DE2353770A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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Description

GÜNTHER M. DAVID phn 6619
mcMpr::!.^.!1:,!!^' ^tDcSlAMfEKFABRIEKEIi 9151770 1O*10·73
AUe: PHN-6619 . **<**' 'V
Anmelilvmä vom»- 24.. Okt. 1973
"Halbleiteranordnung"
Die Erfindung bezieht sich auf eiiE Halbleiteranordnung mit zwei gegensinnig in Reihe geschalteten P, N , N-- oder N-, p"*\ P-Dioden mit. einem Halbleiterkörper, wobei an eine praktisch ebene Oberfläche dieses Körpers zwei niederohmige Qberflächenzonen von einem ersten Leitfähigkeitstyp grenzen, die sich in einer den Dioden gemeinsamen hochohmigen Oberflächenschicht erstrecken, wobei sich die hochohmige Oberflächenschicht von der Oberfläche her weiter als die Oberflächenzonen in den Halbleiterkörper erstreckt und diese Zonen von einem niederohmigen Gebiet vom zweiten
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ORIGINAL INSPEQTED
Q _
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Leitfähigkeitstyp trennt, wobei das niederohmige Gebiet und. die beiden Oberflächenzonen mit einem elektrischleitenden Anschlusskontakt versehen sind.
Derartige Halbleiteranordnungen sind z.B. aus "Electronics", den 29. April, I968, S. 75 - 78 bekannt. Insbesondere auf Seite J6 sind eine Anzahl Ausführungsformen "von Kombinationen zweier P, W , N— oder N, P , P— Dioden dargestellt, die nachstehend kurz als PIN-Dioden bezeichnet werden.
Für Kombinationen zweier gegensinnig in Reihe geschalteter PIN—Dioden gibt es viele Anwendungsmöglich— keiten und sie sind von besonderer Bedeutung für Hochfrequenz schal tungen im Bereich von z.B. 10 MHz bis 10 GHz und höher. Sie können als Schalter oder als regelbare Kapazität oder z.B. in(elektronisch regelbaren) Abschwächerschaltungen, Phasendrehern oder Modulatoren verwendet werden. Die genannten Funktionen spielen u.a. eine wichtige Rolle in elektronischen Informationstechniken, wie FM-Rundfurik, Fernsehen und Radar.
Bekanntlich wird beim Betrieb das Hochfrequenzsignal meistens einer der beiden kontaktierten Oberflächenzonen zugeführt, wobei die andere kontaktierte Oberflächenzone den Hochfrequenzsignalausgang bildet. Mit Hilfe des kontaktierten niederohmigen Gebietes, das auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers angebracht ist, und das den mit dem Knoten-
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punkt der Dioden verbundenen Mittelkontakt der Kombination bildet, werden die beiden Dioden meistens in der Durchlass- und manchmal in der Sperrichtung eingestellt. In Sehaltern und Abschwächerschaltungen kann diese Einstellung mit Hilfe von Gleichstrom erfolgen, während dazu z.B. beu Modulatoren oder Ringmischschaltungen ein Niederfrequenzwechselstromsignal in Verbindung mit einem Gleichstrom verwendet wird. Dabei wird die Tatsache benutzt, dass der Differentialwiderstand der Dioden stromabhängig ist, sofern es sich um Gleichstrom und um verhältnismässig langsame Stromänderungen handelt, aber praktisch nicht von Hochfrequenz-=.Stromänderungen beeinflusst wird oder wenigstens für diese Stromänderungen viel weniger empfindlich ist.
Den bekannten Diodenkombinationen haften namentlich vom Herstellungsgesichtspunkt Nachteile an. Im Zusammenhang mit dem erforderlichen niedrigen·Reihenwiderstand in,der Durchlassrichtung befinden sich die Oberflächenzonen· einerseits und das niederohmige Gebiet andererseits auf einander gegenüber liegenden Seiten der gemeinsamen hochohmigen Halbleiterschicht, wodurch der Halbleiterkörper auf zwei Seiten kontaktiert werden muss. Diese Anordnungen eignen sich dadurch nicht zur Anwendung von Direktkontaktverfahren bei der Fertigmontage. Auch können sie praktisch nicht mit sogenannten "beam-leads" ausgeführt werden, während bekannt-
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lieh Anschlüsse in Form von Leiterbäumen insbesondere bei hohen Frequenzen wegen ihrer· geringen Selbstinduktion vorteilhaft sind.. Ausserdem eignen, sicti diese Anordnungen weniger gut zur Anwendung in integrierten Schaltungen. Integration von HochfrequenzscliaJLtungen ist ja insbesondere dann attraktiv, wenn .dabei die elektrischen Verbindungen zwischen den SpMltungselementen auf einfache Meise erhalten "werden können und besonders kurz sind, so dass die mit diesen Verbindungen zusammenhängenden Streueffekte iiz erheblichem Masse herabgesetzt werden. Mit den bekannten Diodenkombinationen kann dieser Vorteil nur in beschränktem Masse erzielt werden.
