DE2347652C3 - Torschaltung - Google Patents
TorschaltungInfo
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/64—Circuits for processing colour signals
- H04N9/70—Circuits for processing colour signals for colour killing
- H04N9/71—Circuits for processing colour signals for colour killing combined with colour gain control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
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Description
Die Hrfindung betrifft eine Iorschaltung mit einem Infofmationssignal-F.ingangsanschluß, mit einem
Schaltsignal-I ingang.sanschluß, dem ein /wischen eincm
Sperrpegel und einem DurchlaUpegel veränderbares Schaltsignal zuzuführen ist, mit einem ersten
und einem zweiten StmmvcrsorgungsanschluU, damit
einer Gleichstromquelle /u verbinden sind, mit Informationssignal-Ausgangsanschlussen, vein denen
ein Ausgangssignal entnehmbar ist und vim denen der
eine mit dem ersten Stmmversorgungsanschluß verbunden
ist, mit einem Schalltransistor, dessen eine
Elektrode als Kingangselektrnde mit dem Schallst
gnal-Hingangsanschluß verbunden ist wobei die I.eit
fähigkeit seiner Ausgangsstretkc vuu dem Pegel des
Schaltsignalcs abhängt, mit einem ersten Vcrstärkcrtransistor,
dessen eine Elektrode als Eingangselck-Irodc mit dem Informationssignal-Eiiigangsanschluß
verbunden ist, wobei seine Ausgangsstreckc über eine
Ausgangslastunpedanz zwischen die Stromversorgungsanschlusse
geschaltet ist und wobei über seiner Ausgangsstreckc nur dann das verstärkte Informationssignal
auftritt, wenn das Schallsignal seinen
Durchlaßpegel hat, und mit einem zweiten Verstärkertransistor,
dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Ausgang des ersten Verstärkertransistors
gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke zwischen den anderen AuEgangsanschluß und den
zweiten Stromversorgungsanschluß geschaltet ist, um eine zweite Verstärkung des Informationssignals zu
erreichen, wobei der Schalttransistor sowie dsr erste und der zweite Verstärkertransistor alle vom gleichen
Leitfähigkeitstyp sind.
Bekannt ist eine Torschaltung (Fig. 2) mit zwei in Differentialschaltung geschalteten Transitoren vom
gleichen Leitfähigkeitstyp. Der eine der beiden Transistoren
wirkt als Verstärkertransistor und der andere als Schalttransistor. Die Emitter der beiden Transistoren
sind miteinander verbunden und über einen Widerstand an den einen Stromversorgungsanschluß angeschlossen.
Der Kollektor des Verstärkertransistors ist über einen Lastwiderstand an den zweiten Strornvcrsoroun°sansch!uß
an°esch!ossen während der Kollektor des Schalttransistors direkt mit der. zweiten
Stromversorgungsanschluß verbunden ist. Der Basis des Verstärkertransistors werden die Informationssignale
zugeführt. Der Basis des Schalttransistors werden die Schaltsignale zugeführt. Mit dem Kollektor
des Verstärkertransistors ist die Basis eines zweiten Verstärkertransistors verbunden, der vom gleichen
Leitfähigkeitstyp wie der erstgenannte Verstärkertransistor ist. Der Emitter des zweiten Verstärkertransistors
ist über einen Widerstand mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden. Ein erster Informationssignal-Ausgangsanschluß
ist mit dem zweiten Stromversorgungsanschluß verbunden. Ein zweiter Informationssignal-Ausgangsanschluß ist mit dem
Kollektor des zweiten Schalttransistors verbunden. Bei dieser bekannten Torschaltung verstärkt der erste
Verstärkertransistor das Informationssignal, wenn der Schalttransistor nicht leitend ist. Wenn der Schalttransistor
lebend wird, wird der erste Verstärkertransistor in den nicht-leitenden Zustand geschaltet. Es
ist dann jedoch immer noch möglich, daß ein Teil des
Informationssignals über die Streukapazität des ersten Verstarkerlransistors an den Eingang des zweiten
Verstarkertransistors gelangt. Dieser verstärkt die in unerwünschter Weise übertragener. Signale noch. Da
er außerdem immer leitend ist, ist der Stromverbrauch der Torschaltung hoch. Dies ist insbesondere danr
nachteilig, wenn die Torschaltung in integrierter Sehaltungsweise realisift werden soll.
Hei einer anderen bekannten Torschaltung (Fig. 3) mit zwei Verstarkertransvstoren und einem Schalltransistnr.die
alle vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind, isi der Emitter iles ersten Verstarkerlransistors und
des SchalltraiiMst<-rs mit dem ersten Stromversorgungsanschlull
verbunden. Der Basis des Schaltlransistors ami ihis Sehallsignal zugeführt. Der Basis des
ersten Verslarkertransistors wird über einen Wider Sland das Informationssigtial zugeführt. Außerdem ist
mit der Basis des Verstarkerlransisli>rs der Kollektor
des Schaltlransistors verbunden. Der Kollektor des
Verstärkertransistors ist über einen Lastwiderstand mit dem zweiten Stromversorgungsanschluß verbunden.
Weiterhin liegt an dem Kollektor des ersten Verstarkeriransistors
die Basis des zweiten Verstärkertransistors, dessen Emitter über einen Widerstand mit
dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist. Der erste Informationssignal-Ausgangsanschluß is!
mit dem zweiten Slromversorgungsanschluß verbunden. Der zweite Informationssignal-Ausgangsanschluß
ist mit dem Kollektor des zweiten Verstärkertransistors verbunden. Diese bekannte Torschaltung
hat gegenüber der zuvor beschriebenen bekannten
S Torschaltung den Vorteil, daß - wenn der Schalttransistor
leitend und dementsprechend der erste Verstärkertransistor nicht leitend ist - die Basis des ersten
Verstärkertransistors an Masse gelegt wird, wodurch die unerwünschten Signalströme, die sonst über die
ίο Streukapazität des ersten Verstarkertransistors an den
Eingang des zweiten Verstärkertransistors gelangen würden, nach Masse abfließen. Der Streufluß ist hier
also geringer. Allerdings ist auch bei dieser Schaltung der zweite Verstärkertransistor ständig leitend, so daß
der Stromverbrauch hoch und die Verlustwärme groß ist. Auch diese Torschaltung eignet sich daher nicht
zur Realisierung in integrierter Schaltungsweite.
