-Schicht liegt, daß außerdem eine auf den Oberflächen der ersten SJQj-Schicht und der InSb-Schicht angeordnete, zweite SiO2-Schicht mit einem einen Teil der Oberfläche der InSb-Schicht freilegenden Loch vorgesehen ist und daß ein dünner Aluminiumfilm auf der zweiten SiO2-Schicht angeordnet ist, der durch das Loch hindurch den freigelegten Teil der InSb-Schichto be rf lache kontaktiert.
Das Verfahren zur Herstellung des letztgenannten Halbleiterbauelement!) ist vorzugsweise durch folgende Verfahrensschritte gekennzeichnet:
(1) Bildung der ersten SiO2-Schicht in der Weisf., daß zunächsteine relativ dicke SiO2-Schicht über der ganzen Oberfläche der Ferritunterlage abge-■; "»schieden und zur Bildung von Kanälen bestimmten Form und Dicke photogeätzt wird und dann eine weitere relativ dünne SiO2-Schicht auf der Ferritunterlage mit der relativ dicken SiO2-Schicht und den Kanälen abgeschieden wird; •o (2) Abscheidung der InSb-Dünnschicht auf der gesamten Oberfläche dieser ersten SiO2-Schicht; und
(3) Entfernung des über dem Oberflächenniveau des zweiten Teils der ersten SiO2-Schicht abgeschiedenen Anteils der InSb-Dühnschicht durch Läppen bis zum Verbleib nur deren innerhalb des ersten Teils der ersten SiO2-Schicht abgeschiedenen Anteils.
Zwischen den genannten Hauptherstellschritten können andere Verfahrensschritte, v*e z. B. Wärmebehandlung, eingefügt werden.
An sich sind alle üblicherweise bei magnetempfindlichen Halbleiterbauelementen verwendeten Halbleitermaterialien, wie z. B. Si, Ge usw. für das magnetempfindliche Dünnschichthalbleiterbauelement gemäß der Erfindung geeignet, doch wenn dieses Halbleiterbauelement als Hall-Element verwendet werden soll, ist vorzugsweise eine Verbindung mit einer hohen Elektronenbeweglichkeit und einem hohen Hall-Koeffizienten, wie z. B. InSb oder InAs zu verwenden, wobei InSb der Vorzug zu geben ist, da es eine höhere Elektronenbeweglichkeit aufweist und sehr gute Ergebnisse liefert. Obwohl diese Halbleiterdünnschicht normalerweise aus einem polykristallinen Material besteht, kann sie auch aus einem Einkristall bestehen.
Neben dem schon genannten Ferrit lassen sich als magnetisches Material hoher magnetischer Permeabilität auch andere Materialien verwenden.
Das erfindungsgemäß aufgebaute magnetempfindlichp Dünnschichthalbleiterbauelement weist keine vorragenden oder erhabenen Teile der Dünnschicht auf der Unterlage auf, sondern die Dünnschicht ist in den Oberflächenkanälen des Isolierüberzugs eingebettet, der aus einem härteren Material als die Dünnschicht besteht. Wenn daher noch ein Zubehörteil, wie z. B. Polstück auf diesem Bauelement unter Druck anzubringen ist, wirkt der Druck praktisch nur auf die Unterlage allein ein. So ergibt sich keine unnötige und schädliche Druckwirkung auf die Halbleiterdünnschicht.
Die Gleichmäßigkeit der Dicke der Halbleite:- dünnschicht soll noch näher erläutert werden. Wenn die abzuscheidende Dicke größer als die Tiefe der Και näle ist, muß der Dickenbetrag, der über die Kanäle hinaus abgeschieden ist, durch Polieren oder Schleifen völlig von der Oberfläche entfernt werden, bis dann die Dicke der Halbleiterdünnschicht die gleiche wie die Tiefe der Kanüle ist. Daher ist die Dünnschichtdicke, solange diese Kanaltiefe gleichmäßig ist, ebenfalls gleichmäßig. Deshalb macht man den Isolierüberzug aus einem Material, das angemessen härter als das für die Halbleiterdünnschicht verwendete Material ist, da so das Polieren in einfacher Weise auf dem Niveau der Oberfläche des Überzugs abgebrochen werden kann.