Durch Anwendung der Erfindung können d.ie obengenannten und andere Nachteile völlig oder teilweise beseitigt werden.
Die Erfindung liegt die Aufgabe zagrande, eine neue Kombination gegensinnig in Reihe geschalteter PIN-Dioden zu schaffen, die insbesondere für die Anwendung in Hochfrequenztechniken geeignet ist und sich weiter auf verhältnismässig einfache Weise herstellen lässt. Namentlich für Hochfrequenzzwecke ist es erforderlich, dass u.a. die Reihenwidei-stände -und Selbstinduktionen sehr klein sind. Der Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass die elektrischen und. insbesondere auch die
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eigenschaft ten viel weniger· stark von dem den Dioden gemeinsamen niederohmigen Gebiet und dessen Lage in bezug auf die beiden Oberflächenzonen abhängig sind als bisher angenommen wurde.
Nach der Erfindung ist eine Halbleiteranordnung der eingangs beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, dass das mit einem elektrischen Anschlusskontakt versehene niederohmige Gebiet an dieselbe Oberfläche
wie die beiden. Oberflächenzonen grenzt, wobei der AtBcülusakontakt eier der beiden Oberfläcbsnzcnen einen Hochfrequenz signaleirgang und der An— schlusskontakt der anderen' Oberflächenzone einen Hochfrequenzsignalausgang bildet, und wobei sich zwischen diesem Signaleingang und diesem Signalausgang ein Stromweg regelbarer Impedanz befindet, der sich praktisch völlig in dem Halbleiterkörper ausserhälb des Anschlusskontaktes des niederohmigen Gebietes erstreckt.
Vorzugsweise erstreckt sich die hochohmige Oberflächenschicht von der Oberfläche, an die die Oberflächenzonen grenzen, über die ganze Dicke des Halbleiterkörpers bis zu einer zu der genannten Oberfläche praktisch parallelen gegenüberliegenden Oberfläche. Diese Struktur weist den grossen Vorteil auf, dass bei der·Herstellung keine Dotierung an der gegenüberliegenden Oberfläche angebracht zu werden braucht.
Ber spezifische Widerstand der höchohmigen Schicht is't vorzugsweise grosser als 50 -ίλ ...cm und, was
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noch, günstiger ist, sogar grosser als Xl .cm.
Vorteilhaft befindet sich das mit einem Anschlusskontakt versehene niederohmige Gebiet, auf die Oberfläche gesehen, ausserhalb des zwischen den beiden Oberflächenzonen liegenden Teiles der hochohmigen Schicht, während ausserden. der Abstand zwischen dem niederohmigen Gebiet und jeder der Oberflächenzonen grosser ist als der Abstand zwischen den einander zugekehrten Rändern der beiden Oberflächenzonen.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Diodenkombination nach "der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Oberflächenzonen vom ersten Leitfähigkeitstyp und das niederohmige Gebiet vom zweiten Leitfähigleitstyp mit Hilfe von Anschlusskontakten kontaktiert sind, die in Form τοπ seitlich praktisch parallel zu der Oberfläche aus dem Halbleiterkörper hervorragenden Leitern (auch als "beam leads" bezeichnet) ausgebildet sind.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung ist noch der, dass die Diodenkombination in integrierten Schaltungen verwendet werden kann. Eine weitere Ausführungsform der Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist entsprechend dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper zu einer Gruppe von Halbleiterkörpern gehört, die je ein oder mehrere Schaltungselemente enthalten, die aus derselben Halbleiterscheibe durch Ent-
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f erntmg des zwischen den Körpern vorhandenen überschüssigen Halbleitermaterials hergestellt und durch eine Isolierschicht und/oder einen isolierenden Träger und/oder durch Anschlusskontakte mechanisch und elektrisch zu einer integrierten Schaltung zusammengebaut sind.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild eines Breibandschalter/ Abschwächergebildes mit PIN—Diodenkombinationen,
Fig, 2 schematisch eine Draufsicht auf eine integrierte Schaltung, deren zugehöriges Schaltbild in Fig. 1 dargestellt ist,
Fig. 3 schematisch einen Querschnitt durch einen Teil dieser integrierten Schaltung längs der Linie III-III der Fig. 2, und
Fig. h schematisch einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform einer PIN-Diodenkombination nach der Erfindung.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild eines Dreiband— schalter/Abschwächergebildes. Dieser Schalter, der aus drei regelbaren Abschwächern in "Tt -Anordnung zusammengesetzt ist, enthält sieben Kombinationen von zwei gegensinnig in Reihe geschalteten PIN-Dioden. Die drei Eingänge der drei in der Fernsehtechnik üblichen Bänder
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sind mit 1, 2 und 3 bezeichnet, während sich der Signalausgang bei k befindet. Die Mittelkontakte der Dioden sind über Widerstände mit Anschlusspunkten 11, 12, 21, 22, 31, 32 und 4o verbunden, die z.B. ihrerseits mit einem nicht dargestellten Regelkreis verbunden sein können, mit dessen Hilfe in Abhängigkeit von einem zugeführten Regelsignal geregelt werden kann, welches der den Eingängen 1, 2 und 3 zugeführten Wechselstromsignale an den Ausgang 4 weitergeleitet wird und in welchem Masse das weitergeleitete Signal abgeschwächt wird. Die Anschlüsse 5» 6, 7 und 8 können mit einem Punkt von Bezugspotential, z.B. mit Erde, verbunden werden.