Bekannt ist weiterhin (Fig. 4) eine Torschaltung mii drei Transistoren gleichen Leitfrl:igkeitstyps, von
denen jedoch zwei Transistoren als ürha'transistoren
und nur ein Transistor als Verstärkertransistor wirkt. Die Emitter der beiden Schalttransistoren sind mit
dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden. Der Kollektor des ersten Schalttransistors ist über einen
Widerstand an den zweiten Stromversorgungsanschluß geführt. Der Basis des ersten Schalttransistors
werden die Schaltsignale zugeführt. Der Kollektor des ersten Schalttransistors ist mit der Basis des zweiten
Schalttransistors verbunden. Der Kollektor des zweiten Schalttransistors ist über einen Widerstand mit
dem Emitter des Verstarkertransistors verbunden, dessen Basis die Informationssignale zugeführt werden.
Ein erster Informationssignal Ausgangsanschluß ist mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden.
Mit dem zweiten Informationssignal-Ausgangsanschluß ist der Kollektor des Verstärkertransistors
verbunden. Diese Torschaltung hat den Vorteil, daß - wenn der erste Schalttransistor nicht leitend ist auch
der Verstärkertransistor, der normalerweise den meisten Strom zieht, ebenfalls nicht leitend ist. Dadurch
wird in dem Zustand, in dem das Informationssignal nicht verstärkt werden soll, nur ein geringer
Strom verbraucht. Durch die Streukapazitat des Verstärkertransistors,
dessen Kollektor d-'ekt mi* dem anderen Informationssignal-Ausgangsanschluß verbunden
ist, kann jedoch auch im gesperrten Zustand immer noch ein unerwünschter Signalstrom vom hingang
an den Ausgang gelangen
Sämtliche bisher erwähnten bekannten Schaltungen haben zudem dvn Nachteil, daß die Verstärkung
relativ stark abhangig von Betriebsschwankungen is:.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die be-
kannu 'Vorschaltung der eingangs beschriebenen Art
(die beispielsweise dem Typ nach Fit: 3 enispric'M)
so zu gest.illcn, (lab sie bei ähnlich guter Spcrrdämpfung
einen geringeren Strom\erbr;iueh hat und ihre Verstärkung weniger stark von Spannungsschwankungen
abhang!
Die Aufgabe ist erfindungsgemaß dadurch gelost.
daü die Ausgangsstrecke des Schalttransistors, die
Ausgangslastirnpedanz und die Ausganges ti ecke des
ersten Verstarkertransistors in der genannten Reihenfolge in einer Serienschaltung liegen, welche direkt
zwischen die beiden Stromversorgungsanschlüsse ge-
!>5 schaltet ist, und daß die Eingangselektrode des zweiten
Verstärkertransistors mit der erwähnten Serienschaltung an einer Stelle zwischen der Ausgangsiastimpedanz
und der Ausgangsstrecke des ersten
Verstärkertransistors verbunden ist, derart, daß die Ausgangsstrecke des zweiten Verstärkertransistors
nur leitend ist, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegcl hat.
Die erfindungsgemäße Torschaltung zeichnet sich dadurch aus, daß - wenn an den Schalttransistor der
Sperrpegel angelegt wird — alle dreli Transistoren im
nicht-leitenden Zustand sind, so daß in diesem Zustand praktisch kein Strom verbraucht wird. Die
Schaltung eignet sich daher besonders gut zur Realisierung in integrierter Schaltungstechnik. Eine hohe
Sperrdämpfung ist insofern gewährleistet, als das für die im gesperrten Zustand der Transistoren über
Streukapazitäten fließende unerwünschten Signalströme die beiden Verstärkertransistoren hintereinander
liegen. Da der Schalttransistor auf der Kollektorseite des ersten Verstärkertransistors angeordnet
ist, kann der Lastwiderstand stets mit genügend hohen Spannungswerten versorgt werden, die eine weitgehende
Unabhängigkeit von Betriebsspannungsschwankungen gewährleisten.
Erwähnt werden soll noch, daß auch eine Torschaltung
bekannt ist (US-PS 3671 779), weiche aus zwei Schalttransistoren und einem Verstärkertransistor
besteht. Die beiden Schalttransistoren sind normale Flächentransistoren, während der Verstärkertransistor
ein FET-Transistor ist. Auch hier liegt der eine Schalttransistor auf der drain-Seite des FET-Transistors
und gewährleistet somit, daß der Lastwiderstand desd FET-Transistors jederzeit mit genügend hohen
Spannungswerten versorgt wird; die Verwendung von Transistoren unterschiedlichen Lekungstyps ist jedoch
für die Herstellung in integrierter Schaltungsweise unrationell und aufwendig.
Eine zweckmäßige Ausgestaltung der Erfindung kann darin bestehen, daß ein zweiter Schalttransistor
von der gleichen Leitfähigkeitstype wie der erste Schalttransistor vorgesehen ist, dessen eine Elektrode
als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß
gekoppelt ist und dessen Ausgangs-
die Stromversorgungsanschlüsse geschaltet ist, und daß die Eingangselektrode des ersten Schalttransistors
mit dem Ausgang des zweiten Schalttransistors an der Verbindungsstelle des zweiten Transistors mit dem
erwähnten Lastwiderstand verbunden ist.
Eine zweckmäßige Weiterbildung der erfindungsgemäßen Torschaltung kann ferner darin bestehen,
daß ein dritter Verstärkertransistor in Kaskade zwischen die Ausgaiigsstrecke des ersten Verstärkertransistors
und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors geschaltet ist, und daß ein zusätzlicher
Schaltungsteil vorgesehen ist, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit dem
Schaltsignal-Eingangsanschluß verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor nur
dann leitend wird, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.
Zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und die Eingangselektrode des zweiten
Verstärkertransistors kann noch ein dritter Verstärkertransistor geschaltet werden. Ferner kann ein zusätzlicher
Schaltungsteil vorgesehen werden, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors
mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor
nur dann leitend wird, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat.
