DE2347652C3

DE2347652C3 - Torschaltung

Info

Publication number: DE2347652C3
Application number: DE2347652A
Authority: DE
Inventors: Isa Atsugi Nakamura; Takashi Yamato Okada
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1972-09-22
Filing date: 1973-09-21
Publication date: 1980-04-03
Also published as: SE384436B; CA1003054A; AU6057673A; DE2347652A1; FR2200697A1; NL178931C; NL7313143A; BR7307350D0; DE2347652B2; FR2200697B1; US3892983A; ES418979A1; JPS4966330U; JPS5330212Y2; GB1410858A; AU476375B2; IT994313B; NL178931B

Description

Die Hrfindung betrifft eine Iorschaltung mit einem Infofmationssignal-F.ingangsanschluß, mit einem Schaltsignal-I ingang.sanschluß, dem ein /wischen eincm Sperrpegel und einem DurchlaUpegel veränderbares Schaltsignal zuzuführen ist, mit einem ersten und einem zweiten StmmvcrsorgungsanschluU, damit einer Gleichstromquelle /u verbinden sind, mit Informationssignal-Ausgangsanschlussen, vein denen ein Ausgangssignal entnehmbar ist und vim denen der eine mit dem ersten Stmmversorgungsanschluß verbunden ist, mit einem Schalltransistor, dessen eine Elektrode als Kingangselektrnde mit dem Schallst gnal-Hingangsanschluß verbunden ist wobei die I.eit fähigkeit seiner Ausgangsstretkc vuu dem Pegel des Schaltsignalcs abhängt, mit einem ersten Vcrstärkcrtransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselck-Irodc mit dem Informationssignal-Eiiigangsanschluß verbunden ist, wobei seine Ausgangsstreckc über eine Ausgangslastunpedanz zwischen die Stromversorgungsanschlusse geschaltet ist und wobei über seiner Ausgangsstreckc nur dann das verstärkte Informationssignal auftritt, wenn das Schallsignal seinen

Durchlaßpegel hat, und mit einem zweiten Verstärkertransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Ausgang des ersten Verstärkertransistors gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke zwischen den anderen AuEgangsanschluß und den zweiten Stromversorgungsanschluß geschaltet ist, um eine zweite Verstärkung des Informationssignals zu erreichen, wobei der Schalttransistor sowie dsr erste und der zweite Verstärkertransistor alle vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind.

Bekannt ist eine Torschaltung (Fig. 2) mit zwei in Differentialschaltung geschalteten Transitoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp. Der eine der beiden Transistoren wirkt als Verstärkertransistor und der andere als Schalttransistor. Die Emitter der beiden Transistoren sind miteinander verbunden und über einen Widerstand an den einen Stromversorgungsanschluß angeschlossen. Der Kollektor des Verstärkertransistors ist über einen Lastwiderstand an den zweiten Strornvcrsor^oun°sansch!uß an°esch!ossen während der Kollektor des Schalttransistors direkt mit der. zweiten Stromversorgungsanschluß verbunden ist. Der Basis des Verstärkertransistors werden die Informationssignale zugeführt. Der Basis des Schalttransistors werden die Schaltsignale zugeführt. Mit dem Kollektor des Verstärkertransistors ist die Basis eines zweiten Verstärkertransistors verbunden, der vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der erstgenannte Verstärkertransistor ist. Der Emitter des zweiten Verstärkertransistors ist über einen Widerstand mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden. Ein erster Informationssignal-Ausgangsanschluß ist mit dem zweiten Stromversorgungsanschluß verbunden. Ein zweiter Informationssignal-Ausgangsanschluß ist mit dem Kollektor des zweiten Schalttransistors verbunden. Bei dieser bekannten Torschaltung verstärkt der erste Verstärkertransistor das Informationssignal, wenn der Schalttransistor nicht leitend ist. Wenn der Schalttransistor lebend wird, wird der erste Verstärkertransistor in den nicht-leitenden Zustand geschaltet. Es ist dann jedoch immer noch möglich, daß ein Teil des Informationssignals über die Streukapazität des ersten Verstarkerlransistors an den Eingang des zweiten Verstarkertransistors gelangt. Dieser verstärkt die in unerwünschter Weise übertragener. Signale noch. Da er außerdem immer leitend ist, ist der Stromverbrauch der Torschaltung hoch. Dies ist insbesondere danr nachteilig, wenn die Torschaltung in integrierter Sehaltungsweise realisift werden soll.

Hei einer anderen bekannten Torschaltung (Fig. 3) mit zwei Verstarkertransvstoren und einem Schalltransistnr.die alle vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind, isi der Emitter iles ersten Verstarkerlransistors und des SchalltraiiMst<-rs mit dem ersten Stromversorgungsanschlull verbunden. Der Basis des Schaltlransistors ami ihis Sehallsignal zugeführt. Der Basis des ersten Verslarkertransistors wird über einen Wider Sland das Informationssigtial zugeführt. Außerdem ist mit der Basis des Verstarkerlransisli>rs der Kollektor des Schaltlransistors verbunden. Der Kollektor des Verstärkertransistors ist über einen Lastwiderstand mit dem zweiten Stromversorgungsanschluß verbunden. Weiterhin liegt an dem Kollektor des ersten Verstarkeriransistors die Basis des zweiten Verstärkertransistors, dessen Emitter über einen Widerstand mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist. Der erste Informationssignal-Ausgangsanschluß is! mit dem zweiten Slromversorgungsanschluß verbunden. Der zweite Informationssignal-Ausgangsanschluß ist mit dem Kollektor des zweiten Verstärkertransistors verbunden. Diese bekannte Torschaltung hat gegenüber der zuvor beschriebenen bekannten

S Torschaltung den Vorteil, daß - wenn der Schalttransistor leitend und dementsprechend der erste Verstärkertransistor nicht leitend ist - die Basis des ersten Verstärkertransistors an Masse gelegt wird, wodurch die unerwünschten Signalströme, die sonst über die

ίο Streukapazität des ersten Verstarkertransistors an den Eingang des zweiten Verstärkertransistors gelangen würden, nach Masse abfließen. Der Streufluß ist hier also geringer. Allerdings ist auch bei dieser Schaltung der zweite Verstärkertransistor ständig leitend, so daß der Stromverbrauch hoch und die Verlustwärme groß ist. Auch diese Torschaltung eignet sich daher nicht zur Realisierung in integrierter Schaltungsweite.