Da die Wirkung der Abschwächerschaltung und des Regelkreises für die vorliegende Erfindung nicht von wesentlicher Bedeutung ist, wird darauf nicht näher eingegangen. Wohl ist es wichtig, dass diese und ähnliche Schaltungen durch Anwendung der Erfindung integriert werden können, wobei die Herstellung verhältnismässig einfach ist und dennoch Schaltungen mit sehr günstigen Hochfrequenzeigenschaften erhalton werden können.
Fig. 2 zeigt z.B. schematisch den Layout oder die Topologie eines integrierten Dreibandschalter/Abschwächergebildes nach dem Schaltbild der Fig. 1, welche integrierte Schaltung sich in der Praxis als
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zur Anwendung in dem Frequenzbereich, zwischen 10 MHz und etwa 10 G-Hz geeignet erwiesen hat, wobei die Abschwächung von etwa 0,5 bis 60 dB und der Widerstand won/einigen Ohms bis etwa 5 k£I geregelt werden kann.
In Fig* 2 sind entsprechende elektrische Anschlusskontakte mit den. gleichen Bezugsziffern wie in Fig. 1 bezeichnet.
Die integrierte Schaltung enthält einen Halbleiterkörper 50 mit einer Anzahl gegeneinander isolierter Teilkörper oder Gebiete 51 - 58. Das Gebiet 51 umgibt die Gebiete 52 - 58 und enthält die in Fig. 1 dargestellten Widerstände in Form von sieben dotierten Halbleiterzonen 59 > der-en Leitfähigkeitstyp dem des Gebietes 51 entgegengesetzt ist. Jedes der sieben Gebiete 52- - 58 enthält zwei gegensinnig in Reihe geschaltete PIN-Dioden» wie deutlich aus"dem Querschnitt nach Fig·. 3 durch, eine dieser Diodenkombinationen ersichtlich ist. "
Diese PIN^Diodenkombination weist einen Halbleiterkörper auf, der durch den Teilkörper oder das Gerbiet 52 gebildet wird, der oder"das in diesem Falle aus hoehöhmigem ητ-leitendem Silicium besteht. Vorzugsweise ist der spezifische Widerstand desselben grosser als 50 XL .cm oder, was noch, günstiger ist, grosser als TOQ-Q .cm. Dieses hochohmige, wenigstens verhältnis— massig praktisch eigenleitende Gebiet bildet eine den
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beiden PINi-Dioden gemeinsame Zone. An einer praktisch, ebenen Oberfläche 66 dieses Gebietes 52 befinden sich zwei nebeneinander liegende Oberflächenzonen ÖO und 61 von einem ersten Leitfähigkeitstyp. In diesem Falle handelt es sich um durch. Ionenimplantation oder Diffusion erhaltene p-leitende Zonen mit einem Quadratswiderstand von etwa 10 Xl . Sie erstrecken sich bis zu einer Tiefe von z.B. etwa 2 ,um unter der Halbleiteroberfläche, wobei die Dicke des hochohmigen Gebietes 52 viel grosser und z.B. etwa ^O /um ist.
Das hochohmige Gebiet 52 trennt die Oberflächenzonen 6o und 61 voneinander und von einem niederohmigen Gebiet 62 vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Das niederohmige Gebiet 62 ist in diesem Falle ein n-dotiertes Gebiet mit einem Quadratswiderstand von z.B. etwa 2 bis 3SX · Die Oberflächenzonen 6o und 61 und das niederohmige Gebiet sind mit Hilfe von Anschlussleitern oder -kontakten 63» 6k und 65 kontaktiert, die sich nach der Erfindung alle drei an der Oberfläche 66 des Gebietes 52 befinden.
Die Anschlussleiter 63, 6k und 65 sind Leiterbahnen, die sich auf einer auf der Halbleiteroberfläche 66 vorhandenen Isolierschicht 67 erstrecken und die durch Oeffnungen in dieser Schicht 67 mit den Oberflächenzonen 60 und 61 bzw. dem niederohmigen Gebiet in Kontakt sind.