Eine andere Weiterbildung kann darin bestehen, daß der zusätzliche Schallungsteil eine Impedanz enthält,
welche die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors mit der Eingangselektrode des erstcn
Schalttransistors verbindet, und daß der zusätzliche Schaitungsteil ferner nur in einer Richtung
gleitende Schaltelemente enthält, die in Serie zwischen die Eingangselektrode des dritten Transistors
und dem zweiten Stromversorgungsallschluß geschaltetsind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Torschaltung wird vorgeschlagen,
daß ein dritter Verstärkertransistoir vorgesehen ist, dessen Ausgangsstreckc in Serie zwischen die Ausgangsstrecke
des ersen Verstärkertransistors und die
is Ausgangslastimpedanz geschaltet ist, daß einer als
Eingangselektrodc bestimmten Elektrode des dritten Verstärkertransistors eine steuerbare Vorspannung
zugeführt ist, um die Verstärkung des Informalionssignals
durch den dritten Verstärkertransistor zu steuem, und daß ein vierter Verstärkertransistor vorgesehen
ist, welche so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend ist, wobei seine Ausgangsstrecke in Serie
zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors und dem ersten Stromversorgungsanschluß
as geschaltet ist, derart, daß der dritte und vierte Verstärkungstransistor
einen Differentialverstärker bilden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend
an Hand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Fernsehempfängers, in dem die erfindungsgemäße Torschaltung Verwendung
findet,
Fig. 2 bis 4 Schaltbilder bekannter Torschaltungen, Fig. 5 bis 7 Schaltbilder verschiedener Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Torschaltung. In der nachfolgenden Beschreibung werden unter
anderem die Begriffe »offener Pegel« und »geschlossener Pegel« verwendet. Es soll vorab klargestellt
werden, daß es sich bei dem »offenen Pegel« um einen ^rw»rrnf»Qi»! itnH Kai H/»m AOAcrhlrvccpnnn PpoaI« um
einen Durchlaßpegel handelt.
Der Fernsehstromkreis bzw. die Fernsehschaltung, die in Fig. 1 dargestellt ist, weist eine Antenne 1 für
den Empfang von Fernsehsignalen sowie eine Antennenabstimmeinrichtung
2 zum Auswählen des Kanals für das Fernsehen auf. Der Ausgang der Antennenabstimmeinrichtung
2 ist mit einem ZF-Verstärker 3 verbunden, der Signale einem Videodetektor 4 zuführt.
Ein Ausgang des Videodetektors ist mit dem Videoverstärker in einem Helligkeitskanal 5 und mit
aufeinanderfolgenden Chrominanzverstärkern 6 und 7 verbunden. Ein anderer Ausgang der Videodetektorschaltung
4 ist mit einer Ablenk- und Synchronisiersignalschaltung 8 verbunden, welche Signale den
Klemmen X und Y eines Ablenkbügels zuführt. Die Ablenk- und Synchronisierschaltung 8 liefert auch
Torsteuerungssignale an eine Farbsynchronsignaltrennschaltung 9. Die Trennschaltung empfängt
Chrominanz- und Farbsynchronsignale aus dem ersten Chrominanzverstärker 6. Das torgesteuerte
Farbsynchronsignal aus der Trennschaltung 9 wird an eine Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10,
weiche die intermittierenden Farbsynchronsignale in ein kontinuierlicheres Signal derselben Frequenz umwandelt,
weitergegeben. Der Ausgang der Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung
10 wird mit einem Farbsynchronsignaldetektor 11 verbunden, der
wiederum Signale an einen Gleichstromverstärker 12 liefert. Der Ausgang des Oleichstromverstärkers 12
wird mit einer automatischen FarbsteuefSchaltung 13 verbunden, die mit dem Chrominanzverstärker 6 verbunden
ist, um den Verstärkungsgrad des Chrominanzverstärkers zu steuern.
Der Ausgang des Gleichstromverstärkers 12 ist auch mit einem Farbkillerstgnalgcbcr 14 verbunden, dessen
Aufgabe es ist, ein Signal K zu erzeugen, welches zwei Pegel hat. Der Basispegel des Signals K stellt die Ausgangsspannung
dar, wenn die Antcnnenabstimmvorrichtung 2 auf ein Farbsignal genügender Stärke abgestimmt
ist, um eine entsprechende Farbwiedergabe zu ergeben. Der obere Pegel des Signals K stellt den
Spannungspegel in dem Punkt in dem Stromkreis dar, wenn die Abstimmeinrichtung 2 auf ein Signal abgestimmt
ist, das entweder ein Schwarz-Weiß-Signal oder ein derart schwaches Farbsignal ist, daß es unmöglich
ist, es richtig in Farbe wiederzugeben. Das Signal K ist somit kein Impuls in dem üblichen Sinn,
sondern eine Darstellung zweier Spannungspegel. Der Ausgang der Farbkillerschaltung kann, und gewöhnlich
wird, in jedem Pegel so lange verbleiben, als der Empfänger auf eine spezifische Station abgestimmt ist,
wobei diese Station einen Typ von Signalen, entweder Färb- oder Schwarz-Weiß-Signale überträgt.
Die Farbsynchronsignalüberschwingersclhaltung 10 liefert auch Signale an einen Ortsoszillator 15, der den
Träger speist, um die Chrominanzsignale zu demoduliere.i.
Das Ausgangssignal des Oszillators 15 ist mit einem Farbdemodulator 16 verbunden, der Chrominanzsignale
demoduliert und die demodulierten Signale einer Matrixschaltung 17 liefert, in v/elcher sie
mit Helligkeitssignalen aus dem Helligkeitskanal 5 kombiniert werden, um die erforderlichen Rot-, Grün-
und Blausignale zu erzeugen, und um die Intensität der Elektronstrahlen in der Fernsehbildröhre 18 zu modulieren.
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit Stromkreisen byw. Schaltungen in dem zweiten Chrominan7vpr<:tärkpr 7 Die Klpmmpn 21 und 22 sind Fingangsklemmen
zu diesem Verstärker, um das Chrominanzsignal aus dem Verstärker 6 und das
Farbkillersignal aus dem Farbkillersignalgeber 14 zu empfangen. Der Ausgang des zweiten Chrominanzverstärkers
7 ist über ein Paar Klemmen 23 und 24 mit einer gekoppelten abgestimmten Schaltung verbunden,
welche Ausgangsklemmen 25 und 26 aufweist, die mit dem Farbdemodulator 16 verbunden
sind.