Außerdem sind, da die Dicke der Halbleiterdünnschicht gleich oder angenähert gleich der Tiefe der
Kanäle des Isolierüberzugs ist, die Oberfläche des Überzugs und die Oberfläche der Halbleiterdünnschicht angenähert auf einem untereinander gleichen Niveau, und daher ergibt sich kein Vorsprung an der Oberfläche des gesamten Bauelements. Daher tritt auch bei der weiteren Abscheidung oder Anbringung von Elektroden oder Verdrahtungen auf der Oberfläche des Dünnschichthalbleiterbauelements keine solche Störung auf, daß etwa die Elektroden oder Verdrahtungen wegen großer Niveauunterschiede zerreißen.
Ein Hall-Effektmagnetkopf unter Verwendung eines als Hall-Element ausgebildeten Dünnschichthalbleiterbauelements gemäß der Erfindung ist daher stabiler und hat gute Eigenschaften.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1, 2, 3 und 4 Querschnitte der Zwischenprodukte des magnetempfindlichen Dünnschichthalbleiterbauelements im Zuge des Herstellverfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. S einen Querschnitt eines Ausführungsbeispiels des fertigen magnetempfindlichen Dünnschichthalbleiterbauelements,
Fig. 6 ein Diagramm zur Veranschaulichung der Beziehung zwischen der Polierzeit und der Dicke einer Halbleiterdünnschicht beim Polierschritt im Zuge des Herstellungsverfahrens,
Fig. 7 einen Querschnitt sowie eine Teilansicht des Dünnschichthalbleiterbauelements nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei bereits ein Polstück angebracht ist,
Fig. 8 einen Querschnitt des Dünnschichthalbleiterbauelements nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei eine Elektrode in Form einer Dünnschicht darauf abgeschieden ist, und
Fig. 9 einen Querschnitt eines bekannten Dürinschichthalbleiterbauelements mit einer Elektrode in Form einer darauf abgeschiedenen Dünnschicht.
Es wird die Erzeugung von Dünnschichten verschiedener Muster aus InSb mit einer Abmessung von 0.5 · 0,5 mm auf der gesamten Oberfläche einer bis zur Spiegelgüte polierten Ferritunterlage mit einer Abmessung von 23 mm · 18 mm · 4 mm Dicke in der Reihenfolge der einzelnen Verfahrensschritte anhand der Figuren beschrieben.
Die Fig. 1-5 zeigen Querschnitte der Unterlage mit einem bestimmten Muster. (1) Eine SiO2-Schicht 1 von etwa 2 μΐη Dicke wird zunächst auf der gesamten Oberfläche der Ferritunterlage 2 durch Aufstäuben abgeschieden (Fig. 1). (2) Diese SiO2-Schicht 1 wird zur Bildung von Kanälen 3 mit einem bestimmten Muster und einer bestimmten Tiefe photogeätzt (Fig. 2). (3) Eine weitere SiO2-Schicht 4 von 0,06 μπι Dicke wird durch Aufstäuben auf dieser Unterlage 2 einschließlich der Kanäle 3 abgeschieden (Fig. 3). Diese Schicht 4 ergibt nicht nur scharfe Kanten an der Schicht 1 nach Fig. 2, sondern verhindert auch einen Kontakt der Unterlage 2 mit einer InSb-Schicht 5, die anschließend abgeschieden wird. (4) Die InSb-Schicht 5 von stwa 5 μπι Dicke wird unter Vakuum auf der ganzen Oberfläche der Unterlage abgeschieden (Fig. 4). (5) Diese InSb-Schicht 5 wird durch Läppen bis zum Niveau der Oberfläche der Schicht 4 auf der Schicht 1 entfernt (Fig. 5).