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Die bisher an Hand der Fig. 3 beschriebene Diodenkorabination kann in einer Umhüllung oder in einer Hybridschaltung montiert werden, wobei übliche Techniken angewendet werden können. Z.B. können durch Thermokompression Drähte an den Bahnen 63, 64 und 65 befestigt oder können die Bahnen 63, 64 und 65 örtlich verdickt werden, um die Diodenkombination für direkte Befestigung auf einem mit Leiterbahnen versehenen Substrat geeignet zu machen, wobei die örtlichen Verdickungen z.B. durch Löten mit den Leiterbahnen des Substrats verbunden werden. Auch können die leitenden Anschlüsse 63, 64 und 65 auf an sich übliche Weise in Form sogenannter "beamleads" ausgebildet sein.
Eine mögliche Ausführung eines "beam-lead"-Anschlusses, d.h. ein Anschluss, der durch einen Leiter gebildet wird, der in seitlicher Richtung und etwa parallel zu der Oberfläche des Halbleiterkörpers, an die kontaktierte Halbleiterzonen grenzen, aus dem Halbleiterkörper hervorragt, zeigt Fig. 3. als den Anschluss 7· Die kontaktierte Dxodenkombination ist mit einer zweiten Isolierschicht 68 überzogen, auf der sich ein zweites Muster von Leiterbahnen 69 erstreckt. Teile dieses zweiten Musters von Leiterbahnen sind über Oeffnungen in der Isolierschicht 68 mit auf der ersten Isolierschicht 68 Liegenden Leitern' 63 und 64 verbunden. Für aJ 1 ü oder einen Teil der Leiterbahnen 69 kaniy eine
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Dicke gewählt werden, die eine genügend grosse Festigkeit der seitlieh hervorragenden Anschlüsse sicherstellt. Die in diesem Beispiel angewendete Aus führung· s — form von "beam-leads" ist ausführlicher in der britischen Patentschrift 1*290.19^ beschrieben. Diese Ausführungsform ist nicht nur wegen ihrer hohen Korrosionsbeständigkeit, sondern auch deshalb besonders geeignet -, weil eine zweite Schicht von Verbindungsleitern verfügbar ist, so dass einfach sich kreuzende Verbindungen erhalten werden können. Weiter sind in der Schaltung nach Fig. 2 möglichst i-nsbesondere diejenigen leitenden Verbindungen, in denen der Reihenwiderstand und/oder die Streukapazität in bezug auf den Halbleiterkörper störend sind, in der zweiten Schicht angebracht. Für die Leiterbahnen in der zweiten Schicht kann ja leicht, z.B, durch Anwendung einer verhältnismässig grossen Dicke, ein verhältnismässig grosser Querschnitt erhalten werden, während sich ausserdem diese Schicht in grqsserer Entfernung von dem Halbleiterkörper als die erste Schicht befindet. Der Deutlichkeit halber sind die Leiterbahnen der ersten Schicht und die der zx^oi — ten Schicht in Fig. 2 in verschiedenen Richtungen schraffiert. Weiter versteht es sich, dass Reihenwiderstände und Streukapazitäten namentlich in Hochfrequenzschaltungen der obenbeschriebenen Art oft eiiio wichtige Rolle spielen, wobei sie 1Z, . H . doll zu I Vi^ s i fyoii
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Frequenzbereich beschränken können. .
Die beschriebene integrierte,Schaltung enthält eine Anzahl Teilkörper 51 - 58, die aus derselben 'Halbleiterscheibe hergestellt und durch Entfernung des überschüssigen Halbleitermaterials gegeneinander isoliert sind. Die Teilkörper sind mechanisch durch die Isolierschichten 67 und 68, die die zwischen den Teilkörpern vorhandenen Nuten überbrücken', durch einen Teil der Leiterbahnen der ersten Schicht, wie z.B. die Leiterbahn 65, durch einen Teil der Leiterbahnen 6° in der zweiten Schicht und durch die teilweise aus dem Rand 70 hervorragenden Anschlussleiter mechanisch miteinander verbunden. Naturgemäss bilden die genannten Leiterbahnen und Anschlussleiter zugleich die für die Schaltung benötigten elektrischen Verbindungen.
Fig. k zeigt eine andere Ausführungsform der Diodenkombination nach der Erfindung. An einer Oberfläche eines hochohmigen p-leitenden Halbleiterkörpers 81 befinden sich zwei kreisförmige η-leitende Oberflächenzonen 82 und 83mit einem Durchmesser von etwa 80 /um. Diese Oberflächenzonen sind an der genannten Oberfläche auf Abstand von einem niederohmigen p-leitenden Gebiet 8k umgeben. Das Gebiet 84 ist ein ununterbrochenes Gebiet mit zwei kreisförmigen Oeffnungen mit einem Durchmesser von etwa 240/um, in deren Mitten die Oberflächenzonen 82 und 83 liegen. An der gegenüber-
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liegenden Oberfläche des eine Dicke von etwa 50 /um aufweisenden Halbleiterkörpers 81 ist eine niederohmige p-leitende Schicht 85 angebracht.