Eine Ausführungsform eines Stromkreises nach dem Stand der Technik zur Verwendung bei dem
zweiten Chrominanzverstärker 7 ist in Fig. 2 gezeigt. Bei dieser Schaltung bzw. bei diesem Stromkreis wird
das Chrominanzsignal C an die Eingangsklemme 21 angelegt, während das Farbkillersignal K an die
Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt wird. Das Signal C ist nicht nur auf ein Chrominanzsignal beschränkt,
sondern kann allgemeiner als ein Informationssignal zum Unterschied vom Signal K betrachtet
werden. Das letztgenannte Signal kann als Schaltsignal bezeichnet werden.
Die Eingangsklemme 21 ist mit der Basis einer ersten Halbleiterverstärkervorrichtüng Q1 verbunden.
Bei diesem Stromkreis bzw. bei dieser Schaltung ist die Halbleitervorrichtung Q1 ein NPN-Transistor, und
ist in einer Differentialverstärkerschaltung mit einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines
Transistors Q2 verbunden. Die Basis des Transistors
Q1 ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden. Die Emitter der beiden Transistoren Qx
und Q1 sind durch einen gemeinsamen Emitterwiderstand
Rx mit Erde verbunden. Der Kollektor des
Transistors Q2 ist unmittelbar mit einer Positivstrom*
speiseklemme 27 und der Kollektor des Transistors Qx ist über einen Belastungswiderstand R1 mit derselben
Stromspeiseklemme 27 verbunden. Der Kollektor
ίο des Transistors Qx ist auch mit der Basis einer dritten
Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines Transistors Q3 verbunden. Der Emitter des Transistors Q,
ist über einen Vorspannungswiderstand R} mit Erde
und der Kollektor des Transistors Q3 ist mit einer der Klemmen der Kupplungsschaltung, insbesondere mit
dem Primärteil eines Transformators 7", verbunden. Die Primär- und Sekundärwicklungen des Transformators
werden durch Kondensatoren C, und C2 abgestimmt. Die andere Klemme 23 der Primärwicklung
*o ist unmittelbar mit der Speisestromklemme 27 verbunden.
Solange ein Farbsignal mit einer genügenden Stärke empfangen wird, wird das an die Klemme 22
angelegte Schaltsignal einen Wert unterhalb des Ab-
»5 schaltpegels des Transistors Q1 haben. Als Ergebnis
wird der Transistor Qx leitend und verstärkt das Informationssignal
und legt es an den zweiten Verstärkerstufentransistor Q1 an.
Wenn das empfangene Signal ein Schwarz-Weiß-Signal ist und daher keine Farbsynchronsignale aufweist,
hat jedoch das an die Klemme 22 angelegte Schaltsignal K einen positiveren Wert, der genügend
ist, um den Transistor Q2 genügend leitend zu machen,
um zu bewirken, daß der Transistor Qx nichtleitend
wird. In diesem Fall wird das an die Eingangsklemme 21 angelegte Informationssignal gesperrt und kommt
theoretisch nicht durch den Transistor Qx durch, um
durch den Transistor Q3 verstärkt zu werden. Dieser
Zustand kann als OFFENER Zustand bezeichnet werden, während der Spannungspegel des Schaltsignals
K. der bewirkt, daß Her StrnmVrpi« rfpn OFFF-NEN
Zustand erreicht, als OFFENER Pegel betrachtet werden kann. In diesem Fall kann ein Schaltpegel
unterhalb des OFFENEN Pegels als der GE-SCHLOSSENE Pegel für NPN-Transistoren betrachtet
werden. Wie in Fig. 2 gezeigt, würde der OFFENE Pegel positiver als der GESCHLOSSENE Pegel sein,
wobei jedoch für PNP-Transistoren das Umgekehrte zutreffen würde. Es ist ferner wünschenswert, daß die
Stromkreise bzw. Schaltungen, welche das Schaltsignal K an die Schaltsignaleingangsklemme 22 liefern,
imstande sein sollen, ein Schaltsignal derartiger Amplitude zu erzeugen, daß ein klarer Unteischied zwischen
dem OFFENEN Pegel und dem GESCHLOS-SENEN Pegel besteht.
Wenn der Transistor Q2 leitend und der Transistor
Qx nichtleitend ist, ist es leider immer noch möglich,
daß die an die Klemme 21 angelegten Informationssignale einen Weg um den Transistor Q1 herum zur
Basis des Transistors Q3 finden. Ein derartiger Weg
ist durch die Streukapazität C^1 angedeutet, welche
gezeigt ist, als sie die Basiseingangselektrode des Transistors Q1 mit der Kollektorausgangselektrode
dieses Transistors verbindet. Da der Transistor Q3
auch ein NFN-Transistor ist, ist seine Basisvorspannung
sogar höher, wenn der Transistor Q1 nichtleitend ist, als wenn er leitend ist. Somit ist der Transistor
Q3 imstande, Streusignale zu verstärken, welche durch
die Streukapazität aus der Eingangsklemme 21 zur Basis des Transistors Q3 kommen, wenn sogar die
Schaltung 7 oder der Stromkreis 7 sich vermutlich in einem OFFENEN Zustand befinden. Der Transistor
G3 vergeudet ferner Energie in dem OFFENEN Zuitand,
wobei diese Energie zum Erhitzen der Stromkreiselementc
beiträgt. Somit ist dieser Stromkreis zur konstruktion als ein Teil einer integrierten Schaltung
ungeeignet.
Fig. 3 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen weiteren Stromkreis nach dem Stand der Technik, bei
welchem die Informationssignaleingangsklemme 21 über einen Widerstand /?4 mit der Basis eines ersten
Verstärkungstransistors Q4 verbunden ist. Dieser Transistor hat einen Belastungswiderstand in Form
eines Widerstandes R5 und ist mit einer zweiten Verstärkerstufe
verbunden, welche einen Transistor Qe aufweist. Der Iet7tpre hat einen Vnrsnannungswirlerstand
Λ6 in seiner Emitterschaltung. Das Schalten des
Stromkreises 7 nach Fig. 3 zwischen dem OFFENEN und GESCHLOSSENEN Zustand wird mittels eines
Schalttransistors Q5 bewerkstelligt, der unmittelbar mjt den Basis-Emittereingangsklemmen des Transistors
Q4 parallel geschaltet ist. Die Basis des Schalttransistors
Q5 ist mit der Schaltsignaleingangsklemme
22 verbunden.