Die Läppgeschwindigkeit beim Läppen dieser InSb-Schicht 5 ändert sich mit einer in Fig. 6 dargestellten Tendenz. In Fig. 6 bedeutet die Abszisse die Läppzeit und die Ordinate die Schichtdicke. Wie man in Fig. 6 erkennt, ist die Läppgeschwindigkeit, nachdem die Oberfläche der SiO2-Schicht freigelegt ist, d. h. nach dem eingezeichneten Knickpunkt 6 nur noch weniger als V30 derjenigen der InSb-Schicht allein, und daher ist es klar, daß das Läppen leicht am Niveau der Oberfläche der SiO2-Schicht 4 abgebrochen werden kann. Aus dem Vorstehenden ergibt sich, daß sich die
ίο Dicke der InSb-Schicht steuern läßt, indem man die Tiefe der Kanäle entsprechend festlegt. Aufgrund von Versuchen wurde festgestellt, daß die Streubreite der Dicke der Schichten auf der Unterlage unter 5% liegt und daß der Unterschied zwischen dem höchsten
is Punkt und dem niedrigsten Punkt an der Oberfläche des erhaltenen Halbleiterbauelements auch im Höchstfall noch unter 0,1 μπι ist.
Weiter wurde ein 500 InSb-Schichten umfassendes Muster auf der gesamten uberfiäche einer Unterlage mit Abmessungen von 30 mm ■ 30 mm ■ 2 mm Dicke in gleicher Weise erzeugt. Nach einem Vergleich der InSb-Schicht untereinander im Anschluß an das Läppen wurde gefunden, daß die Streubreite der Dicke dieser Schichten ±0,05 μήι oder weniger betrug.
Im Gegensatz dazu ergibt sich bei den bekannten InSb-Dünnschichthalbleiterbauelementen, bei denen die dünnen Schichten auf einer Unterlage frei vorragen, eine Streubreite der Dicke der dünnen Schichten von ±1 μπι. Diese Streubreite führt zu einer Streu breite der elektrischen Eigenschaften der Dünn schichten von ±30%.
Anschließend an das Läppen bringt man an den nach vorstehend erläutertem Verfahren erzeugten InSb-Schichten ein Polstück aus Ferrit mit einem K- Muster über ein Bindemittel an. Fig. 7 zeigt eine Teilaufsicht des Erzeugnisses und einen Querschnitt nach der Linie AA' dieser Teüaufsieht. Man erkennt in Fig. 7 dieses Polstück 7. Eine SiO2-Schicht 4' von etwa 0,6 um Dicke wird vorher durch Aufstäuben auf der Oberfläche des Polstücks abgeschieden, wo es an die InSb-Schicht angrenzen soll, um den direkten Kontakt zwischen dem Polstück der InSb-Schicht zu vermeiden. Wie Fig. 7 außerdem erkennen läßt, wirkt beim Anbringen des Polstückes kein Druck auf die Halbleiterdünnschicht 5 ein, da das Polstück 7 direkt die auf der Unterlage abgeschiedene SiO2-Schicht 4 kontaktiert. So werden Störungen, wie z. B. mechanische Quetschungen der Halbleiterdünnschicht 5 oder eine Steigerung von Störgeräuschen durch den Piezo effekt vollkommen vermieden.
Im Gegensatz dazu ruft bei einem Hall-Element, bei dem ein Polstück an einem InSb-Dünnschichthalbleiterbauelement mit dem bekannten Aufbau angebracht wird, dessen Halbleiterdünnschicht also auf der Unterlage vorragt, der Druck, unter dem das Polstück am Element angebracht wird, den störenden Piezoeffekt hervor. Die Spannung aufgrund dieses Piezoeffekts erreicht ±20% der Hall-Ausgangsspannung von der InSb-Dünnschicht Außerdem kann es
in extremen Fällen vorkommen, daß beim bekannten Aufbau die InSb-Dünnschicht zerbricht. Entsprechendes gilt für das bekannte Dünnschichthalbleiterbauelement der eingangs genannten Art, bei dem zwar die Oberseite der Halbleiterdünnschicht ebenfalls auf dem Niveau der Oberfläche des Isolierüberzugs liegt, dieser Isolierüberzug jedoch aus einem weicheren Material als die Halbleiterschicht besteht.