Der Halbleiterkörper 81 ist weiter mit einer Isolierschicht 86 mit Oeffnungen versehen, durch die Leiterbahnen 87, 88 und 89 mit den Oberflächenzonen 82 und 83 bzw. dem niederohmigen Gebiet 84 verbunden sind. Der Halbleiterkörper ist mit seiner kontaktierten Seite auf einem isolierenden Träger 90 befestigt, auf dem erwünschtenfalls auch andere Halbleiterbauelemente vorhanden sein können.
Bei der Herstellung der Diodenkombination nach Fig. 4 kann z.B. von einer p—leitenden Silicium— scheibe mit einem spezifischen ¥iderstand von 200 bis 300 Si .cm und einer Dicke von z.B. etwa 200 /um ausgegangen werden. Der mittlere Teil dieser Scheibe wird auf eine Dicke von z.B. etwa 50 /um' abgeätzt, wobei rings herum ein Rand mit der ursprünglichen Dicke im Zusammenhang mit der gewünschten Hantierbarkeit der Scheibe bei den weiteren Behandlungen aufrechterhalten wird. Dann kann auf einer oder auf beiden Seiten der Scheibe eine niederohmige z.B. mit Bor dotierte p-leitende Schicht angebracht werden, wobei im letzteren Falle auf einer Seite des Körpers die erhaltene Schicht z.B. durch Aetzen wieder entfernt wird. Der mittlere Teil der Scheibe besteht nun aus einer nie-
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derohmigeh Schicht 85 und einer hoehohmigen Schicht 81*
Es sei bemerkt j dass für die meisten Anwehdüngen eine hochohniige Schicht 81 mit sehr hohem spezifischem Widerstand und einer langen Lebensdauer der Ladungsträger verlangt·- wird f wodurch diese Schicht 81 in der Praxis schwer als epitaktische Schicht ausgebildet werden kann. Niirt muss von einem hochohmigen Körper ausgegangen werden und müssen^ nachdem die Halbleiterscheibe praktisch auf die gewünschte Dicke gebracht worden ist, auf wei verschiedene Seiten dotierte Gebiete an-■ gebracht· werden.
Anschliessend werden auf übliche Weise in der hochohmigen Schicht 81 die öberflächengebiete 82, 83 und 84 angebracht, wobei gleichzeitig anderswo in der Halbleiterscheibe Zonen anderer Schaltungselemente erhalten werden können. Nachdem die Halbleiterscheibe auf übliche Weise mit Leiterbahnen 87, 88 und 89 zum MitelnariderVerbindeh von Schältüngselementen und für elektrischen Anschluss der Anordnung versehen ist, kann die Scheibe auf einem isolierenden Träger befestigt werden. Dann kann der mittlere Teil der Scheibe durch Aetzen von der Oberfläche der hiederohmigen Schicht 85 her in voneinander getrennte Teile unterteilt werden. Danach kann auch der isolierende Träger unterteilt werden. Dabei können die erhaltenen Trägerteile einen oder aucll mehrere Halbleiterkörper besitzen« Im letz— ■
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teren Falle können integrierte Schaltungen erhalten werden, die mechanisch im wesentlichen durch den isolierenden Träger zusammengehalten werden, wobei die elektrischen Verbindungen durch Leiterbahnen, wie die Bahnen 87, 88 und 89, gebildet werden.
Die Diodenkombination kann also auf verhältnismässig einfache ¥eise hergestellt werden, wobei die niederohmige Schicht 85 nicht kontaktiert zu werden braucht, weil auf der gegenüberliegenden Seite ein Mittelkontakt für die Kombination angebracht ist. Dabei wird die Tatsache benutzt, dass der Mittelkontakt nur für die Gleichstromeinstellung dient und das Wechselstromsignal nicht durch diesen Anschluss fliesst, Der Reihenwiderstand dieses Anschlusses übt daher praktisch keinen Einfluss auf die Hochfrequenzeigenschaften der Diodenkombination aus.