Wenn ein Farbfernsehsignal einer genügenden Stärke empfangen wird, so ist der Spannungspegel an
der Schaltsignaleingangsklemme 22 kleiner als der Abschaltpegel des Transistors Q5. Daher ist der Transistor
Q5 nichtleitend, und das an die Informationssignaleingangsklemme
21 angelegte Signal wird durch die beiden Verstärkerstufen verstärkt und an die abgestimmte
Ausgangsschaltung angelegt.
Wenn ein Schwarz-Weiß-Fernsehsignal oder ein Farbfernsehen ungenügender Kraft empfangen wird,
so wird das Schaltsignal K an die Eingangsklemme 22 angelegt und hat einen genügend hohen Wert, um
zu bewirken, daß der Schalttransistor Q3 leitend wird. Dies bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Verstärkertransistors
Q4 unter den leitenden Pegel sinkt, wodurch die Ampiiiude des Signals weseniiich herabgesetzt
wird, das an die Basis des zweiten Verstärkertransistor Q6 angelegt ist. Wie bei dem Stromkreis
nach Fig. 2, würde es für einen Teil des an die Eingangsklemme 21 angelegten Signals möglich sein, einen
Streuweg in Form der Streukapazität CbCt von der
Basis des Transistors Q4 zum Kollektor dieses Transistors
zu finden. Der Widerstand Λ4 und die Emitter-Kollektorschaltung
des leitenden Schalttransistors Q5 bilden jedoch eine Spannungstrennschaltung, welche
die Amplitude des Informationssignals an der Basis des Transistors Q4 weiter reduziert. Als Ergebnis ist
sehr wenig vom Signal verblieben, um durch die Streukapazität zum Transistor Q6 zu lecken. Der letztere
ist jedoch leitend, und zwar sogar in dem vermutlich OFFENEN Zustand der Schaltung 7, so daß diese
Schaltung sich zur Konstruktion in einer integrierten Schaltung nicht eignet.
Fig. 4 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen anderen
Stromkreis nach dem Stand der Technik mit einer unterschiedlichen Schaltanordnung. Die Informationssignaleingangsklemme
21 ist mit der Basis eines Verstärkertransistors Q7 verbunden, der einen Widerstand
7 hat, der mit seinem Emitter verbunden ist.
Die Basis eines Transistors Qg ist mit der SchüJtsignaleingangsklemme
22 verbunden, während ein Belastungswiderstand Rs vom Kollektor des Transistors
Q1 mit der Speisesliotnklemme 27 verbunden ist. Der
Kollektor des Transistors Q8 ist auch mit der Basis eines Transistors Q0 verbunden, welcher die zweite
Stufe des Schaltstromkreises bildet. Die Emitter-Kol-
S lektorstrecke des Transistors Q9 ist zwischen dem
Widerstand R1 und Erde in Reihe geschaltet. Der Transformator T1 mit abgestimmtem Ausgang ist mit
den Ausgangsklemmen 23 bzw. 24 der Schaltung verbunden.
ίο Im Arbeitszustand des Stromkreises hzw. der
Schaltung nach Fig. 4, wenn sich der Spannungspegel, der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt
ist, beim GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der Transistor Q8 nichtleitend, während der Transistor Q,
v$ leitend ist. Dies ermöglicht es dem Verstärkertran.1=:-
stor Q7, auch leitend zu sein und das Informationssignal
C zu verstärken, das an die Eingangsklemmen 21 anoeleot ist
Wenn der an die Schaltsignaleingangsklemme 22
so angelegte Spannungspegel zunimmt und OFFENER
Pegel ist, wird der Transistor Q8 leitend und bewirkt, daß der Transistor Q9 nichtleitend wird. Dies hindert
den Transistor Q7 daran, Arbeitsstrom zu empfangen, wodurch auch der Transistor Q1 nichtleitend gemacht
wird.
Diese Arbeitsweise hat den Vorteil, daß der Transistor Q7, der das verstärkte Informationssignal mit hohem
Pegel dem Transformator T1 liefert, während des OFFENEN Zustands nichtleitend ist, so daß der
Stromkreis verhältnismäßig wenig Strom während dieser Zeit verbraucht. Der Transistor Q7 ist jedoch
die einzige Komponente zwischen der Eingangsklemme 21 und dem Transformator 7*,, so daß es
möglich ist, unerwünschten Strom hoher Streuung um den Transistor Q7 über die Streukapazität QCj zum
Fließen zu bringen. Ein weiteres unerwünschtes Merkmal dieses Stromkreises besteht darin, daß eine
Spannungsschwankung, wie z. B. 60 Brummperioden (cycle hum) in der Stromspeisequelle, die mit der
Klemme 27 verbunden ist, durch den Schplttransistor Q9 während der Zeit verstärkt wird, in welcher sich
der Stromkreis in seinem geschlossenen Zustand befindet.
Dies ergibt eine unerwünschte Veränderung bzw. Schwankung des Ausgangssignals an den Klemmen
25 bzw. 26.
Fig. 5 zeigt eine Grundausführungsform des erfindungsgemäßen Stromkreises. Die Informationseingangsklemme
21 ist mit der Eingangsschaltung einer Halbleitcrverstärkervorrichtung Q[0 verbunden. Bei
dieser Ausführungsform ist die Halbleiterverstärkervorrichtung ein NPN-Transistor. Der Belastungswiderstand
R9 ist mit der Emitter-Kollektor-Ausgangsschaltung
des Transistors Q10 in Reihe geschaltet. Der
Transistor Q10 ist als geerdeter Emitterverstärker verbunden.