Bekannt ist weiterhin (Fig. 4) eine Torschaltung mii drei Transistoren gleichen Leitfr^l:igkeitstyps, von denen jedoch zwei Transistoren als ürha'transistoren und nur ein Transistor als Verstärkertransistor wirkt. Die Emitter der beiden Schalttransistoren sind mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden. Der Kollektor des ersten Schalttransistors ist über einen Widerstand an den zweiten Stromversorgungsanschluß geführt. Der Basis des ersten Schalttransistors werden die Schaltsignale zugeführt. Der Kollektor des ersten Schalttransistors ist mit der Basis des zweiten Schalttransistors verbunden. Der Kollektor des zweiten Schalttransistors ist über einen Widerstand mit dem Emitter des Verstarkertransistors verbunden, dessen Basis die Informationssignale zugeführt werden. Ein erster Informationssignal Ausgangsanschluß ist mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden. Mit dem zweiten Informationssignal-Ausgangsanschluß ist der Kollektor des Verstärkertransistors verbunden. Diese Torschaltung hat den Vorteil, daß - wenn der erste Schalttransistor nicht leitend ist auch der Verstärkertransistor, der normalerweise den meisten Strom zieht, ebenfalls nicht leitend ist. Dadurch wird in dem Zustand, in dem das Informationssignal nicht verstärkt werden soll, nur ein geringer Strom verbraucht. Durch die Streukapazitat des Verstärkertransistors, dessen Kollektor d-'ekt mi* dem anderen Informationssignal-Ausgangsanschluß verbunden ist, kann jedoch auch im gesperrten Zustand immer noch ein unerwünschter Signalstrom vom hingang an den Ausgang gelangen

Sämtliche bisher erwähnten bekannten Schaltungen haben zudem dvn Nachteil, daß die Verstärkung relativ stark abhangig von Betriebsschwankungen is:.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die be-

kannu 'Vorschaltung der eingangs beschriebenen Art (die beispielsweise dem Typ nach Fit: 3 enispric'M) so zu gest.illcn, (lab sie bei ähnlich guter Spcrrdämpfung einen geringeren Strom\erbr;iueh hat und ihre Verstärkung weniger stark von Spannungsschwankungen abhang!

Die Aufgabe ist erfindungsgemaß dadurch gelost.

daü die Ausgangsstrecke des Schalttransistors, die Ausgangslastirnpedanz und die Ausganges ti ecke des ersten Verstarkertransistors in der genannten Reihenfolge in einer Serienschaltung liegen, welche direkt zwischen die beiden Stromversorgungsanschlüsse ge-

!>5 schaltet ist, und daß die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors mit der erwähnten Serienschaltung an einer Stelle zwischen der Ausgangsiastimpedanz und der Ausgangsstrecke des ersten

Verstärkertransistors verbunden ist, derart, daß die Ausgangsstrecke des zweiten Verstärkertransistors nur leitend ist, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegcl hat.

Die erfindungsgemäße Torschaltung zeichnet sich dadurch aus, daß - wenn an den Schalttransistor der Sperrpegel angelegt wird — alle dreli Transistoren im nicht-leitenden Zustand sind, so daß in diesem Zustand praktisch kein Strom verbraucht wird. Die Schaltung eignet sich daher besonders gut zur Realisierung in integrierter Schaltungstechnik. Eine hohe Sperrdämpfung ist insofern gewährleistet, als das für die im gesperrten Zustand der Transistoren über Streukapazitäten fließende unerwünschten Signalströme die beiden Verstärkertransistoren hintereinander liegen. Da der Schalttransistor auf der Kollektorseite des ersten Verstärkertransistors angeordnet ist, kann der Lastwiderstand stets mit genügend hohen Spannungswerten versorgt werden, die eine weitgehende Unabhängigkeit von Betriebsspannungsschwankungen gewährleisten.

Erwähnt werden soll noch, daß auch eine Torschaltung bekannt ist (US-PS 3671 779), weiche aus zwei Schalttransistoren und einem Verstärkertransistor besteht. Die beiden Schalttransistoren sind normale Flächentransistoren, während der Verstärkertransistor ein FET-Transistor ist. Auch hier liegt der eine Schalttransistor auf der drain-Seite des FET-Transistors und gewährleistet somit, daß der Lastwiderstand desd FET-Transistors jederzeit mit genügend hohen Spannungswerten versorgt wird; die Verwendung von Transistoren unterschiedlichen Lekungstyps ist jedoch für die Herstellung in integrierter Schaltungsweise unrationell und aufwendig.

Eine zweckmäßige Ausgestaltung der Erfindung kann darin bestehen, daß ein zweiter Schalttransistor von der gleichen Leitfähigkeitstype wie der erste Schalttransistor vorgesehen ist, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß gekoppelt ist und dessen Ausgangs-

CtIV^rVf¹ in Qprii* mit pinpm T octmiHArctonH rnuicoh«»«

die Stromversorgungsanschlüsse geschaltet ist, und daß die Eingangselektrode des ersten Schalttransistors mit dem Ausgang des zweiten Schalttransistors an der Verbindungsstelle des zweiten Transistors mit dem erwähnten Lastwiderstand verbunden ist.

Eine zweckmäßige Weiterbildung der erfindungsgemäßen Torschaltung kann ferner darin bestehen, daß ein dritter Verstärkertransistor in Kaskade zwischen die Ausgaiigsstrecke des ersten Verstärkertransistors und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors geschaltet ist, und daß ein zusätzlicher Schaltungsteil vorgesehen ist, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor nur dann leitend wird, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.

Zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors kann noch ein dritter Verstärkertransistor geschaltet werden. Ferner kann ein zusätzlicher Schaltungsteil vorgesehen werden, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor nur dann leitend wird, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.