Dagegen kann wohl die niederohmige Schicht 85 zur Herabsetzung des ReihenwiderStandes für den von der Oberflächenzone 82 zu der Oberflächenzone 83 oder umgekehrt fliessenden Wechselstrom dienen. Versuche, die zu der Erfindung geführt haben, haben jedoch ergeben, dass, wenn diese Oberflächenzonen in nicht zu grosser Entfernung voneinander liegen, der Einfluss der niederohmigen Schicht 85 auf den Reihenwiderstand verhältnismässig gering ist. Diese Tatsache kann dazu benutzt werden, die Herstellung noch erheblich zu ver-
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einfachen. Durch das Weglassen der niederohmigen Schicht, wie im Beispiel nach Fig. 3, können ja das Abätzen der Halbleiterscheibe in einer frühzeitigen Stufe auf eine geringe Dick'e und das beidseitige Dotieren dieser Scheibe unterlassen werden. Die hochohmige Halbleiterschicht erstreckt sich also vorzugsweise von der Oberfläche, an die die Oberflächehzonen grenzen, über die ganze Dicke des Halbleiterkörpers und bis zu einer zu der genannten Oberfläche praktisch parallelen, gegenüberliegenden Oberfläche, wobei der unter den Oberflächenzonen liegende Teil des Halbleiterkörpers bis zu der gegenüberliegenden Oberfläche völlig aus hochohmigem Material besteht. Die Halbleiterscheibe wird nun erst, nachdem die gewünschte Dotierung und die Metallisierung
angebracht sind, auf geringe Dicke abgeätzt und meistens unterteilt. Das Abätzen kann in diesem FaJ-Ie mit weniger grosser Genauigkeit erfolgen, weil die Dicke der Scheibe in geringerem Masse als im Beispiel nach Fig. 4 die elektrischen Eigenschaften beeinflusst, in welchem letzteren Beispiel der Abstand zwischen den Zonen 82 und 83 und dem niederohmigen.Gebiet 85 von der Dicke und somit auch von dieser Aetzbehandlung abhängig ist.
Bekanntlich wird bei PIN-^Dioden beim Betrieb in der Durchlassrichtung das ho.chohmige Gebiet mit in dieses Gebiet injizierten Ladungsträgern überschwemmt,
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wobei diese im Verhältnis zu der GIeichgewichtskonzentration in diesem Gebiet hohe Ladungsträgerkonzentration die Leitfähigkeit des hochohmigen Gebietes bestimmt Diese Leitfähigkeit kann mit Hilfe des Gleichstroms eingestellt und/oder· mit Hilfe eines Wechselstroms nicht zu hoher Frequenz geändert werden. Wird die Wechselstromfrequenz zu hoch, so kann die Konzentration injizierter Ladungsträger sich nicht genügend schnell mehr an den augenblicklichen Strompegel anpassen und bei genügend hoher Frequenz verhält sich das hochohmige Gebiet praktisch wie ein wechselstromunabhängiger Widerstand. Bei der PIN-Diodenkombination nach Fig. muss wahrscheinlich angenommen werden, dass der zu jeder der beiden Dioden gehörige, mit Ladungsträgern überschwimmte Teil der hochohmigen Schicht 52 derart gross ist, dass tatsächlich ein unterbrochenes gemeinsames und an die beiden Oberflächenzonen 60 und 61 grenzendes Gebiet mit einer hohen Konzentration an injizierten Ladungsträgern gebildet wird. Der Wechselstrom kann dann über dieses gemeinsame Gebiet, das einen regelbaren Widerstand bildet, unmittelbar von einer Oberflächenzone 6θ zu der anderen Oberflächenzone 61 oder umgekehrt fHessen. Auf diese Weise Hesse sich erklären, dass die Lage und der spezifische Widerstand des niederohmigen Gebietes 62 praktisch keinen und wenigstens keinen entscheidenden Einfluss mehr auf
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den Hochfrequenzreilienwiderstand der Diodenkombination ausüben. In diesem Zusammenhang spielt der Leitfähigkeitstyp der hochohmigen Schicht keine wichtige Rolle. Diese Schicht kann sowohl eine η-leitende als auch eine p-leitende Schicht sein. ·
Nun da der Wechselstrom unmittelbar von einer zu der anderen Oberflächenzone fHessen kann, sind die Oberflächenzonen vorzugsweise mit einem praktisch geraden Teil ihrer Begrenzung einander zugekehrt. Die Zonen 6o und 61 weisen an der Oberfläche praktisch die Form eines Halbkreises auf (siehe Bg. 2), wobei sie mit dem geraden Teil eines Randes einander zugekehrt nebeneinander liegen. Der Radius des Kreises ist z.B.. hO /um und der gerade Teil des Zonenrandes ist z.B. 80yum. Der Abstand zwischen den beiden Ober- - flächenzonen ist z. B". etwa 20 /um. Das niederohmige • Gebiet 62 befindet sich vorzugsweise ausserhalb des zwischen den beiden Oberflächenzonen- liegenden Teiles der hochohmigen Schicht 52 und kann z.B. ringförmig, wenigstens mit einer geschlossenen Geometrie, ausgeführt sein, (siehe die Figuren- 2 und 3) oder aus einem oder mehreren, vorzugsweise zu dem von den Oberflächenzonen eingenommenen Gebiet symmetrisch angeordneten Gebieten bestehen. In dem Beispiel nach Fig. 3 beträgt dar Abstand der inneren Begrenzung der Zone 62 von jeder der Oberflächenzonen 6o und 61 etwa 4o /um. Die aus sere Be-
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grenzung der Zone 66 ist· z.B. rechteckig mit Abmessungen von etwa 200 ,um x. 220 /um. Vorzugsweise ist der Mindestabstand an der Oberfläche zwischen dem niederohmigen Gebiet oder jedem der niederohmigen Gebiete und jeder der Oberflächenzonen grosser als der Abstand zwischen den einander zugekehrten Randern der beiden Oberfläclienzonen.