Schließlich versieht man das gemäß obigem Beispiel
hergestellte Dünnschichthalbleiterbauelement oben mit einer Aluminium-Dünnschichtverdrahtung durch Vakutimaufdampfung. Fig. 8 zeigt einen Querschnitt des mit einer solchen Verdrahtung versehenen Bauelements. Die InSb-Dünnschicht 5 wird durch Überziehen mit einer SiO2-Dünnschicht 8 von etwa 0,6 μηι Dicke geschützt. Anschließend wird ein Loch für eine Elektrode durch die dünne Schicht 8 bis zur Halbleiterdünnschicht 5 gebildet. Ein Aluminiumfilm mit einer Dicke von etwa 2 μίτι wird auf der gesamten Oberfläche der dünnen Schicht 8 und im Loch durch Vakuumaufdampfung abgeschieden und anschließend in bekannter Weise zur Bildung eines gewünschten Verdrahtungsmusters photogeätzt. Man erkennt dementsprechend die photogeätzte Aluminiumdünnschicht 9. Wie Fig. 8 zeigt, ist die Variation des Oberflächenniveausjler Dünnschicht 9 nur unter etwa 0.6 um infolge der Tiefe des Lochs durch die dünne SiO,-Schutzschicht 8, beträgt also nur deren Dicke. Dieser Unterschied führt nicht zu einer solchen Störung, daß die Al-Dünnschicht 9 zerreißt. Nach diesem Beispiel lassen sich zufriedenstellende Verdrahtungen mit einer Ausbeute von etwa 99,99% oder mehr erhalten. Die Dicke einer Dünnschicht für Verdrahtungen kann auch unter 2 μίτι sein, da bei dem Dünnschichthalbleiterbauelement gemäß der Erfindung keine Gefahr besteht, daß die Verdrahtungsschicht zerreißt.
Im Gegensatz dazu ist es, wenn eine dünne Aluminiumschicht für Verdrahtungen auf einem InSb-Dunnschichthalbleiterbauelement mit dem bekannten Aufbau, bei dem die Halbleiterdünnschicht auf einer Unterlage vorragt, abgeschieden wird, wie der Querschnitt nach Fig. 9 zeigt, klar, daß die Variation des Oberflächenniveaus der dünnen Aluminiumschicht 9 hier nicht nur so gering wie sie durch die Dicke der dünnen Schutzschicht 8 verursacht wird, sondern noch um eine Schichtdicke größer ist, wie sie sich durch die InSb-Dünnschicht 5 ergibt und mit einem Pfeil ir. Fig. 9 angedeutet ist. Dieser Schichtniveauunterschied ist angenähert gleich der Dicke der InSb-Dünnschicht 5, d. h. etwa 2 μπι. Daher lassen sich hier befriedigende Verdrahtungen nur mit einer Ausbeute
ίο von etwa 80% oder weniger erzielen.
In den obigen Beispielen wurde nur die Vakuumaufdampfung als Mittel zum Anbringen einer Halbleiterdünnschicht erläutert, doch läßt sich beispielsweise die Bildung der InSb-Dünnschicht auch
is erreichen, indem man in eine aus 1-69 At% Sb und Rest In bestehende Legierungsschmelze eine Unterlage auf einer Temperatur etwas unter dem Schmelzpunkt der Legierung eintaucht.
Wie vorstehend erläutert, weist das magnetemp-
findliche Dünnschichthalbleiterbauelement gemäß der Erfindung keinen Vorsprung an der Oberfläche des Isolierüberzugs auf, und dieser ist härter als die Halbleiterdünnschicht. Daher führt die Anbringung eines weiteren Teiles, wie z. B. eines Polstückes an der Dünnschicht, nicht zu einem schädlichen Druck auf das Bauelemenet. Weiter ist die Häufigkeit von Störungen dadurch, daß eine Verdrahtungsdünnschicht zerreißt, erheblich verringert. Wenn das magnetempfindliche Dünnschichthalbleiterbauelement
jo gemäß der Erfindung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wird, lassen sich ohne weiteres eine gleichmäßige Dicke der Halbleiterdünnschicht und eine geringere Streubreite der elektrischen Eigenschaften erzielen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Magnetempfindliches Dünnschichthalbleiterbauelement mit einer dünnen Halbleiterschicht bestimmter Form und Dicke, deren Boden und Seitenfläche von einem an ihr haftenden Isolierüberzug umgeben sind, der auf einer aus einem Material hoher magnetischer Permeabilität bestehenden Unterlage diese bedeckend angeordnet ist, bei dem die Oberseite der Halbleiterdünnschicht angenähert auf einem Niveau mit der Oberfläche des Isolierüberzugs liegt, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Isolierüberzugs (1,4) härter als das Material der Halbleiterdünnschicht (5) ist.
2. Dünnschichthalbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Elektroden (9) oder Verdrahtungen auf der Oberfläche der Haltäeiterdünnschicht (5) so angeordnet sind, daß keine große Niveauunterschiede entstehen (Fig. 8).
3. Dünnschichthalbleiterbauelement nach Anspruch 1 mit einer InSb-Halbleiterdünnschicht und einer Ferritunterlage, dadurch gekennzeichnet, daß eine auf einer Oberfläche der Unterlage (2) angeordnete erste SiO2-Schicht (4,1) vorgesehen ist, wovon ein erster Teil (4) relativ dünn, ein zweiter, den ersten Teil (4; umgebender Teil (1) dagegen relativ dick ist, daß die InSb-Schicht (5) gänzlich au£ dem ersten Teil (4) der ersten SiO2-Schicht und in Berührung 1Pit dem Seitenbereich deren zweiten Teils (1) angeordnet ist, daß die Dicke der InSb-Schicht ^5) se bemessen ist, daß ihre Oberseite angenähert aur einem Niveau mit der Oberfläche des zweiten Teils (1) der ersten SiOj-Schicht liegt, daß außerdem eine auf den Oberflächen der ersten SiO2-Schicht (4, 1) und der InSb-Schicht (5) angeordnete zweite SiO2-Schicht (8) mit einem einen Teil der Oberfläche der InSb-Schicht \S) freiliegenden Loch vorgesehen ist und daß ein dünner Aluminiumfilm (9) anf der zweiten SiO2-Schicht (8) angeordnet ist, der durch das Loch hindurch den freigelegten Teii der InSb-Schichtoberfläche kontaktiert.
4. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichthalbleiterbauelements nach den Ansprüchen 1 und 2, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
(1) Bildung von Kanälen (3) bestimmter Form und Tiefe in der Oberseite des Isolierüberzuges (I1 4);
(2) Abscheidung der Halbleiterdünnschicht (5) durch Vakuumaufdampfung auf der gesamten Oberfläche des Isolierüberzuges (1, 4) mit den Kanälen (3); und
(3) Entfernung des über dem Oberflächenniveau des Isolierüberzuges (1, 4) abgeschiedenen Anteils der Halbleiterdünnschicht (5) durch Läppen bis zum Verbleib nur deren innerhalb der Kanäle (3) abgeschiedenen Anteils.
5. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichthalbleiterbauelements nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale:
(1) Bildung der ersten SiO2-Schicht (1, 4) in der Weise, daß zunächst eine relativ dicke SiO2-Schicht (1) über der ganzen Oberfläche der Ferritunterlage (2) abgeschieden und zur
Bildung von Kanälen (3) bestimmter Form und Dicke photogeätzt wird und dann eine weitere, relativ dünne SiO2-Schicht (4) auf der Ferritunterlage (2) mit der relativ dicken SiÖ2-Schicht (1) und den Kanälen (3) abgeschieden wird;
(2) Abscheidung der InSb-Dünnschicht (5) auf der gesamten Oberfläche dieser ersten SiO2-Schicht <1, 4); und
(3) Entfernung des über dem Oberflächenniveau des zweiten Teils der ersten SiO2-Schicht (1, 4) abgeschiedenen Anteils der InSb-Dünnschicht (S) durch Läppen bis zum Verbleib nur deren innerhalb des ersten Teils der ersten SiO2-Schicht (1,4) abgeschiedenen Anteils.
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