Eine andere Weiterbildung kann darin bestehen, daß der zusätzliche Schallungsteil eine Impedanz enthält, welche die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit der Eingangselektrode des erstcn Schalttransistors verbindet, und daß der zusätzliche Schaitungsteil ferner nur in einer Richtung gleitende Schaltelemente enthält, die in Serie zwischen die Eingangselektrode des dritten Transistors und dem zweiten Stromversorgungsallschluß geschaltetsind. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Torschaltung wird vorgeschlagen, daß ein dritter Verstärkertransistoir vorgesehen ist, dessen Ausgangsstreckc in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersen Verstärkertransistors und die

is Ausgangslastimpedanz geschaltet ist, daß einer als Eingangselektrodc bestimmten Elektrode des dritten Verstärkertransistors eine steuerbare Vorspannung zugeführt ist, um die Verstärkung des Informalionssignals durch den dritten Verstärkertransistor zu steuem, und daß ein vierter Verstärkertransistor vorgesehen ist, welche so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend ist, wobei seine Ausgangsstrecke in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und dem ersten Stromversorgungsanschluß

as geschaltet ist, derart, daß der dritte und vierte Verstärkungstransistor einen Differentialverstärker bilden.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend an Hand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Fernsehempfängers, in dem die erfindungsgemäße Torschaltung Verwendung findet,

Fig. 2 bis 4 Schaltbilder bekannter Torschaltungen, Fig. 5 bis 7 Schaltbilder verschiedener Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Torschaltung. In der nachfolgenden Beschreibung werden unter anderem die Begriffe »offener Pegel« und »geschlossener Pegel« verwendet. Es soll vorab klargestellt werden, daß es sich bei dem »offenen Pegel« um einen ^rw»rrnf»Qi»! itnH Kai H/»m AOAcrhlrvccpnnn PpoaI« um

einen Durchlaßpegel handelt.

Der Fernsehstromkreis bzw. die Fernsehschaltung, die in Fig. 1 dargestellt ist, weist eine Antenne 1 für den Empfang von Fernsehsignalen sowie eine Antennenabstimmeinrichtung 2 zum Auswählen des Kanals für das Fernsehen auf. Der Ausgang der Antennenabstimmeinrichtung 2 ist mit einem ZF-Verstärker 3 verbunden, der Signale einem Videodetektor 4 zuführt. Ein Ausgang des Videodetektors ist mit dem Videoverstärker in einem Helligkeitskanal 5 und mit aufeinanderfolgenden Chrominanzverstärkern 6 und 7 verbunden. Ein anderer Ausgang der Videodetektorschaltung 4 ist mit einer Ablenk- und Synchronisiersignalschaltung 8 verbunden, welche Signale den Klemmen X und Y eines Ablenkbügels zuführt. Die Ablenk- und Synchronisierschaltung 8 liefert auch Torsteuerungssignale an eine Farbsynchronsignaltrennschaltung 9. Die Trennschaltung empfängt Chrominanz- und Farbsynchronsignale aus dem ersten Chrominanzverstärker 6. Das torgesteuerte Farbsynchronsignal aus der Trennschaltung 9 wird an eine Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10, weiche die intermittierenden Farbsynchronsignale in ein kontinuierlicheres Signal derselben Frequenz umwandelt, weitergegeben. Der Ausgang der Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10 wird mit einem Farbsynchronsignaldetektor 11 verbunden, der

wiederum Signale an einen Gleichstromverstärker 12 liefert. Der Ausgang des Oleichstromverstärkers 12 wird mit einer automatischen FarbsteuefSchaltung 13 verbunden, die mit dem Chrominanzverstärker 6 verbunden ist, um den Verstärkungsgrad des Chrominanzverstärkers zu steuern.

Der Ausgang des Gleichstromverstärkers 12 ist auch mit einem Farbkillerstgnalgcbcr 14 verbunden, dessen Aufgabe es ist, ein Signal K zu erzeugen, welches zwei Pegel hat. Der Basispegel des Signals K stellt die Ausgangsspannung dar, wenn die Antcnnenabstimmvorrichtung 2 auf ein Farbsignal genügender Stärke abgestimmt ist, um eine entsprechende Farbwiedergabe zu ergeben. Der obere Pegel des Signals K stellt den Spannungspegel in dem Punkt in dem Stromkreis dar, wenn die Abstimmeinrichtung 2 auf ein Signal abgestimmt ist, das entweder ein Schwarz-Weiß-Signal oder ein derart schwaches Farbsignal ist, daß es unmöglich ist, es richtig in Farbe wiederzugeben. Das Signal K ist somit kein Impuls in dem üblichen Sinn, sondern eine Darstellung zweier Spannungspegel. Der Ausgang der Farbkillerschaltung kann, und gewöhnlich wird, in jedem Pegel so lange verbleiben, als der Empfänger auf eine spezifische Station abgestimmt ist, wobei diese Station einen Typ von Signalen, entweder Färb- oder Schwarz-Weiß-Signale überträgt.

Die Farbsynchronsignalüberschwingersclhaltung 10 liefert auch Signale an einen Ortsoszillator 15, der den Träger speist, um die Chrominanzsignale zu demoduliere.i. Das Ausgangssignal des Oszillators 15 ist mit einem Farbdemodulator 16 verbunden, der Chrominanzsignale demoduliert und die demodulierten Signale einer Matrixschaltung 17 liefert, in v/elcher sie mit Helligkeitssignalen aus dem Helligkeitskanal 5 kombiniert werden, um die erforderlichen Rot-, Grün- und Blausignale zu erzeugen, und um die Intensität der Elektronstrahlen in der Fernsehbildröhre 18 zu modulieren.

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit Stromkreisen byw. Schaltungen in dem zweiten Chrominan7vpr<:tärkpr 7 Die Klpmmpn 21 und 22 sind Fingangsklemmen zu diesem Verstärker, um das Chrominanzsignal aus dem Verstärker 6 und das Farbkillersignal aus dem Farbkillersignalgeber 14 zu empfangen. Der Ausgang des zweiten Chrominanzverstärkers 7 ist über ein Paar Klemmen 23 und 24 mit einer gekoppelten abgestimmten Schaltung verbunden, welche Ausgangsklemmen 25 und 26 aufweist, die mit dem Farbdemodulator 16 verbunden sind.