Dies bedeutet, daß der Emitter, welcher sowohl der Basis-Emittereingangsschaltung des Transistors
als auch der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors gemeinsam ist, mit Erde
verbunden ist, wobei der Belastungswiderstand mit dem Kollektor verbunden ist. Die Basiseingangselektrode
eines Schaltsignalhalbleiters in Form eines NPN-Transistors Qn ist mit der Schaltsignaleingangsklemme
22 verbunden. Die Emitter-KoUektorausgangsschaltung des Transistors Qn ist zwischen Erde
und einen Belaslungswidersiand A10 geschaltet, dessen
anderes Ende mit der Speisestromklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q1, ist auch
mit der Basis der Haupthalbleiterschaltvorrichtung
verbunden, die hier als ein NPN-Transistor Q12 dargestellt
ist. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q12 ist zwischen die Speisestromkleirime
27 und den Belastungswiderstand R9 in Reihe geschaltet.
Die Basiseingangselektrode einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung
in Form eines anderen NPN-Transistors Q13 ist mit einem Punkt in der Reihenschaltung
verbunden, welche den Belastungswiderstarid R9 und die Emitter-Kollektorausgangsschal·
tung des Transistors Qj0 umfaßt, wobei in der Tat die
Basis des Transistors Qn unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors Q10 verbunden ist. Ein Widerstand
A11 ist zwischen den Emitter des Transistors Q13
lind die Erdklemme der Stromspeisequelle geschaltet. Der Kollektor des zweiten Verstärkertransistors Q13
ist über die Ausgangsklemme 24 mit dem abgestimmten Transformator T1 verbunden.
Im Arbeitbzustand der Schaltung bzw. des Stromkreises nach Fig. 5, wenn sich die an die Schaltsignaleingangsklemme
22 angelegte Spannung bei dem geschlossenen Pegel befindet, ist der Schalttransistor Qn
nichtleitend und der zweite Schalttransistor Q12 leitend.
Dies ermöglicht, daß Arbeitsstrom durch den Belastungswiderstand R9 und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung
des Transistors Q10 fließt. Ein Informationssignal C, das an die Informationssignaleingangskilemme
21 angelegt ist, wird in einer Reihenfolge durch die Transistoren Q10 und Q13 verstärkt
und an den Transformator Tx angelegt.
Obwohl die Impedanz bzw. der Widerstand der Emitteir-Kollektorausgangsschaltung des Schalttransistors
Q12 immer noch durch Schwankungen der Arbeitsspannung
beeinträchtigt werden kann, die an die Klemme 27 angelegt ist, besteht ein Vorteil des Verbindens
des Transistors Q12 auf der Kollektorseite des
Verstärkertransistors Q10 darin, daß der Belastungswiderstand
R9 genügend groß gemacht werden kann, so daß derartige Schwankungen keine Wirkung auf
die Verstärkung des Informationssignals haben.
Wenn die Schaltspannung K. welche an die Schaltsignaleingangsklemme
22 angelegt ist, aus dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegel übergeht, wird der Transistor Q11 leitend und reduziert
die Spannung an der Basis des Schalttransistors Q12 auf den Punkt, bei welchem der letztere auch nicht
mehr leitend ist. Als Ergebnis ist der Transistor Q12 wirksam von der Speisestromklemme 27 getrennt und
wird nichtleitend. Gleichzeitig wird auch der Transistor Q13 durch die Verschiebung in dem Vorspannungspegel
seiner Basis nichtleitend gemacht. Da die beiden Verstärkertransistoren Q10 und Q13 nichtieitend
sind, wird etwaiger Streusignalstrom, welcher die Ausgangsklemme 24 aus der EingangskJemme 21 erreicht
hat, durch zwei Streukapazitäten C6C]iibzw. C6cij
fließen müssen, wovon jede die Amplitude dieses Streustromes reduzieren wird. Wenn die an die
Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannung sich im OFFENEN Pegel befindet, so ist ferner der
einzige Transistor im Stromkreis 7, der nichtleitend ist, der Transistor 11. Die durch den Stromkreis in
dem OFFENEN Zustand vergeudete Hitze ist daher sehr klein, was ein wünschenswerter Faktor ist, falls
der Stromkreis in eine integrierte Schaltung eingesetzt werden soll.
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit gewissen Vorteilen gegenüber
der in Fig. 5 gezeigten Schaltung. Die meisten Kupplungen nach Fig. 6 sind dieselben wie jene bei
Fig. 5 und dienen ähnlichen Zwecken. Die zusätzlichen Komponenten umfassen eine zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtung
in Form eines NPN-Transistors Q14, deren Emitter-Kollektorschaltung mit der
Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q10 und dem Belastungswiderstand A9 in Reihe geschaltet
ist. Die Basis des Transistors Q14 ist über den
Widerstand R12 mit dem Übergang des Widerstandes
ίο 10 und der Basis des Transistors Q12 verbunden. Eine
in einer Richtung leitende Schaltung in Form eines Paares von Dioden D1 und D2 ist in der Basis des
Transistors Q14 und der Erdklemme der Speisestromijuelle
verbunden. Der Übergang zwischen dem KoI-lektor des Transistors Q14 und des Belastungswidtrstandes
R9 ist unmittelbar mit der Basis einer weiteren Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines andern« MDM -r·.„,,,.:,.»
ViIS
stör ist als Emitterfolger mit einem Widerstand Rn
ao zwischen dun Emitter des Transistors Q15 und die
Erdklemme geschaltet. Die Basis des Verstärkertransistors Q13 ist unmittelbar mit dem Emitter des Emi'-terfolgetransistors
Q15 verbunden.
Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 6 verstärkt der Transistor Q14 weiter das Informationssignal, das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist.
Der Transistor Q14 ist mit Bezug auf den Transistor
QI0inKaskode verbunden. Der Transistor Q15 ändert
lediglich den Impedanz- und Spannungspegel des Signals,
wie an den Verstärkertransistor Q13 angelegt.
Der Zweck des Widerstandes R12 und der Dioden
D1 und D2 ist, als ein stabilisierter Basisvorspannungsstromkreis
für die Transistoren Q12 und Q14 zu
wirken, wenn diese Transistoren leitend sind, d. h. im geschlossenen Zustand des Stromkreises. Der Spannungsabfall
an den beiden Dioden D1 und D2 hat die
richtige Größe, um die richtige Vorspannung für den Transistor Q14 zu liefern wobei jedoch eine dritte
Diode in Reihe geschaltet werden kann oder diese Dioden durch einen Widerstand zur Erzielung des
richtigen Spannungspegels ersetzt werden können.