Es leuchtet ein, dass sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abwandlungen möglich sind. So können z. B0 auch andere Halbleitermaterialien, wie
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Germanium und A B —Verbindungen, verwendet werden.
Für eine Isolierschicht können ausser Siliciumoxyd z.B. Siliciumnitrid oder Aluminiumoxyd verwendet werden, wobei auch zusammengesetzte, aus verschiedenen Schichten aufgebaute Isolierschichten geeignet sind.
In den beschriebenen Beispielen können die Leitfähigkeitstypen der Oberflächenzonen und des niederohmigen Gebietes durch die entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen ersetzt werden. Vorzugsweise werden die Oberflächenzonen, namentlich bei PIN-sDioden, die in der Durchlassrichtung betrieben werden, durch n-leitende Zonen gebildet»
U.a. wenn die Diodenkombinationen als veränderliche Kapazität verwendet werden, ist der Leitfällig-
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keitstyp der hochohmigen Schicht vorteilhaft gleich dem des niederohmigen Gebietes und also dem der beiden Oberflächenzonen entgegengesetzt. Weiter kann namentlieh bei veränderlichen Kapazitäten die hochohmige Oberflächenschicht eine epitaktische Schicht mit einem an diese Anwendung angepassten für veränderliche Kapazitäten aus der Fachliteratur an sich bekannten Dotierungsprofil sein. Die epitaktische Schicht, die z^B. eine Dicke von etwa 10 /um aufweisen kann, kann auf einem Substrat vom gleichen Leitfähigkeitstyp und mit einem niedrigeren spezifischen Widerstand angebracht sein.
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Claims (2)

  1. PHN 6619 10.10.73
    Patentansprüche:
    {1 · j Halbleiteranordnung mit zwei gegensinnig in Reihe geschalteten P, N , N- (Ν, P , P)-Dioden mit einem Halbleiterkörper, wobei an eine praktisch ebene Oberfläche dieses Körpers zwei Oberflächenzonen von einem ersten Leitfähigkeitstyp grenzen, die sich in einer den Dioden gemeinsamen hochohmigen Oberflächenschicht erstreckens dia sich von der Oberfläche 'her weiter als die Oberflächenzonen in dem Halbleiterkörper erstreckt und diese Oberflächenzonen von einem niederohmigen Gebiet vom zxfeiten Leitfähigkeitstyp trennt, wobei das niederohmige Gebiet und die beiden Oberflächenzonen mit einem elektrisch leitenden Anschlusskontakt versehen sind9 dadurch gekennzeichnet, dass das mit. einem elektrischen Anschlusskontakt versehene j, niederohniige Gebiet an dieselbe. Oberfläche wie die beiden Oberflächenzoaen grenst, wobei der 'Anschlusskontakt einer der beiden Oberflächenzonen
    einen Hochfrequenzsignaleingang und der Anschlusskontakt der anderen Oberflächenzone einen Hochfrequenz— signalausgang bildet, und wobei sich zwischen diesem Signaleingang und diesem Signalausgang ein Stromweg regelbarer Impedanz befindet, der sich praktisch völlig in dem Halbleiterkörper ausserhalb des Anschlusskontakts des niederohmigen Gebietes erstreckt.
  2. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch
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    gekennzeichnet, dass sich die hochohmige Halbleiterschic ht von der genannten Oberfläche über die ganze Dicke-des Halbleiterkörpers bis zu einer zu der genannten Oberfläche praktisch parallelen, gegenüberliegenden Oberfläche erstreckt.
    3· Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2» dadurch gekeimzeichnet, dass der spezifische Widerstand der hochohmigen Schicht grosser als 50 Λ„cm ist.. .".. ;■" · , ' "■
    4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mit einem elektrisch leitenden Anschlusskontakt versehene niederohmige Gebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp sich, auf die Oberfläche gesehen, ausserhalb des zwischen der beiden Oberflächenzonen liegenden Teiles der hochohmigen Schicht befindete
    5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Oberflächenzonen vom ersten Leitfähigkeitstyp und das niederohmige G-ebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp mit Hilfe von Anschlusskontakten kontaktiert sind, die in Form von seit-liehs praktisch parallel zu der Oberfläche aus dem'Halbleiterkörper hervorragenden Leitern sogenannten "beam leads" ausgebildet sind.
    6. Halbleiteranordnung nach einem, oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
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    dass der Halbleiterkörper zu einer Gruppe von Halbleiterkörpern gehört, die je ein oder mehrere Schaltungselemente enthalten, die aus derselben Halbleiterscheibe durch Entfernung des zwischen den Körpern vorhandenen überschüssigen Halbleitermaterials hergestellt und durch eine Isolierschicht und/oder einen isolieren— den Träger und/oder durch Anschlusskontakte mechanisch, und elektrisch zu einer integrierten Schaltung zusammengebaut sind.
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    tr .
    L e e F s e 11 e
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4932640A (de) * 1972-07-20 1974-03-25
US4050055A (en) * 1976-07-26 1977-09-20 Krautkramer-Branson, Incorporated Attenuator circuit ultrasonic testing
US4257061A (en) * 1977-10-17 1981-03-17 John Fluke Mfg. Co., Inc. Thermally isolated monolithic semiconductor die
JPS5474820A (en) * 1977-11-28 1979-06-15 Stanley Electric Co Ltd Anticlouding apparatus
US4275362A (en) * 1979-03-16 1981-06-23 Rca Corporation Gain controlled amplifier using a pin diode
US4500845A (en) * 1983-03-15 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Programmable attenuator
JPS60126643A (ja) * 1983-12-13 1985-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 印刷媒体
US4738933A (en) * 1985-08-27 1988-04-19 Fei Microwave, Inc. Monolithic PIN diode and method for its manufacture
EP0214414B1 (de) * 1985-08-31 1990-11-14 Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH Verfahren zum Herstellen eines beidseitig kontaktierten Halbleiterkörpers
US4786828A (en) * 1987-05-15 1988-11-22 Hoffman Charles R Bias scheme for achieving voltage independent capacitance
US6835967B2 (en) * 2003-03-25 2004-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor diodes with fin structure
US20080191260A1 (en) * 2004-10-05 2008-08-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor Device And Use Thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT263083B (de) * 1965-04-26 1968-07-10 Siemens Ag Verfahen zum Herstellen von Halbleiterschaltungen
AT270747B (de) * 1963-12-17 1969-05-12 Western Electric Co Verfahren zum Herstellen von mechanisch abgestützten, elektrisch leitenden Anschlüssen an Halbleiterscheiben
US3475700A (en) * 1966-12-30 1969-10-28 Texas Instruments Inc Monolithic microwave duplexer switch
NL7018245A (de) * 1969-12-16 1971-06-18
GB1290194A (de) * 1969-01-02 1972-09-20

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1540051A (fr) * 1966-09-21 1968-09-20 Rca Corp Microcircuit et son procédé de fabrication
US3518585A (en) * 1966-12-30 1970-06-30 Texas Instruments Inc Voltage controlled a.c. signal attenuator
US3549960A (en) * 1967-12-20 1970-12-22 Massachusetts Inst Technology Thermo-photovoltaic converter having back-surface junctions
FR2014743A1 (de) * 1968-07-26 1970-04-17 Signetics Corp
JPS4828958B1 (de) * 1969-07-22 1973-09-06
US3714473A (en) * 1971-05-12 1973-01-30 Bell Telephone Labor Inc Planar semiconductor device utilizing confined charge carrier beams
DE2203247C3 (de) * 1972-01-24 1980-02-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Halbleiterbauelement mit steuerbarer Dämpfung sowie Schaltungsanordnung zu dessen Betrieb

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT270747B (de) * 1963-12-17 1969-05-12 Western Electric Co Verfahren zum Herstellen von mechanisch abgestützten, elektrisch leitenden Anschlüssen an Halbleiterscheiben
AT263083B (de) * 1965-04-26 1968-07-10 Siemens Ag Verfahen zum Herstellen von Halbleiterschaltungen
US3475700A (en) * 1966-12-30 1969-10-28 Texas Instruments Inc Monolithic microwave duplexer switch
GB1290194A (de) * 1969-01-02 1972-09-20
NL7018245A (de) * 1969-12-16 1971-06-18

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Electronics v. 29.04.1968, Bd. 41, Nr. 9, S. 75-78 *
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT-16, Nr. 7, Juli 1968, S. 445-450 *

Also Published As

Publication number Publication date
AU6232073A (en) 1975-05-15
NL7215200A (de) 1974-05-14
JPS50772A (de) 1975-01-07
ES420364A1 (es) 1976-04-16
BE807079A (nl) 1974-05-08
ATA936373A (de) 1979-06-15
IT996919B (it) 1975-12-10
JPS5227031B2 (de) 1977-07-18
US4143383A (en) 1979-03-06
IN140549B (de) 1976-11-27
SE391997B (sv) 1977-03-07
CH574165A5 (de) 1976-03-31
DE2353770B2 (de) 1981-07-16
BR7308693D0 (pt) 1974-08-22
FR2206589A1 (de) 1974-06-07
FR2206589B1 (de) 1978-02-24
CA1006274A (en) 1977-03-01
DE2353770C3 (de) 1982-03-25
GB1445724A (en) 1976-08-11

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