Eine Ausführungsform eines Stromkreises nach dem Stand der Technik zur Verwendung bei dem zweiten Chrominanzverstärker 7 ist in Fig. 2 gezeigt. Bei dieser Schaltung bzw. bei diesem Stromkreis wird das Chrominanzsignal C an die Eingangsklemme 21 angelegt, während das Farbkillersignal K an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt wird. Das Signal C ist nicht nur auf ein Chrominanzsignal beschränkt, sondern kann allgemeiner als ein Informationssignal zum Unterschied vom Signal K betrachtet werden. Das letztgenannte Signal kann als Schaltsignal bezeichnet werden.

Die Eingangsklemme 21 ist mit der Basis einer ersten Halbleiterverstärkervorrichtüng Q₁ verbunden. Bei diesem Stromkreis bzw. bei dieser Schaltung ist die Halbleitervorrichtung Q₁ ein NPN-Transistor, und ist in einer Differentialverstärkerschaltung mit einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines Transistors Q₂ verbunden. Die Basis des Transistors Q₁ ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden. Die Emitter der beiden Transistoren Q_x und Q₁ sind durch einen gemeinsamen Emitterwiderstand R_x mit Erde verbunden. Der Kollektor des Transistors Q₂ ist unmittelbar mit einer Positivstrom* speiseklemme 27 und der Kollektor des Transistors Q_x ist über einen Belastungswiderstand R₁ mit derselben Stromspeiseklemme 27 verbunden. Der Kollektor

ίο des Transistors Q_x ist auch mit der Basis einer dritten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines Transistors Q₃ verbunden. Der Emitter des Transistors Q, ist über einen Vorspannungswiderstand R_} mit Erde und der Kollektor des Transistors Q₃ ist mit einer der Klemmen der Kupplungsschaltung, insbesondere mit dem Primärteil eines Transformators 7", verbunden. Die Primär- und Sekundärwicklungen des Transformators werden durch Kondensatoren C, und C₂ abgestimmt. Die andere Klemme 23 der Primärwicklung

*o ist unmittelbar mit der Speisestromklemme 27 verbunden.

Solange ein Farbsignal mit einer genügenden Stärke empfangen wird, wird das an die Klemme 22 angelegte Schaltsignal einen Wert unterhalb des Ab-

»5 schaltpegels des Transistors Q₁ haben. Als Ergebnis wird der Transistor Q_x leitend und verstärkt das Informationssignal und legt es an den zweiten Verstärkerstufentransistor Q₁ an.

Wenn das empfangene Signal ein Schwarz-Weiß-Signal ist und daher keine Farbsynchronsignale aufweist, hat jedoch das an die Klemme 22 angelegte Schaltsignal K einen positiveren Wert, der genügend ist, um den Transistor Q₂ genügend leitend zu machen, um zu bewirken, daß der Transistor Q_x nichtleitend wird. In diesem Fall wird das an die Eingangsklemme 21 angelegte Informationssignal gesperrt und kommt theoretisch nicht durch den Transistor Q_x durch, um durch den Transistor Q₃ verstärkt zu werden. Dieser Zustand kann als OFFENER Zustand bezeichnet werden, während der Spannungspegel des Schaltsignals K. der bewirkt, daß Her StrnmVrpi« rfpn OFFF-NEN Zustand erreicht, als OFFENER Pegel betrachtet werden kann. In diesem Fall kann ein Schaltpegel unterhalb des OFFENEN Pegels als der GE-SCHLOSSENE Pegel für NPN-Transistoren betrachtet werden. Wie in Fig. 2 gezeigt, würde der OFFENE Pegel positiver als der GESCHLOSSENE Pegel sein, wobei jedoch für PNP-Transistoren das Umgekehrte zutreffen würde. Es ist ferner wünschenswert, daß die Stromkreise bzw. Schaltungen, welche das Schaltsignal K an die Schaltsignaleingangsklemme 22 liefern, imstande sein sollen, ein Schaltsignal derartiger Amplitude zu erzeugen, daß ein klarer Unteischied zwischen dem OFFENEN Pegel und dem GESCHLOS-SENEN Pegel besteht.

Wenn der Transistor Q₂ leitend und der Transistor Q_x nichtleitend ist, ist es leider immer noch möglich, daß die an die Klemme 21 angelegten Informationssignale einen Weg um den Transistor Q₁ herum zur

Basis des Transistors Q₃ finden. Ein derartiger Weg ist durch die Streukapazität C^₁ angedeutet, welche gezeigt ist, als sie die Basiseingangselektrode des Transistors Q₁ mit der Kollektorausgangselektrode dieses Transistors verbindet. Da der Transistor Q₃

auch ein NFN-Transistor ist, ist seine Basisvorspannung sogar höher, wenn der Transistor Q₁ nichtleitend ist, als wenn er leitend ist. Somit ist der Transistor Q₃ imstande, Streusignale zu verstärken, welche durch

die Streukapazität aus der Eingangsklemme 21 zur Basis des Transistors Q₃ kommen, wenn sogar die Schaltung 7 oder der Stromkreis 7 sich vermutlich in einem OFFENEN Zustand befinden. Der Transistor G₃ vergeudet ferner Energie in dem OFFENEN Zuitand, wobei diese Energie zum Erhitzen der Stromkreiselementc beiträgt. Somit ist dieser Stromkreis zur konstruktion als ein Teil einer integrierten Schaltung ungeeignet.

Fig. 3 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen weiteren Stromkreis nach dem Stand der Technik, bei welchem die Informationssignaleingangsklemme 21 über einen Widerstand /?₄ mit der Basis eines ersten Verstärkungstransistors Q₄ verbunden ist. Dieser Transistor hat einen Belastungswiderstand in Form eines Widerstandes R₅ und ist mit einer zweiten Verstärkerstufe verbunden, welche einen Transistor Qe aufweist. Der Iet7tpre hat einen Vnrsnannungswirlerstand Λ₆ in seiner Emitterschaltung. Das Schalten des Stromkreises 7 nach Fig. 3 zwischen dem OFFENEN und GESCHLOSSENEN Zustand wird mittels eines Schalttransistors Q₅ bewerkstelligt, der unmittelbar mjt den Basis-Emittereingangsklemmen des Transistors Q₄ parallel geschaltet ist. Die Basis des Schalttransistors Q₅ ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden.

Wenn ein Farbfernsehsignal einer genügenden Stärke empfangen wird, so ist der Spannungspegel an der Schaltsignaleingangsklemme 22 kleiner als der Abschaltpegel des Transistors Q₅. Daher ist der Transistor Q₅ nichtleitend, und das an die Informationssignaleingangsklemme 21 angelegte Signal wird durch die beiden Verstärkerstufen verstärkt und an die abgestimmte Ausgangsschaltung angelegt.

Wenn ein Schwarz-Weiß-Fernsehsignal oder ein Farbfernsehen ungenügender Kraft empfangen wird, so wird das Schaltsignal K an die Eingangsklemme 22 angelegt und hat einen genügend hohen Wert, um zu bewirken, daß der Schalttransistor Q₃ leitend wird. Dies bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Verstärkertransistors Q₄ unter den leitenden Pegel sinkt, wodurch die Ampiiiude des Signals weseniiich herabgesetzt wird, das an die Basis des zweiten Verstärkertransistor Q₆ angelegt ist. Wie bei dem Stromkreis nach Fig. 2, würde es für einen Teil des an die Eingangsklemme 21 angelegten Signals möglich sein, einen Streuweg in Form der Streukapazität C_bCt von der Basis des Transistors Q₄ zum Kollektor dieses Transistors zu finden. Der Widerstand Λ₄ und die Emitter-Kollektorschaltung des leitenden Schalttransistors Q₅ bilden jedoch eine Spannungstrennschaltung, welche die Amplitude des Informationssignals an der Basis des Transistors Q₄ weiter reduziert. Als Ergebnis ist sehr wenig vom Signal verblieben, um durch die Streukapazität zum Transistor Q₆ zu lecken. Der letztere ist jedoch leitend, und zwar sogar in dem vermutlich OFFENEN Zustand der Schaltung 7, so daß diese Schaltung sich zur Konstruktion in einer integrierten Schaltung nicht eignet.

Fig. 4 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen anderen Stromkreis nach dem Stand der Technik mit einer unterschiedlichen Schaltanordnung. Die Informationssignaleingangsklemme 21 ist mit der Basis eines Verstärkertransistors Q₇ verbunden, der einen Widerstand 7 hat, der mit seinem Emitter verbunden ist. Die Basis eines Transistors Q_g ist mit der SchüJtsignaleingangsklemme 22 verbunden, während ein Belastungswiderstand R_s vom Kollektor des Transistors Q₁ mit der Speisesliotnklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q₈ ist auch mit der Basis eines Transistors Q₀ verbunden, welcher die zweite Stufe des Schaltstromkreises bildet. Die Emitter-Kol-

S lektorstrecke des Transistors Q₉ ist zwischen dem Widerstand R₁ und Erde in Reihe geschaltet. Der Transformator T₁ mit abgestimmtem Ausgang ist mit den Ausgangsklemmen 23 bzw. 24 der Schaltung verbunden.

ίο Im Arbeitszustand des Stromkreises hzw. der Schaltung nach Fig. 4, wenn sich der Spannungspegel, der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, beim GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der Transistor Q₈ nichtleitend, während der Transistor Q,

v$ leitend ist. Dies ermöglicht es dem Verstärkertran.¹=:- stor Q₇, auch leitend zu sein und das Informationssignal C zu verstärken, das an die Eingangsklemmen 21 anoeleot ist

Wenn der an die Schaltsignaleingangsklemme 22

so angelegte Spannungspegel zunimmt und OFFENER Pegel ist, wird der Transistor Q₈ leitend und bewirkt, daß der Transistor Q₉ nichtleitend wird. Dies hindert den Transistor Q₇ daran, Arbeitsstrom zu empfangen, wodurch auch der Transistor Q₁ nichtleitend gemacht wird.

Diese Arbeitsweise hat den Vorteil, daß der Transistor Q₇, der das verstärkte Informationssignal mit hohem Pegel dem Transformator T₁ liefert, während des OFFENEN Zustands nichtleitend ist, so daß der Stromkreis verhältnismäßig wenig Strom während dieser Zeit verbraucht. Der Transistor Q₇ ist jedoch die einzige Komponente zwischen der Eingangsklemme 21 und dem Transformator 7*,, so daß es möglich ist, unerwünschten Strom hoher Streuung um den Transistor Q₇ über die Streukapazität Q_Cj zum Fließen zu bringen. Ein weiteres unerwünschtes Merkmal dieses Stromkreises besteht darin, daß eine Spannungsschwankung, wie z. B. 60 Brummperioden (cycle hum) in der Stromspeisequelle, die mit der Klemme 27 verbunden ist, durch den Schplttransistor Q₉ während der Zeit verstärkt wird, in welcher sich der Stromkreis in seinem geschlossenen Zustand befindet. Dies ergibt eine unerwünschte Veränderung bzw. Schwankung des Ausgangssignals an den Klemmen 25 bzw. 26.

Fig. 5 zeigt eine Grundausführungsform des erfindungsgemäßen Stromkreises. Die Informationseingangsklemme 21 ist mit der Eingangsschaltung einer Halbleitcrverstärkervorrichtung Q[₀ verbunden. Bei dieser Ausführungsform ist die Halbleiterverstärkervorrichtung ein NPN-Transistor. Der Belastungswiderstand R₉ ist mit der Emitter-Kollektor-Ausgangsschaltung des Transistors Q₁₀ in Reihe geschaltet. Der Transistor Q₁₀ ist als geerdeter Emitterverstärker verbunden. Dies bedeutet, daß der Emitter, welcher sowohl der Basis-Emittereingangsschaltung des Transistors als auch der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors gemeinsam ist, mit Erde verbunden ist, wobei der Belastungswiderstand mit dem Kollektor verbunden ist. Die Basiseingangselektrode eines Schaltsignalhalbleiters in Form eines NPN-Transistors Q_n ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden. Die Emitter-KoUektorausgangsschaltung des Transistors Q_n ist zwischen Erde und einen Belaslungswidersiand A₁₀ geschaltet, dessen anderes Ende mit der Speisestromklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q₁, ist auch mit der Basis der Haupthalbleiterschaltvorrichtung

verbunden, die hier als ein NPN-Transistor Q₁₂ dargestellt ist. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₂ ist zwischen die Speisestromkleirime 27 und den Belastungswiderstand R₉ in Reihe geschaltet.

Die Basiseingangselektrode einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines anderen NPN-Transistors Q₁₃ ist mit einem Punkt in der Reihenschaltung verbunden, welche den Belastungswiderstarid R₉ und die Emitter-Kollektorausgangsschal· tung des Transistors Qj₀ umfaßt, wobei in der Tat die Basis des Transistors Q_n unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors Q₁₀ verbunden ist. Ein Widerstand A₁₁ ist zwischen den Emitter des Transistors Q₁₃ lind die Erdklemme der Stromspeisequelle geschaltet. Der Kollektor des zweiten Verstärkertransistors Q₁₃ ist über die Ausgangsklemme 24 mit dem abgestimmten Transformator T₁ verbunden.

Im Arbeitbzustand der Schaltung bzw. des Stromkreises nach Fig. 5, wenn sich die an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannung bei dem geschlossenen Pegel befindet, ist der Schalttransistor Q_n nichtleitend und der zweite Schalttransistor Q₁₂ leitend. Dies ermöglicht, daß Arbeitsstrom durch den Belastungswiderstand R₉ und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₀ fließt. Ein Informationssignal C, das an die Informationssignaleingangskilemme 21 angelegt ist, wird in einer Reihenfolge durch die Transistoren Q₁₀ und Q₁₃ verstärkt und an den Transformator T_x angelegt.

Obwohl die Impedanz bzw. der Widerstand der Emitteir-Kollektorausgangsschaltung des Schalttransistors Q₁₂ immer noch durch Schwankungen der Arbeitsspannung beeinträchtigt werden kann, die an die Klemme 27 angelegt ist, besteht ein Vorteil des Verbindens des Transistors Q₁₂ auf der Kollektorseite des Verstärkertransistors Q₁₀ darin, daß der Belastungswiderstand R₉ genügend groß gemacht werden kann, so daß derartige Schwankungen keine Wirkung auf die Verstärkung des Informationssignals haben.

Wenn die Schaltspannung K. welche an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, aus dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegel übergeht, wird der Transistor Q₁₁ leitend und reduziert die Spannung an der Basis des Schalttransistors Q₁₂ auf den Punkt, bei welchem der letztere auch nicht mehr leitend ist. Als Ergebnis ist der Transistor Q₁₂ wirksam von der Speisestromklemme 27 getrennt und wird nichtleitend. Gleichzeitig wird auch der Transistor Q₁₃ durch die Verschiebung in dem Vorspannungspegel seiner Basis nichtleitend gemacht. Da die beiden Verstärkertransistoren Q₁₀ und Q₁₃ nichtieitend sind, wird etwaiger Streusignalstrom, welcher die Ausgangsklemme 24 aus der EingangskJemme 21 erreicht hat, durch zwei Streukapazitäten C_6C]iibzw. C_6cij fließen müssen, wovon jede die Amplitude dieses Streustromes reduzieren wird. Wenn die an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannung sich im OFFENEN Pegel befindet, so ist ferner der einzige Transistor im Stromkreis 7, der nichtleitend ist, der Transistor 11. Die durch den Stromkreis in dem OFFENEN Zustand vergeudete Hitze ist daher sehr klein, was ein wünschenswerter Faktor ist, falls der Stromkreis in eine integrierte Schaltung eingesetzt werden soll.

Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit gewissen Vorteilen gegenüber der in Fig. 5 gezeigten Schaltung. Die meisten Kupplungen nach Fig. 6 sind dieselben wie jene bei Fig. 5 und dienen ähnlichen Zwecken. Die zusätzlichen Komponenten umfassen eine zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines NPN-Transistors Q₁₄, deren Emitter-Kollektorschaltung mit der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₀ und dem Belastungswiderstand A₉ in Reihe geschaltet ist. Die Basis des Transistors Q₁₄ ist über den Widerstand R₁₂ mit dem Übergang des Widerstandes

ίο 10 und der Basis des Transistors Q₁₂ verbunden. Eine in einer Richtung leitende Schaltung in Form eines Paares von Dioden D₁ und D₂ ist in der Basis des Transistors Q₁₄ und der Erdklemme der Speisestromijuelle verbunden. Der Übergang zwischen dem KoI-lektor des Transistors Q₁₄ und des Belastungswidtrstandes R₉ ist unmittelbar mit der Basis einer weiteren Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines andern« MDM -r·.„,,,.:,.»

ViIS

stör ist als Emitterfolger mit einem Widerstand R_n

ao zwischen dun Emitter des Transistors Q₁₅ und die Erdklemme geschaltet. Die Basis des Verstärkertransistors Q₁₃ ist unmittelbar mit dem Emitter des Emi'-terfolgetransistors Q₁₅ verbunden.

Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 6 verstärkt der Transistor Q₁₄ weiter das Informationssignal, das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist. Der Transistor Q₁₄ ist mit Bezug auf den Transistor Q_I0inKaskode verbunden. Der Transistor Q₁₅ ändert lediglich den Impedanz- und Spannungspegel des Signals, wie an den Verstärkertransistor Q₁₃ angelegt. Der Zweck des Widerstandes R₁₂ und der Dioden D₁ und D₂ ist, als ein stabilisierter Basisvorspannungsstromkreis für die Transistoren Q₁₂ und Q₁₄ zu wirken, wenn diese Transistoren leitend sind, d. h. im geschlossenen Zustand des Stromkreises. Der Spannungsabfall an den beiden Dioden D₁ und D₂ hat die richtige Größe, um die richtige Vorspannung für den Transistor Q₁₄ zu liefern wobei jedoch eine dritte Diode in Reihe geschaltet werden kann oder diese Dioden durch einen Widerstand zur Erzielung des richtigen Spannungspegels ersetzt werden können.

Wenn der an die Schaltsignaleingangsklerpme 22 angelegte Spannungspegel von dem geschlossenen Pegel in den offenen Pegel übergeht, wird der Schalttransistor Q_n leitend und reduziert die Spannung an den Basen der Transistoren Q₁₂ und Q₁₄ bis zu einem Punkt, bei welchem sie nicht mehr Strom leiten können. Wie bei Fig. 5, sperrt dies den Durchgang des Informationssignals aus der Klemme 21 zur Klemme 24, indem der Transistor Q₁₀ nichtleitend gemacht wird. Zusätzlich zur Tatsache, daß die Transistoren Q₁₀ und Q₁₄ nichtleitend gemacht werden, wird diese Basisvorspannung des Transistors Q₁₅ auch zu einem Punkt reduziert, bei welchem der Transistor nichtleitend ist. Dadurch wird wiederum die Spannung am Widerstand A₃ reduziert und der Transistor Q₁₃ nichtleitend gemacht. Infolge der Nichtleitfähigkeit sämtlicher vier Transistoren, durch welche das Informationssignal hindurchgehen muß, und zwar aus der Eingangsklemme 21 zur Ausgangsklemme 24, ist es klar, daß praktisch kein Signalstreustrom die Klemme 24 erreichen kann. Da der einzige Transistor im Stromkreis, der leitend verbleibt, wenn sich der Stromkreis in seinem OFFENEN Zustand befindet, der Transistor Q_n ist, findet darüber hinaus sehr wenig Wärmevergeudung in dem OFFENEN Zustand statt, so daß der Stromkreis sich sehr gut eignet, in eine integrierte Schaltung eingebaut zu werden.

Eine typische Gruppe von Parametern für den Stromkreis nach Fig. 6 ist wie folgt: R₉ 1,5 K

-R₁₀ 6,5 K

R_n 100 Ohm

R_n 3,9 K

R_n 1,5 K

C₁ 150 pF

C₂ 39 pF

V_cc 12 Volt

Fig. 7 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Dieser Stromkreis hat auch eine Anzahl Komponenten, welche dieselben wie jene nach Fig. 5 sind, so daß nur die neuen Komponenten beschrieben werden. Zwei zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtungen, die hier als NPN-Transistoren Q₁₆ und Q₁₇ dargestellt sind, sind mit dem Kollektor des Verstärkertransistors Q₁₀ differential verbunden. In diesem Fall ist der Transistor Q₁₆ sehr ähnlich dem xvoSiCGucntrHnsiätGr v^m nacu χ ig. u, wouCi seine Emitter-Kollektorschaltung zwischen die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q₁₀ und den Kollektorbelastungswiderstand R₉ in Reihe zwischengeschaltet ist. Die Basis des Transistors Q₁₆ ist mit dem Arm eines Potentiometers VR_x verbunden, während dieser Potentiometer an die Speisestromklemmen angeschlossen ist, so daß die Speisestromspannung V_1x daran angelegt wird. Ein Widerstand R_u ist mit dem Widerstand A₁₀ in Reihe geschaltet, um als eine Spannungstrennschaltung zu wirken und die Vorspannung zu bestimmen, welche an die Basis des Schalttransistors Q₁₂ angelegt werden soll. Eine andere Spannungstrenneinrichtung, welche die Widerstände ß₁₆ und A₁₇ aufweist, ist an den Speisestromklemmen zwischen der Klemme 27 und Erde geschaltet, wobei der Mittelpunkt dieser Spannungstrenneinrichtung mit der Basis des Transistors Q₁₇ verbunden ist, so daß dann, wenn der Transistor Q₁₅ nichtleitend ist, der Transistor Q₁₇ leitend ist und umgekehrt. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₇ ist zwischen d:n Koliektor des Transistors Q₁₀ und die Speisestromklemrne 27 unmittelbar geschaltet.

Im Arbeits;oistand des Stromkreises nach Fig. 7, wenn sich die an die Eingangsklemme 22 angelegte Spannung am GESCH LOSSlENEN Pegel befindet, ist ■der Schalttransistor >2ιι nichtleitend, während der Schalttrarsistor Q₁₂ leitend ist. Die Leitfähigkeit des Transistors Q₁₆ hängt von der Einstellung des Potentiometers VR_x ab, so daß dieser Potentiometer als Verstärkungsfakiorsteuerung für den Stromkreis wirkt. Diese Verstärkungsgradsteuerwirkung dient als Furbsättigungsstcuerung, wenn der Stromkreis 7 nach Fig. 7 bei einem Fernsehempfänger Verwendung findet. Infolge der Differentialarheilsweise der Transistoren Q₁₆ bzw. Q₁₇, ist der I ransistor Q₁₇ im GESCHLOSSENEN Zustand des Stromkreises nichtleitend.

Wenn das Schaltsignal K, das an die Schalitsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, von dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegei übergeht, schließt der Schalttxansistor 11 den Widerstand A₁₄ kurz und senkt die Spannung an der Basis des Transistors Q₁₂ auf einen Punkt, bei welchem der Transistor nicht mehr leiten kann. Als Ergebnis kann kein Strom durch den Transistor Q₁₆ fließen, wobei

ίο jedoch infolge der Differentialarbeitsweise Strom durch die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q₁₇ fließen kann. Da die Basis des Transistors Q₁₃ mit dem Übergang zwischen dem Kollektor des Transistors Q₁₆ und dem Belastungswiderstand Ä₉verbun-

IS den ist, wird auch der Transistor Q₁₃ zu dieser Zeit nichtleitend.

Das an die Inforrnationssignaleingangsklemme 21 im OFFENEN Zustand des Stromkreises angelegte Informationssignal C kann nicht durch den Transistor

106 gg

des Transistors, an seinem Kollektor gemessen, im wesentlichen gleich Null ist, da sein Kollektor praktisch auf die Speisestromklemme 27 durch den leitenden Transistor Q₁₇ kurzgeschlossen wird. Dadurch wird die Amplitude eines Informationssignals am Kollektor des Transistors Q₁₀ auf ein Minimum verringert. Der Transistor Q₁₆ ist nichtleitend, so daß verhältnismäßig wenig des Signalstromes einen Streuweg durch den Transistor Q₁₆ finden kann. Jeder soleher etwaige Streustrom wird einen anderen Streuweg am nichtleitenden Transistor Q₁₃ vorbeifinden müssen, um die Ausgangsklemme 24 zu erreichen. Somit ergibt dieser Stromkreis, genau wie der in Fig. 6 gezeigte, eine ausgezeichnete Trennung der Eingangssignalklemme 21 von der Ausgangssignalklemme 24. Da die beiden Transistoren Q₁₀ und Q₁₇ im OFFENEN Zustand des Stromkreises leitend sind, findet etwa mehr Wärme ve. geudung im OFFENEN Zustand statt als im Falle des Stromkreises nach Fig. 6.

Der Vorteil einer Verstärkungsgradsteuerung jedoch macht diesen Stromkreis nach Fig. 7 für gewisse Zwecke bevorzugt gegenüber dem in Fig. 6 gezeigten.

Eine typische Gruppe von Parameterwerten für den

Stromkreis nach Fig. 7 ist wie folgt:

VR₁

3 K
1,2 K
3K

11 K

620 0hm
8.2 K
3,6 K
1OK
15OpF
39 pF

12 Volt

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Torschaltung mit einem Iniormationssignal-Eingangsanschluß, mit einem Schaltsignal-Eingangsanschluß, dem ein zwischen einem Sperrpegel und einem Durchlaßpege! veränderbares Schaltsignal zuzuführen ist, mit einem ersten und einem zweiten Stromversorgungsanschluß, die mit einer Gleichstromquelle zu verbinden sind, mit Informationssignal-Ausgangsanschlüssen, von denen ein Ausgangssignal entnehmbar ist uind von denen der eine mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist, mit einem Schalttransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbunden ist, wobei die Leitfähigkeit seiner Ausgangsstrecke von dem Pegel des Schaltsignals abhängt, mit e inenu-sten Verstärkertransistor, dessen eine Elektrode eis Eingangselektrode mit dem Informationssignal-Eingangsanschluß verbunden ist, wobei seine Ausgangsstrecke über eine Ausgangslastimpedanz zwischen die Stromversorguingsanschlüsse geschaltet ist und wobei über seiner Ausgangsstrecke nur dann das verstärkte Informationssignal auftritt, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat, und mit einem zweiten Veritärkertransistor, dessen eine Elektrode als Einfangselektrode mit dem Ausgang des ersten Verstärkertrans'stors gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke zwischen den anderen Ausgangsanschluß und den zweiten i ,romversorgungsanschluß geschaltet is!, un. eine zweite Verstärkung des Informationssignals zu er .-ichen, wobei der Schalttransistor sowie der erste und der zweite Verstärkertransistor alle vom gleichen Leitfähigkcitstyp sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsstreckt· des Schalttransistors (Q₁₂). die Ausgangslastimpedanz (R₉) und die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors (Qi₀) in der genannten Reihenfolge in einer Serienschaltung liegen, welche direkt zwischen die beiden Stromversorgungsanschlusse (27, Masse) geschaltet ist, und daß die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors (Q_n) mit der erwähnten Serienschaltung an einer Stelle zwischen der Ausgangslastimpedanz (R₉) und der Ausgangsstreckt· des ersten Verstarkertransistors (Qm) verbunden ist, derart, daß die Ausgangs- »trecke des zweiten Verstarkertransistors (^₁₁) nur leitern! ist, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat

2. Iorschaltung nach Anspruch 1. dadurch gt
kennzeichnet, daß em /weiter Schalttrarisistor (Q₁₁) vim der gleichen I.eilfiihigkeitstype wie der crite Sthalllransistot ( Q₁₁) vorgesehen ist. dessen eint I lcktrode .ils !ingangselektrnde mit dem Schaltsigmil 1 mgangsanschluß (22) gekuppelt ist und dessen Aiisgangsstretke in Sine mil dem Luftwiderstand (K_1n) /wischen die Suumviüfsurgungsanschlüssc (27, Masse) geschaltet ist, und daß die Eingangselcktrodc des ersten Schalttransistors (Q_n) mit dem Ausgang des zweiten Schalttransistors (Q₁₁) an der Verbindungsstelle des zweiten Transistors (Q,,) mit dem erwähnten Lastwiderstand (R₁₀J verbunden ist.

.V Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Verstärkertransistor

(Q₁₄) in Kaskade zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors (Q_]Q) und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors (Q₁₃) geschaltet ist, und daß ein zusätzlicher Schaltungsteil (D₁, D₁, A₁₂) vorgesehen ist, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors (Q₁₄) mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß (22) verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor (Q₁₄) nur dann leitend wird, wenn das Schaltsignal (K) seinen Durchlaßpegel hat.

4. Torschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche SchaJtungsteil eine Impedanz (R₁₂) enthält, welche die Eingangselektroda des dritten Verstärkertransistors (Q₁₄) mit der Eingangselektrode des ersten Schalttransisiors (Q₁₁) verbindet, und daß der zusätzliche Schaltungsteil ferner nur in einer Richtung gleitende Schaltelemente (D₁, D₂) enthält, die in Serie zwischen die Eingangselektrode des dritten Transistors (Q₁₄) und dem zweiten Stromversorgungsanschluß (Masse) geschaltet sind.

5. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Verstärkertransistor (Q₁₆) vorgesehen ist, dessen Ausgangsstrecke in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstarkertransistors (Q|₀) und die Ausgangslastimpedanz (R₉) geschaltet ist, daß eine als Eingangselektrode bestimmten Elektrode des dritten Verstarkertransistors (Q₁₆) eine steuerbare Vorspannung ( V_R]) zugeführt ist, um die Verstärkung des Informationssignals durch den dritten Verstarkertransistors (Q₁₆) zu steuern, und daß ein vierter Verstärkertransistor (Q₁₇) vorgesehen ist, welcher so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend ist, wobei seine Ausgangsstrecke in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstarkertransistors (Q₁₀) und dem eisten Stromversorgungsanschluß (27) geschaltet ist, derart daß der dritte und vierte Verstärkungstninsistor (Q₁₆, Q₁,) einen Differentialverstärker bilden.