Wenn der an die Schaltsignaleingangsklerpme 22 angelegte Spannungspegel von dem geschlossenen
Pegel in den offenen Pegel übergeht, wird der Schalttransistor Qn leitend und reduziert die Spannung an
den Basen der Transistoren Q12 und Q14 bis zu einem
Punkt, bei welchem sie nicht mehr Strom leiten können. Wie bei Fig. 5, sperrt dies den Durchgang des
Informationssignals aus der Klemme 21 zur Klemme 24, indem der Transistor Q10 nichtleitend gemacht
wird. Zusätzlich zur Tatsache, daß die Transistoren Q10 und Q14 nichtleitend gemacht werden, wird diese
Basisvorspannung des Transistors Q15 auch zu einem
Punkt reduziert, bei welchem der Transistor nichtleitend ist. Dadurch wird wiederum die Spannung am
Widerstand A3 reduziert und der Transistor Q13 nichtleitend
gemacht. Infolge der Nichtleitfähigkeit sämtlicher vier Transistoren, durch welche das Informationssignal
hindurchgehen muß, und zwar aus der Eingangsklemme 21 zur Ausgangsklemme 24, ist es
klar, daß praktisch kein Signalstreustrom die Klemme 24 erreichen kann. Da der einzige Transistor im
Stromkreis, der leitend verbleibt, wenn sich der Stromkreis in seinem OFFENEN Zustand befindet,
der Transistor Qn ist, findet darüber hinaus sehr wenig
Wärmevergeudung in dem OFFENEN Zustand statt, so daß der Stromkreis sich sehr gut eignet, in
eine integrierte Schaltung eingebaut zu werden.
Eine typische Gruppe von Parametern für den Stromkreis nach Fig. 6 ist wie folgt:
R9 1,5 K
-R10 6,5 K
Rn 100 Ohm
Rn 3,9 K
Rn 1,5 K
C1 150 pF
C2 39 pF
Vcc 12 Volt
Fig. 7 zeigt eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Dieser Stromkreis hat auch eine
Anzahl Komponenten, welche dieselben wie jene nach Fig. 5 sind, so daß nur die neuen Komponenten
beschrieben werden. Zwei zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtungen,
die hier als NPN-Transistoren Q16 und Q17 dargestellt sind, sind mit dem Kollektor
des Verstärkertransistors Q10 differential verbunden.
In diesem Fall ist der Transistor Q16 sehr ähnlich dem xvoSiCGucntrHnsiätGr v^m nacu χ ig. u, wouCi seine
Emitter-Kollektorschaltung zwischen die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q10 und den Kollektorbelastungswiderstand
R9 in Reihe zwischengeschaltet ist. Die Basis des Transistors Q16 ist mit dem
Arm eines Potentiometers VRx verbunden, während dieser Potentiometer an die Speisestromklemmen angeschlossen
ist, so daß die Speisestromspannung V1x
daran angelegt wird. Ein Widerstand Ru ist mit dem
Widerstand A10 in Reihe geschaltet, um als eine Spannungstrennschaltung
zu wirken und die Vorspannung zu bestimmen, welche an die Basis des Schalttransistors
Q12 angelegt werden soll. Eine andere Spannungstrenneinrichtung,
welche die Widerstände ß16 und A17 aufweist, ist an den Speisestromklemmen zwischen
der Klemme 27 und Erde geschaltet, wobei der Mittelpunkt dieser Spannungstrenneinrichtung mit
der Basis des Transistors Q17 verbunden ist, so daß
dann, wenn der Transistor Q15 nichtleitend ist, der
Transistor Q17 leitend ist und umgekehrt. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung
des Transistors Q17 ist zwischen d:n Koliektor des Transistors Q10 und
die Speisestromklemrne 27 unmittelbar geschaltet.
Im Arbeits;oistand des Stromkreises nach Fig. 7,
wenn sich die an die Eingangsklemme 22 angelegte Spannung am GESCH LOSSlENEN Pegel befindet, ist
■der Schalttransistor >2ιι nichtleitend, während der
Schalttrarsistor Q12 leitend ist. Die Leitfähigkeit des
Transistors Q16 hängt von der Einstellung des Potentiometers
VRx ab, so daß dieser Potentiometer als Verstärkungsfakiorsteuerung für den Stromkreis
wirkt. Diese Verstärkungsgradsteuerwirkung dient als Furbsättigungsstcuerung, wenn der Stromkreis 7 nach
Fig. 7 bei einem Fernsehempfänger Verwendung findet. Infolge der Differentialarheilsweise der Transistoren
Q16 bzw. Q17, ist der I ransistor Q17 im GESCHLOSSENEN
Zustand des Stromkreises nichtleitend.
Wenn das Schaltsignal K, das an die Schalitsignaleingangsklemme
22 angelegt ist, von dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegei übergeht, schließt der Schalttxansistor 11 den Widerstand
A14 kurz und senkt die Spannung an der Basis
des Transistors Q12 auf einen Punkt, bei welchem der Transistor nicht mehr leiten kann. Als Ergebnis kann
kein Strom durch den Transistor Q16 fließen, wobei
ίο jedoch infolge der Differentialarbeitsweise Strom
durch die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q17 fließen kann. Da die Basis des Transistors Q13
mit dem Übergang zwischen dem Kollektor des Transistors Q16 und dem Belastungswiderstand Ä9verbun-
IS den ist, wird auch der Transistor Q13 zu dieser Zeit
nichtleitend.
Das an die Inforrnationssignaleingangsklemme 21 im OFFENEN Zustand des Stromkreises angelegte
Informationssignal C kann nicht durch den Transistor
106 gg
des Transistors, an seinem Kollektor gemessen, im wesentlichen gleich Null ist, da sein Kollektor praktisch
auf die Speisestromklemme 27 durch den leitenden Transistor Q17 kurzgeschlossen wird. Dadurch
wird die Amplitude eines Informationssignals am Kollektor des Transistors Q10 auf ein Minimum verringert.
Der Transistor Q16 ist nichtleitend, so daß verhältnismäßig wenig des Signalstromes einen Streuweg
durch den Transistor Q16 finden kann. Jeder soleher
etwaige Streustrom wird einen anderen Streuweg am nichtleitenden Transistor Q13 vorbeifinden müssen,
um die Ausgangsklemme 24 zu erreichen. Somit ergibt dieser Stromkreis, genau wie der in Fig. 6 gezeigte,
eine ausgezeichnete Trennung der Eingangssignalklemme
21 von der Ausgangssignalklemme 24. Da die beiden Transistoren Q10 und Q17 im OFFENEN
Zustand des Stromkreises leitend sind, findet etwa mehr Wärme ve. geudung im OFFENEN Zustand
statt als im Falle des Stromkreises nach Fig. 6.
Der Vorteil einer Verstärkungsgradsteuerung jedoch macht diesen Stromkreis nach Fig. 7 für gewisse
Zwecke bevorzugt gegenüber dem in Fig. 6 gezeigten.
Eine typische Gruppe von Parameterwerten für den
Stromkreis nach Fig. 7 ist wie folgt:
VR1
3 K
1,2 K
3K
1,2 K
3K
11 K
620 0hm
8.2 K
3,6 K
1OK
15OpF
39 pF
8.2 K
3,6 K
1OK
15OpF
39 pF
12 Volt
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Torschaltung mit einem Iniormationssignal-Eingangsanschluß, mit einem Schaltsignal-Eingangsanschluß, dem ein zwischen einem Sperrpegel und einem Durchlaßpege! veränderbares Schaltsignal zuzuführen ist, mit einem ersten und einem zweiten Stromversorgungsanschluß, die mit einer Gleichstromquelle zu verbinden sind, mit Informationssignal-Ausgangsanschlüssen, von denen ein Ausgangssignal entnehmbar ist uind von denen der eine mit dem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist, mit einem Schalttransistor, dessen eine Elektrode als Eingangselektrode mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß verbunden ist, wobei die Leitfähigkeit seiner Ausgangsstrecke von dem Pegel des Schaltsignals abhängt, mit e inenu-sten Verstärkertransistor, dessen eine Elektrode eis Eingangselektrode mit dem Informationssignal-Eingangsanschluß verbunden ist, wobei seine Ausgangsstrecke über eine Ausgangslastimpedanz zwischen die Stromversorguingsanschlüsse geschaltet ist und wobei über seiner Ausgangsstrecke nur dann das verstärkte Informationssignal auftritt, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat, und mit einem zweiten Veritärkertransistor, dessen eine Elektrode als Einfangselektrode mit dem Ausgang des ersten Verstärkertrans'stors gekoppelt ist und dessen Ausgangsstrecke zwischen den anderen Ausgangsanschluß und den zweiten i ,romversorgungsanschluß geschaltet is!, un. eine zweite Verstärkung des Informationssignals zu er .-ichen, wobei der Schalttransistor sowie der erste und der zweite Verstärkertransistor alle vom gleichen Leitfähigkcitstyp sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsstreckt· des Schalttransistors (Q12). die Ausgangslastimpedanz (R9) und die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors (Qi0) in der genannten Reihenfolge in einer Serienschaltung liegen, welche direkt zwischen die beiden Stromversorgungsanschlusse (27, Masse) geschaltet ist, und daß die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors (Qn) mit der erwähnten Serienschaltung an einer Stelle zwischen der Ausgangslastimpedanz (R9) und der Ausgangsstreckt· des ersten Verstarkertransistors (Qm) verbunden ist, derart, daß die Ausgangs- »trecke des zweiten Verstarkertransistors (^11) nur leitern! ist, wenn das Schaltsignal seinen Durchlaßpegel hat2. Iorschaltung nach Anspruch 1. dadurch gt
kennzeichnet, daß em /weiter Schalttrarisistor (Q11) vim der gleichen I.eilfiihigkeitstype wie der crite Sthalllransistot ( Q11) vorgesehen ist. dessen eint I lcktrode .ils !ingangselektrnde mit dem Schaltsigmil 1 mgangsanschluß (22) gekuppelt ist und dessen Aiisgangsstretke in Sine mil dem Luftwiderstand (K1n) /wischen die Suumviüfsurgungsanschlüssc (27, Masse) geschaltet ist, und daß die Eingangselcktrodc des ersten Schalttransistors (Qn) mit dem Ausgang des zweiten Schalttransistors (Q11) an der Verbindungsstelle des zweiten Transistors (Q,,) mit dem erwähnten Lastwiderstand (R10J verbunden ist..V Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Verstärkertransistor(Q14) in Kaskade zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstärkertransistors (Q]Q) und die Eingangselektrode des zweiten Verstärkertransistors (Q13) geschaltet ist, und daß ein zusätzlicher Schaltungsteil (D1, D1, A12) vorgesehen ist, der die Eingangselektrode des dritten Verstärkertransistors (Q14) mit dem Schaltsignal-Eingangsanschluß (22) verbindet und so ausgebildet ist, daß der dritte Verstärkertransistor (Q14) nur dann leitend wird, wenn das Schaltsignal (K) seinen Durchlaßpegel hat.4. Torschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche SchaJtungsteil eine Impedanz (R12) enthält, welche die Eingangselektroda des dritten Verstärkertransistors (Q14) mit der Eingangselektrode des ersten Schalttransisiors (Q11) verbindet, und daß der zusätzliche Schaltungsteil ferner nur in einer Richtung gleitende Schaltelemente (D1, D2) enthält, die in Serie zwischen die Eingangselektrode des dritten Transistors (Q14) und dem zweiten Stromversorgungsanschluß (Masse) geschaltet sind.5. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Verstärkertransistor (Q16) vorgesehen ist, dessen Ausgangsstrecke in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstarkertransistors (Q|0) und die Ausgangslastimpedanz (R9) geschaltet ist, daß eine als Eingangselektrode bestimmten Elektrode des dritten Verstarkertransistors (Q16) eine steuerbare Vorspannung ( VR]) zugeführt ist, um die Verstärkung des Informationssignals durch den dritten Verstarkertransistors (Q16) zu steuern, und daß ein vierter Verstärkertransistor (Q17) vorgesehen ist, welcher so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend ist, wobei seine Ausgangsstrecke in Serie zwischen die Ausgangsstrecke des ersten Verstarkertransistors (Q10) und dem eisten Stromversorgungsanschluß (27) geschaltet ist, derart daß der dritte und vierte Verstärkungstninsistor (Q16, Q1,) einen Differentialverstärker bilden.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |